RU47136U1 - Light emitting diode - Google Patents
Light emitting diode Download PDFInfo
- Publication number
- RU47136U1 RU47136U1 RU2005104409/22U RU2005104409U RU47136U1 RU 47136 U1 RU47136 U1 RU 47136U1 RU 2005104409/22 U RU2005104409/22 U RU 2005104409/22U RU 2005104409 U RU2005104409 U RU 2005104409U RU 47136 U1 RU47136 U1 RU 47136U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting diode
- crystal
- diode according
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Светоизлучающий диод относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использован при изготовлении мощных высокоэффективных источников излучения, пригодных для замены традиционных ламповых источников света. Светоизлучающий диод включает полупроводниковый Светоизлучающий кристалл, помещенный в отражающий сплошной корпус, выполненный из материала, прозрачного для излучения с показателем преломления nm>nb, часть поверхности которого, не выводящая излучение за счет полного внутреннего отражения, образована вращением кривой функции f(x) относительно оси симметрии, форма не выводящей излучение поверхности корпуса удовлетворяет соотношению:A light-emitting diode refers to semiconductor optoelectronics and can be used in the manufacture of powerful high-efficiency radiation sources suitable for replacing traditional tube light sources. The light-emitting diode includes a semiconductor light-emitting crystal placed in a reflective solid body made of a material transparent to radiation with a refractive index n m > n b , a part of the surface of which is not outputting radiation due to total internal reflection, is formed by rotation of the curve of the function f (x) relative to the axis of symmetry, the shape of the radiation-free surface of the housing satisfies the relation:
где: nb - показатель преломления окружающей среды (воздуха); nm - показатель преломления материала корпуса; f'(х) - производная функции f(x); х - координата точки на кривой f(x), см; ξ - расстояние от точки начала координат до светоизлучающего кристалла, см. отражающий корпус усечен по плоскости, параллельной его широкому основанию, на которой выполняется условие полного внутреннего отражения света, излучаемого кристаллом, и размещен на теплоотводящем элементе.where: n b is the refractive index of the environment (air); n m is the refractive index of the body material; f '(x) is the derivative of the function f (x); x is the coordinate of the point on the curve f (x), cm; ξ is the distance from the coordinate origin to the light-emitting crystal, see the reflecting body is truncated along a plane parallel to its wide base, on which the condition for the total internal reflection of the light emitted by the crystal is satisfied, and is placed on the heat-removing element.
Description
Полезная модель относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использована при изготовлении мощных высокоэффективных источников излучения, пригодных для замены традиционных ламповых источников света.The utility model relates to semiconductor optoelectronics and can be used in the manufacture of powerful high-efficiency radiation sources suitable for replacing traditional tube light sources.
Известен светоизлучающий диод (СИД) (см. Коган Л.М., Водовозова М.Л., Вишневская В.И., и др. - Светодиоды с узконаправленным излучением. Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы, 1988 г., вып.1, стр.17-23), включающий полупроводниковый светоизлучающий кристалл, размещенный в прозрачном корпусе, имеющем куполообразную форму.Known light-emitting diode (LED) (see Kogan L.M., Vodovozova M.L., Vishnevskaya V.I., and others - LEDs with narrow radiation. Electronic technology. Ser.2, Semiconductor devices, 1988, issue 1, pp. 17-23), including a semiconductor light-emitting crystal placed in a transparent housing having a dome-shaped shape.
В известном СИД значительная часть излучения кристалла не попадает в апертуру фокусирующей линзы, выходит через боковую поверхность прозрачного корпуса и бесполезно теряется. В зависимости от соотношения геометрических размеров корпуса такие потери могут достигать до 50% от всего излучаемого кристаллом света.In the known LED, a significant part of the crystal radiation does not fall into the aperture of the focusing lens, exits through the side surface of the transparent body, and is uselessly lost. Depending on the ratio of the geometric dimensions of the case, such losses can reach up to 50% of the total light emitted by the crystal.
Известен светоизлучающий диод (см. свидетельство РФ №8836, МПК H 01 L 33/00, опубликована 16.12.1998), включающий корпус и светоизлучающий кристалл, размещенный в прозрачном для излучения материале корпуса с показателем преломления, большим показателя преломления воздуха, но меньшим показателя преломления кристалла. Часть поверхности корпуса, не выводящая излучение за счет полного внутреннего отражения, выполнена в форме эллиптического параболоида. Светоизлучающий кристалл расположен на круглой площадке, причем обращенная к упомянутому кристаллу поверхность площадки выполнена отражающей излучение кристалла.A known light-emitting diode (see RF certificate No. 8836, IPC H 01 L 33/00, published December 16, 1998), comprising a housing and a light-emitting crystal placed in a radiation-transparent material of the housing with a refractive index greater than the refractive index of the air but lower than refraction of the crystal. The part of the housing surface that does not remove radiation due to total internal reflection is made in the form of an elliptical paraboloid. The light-emitting crystal is located on a circular site, and the surface of the site facing the said crystal is made reflective radiation of the crystal.
Известная конструкция СИД не обеспечивает получение мощного излучения и имеет ограничения по световому потоку.The known LED design does not provide powerful radiation and has restrictions on the luminous flux.
В известном СИД достигается более эффективное использование светового потока за счет применения для сбора излучения физического явления полного внутреннего отражения света на границе двух сред. In the known LED, a more efficient use of the luminous flux is achieved due to the use of total internal reflection of light at the interface between two media to collect radiation from a physical phenomenon.
Известно, что в оптической системе, где свет выходит из оптически более плотной среды в среду оптически менее плотную, при определенных углах падения может выполняться условие полного внутреннего отражения света. Сплошной прозрачный корпус СИД должен иметь такую форму, что бы на его боковой, не выводящей излучение поверхности, происходило отражение света, излучаемого полупроводниковым кристаллом. В этом случае форма боковой поверхности прозрачного корпуса СИД, отражающая излучение, должна быть такой, чтобы направление распространения света, выходящего из светоизлучающего кристалла, образовывало в точке падения на нее с касательной плоскостью к этой точке угол больше угла полного внутреннего отражения. При выполнении этого условия свет, выходящий из излучающего кристалла, испытывает только отражение без какого-либо преломления. После отражения он полностью выводится через плоскую световы водящую часть поверхности корпуса. В случае использования для изготовления корпуса СИД широко распространенного в настоящее время прозрачного эпоксидного оптического компаунда с показателем преломления n~1,5 этот угол составляет ~40°. В общем случае уравнение кривой, удовлетворяющей условиям получения полного внутреннего отражения света в любой точке, может быть представлено в виде установленного в патенте [3] соотношения. Очевидно, что сбор и фокусировка излучения в такой конструкции происходит не за счет преломления света как у СИД с куполообразной световыводящей поверхностью, а за счет отражения на боковой поверхности параболоида, где на границе с воздухом выполняется условие полного внутреннего отражения света.It is known that in an optical system where light leaves an optically denser medium into an optically less dense medium, the condition for total internal reflection of light can be satisfied at certain angles of incidence. The solid transparent LED casing must be shaped so that light emitted from the semiconductor crystal reflects on its lateral non-radiation surface. In this case, the shape of the side surface of the transparent LED housing reflecting radiation should be such that the direction of propagation of the light exiting the light emitting crystal forms an angle greater than the angle of total internal reflection at the point of incidence on it with a tangent plane to this point. When this condition is fulfilled, the light emerging from the emitting crystal experiences only reflection without any refraction. After reflection, it is completely excreted through the flat light leading part of the surface of the housing. In the case of using for the manufacture of the LED housing the currently widespread transparent epoxy optical compound with a refractive index of n ~ 1.5, this angle is ~ 40 °. In the general case, the equation of a curve satisfying the conditions for obtaining total internal reflection of light at any point can be represented in the form specified in the patent [3]. Obviously, the collection and focusing of radiation in this design does not occur due to the refraction of light as in LEDs with a domed light-output surface, but due to reflection on the side surface of the paraboloid, where the condition of total internal reflection of light is fulfilled at the interface with air.
Известен светоизлучающий диод (см. патент РФ №2055420, МПК H 01 L 33/00, опубликован 27.12.1996), совпадающий с заявляемым решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Он включает светоизлучающий кристалл, помещенный в прозрачный материал отражающего корпуса, выполненного из материала, прозрачного для излучения с показателем преломления 1<nм<nк. Часть поверхности корпуса, не выводящая излучение за счет полного внутреннего отражения, образована вращением кривой функции f(x) относительно оси симметрии, а Known light-emitting diode (see RF patent No. 2055420, IPC H 01 L 33/00, published December 27, 1996), coinciding with the claimed solution for the largest number of essential features and adopted as a prototype. It includes a light-emitting crystal placed in a transparent material of a reflective body made of a material transparent to radiation with a refractive index of 1 <n m <n k . The part of the housing surface that does not remove radiation due to total internal reflection is formed by rotation of the curve of the function f (x) relative to the axis of symmetry, and
форма не выводящей излучение поверхности корпуса удовлетворяет соотношению:the shape of the radiation-free surface of the housing satisfies the relation:
где: nb - показатель преломления окружающей среды (воздуха);where: n b is the refractive index of the environment (air);
nm - показатель преломления материала корпуса;n m is the refractive index of the body material;
f'(х) - производная функции f(x);f '(x) is the derivative of the function f (x);
х - координата точки на кривой f(x);x is the coordinate of the point on the curve f (x);
ξ - расстояние от точки начала координат до светоизлучающего кристалла.ξ is the distance from the origin to the light emitting crystal.
В пространственном изображении искомая форма отражающего корпуса СИД представляет собой объемную фигуру, полученную путем вращения кривой функции f(x), удовлетворяющей представленному выше уравнению относительно "оси симметрии. Этому уравнению удовлетворяет целое семейство кривых функций f(x), используя которые можно изготовить различные формы полимерного корпуса СИД. Такие светоизлучающие диоды при расположении излучающего кристалла на оси симметрии полностью собирают и выводят через световыводящую поверхность корпуса все излучение, испускаемое полупроводниковым кристаллом. В случае если форма корпуса СИД выполнена в виде геометрической фигуры, которая, кроме сбора, позволяет и фокусировать излучение, например, в виде эллиптического параболоида, то фокусировку света в такой конструкции СИД легко осуществлять путем изменения месторасположения светоизлучающего кристалла на его оси симметрии.In the spatial image, the desired shape of the reflecting LED casing is a three-dimensional figure obtained by rotating a curve of the function f (x) satisfying the above equation with respect to the "axis of symmetry. This equation satisfies a whole family of curves of functions f (x), using which it is possible to produce various shapes polymer LED housing. Such light emitting diodes, when the emitting crystal is located on the axis of symmetry, are completely collected and all radiation emitted through the light output surface of the housing emitted by a semiconductor crystal.If the shape of the LED housing is made in the form of a geometric figure, which, in addition to collecting, allows you to focus the radiation, for example, in the form of an elliptical paraboloid, then the light can be focused in such an LED design by changing the location of the light-emitting crystal on it axis of symmetry.
Однако известная конструкция СИД не позволяет получать мощные источники излучения, обладающие повышенным световым потоком. Известно, что мощность излучения и величина светового потока СИД зависит от величины тока, протекающего через полупроводниковый кристалл. Поэтому для увеличения мощности излучения и величины светового потока СИД через полупроводниковый кристалл стараются пропустить как можно больший ток. Однако с увеличением величины тока, протекающего через However, the known LED design does not allow to obtain high-power radiation sources with high luminous flux. It is known that the radiation power and the luminous flux of the LED depends on the magnitude of the current flowing through the semiconductor crystal. Therefore, to increase the radiation power and the luminous flux of LEDs through a semiconductor crystal, they try to pass as much current as possible. However, with increasing current flowing through
полупроводниковый кристалл, наряду с повышением мощности излучения происходит и разогрев объема кристалла. Вредное влияние разогрева даже при его относительно небольшой величине приводит к резкому ухудшению светотехнических параметров СИД. Изменяется длинна волны излучения и, в конечном итоге, уменьшается и возросшая в первоначальный момент мощность излучения. Более того, работа СИД в таком режиме приводит к быстрой деградации полупроводникового кристалла и выходу излучателя из строя. Обычно рабочая температура полупроводниковых излучательных кристаллов не должна превышать величины 100-120°С. Поэтому через СИД не рекомендуется пропускать ток, при котором температура объема полупроводникового кристалла была бы выше. При этом необходимо учитывать особенности конструкции СИД. В известной конструкции, где полупроводниковый кристалл расположен на достаточно тонком металлическом электроде, недопустимый разогрев объема кристалла достигается уже при токе 50-100 мА. В результате в таких конструкциях СИД световой поток не превышает несколько люменов, и получить большую мощность излучения не представляется возможным.a semiconductor crystal, along with an increase in the radiation power, the crystal volume is also heated. The harmful effect of heating even with its relatively small value leads to a sharp deterioration in the lighting parameters of LEDs. The radiation wavelength changes and, ultimately, the radiation power increased at the initial moment also decreases. Moreover, the operation of the LED in this mode leads to rapid degradation of the semiconductor crystal and the emitter breakdown. Typically, the operating temperature of semiconductor emitting crystals should not exceed 100-120 ° C. Therefore, it is not recommended to pass a current through the LED at which the temperature of the volume of the semiconductor crystal would be higher. In this case, it is necessary to take into account the design features of LEDs. In a known design, where the semiconductor crystal is located on a sufficiently thin metal electrode, an unacceptable heating of the crystal volume is already achieved at a current of 50-100 mA. As a result, in such LED designs, the luminous flux does not exceed several lumens, and it is not possible to obtain a large radiation power.
Задачей заявляемого технического решения являлась разработка такого светоизлучающего диода, который бы позволял получать мощные источники излучения, обладающие повышенным световым потоком.The objective of the claimed technical solution was the development of such a light-emitting diode, which would allow to obtain powerful radiation sources with high light flux.
Поставленная задача решается тем, что светоизлучающий диод включает полупроводниковый светоизлучающий кристалл, помещенный в отражающий сплошной корпус, выполненный из материала, прозрачного для излучения с показателем преломления nm>nb, часть поверхности которого, не выводящая излучение за счет полного внутреннего отражения, образована вращением кривой функции f(x) относительно оси симметрии, форма не выводящей излучение поверхности корпуса удовлетворяет соотношению:The problem is solved in that the light-emitting diode includes a semiconductor light-emitting crystal placed in a reflective solid body made of a material transparent to radiation with a refractive index n m > n b , a part of the surface of which is not outputting radiation due to total internal reflection, is formed by rotation the curve of the function f (x) with respect to the axis of symmetry, the shape of the housing surface not emitting radiation satisfies the relation:
, ,
где: nb - показатель преломления окружающей среды (воздуха);where: n b is the refractive index of the environment (air);
nm - показатель преломления материала корпуса;n m is the refractive index of the body material;
f'(х) - производная функции f(x);f '(x) is the derivative of the function f (x);
х - координата точки на кривой f(x), см;x is the coordinate of the point on the curve f (x), cm;
ξ - расстояние от точки начала координат до светоизлучающего кристалла, см.ξ is the distance from the origin to the light-emitting crystal, see
упомянутый отражающий корпус усечен по плоскости, параллельной его широкому основанию, на которой выполняется условие полного внутреннего отражения света, излучаемого кристаллом, и размещен на теплоотводящем элементе.the said reflective body is truncated in a plane parallel to its wide base, on which the condition for the total internal reflection of the light emitted by the crystal is satisfied, and is placed on the heat-removing element.
Отражающий корпус может быть выполнен, например, в форме сплошного эллиптического параболоида с плоской световы водя щей поверхностью, при этом полупроводниковый светоизлучающий кристалл расположен в центре его фокальной плоскости, по которой усечен упомянутый отражающий корпус.The reflective body can be made, for example, in the form of a continuous elliptical paraboloid with a flat light-emitting surface, the semiconductor light-emitting crystal being located in the center of its focal plane along which the said reflective body is truncated.
Отражающий корпус СИД может быть выполнен из светопрозрачного полимерного материала, например, поликарбоната или эпоксидного оптического компаунда.The LED reflecting housing may be made of a translucent polymeric material, for example, polycarbonate or an epoxy optical compound.
Теплоотводящий элемент СИД может быть выполнен в виде в виде радиатора или в виде металлической пластины с полированной поверхностью, обращенной к светоизлучающему кристаллу.The heat sink element LED can be made in the form of a radiator or in the form of a metal plate with a polished surface facing the light-emitting crystal.
Светоизлучающий кристалл может быть покрыт слоем люминофора для получения белого света.The light emitting crystal may be coated with a phosphor layer to produce white light.
В светоизлучающем диоде вокруг боковой поверхности светоизлучающего кристалла может быть установлен отражатель, выполненный, например, в виде части сферы или в виде эллиптического параболоида.In the light-emitting diode around the side surface of the light-emitting crystal, a reflector can be installed, made, for example, in the form of a part of a sphere or in the form of an elliptical paraboloid.
Как указано выше, для того, что бы эффективно собирать и использовать излучение полупроводникового кристалла, сплошной прозрачный отражающий корпус мощного СИД должен иметь форму боковой, не выводящей излучение поверхности, на которой происходит отражение света. В этом случае, форма наружной поверхности корпуса СИД, отражающая излучение, должна быть такой, чтобы направление распространения света, выходящего из светоизлучающего кристалла, образовывало в точке падения на нее с касательной плоскостью к этой точке As indicated above, in order to efficiently collect and use the radiation of a semiconductor crystal, the solid transparent reflective housing of a high-power LED must have the form of a side, non-radiation-emitting surface on which light is reflected. In this case, the shape of the outer surface of the LED housing reflecting the radiation should be such that the direction of propagation of the light exiting the light emitting crystal forms at the point of incidence on it with a tangent plane to this point
угол больше угла полного внутреннего отражения. После отражения свет полностью выводится через перпендикулярную оси симметрии световыводящую часть поверхности отражающего корпуса.the angle is greater than the angle of total internal reflection. After reflection, the light is completely removed through the light-output part of the surface of the reflecting body perpendicular to the axis of symmetry.
Так, например, размещение полупроводникового кристалла в центре фокальной плоскости эллиптического параболоида, обеспечивает получение, в зависимости от геометрических размеров отражающего корпуса, достаточно узкие углы излучения ~2-3°. При этом заданный угол излучения в такой конструкции довольно просто установить, изменяя лишь месторасположение кристалла на оси симметрии.So, for example, the placement of a semiconductor crystal in the center of the focal plane of an elliptical paraboloid provides, depending on the geometric dimensions of the reflecting body, rather narrow radiation angles of ~ 2-3 °. Moreover, the given radiation angle in such a design is quite simple to establish, changing only the location of the crystal on the axis of symmetry.
В конструкции заявляемого СИД для отвода избыточного тепла полупроводниковый кристалл располагается непосредственно на теплоотводящем элементе. При этом с помощью тонких промежуточных слоев из материалов с высокой теплопроводностью и различного типа теплопроводящих паст, можно добиться минимального теплового сопротивления в месте контакта кристалла с радиатором.In the design of the inventive LED for removing excess heat, the semiconductor crystal is located directly on the heat-removing element. In this case, using thin intermediate layers of materials with high thermal conductivity and various types of heat-conducting pastes, it is possible to achieve minimal thermal resistance at the contact point of the crystal with the radiator.
В заявляемой полезной модели сочетается особая форма отражающего корпуса СИД, которая обеспечивает эффективный сбор и фокусировку излучения полупроводникового кристалла, с теплоотводящим радиатором, который позволяет пропускать через него повышенные токи. Такая интеграция позволяет изготовить мощные СИД, где эффективно используется весь световой поток излучаемый полупроводниковым кристаллом.The claimed utility model combines a special shape of the reflective LED casing, which provides efficient collection and focusing of the radiation of the semiconductor crystal, with a heat sink that allows high currents to pass through it. Such integration allows the manufacture of high-power LEDs, where the entire luminous flux emitted by the semiconductor crystal is effectively used.
Сущность изобретения поясняется чертежом, где:The invention is illustrated in the drawing, where:
на фиг.1. изображен в продольном разрезе один из вариантов отражающего корпуса и помещенного в него светоизлучающего кристалла;in figure 1. depicted in longitudinal section one of the options of the reflecting body and placed in it a light emitting crystal;
на фиг.2 показан вид спереди отражающего корпуса, изображенного на фиг.1.figure 2 shows a front view of the reflective housing depicted in figure 1.
на фиг.3. изображен в продольном разрезе другой вариант отражающего корпуса и помещенного в него светоизлучающего кристалла;figure 3. another embodiment of a reflecting body and a light emitting crystal placed therein is shown in longitudinal section;
на фиг.4 показан вид спереди отражающего корпуса, изображенного на фиг.3.figure 4 shows a front view of the reflective housing depicted in figure 3.
Заявляемый СИД (см. фиг.1) включает полупроводниковый светоизлучающий кристалл 1, помещенный в светопрозрачный отражающий корпус 2, выполненный в форме, например, сплошного эллиптического параболоида с не выводящей излучение части 3 поверхности и плоской световыводящей частью 4 поверхности. Отражающий корпус 2 и светоизлучающий кристалл 1 размещены на теплоотводящем элементе 5 (в виде металлической пластины с полированной поверхностью). Отражающий корпус 2 выполнен из прозрачного для излучения кристалла 1 полимера, например, из поликарбоната или эпоксидного оптического компаунда. К светоизлучающему кристаллу 1 присоединены электроды 6. Светоизлучающий кристалл 1 покрыт слоем 7 люминофора для получения белого света. Вокруг боковой поверхности светоизлучающего кристалла 1 может быть установлен отражатель 8 (см. фиг.3).The inventive LED (see Fig. 1) includes a semiconductor light-emitting crystal 1 placed in a translucent reflective body 2, made in the form of, for example, a solid elliptical paraboloid with a non-radiation-emitting surface part 3 and a flat light-emitting part 4 of the surface. The reflecting body 2 and the light emitting crystal 1 are placed on the heat-removing element 5 (in the form of a metal plate with a polished surface). The reflecting body 2 is made of a polymer 1 transparent to radiation of the crystal 1, for example, polycarbonate or an epoxy optical compound. Electrodes 6 are connected to the light emitting crystal 1. The light emitting crystal 1 is coated with a phosphor layer 7 to produce white light. Around the side surface of the light emitting crystal 1, a reflector 8 can be mounted (see FIG. 3).
Заявляемый СИД работает следующим образом. Используя приведенное выше соотношение, из, например, эпоксидного компаунда изготавливают сплошной отражающий корпус 2, на оси симметрии которого размещают светоизлучающий кристалл 1 с р-п-переходом. При приложении положительного смещения к подводящим электродам 6 световые лучи, испускаемые кристаллом 1, попадают на границу раздела двух сред компаунд - воздух, где за счет преломления света отражаются от невыводящей излучение части 3 поверхности и выходят через световыводящую часть 4 поверхности корпуса 2 наружу.The inventive LED operates as follows. Using the above ratio, for example, a continuous reflecting body 2 is made from, for example, an epoxy compound, on the axis of symmetry of which a light-emitting crystal 1 with a pn junction is placed. When a positive bias is applied to the supply electrodes 6, the light rays emitted by the crystal 1 reach the interface between the two compounds, air, where, due to the refraction of light, they are reflected from the non-radiation-producing part 3 of the surface and exit through the light-output part 4 of the surface of the housing 2 to the outside.
Claims (11)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005104409/22U RU47136U1 (en) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | Light emitting diode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005104409/22U RU47136U1 (en) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | Light emitting diode |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU47136U1 true RU47136U1 (en) | 2005-08-10 |
Family
ID=35845649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005104409/22U RU47136U1 (en) | 2005-02-15 | 2005-02-15 | Light emitting diode |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU47136U1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2402109C1 (en) * | 2009-09-08 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Polymer-coated semiconductor light source |
| RU2402110C1 (en) * | 2009-09-08 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Polymer-coated light-emitting diode module |
| RU2518181C2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-06-10 | Амтай Медикал Эквипмент, Инк. | Led-based light source for light fixtures of sanitary grade |
| RU2580215C1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ") | Method of making light-emitting diode |
-
2005
- 2005-02-15 RU RU2005104409/22U patent/RU47136U1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2402109C1 (en) * | 2009-09-08 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Polymer-coated semiconductor light source |
| RU2402110C1 (en) * | 2009-09-08 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" | Polymer-coated light-emitting diode module |
| RU2518181C2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-06-10 | Амтай Медикал Эквипмент, Инк. | Led-based light source for light fixtures of sanitary grade |
| RU2580215C1 (en) * | 2014-12-30 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ") | Method of making light-emitting diode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5336564B2 (en) | Light emitting device, lighting device, vehicle headlamp, and vehicle | |
| US7744236B2 (en) | Underwater lamp | |
| US8235556B2 (en) | Condensing element, array, and methods thereof | |
| TWI573955B (en) | Illumination apparatus | |
| CN105765745B (en) | lighting equipment | |
| US20070147041A1 (en) | Lighting system | |
| US20050168994A1 (en) | Back-reflecting LED light source | |
| JP2007513382A (en) | Reflected light coupler | |
| WO2003026031A9 (en) | Condensing element and forming method therefor and condensing element-carrying led lamp and linear light emitting device using led lamp as light source | |
| JP6466467B2 (en) | Light emitting device with spectral conversion element | |
| KR101080328B1 (en) | Lamp with light emitting diodes for enhanced light efficiency | |
| RU47136U1 (en) | Light emitting diode | |
| US20120294001A1 (en) | Luminaire For Illuminating a Target Area by Means of Retroreflection of Light from a Light-Emitting Diode Module on a Reflector | |
| CN1948822A (en) | Illuminating system | |
| RU2055420C1 (en) | Light-emitting diode | |
| JP5840179B2 (en) | Light emitting device | |
| RU113073U1 (en) | LIGHT-Emitting DIODE MODULE | |
| RU115565U1 (en) | LIGHT-RADIATING DIODE MODULE (OPTIONS) | |
| CN216408832U (en) | A semiconductor laser light source | |
| RU120747U1 (en) | LIGHT-Emitting DIODE MODULE | |
| RU139658U1 (en) | LIGHT-Emitting DIODE MODULE | |
| CN107084329B (en) | A kind of halogen lamp cold light source using prefocus cup | |
| RU142036U1 (en) | UV RADIATING DIODE | |
| WO2016078700A1 (en) | A light emitting device | |
| CN108413264A (en) | A kind of high light-emitting rate ultraviolet LED lighting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20100216 |
|
| RZ1K | Other changes in the information about an invention |