RU2728834C1 - Display substrate and method of its preparation, display panel and display device - Google Patents
Display substrate and method of its preparation, display panel and display device Download PDFInfo
- Publication number
- RU2728834C1 RU2728834C1 RU2020100067A RU2020100067A RU2728834C1 RU 2728834 C1 RU2728834 C1 RU 2728834C1 RU 2020100067 A RU2020100067 A RU 2020100067A RU 2020100067 A RU2020100067 A RU 2020100067A RU 2728834 C1 RU2728834 C1 RU 2728834C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- subpixel
- electrode
- light emitting
- light
- circuit
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 571
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 15
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 218
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 91
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 63
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 45
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 341
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 35
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 16
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 11
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 5
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 4
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/441—Interconnections, e.g. scanning lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/40—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs
- H10D86/60—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple TFTs wherein the TFTs are in active matrices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
Область техники, к которой относится изобретениеThe technical field to which the invention relates
[0001] Варианты осуществления настоящего раскрытия относятся к подложке отображения, к способу ее подготовки, к панели отображения и к устройству отображения.[0001] Embodiments of the present disclosure relate to a display substrate, a method for preparing it, a display panel, and a display device.
Уровень техникиState of the art
[0002] В силу быстрого развития органических светоизлучающих диодов с активной матрицей (AMOLED) в области техники отображения, потребность в эффекте отображения для людей становится все выше. Вследствие преимуществ высокого качества отображения, диапазон применения устройств отображения высокого разрешения становится все более широким. В общем, разрешение устройства отображения может повышаться посредством уменьшения размеров пикселов и уменьшения разнесения между пикселами.[0002] Due to the rapid development of active matrix organic light-emitting diodes (AMOLEDs) in the display field, the demand for a display effect for humans is increasing. Due to the advantages of high display quality, the range of applications for high definition display devices is becoming wider. In general, the resolution of a display device can be increased by decreasing pixel sizes and decreasing pixel spacing.
Сущность изобретенияThe essence of the invention
[0003] По меньшей мере, некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют подложку отображения, подложка отображения включает в себя несущую подложку и множество повторяющихся ячеек на несущей подложке, каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, и каждый из множества субпикселов содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света; пиксельная схема содержит возбуждающую схему; светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения; множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, и форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела; ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке; и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.[0003] At least some embodiments of the present disclosure provide a display substrate, the display substrate includes a carrier substrate and a plurality of repeating cells on a carrier substrate, each of the plurality of repeating cells comprises a plurality of subpixels, and each of the plurality of subpixels comprises a light emitting element and a pixel a circuit for driving the light emitting element to emit light; the pixel circuit contains a driving circuit; the light emitting element includes a first light emitting voltage supply electrode, a second light emitting voltage supply electrode, and a light emitting layer between the first light emitting voltage supply electrode and the second light emitting voltage supply electrode; the plurality of subpixels comprise a first subpixel and a second subpixel, the color of the light emitted by the light emitting element of the first subpixel is the same as the color of the light emitted by the light emitting element of the second subpixel, and the shape of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the first subpixel is different from the shape of the first electrode of the light emitting voltage a light emitting element of the second subpixel; an orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate; and the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second sub-pixel on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the second sub-pixel pixel circuit on the carrier substrate.
[0004] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, область ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке отличается от области ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.[0004] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the orthographic projection area of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate is different from the orthographic projection area of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel on the carrier substrate.
[0005] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке и ортографической проекцией первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке составляет первую область, и область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке и ортографической проекцией первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке составляет вторую область; и отношение первой области ко второй области удовлетворяет следующей взаимосвязи:[0005] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, an area of overlapping portion between the orthographic projection of the driving terminal of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate and the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the first subpixel light-emitting element on the carrier substrate constitutes a first region, and a region of overlapping portion between an orthographic projection of a driving terminal of a driving circuit of a pixel circuit of a second subpixel on a carrier substrate and an orthographic projection of a first light emitting voltage supply electrode of a light emitting element of a second subpixel on a carrier substrate constitutes a second region; and the ratio of the first region to the second region satisfies the following relationship:
Amin≤A1/A2≤Amax,Amin≤A1 / A2≤Amax,
где A1 представляет первую область, A2 представляет вторую область, Amin представляет минимальное пороговое значение отношения и составляет 90%, и Amax представляет максимальное пороговое значение отношения и составляет 110%.where A1 represents the first region, A2 represents the second region, Amin represents the minimum threshold value of the ratio and is 90%, and Amax represents the maximum threshold value of the ratio and is 110%.
[0006] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке находится в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке; и ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке находится в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.[0006] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the orthographic projection of the control terminal of the first subpixel pixel circuit driving circuit on the carrier substrate is within the orthographic projection of the first light emitting voltage supply electrode of the first subpixel light emitting element on the carrier substrate; and the orthographic projection of the control terminal of the second subpixel pixel circuit driving circuit on the carrier substrate is within the orthographic projection of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel on the carrier substrate.
[0007] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке является непрерывной с ортографической проекцией светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.[0007] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the orthographic projection of the light emitting layer of the first subpixel light emitting element on the carrier substrate is continuous with the orthographic projection of the light emitting layer of the second subpixel light emitting element on the carrier substrate.
[0008] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема дополнительно содержит первую светоизлучающую управляющую схему и вторую светоизлучающую управляющую схему, возбуждающая схема содержит управляющий контактный вывод, первый контактный вывод и второй контактный вывод, и возбуждающая схема выполнена с возможностью предоставлять ток возбуждения для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света; первая светоизлучающая управляющая схема соединена с первым контактным выводом возбуждающей схемы и первым контактным выводом напряжения, и первая светоизлучающая управляющая схема выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой и первым контактным выводом напряжения; и вторая светоизлучающая управляющая схема электрически соединена со вторым контактным выводом возбуждающей схемы и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента, и вторая светоизлучающая управляющая схема выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой и светоизлучающим элементом.[0008] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the pixel circuit further comprises a first light emitting drive circuit and a second light emitting drive circuit, the driving circuit includes a control terminal, a first terminal and a second terminal, and the driving circuit is configured with the ability to provide a drive current to drive the light emitting element to emit light; the first light emitting control circuit is connected to the first driving circuit terminal and the first voltage terminal, and the first light emitting control circuit is configured to turn on or off the connection between the driving circuit and the first voltage terminal; and the second light emitting control circuit is electrically connected to the second terminal of the driving circuit and the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element, and the second light emitting control circuit is configured to turn on or off the connection between the driving circuit and the light emitting element.
[0009] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема первого субпиксела дополнительно содержит первую паразитную схему, и пиксельная схема второго субпиксела дополнительно содержит вторую паразитную схему; первая паразитная схема электрически соединена с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела, и первая паразитная схема выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела; и вторая паразитная схема электрически соединена с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, и вторая паразитная схема выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела.[0009] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first subpixel pixel circuit further comprises a first parasitic circuit, and the second subpixel pixel circuit further comprises a second parasitic circuit; the first parasitic circuit is electrically connected to the control terminal of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit and the first electrode for supplying the light emitting voltage of the light emitting element of the first subpixel, and the first parasitic circuit is configured to control the voltage of the control terminal of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit based on the voltage of the first supply electrode a light emitting voltage of the light emitting element of the first subpixel; and the second parasitic circuit is electrically connected to the control terminal of the driving circuit of the second subpixel pixel circuit and the first electrode for supplying the light emitting voltage of the light emitting element of the second subpixel, and the second parasitic circuit is configured to control the voltage of the control terminal of the driving circuit of the second subpixel pixel circuit based on the voltage of the first electrode supplying the light emitting voltage of the light emitting element of the second subpixel.
[0010] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первая паразитная схема содержит первый конденсатор, и первый конденсатор содержит первый электрод и второй электрод; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела содержит вспомогательный электродный блок, и ортографическая проекция вспомогательного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке; и вспомогательный электродный блок служит в качестве первого электрода первого конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы первого субпиксела мультиплексируется в качестве второго электрода первого конденсатора.[0010] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first parasitic circuit includes a first capacitor, and the first capacitor includes a first electrode and a second electrode; the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel comprises an auxiliary electrode unit, and the orthographic projection of the auxiliary electrode unit on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate; and the sub-electrode unit serves as the first electrode of the first capacitor, and the control terminal of the driving circuit of the first sub-pixel is multiplexed as the second electrode of the first capacitor.
[0011] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела дополнительно содержит первый возбуждающий электродный блок, и первый возбуждающий электродный блок электрически соединяется со вспомогательным электродным блоком, и ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке, ортографическая проекция светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке и ортографическая проекция второго электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрываются.[0011] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first sub-pixel further comprises a first excitation electrode unit, and the first excitation electrode unit is electrically connected to the sub-electrode unit, and an orthographic projection of the first excitation the electrode unit on the carrier substrate, an orthographic projection of the light emitting layer of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate and the orthographic projection of the second electrode for supplying the light emitting voltage of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate at least partially overlap.
[0012] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, вторая паразитная схема содержит второй конденсатор, и второй конденсатор содержит первый электрод и второй электрод; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела содержит второй возбуждающий электродный блок, и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке; ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке, ортографическая проекция светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке и ортографическая проекция второго электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрываются; и второй возбуждающий электродный блок мультиплексируется в качестве первого электрода второго конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы второго субпиксела мультиплексируется в качестве второго электрода второго конденсатора.[0012] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the second parasitic circuit includes a second capacitor, and the second capacitor includes a first electrode and a second electrode; the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel comprises a second excitation electrode unit, and an orthographic projection of the second excitation electrode unit on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate; an orthographic projection of the second exciting electrode unit on the carrier substrate, an orthographic projection of the light emitting layer of the second subpixel light emitting element on the carrier substrate, and an orthographic projection of the second light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel on the carrier substrate at least partially overlap; and the second driving electrode unit is multiplexed as the first electrode of the second capacitor, and the control terminal of the driving circuit of the second subpixel is multiplexed as the second electrode of the second capacitor.
[0013] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, форма первого возбуждающего электродного блока является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока, и область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке.[0013] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the shape of the first excitation electrode unit is the same as that of the second excitation electrode unit, and the orthographic projection area of the first excitation electrode unit on the carrier substrate is the same as the orthographic projection area of the second excitation electrode unit on a carrier substrate.
[0014] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в каждой повторяющейся ячейке, первый субпиксел и второй субпиксел размещаются в первом направлении, первое направление является параллельным поверхности несущей подложки, и в первом направлении, вспомогательный электродный блок расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела.[0014] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, in each repeating cell, the first subpixel and the second subpixel are disposed in the first direction, the first direction is parallel to the surface of the carrier substrate, and in the first direction, the sub-electrode unit is disposed on to the side of the first excitation electrode unit remotely from the light emitting element of the second subpixel.
[0015] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока на несущей подложке не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке.[0015] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the orthographic projection of the auxiliary electrode unit on the carrier substrate does not overlap with the orthographic projection of the light emitting layer of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate.
[0016] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела дополнительно содержит первый соединительный электродный блок, в первом направлении, первый соединительный электродный блок расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела, первый соединительный электродный блок расположен между вспомогательным электродным блоком и первым возбуждающим электродным блоком и электрически соединяется как со вспомогательным электродным блоком, так и с первым возбуждающим электродным блоком.[0016] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel further comprises a first connecting electrode unit, in the first direction, the first connecting electrode unit is disposed on the side of the first excitation electrode unit distantly from light emitting element of the second subpixel, the first connecting electrode unit is disposed between the auxiliary electrode unit and the first excitation electrode unit, and is electrically connected to both the auxiliary electrode unit and the first excitation electrode unit.
[0017] Например, подложка отображения, предоставленная посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя промежуточный слой в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки, пиксельная схема расположена между промежуточным слоем и несущей подложкой, светоизлучающий элемент расположен на стороне промежуточного слоя отдаленно от несущей подложки; и промежуточный слой содержит первое переходное отверстие, и первый соединительный электродный блок продолжается до первого переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой первого субпиксела через первое переходное отверстие.[0017] For example, a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure further includes an intermediate layer in a direction perpendicular to the surface of the carrier substrate, a pixel circuit is disposed between the intermediate layer and the carrier substrate, the light emitting element is located on the side of the intermediate layer remote from the carrier substrates; and the intermediate layer comprises a first via, and the first connecting electrode unit extends to the first via and is electrically connected to the first sub-pixel pixel circuit through the first via.
[0018] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела дополнительно содержит второй соединительный электродный блок, и второй соединительный электродный блок электрически соединяется со вторым возбуждающим электродным блоком, и в первом направлении, второй соединительный электродный блок расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока отдаленно от светоизлучающего элемента первого субпиксела.[0018] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second sub-pixel further comprises a second connecting electrode unit, and the second connecting electrode unit is electrically connected to the second drive electrode unit, and in the first direction , the second connecting electrode unit is located on the side of the second excitation electrode unit distantly from the light emitting element of the first subpixel.
[0019] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, промежуточный слой содержит второе переходное отверстие, и второй соединительный электродный блок продолжается до второго переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой второго субпиксела через второе переходное отверстие.[0019] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the intermediate layer comprises a second via, and the second connecting electrode block extends to the second via and is electrically connected to the second sub-pixel pixel circuit through the second via.
[0020] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела через первое переходное отверстие, и второй соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела через второе переходное отверстие.[0020] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first connecting electrode unit is electrically connected to the second light emitting pixel driving circuit of the first subpixel through the first via, and the second connecting electrode unit is electrically connected to the second light emitting pixel driving circuit. circuits of the second subpixel through the second via.
[0021] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема содержит активный полупроводниковый слой, электродный металлический затворный слой и электродный металлический слой "исток-сток", в направлении, перпендикулярном несущей подложке, активный полупроводниковый слой расположен между несущей подложкой и электродным металлическим затворным слоем, и электродный металлический затворный слой расположен между активным полупроводниковым слоем и электродным металлическим слоем "исток-сток"; первый соединительный электродный блок продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через первое переходное отверстие; и второй соединительный электродный блок продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через второе переходное отверстие.[0021] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, a pixel circuit includes an active semiconductor layer, an electrode gate metal layer, and a source-drain electrode metal layer, in a direction perpendicular to the carrier substrate, the active semiconductor layer is disposed between the carrier substrate and the electrode metal gate layer, and the electrode metal gate layer is disposed between the active semiconductor layer and the electrode source-drain metal layer; the first connecting electrode unit extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the first via; and the second connecting electrode unit extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the second via.
[0022] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, множество субпикселов дополнительно содержат третий субпиксел и четвертый субпиксел в каждой повторяющейся ячейке, третий субпиксел и четвертый субпиксел размещаются вдоль второго направления, и во втором направлении, первый субпиксел и второй субпиксел расположены между третьим субпикселом и четвертым субпикселом; и второе направление является параллельным поверхности несущей подложки, и первое направление является перпендикулярным второму направлению.[0022] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, a plurality of subpixels further comprise a third subpixel and a fourth subpixel in each repeating cell, a third subpixel and a fourth subpixel are arranged along the second direction, and in the second direction, the first subpixel and the second the subpixel is located between the third subpixel and the fourth subpixel; and the second direction is parallel to the surface of the carrier substrate, and the first direction is perpendicular to the second direction.
[0023] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела содержит третий возбуждающий электродный блок и третий соединительный электродный блок, третий возбуждающий электродный блок и третий соединительный электродный блок электрически соединены между собой, и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела содержит четвертый возбуждающий электродный блок и четвертый соединительный электродный блок, четвертый возбуждающий электродный блок и четвертый соединительный электродный блок электрически соединены между собой; и промежуточный слой содержит третье переходное отверстие и четвертое переходное отверстие, третий соединительный электродный блок продолжается до третьего переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой третьего субпиксела через третье переходное отверстие, и четвертый соединительный электродный блок продолжается до четвертого переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой четвертого субпиксела через четвертое переходное отверстие.[0023] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the third subpixel includes a third drive electrode unit and a third connecting electrode unit, the third drive electrode unit and the third connecting electrode unit are electrically connected together and the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the fourth subpixel comprises a fourth driving electrode unit and a fourth connecting electrode unit, the fourth driving electrode unit and the fourth connecting electrode unit are electrically connected to each other; and the intermediate layer comprises a third via and a fourth via, the third connecting electrode unit extends to the third via and is electrically connected to the third subpixel pixel circuit through the third via, and the fourth connecting electrode unit extends to the fourth via and is electrically connected to the pixel circuit the fourth subpixel through the fourth via.
[0024] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в каждой повторяющейся ячейке, в первом направлении, третий соединительный электродный блок расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока отдаленно от вспомогательного электродного блока, и во втором направлении, третий соединительный электродный блок расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока вплотную к четвертому возбуждающему электродному блоку; и в первом направлении, четвертый соединительный электродный блок расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока отдаленно от вспомогательного электродного блока, и во втором направлении, четвертый соединительный электродный блок расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока вплотную к третьему возбуждающему электродному блоку.[0024] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, in each repeating cell, in the first direction, the third connecting electrode unit is located on the third excitation electrode unit side distantly from the auxiliary electrode unit, and in the second direction, the third connecting electrode unit is the electrode unit is disposed on the third excitation electrode unit side adjacent to the fourth excitation electrode unit; and in the first direction, the fourth electrode unit is located on the fourth excitation electrode unit side distantly from the auxiliary electrode unit, and in the second direction, the fourth electrode unit is located on the fourth excitation electrode unit side adjacent to the third excitation electrode unit.
[0025] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, третий соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы третьего субпиксела через третье переходное отверстие, и четвертый соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы четвертого субпиксела через четвертое переходное отверстие.[0025] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the third connecting electrode unit is electrically connected to the second light emitting control circuit of the third subpixel pixel circuit through the third via, and the fourth connecting electrode unit is electrically connected to the second light emitting pixel driving circuit. circuits of the fourth subpixel through the fourth via.
[0026] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, множество повторяющихся ячеек размещаются во втором направлении, чтобы формировать множество групп повторяющихся ячеек, и множество групп повторяющихся ячеек размещаются в первом направлении; в первом направлении, первый соединительный электродный блок, второй соединительный электродный блок, третий соединительный электродный блок и четвертый соединительный электродный блок расположены между двумя смежными группами повторяющихся ячеек; и в первом направлении, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока расположена на стороне вспомогательного электродного блока отдаленно от первого возбуждающего электродного блока и расположена между двумя смежными повторяющимися ячейками в группе повторяющихся ячеек, смежной с группой повторяющихся ячеек, в которой расположен вспомогательный электродный блок.[0026] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, a plurality of repeating cells are disposed in a second direction to form a plurality of repeating cell groups, and a plurality of repeating cell groups are disposed in a first direction; in the first direction, the first connecting electrode unit, the second connecting electrode unit, the third connecting electrode unit, and the fourth connecting electrode unit are disposed between two adjacent groups of repeating cells; and in the first direction, at least a portion of the auxiliary electrode unit is located on the side of the auxiliary electrode unit remotely from the first excitation electrode unit and is located between two adjacent repeating cells in the repeating cell group adjacent to the repeating cell group in which the auxiliary electrode unit is located.
[0027] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый субпиксел и второй субпиксел представляют собой зеленые субпикселы, третий субпиксел представляет собой красный субпиксел, и четвертый субпиксел представляет собой синий субпиксел.[0027] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first subpixel and the second subpixel are green subpixels, the third subpixel is a red subpixel, and the fourth subpixel is a blue subpixel.
[0028] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема дополнительно содержит схему записи данных, схему хранения данных, пороговую компенсационную схему и схему сброса; схема записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы и выполнена с возможностью записывать сигнал данных в схему хранения данных под управлением сигнала развертки; схема хранения данных электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и первым контактным выводом напряжения и выполнена с возможностью сохранять сигнал данных; пороговая компенсационная схема электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и вторым контактным выводом возбуждающей схемы и выполнена с возможностью выполнять пороговую компенсацию для возбуждающей схемы; и схема сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента под управлением управляющего сигнала сброса.[0028] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the pixel circuit further comprises a data recording circuit, a data storage circuit, a threshold compensation circuit, and a reset circuit; the data recording circuit is electrically connected to the first terminal of the driving circuit and is configured to write the data signal to the data storage circuit under the control of the scanning signal; the data storage circuit is electrically connected to the control terminal of the driving circuit and the first voltage terminal, and is configured to store the data signal; the threshold compensation circuit is electrically connected to the control terminal of the driving circuit and the second terminal of the driving circuit, and is configured to perform the threshold compensation for the driving circuit; and the reset circuit is electrically connected to the driving circuit control terminal and the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element, and is configured to reset the driving circuit control terminal and the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element under the control of the reset command signal.
[0029] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, возбуждающая схема содержит возбуждающий транзистор, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы содержит затворный электрод возбуждающего транзистора, первый контактный вывод возбуждающей схемы содержит первый электрод возбуждающего транзистора, второй контактный вывод возбуждающей схемы содержит второй электрод возбуждающего транзистора; схема записи данных содержит транзистор записи данных, схема хранения данных содержит третий конденсатор, пороговая компенсационная схема содержит пороговый компенсационный транзистор, схема сброса содержит первый транзистор сброса и второй транзистор сброса, первая светоизлучающая управляющая схема содержит первый светоизлучающий управляющий транзистор, вторая светоизлучающая управляющая схема содержит второй светоизлучающий управляющий транзистор, управляющий сигнал сброса содержит первый управляющий субсигнал сброса и второй управляющий субсигнал сброса; первый электрод транзистора записи данных электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора, второй электрод транзистора записи данных выполнен с возможностью принимать сигнал данных, и затворный электрод транзистора записи данных выполнен с возможностью принимать сигнал развертки; первый электрод третьего конденсатора электрически соединяется с первым контактным выводом напряжения, и второй электрод третьего конденсатора электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора; первый электрод порогового компенсационного транзистора электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора, второй электрод порогового компенсационного транзистора электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора, и затворный электрод порогового компенсационного транзистора выполнен с возможностью принимать компенсационный управляющий сигнал; первый электрод первого транзистора сброса выполнен с возможностью принимать первый сигнал сброса, второй электрод первого транзистора сброса электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора, и затворный электрод первого транзистора сброса выполнен с возможностью принимать первый управляющий субсигнал сброса; первый электрод второго транзистора сброса выполнен с возможностью принимать второй сигнал сброса, второй электрод второго транзистора сброса электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента, и затворный электрод второго транзистора сброса выполнен с возможностью принимать второй управляющий субсигнал сброса; первый электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется с первым контактным выводом напряжения, второй электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора выполнен с возможностью принимать первый сигнал управления светоизлучением; и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора, второй электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента, и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора выполнен с возможностью принимать второй сигнал управления светоизлучением.[0029] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, a drive circuit includes a drive transistor, a drive circuit control terminal includes a gate electrode of a drive transistor, a first drive circuit lead includes a first drive transistor electrode, a second drive circuit lead contains the second electrode of the exciting transistor; the data recording circuit contains a data recording transistor, the data storage circuit contains a third capacitor, the threshold compensation circuit contains a threshold compensation transistor, the reset circuit contains a first reset transistor and a second reset transistor, the first light emitting control circuit contains a first light emitting control transistor, the second light emitting control circuit contains a second a light emitting control transistor, the reset control signal comprises a first reset control sub-signal and a second reset control sub-signal; the first electrode of the data recording transistor is electrically connected to the first electrode of the drive transistor, the second electrode of the data recording transistor is configured to receive a data signal, and a gate electrode of the data recording transistor is configured to receive a scan signal; the first electrode of the third capacitor is electrically connected to the first voltage terminal, and the second electrode of the third capacitor is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor; the first electrode of the threshold compensation transistor is electrically connected to the second electrode of the exciting transistor, the second electrode of the threshold compensation transistor is electrically connected to the gate electrode of the exciting transistor, and the gate electrode of the threshold compensation transistor is configured to receive the compensation control signal; the first electrode of the first reset transistor is configured to receive the first reset signal, the second electrode of the first reset transistor is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor, and the gate electrode of the first reset transistor is configured to receive the first reset control sub-signal; the first electrode of the second reset transistor is configured to receive the second reset signal, the second electrode of the second reset transistor is electrically connected to the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element, and the gate electrode of the second reset transistor is configured to receive the second reset control sub-signal; the first electrode of the first light emitting control transistor is electrically connected to the first voltage terminal, the second electrode of the first light emitting control transistor is electrically connected to the first electrode of the driving transistor, the gate electrode of the first light emitting control transistor is configured to receive the first light emitting control signal; and the first electrode of the second light emitting control transistor is electrically connected to the second electrode of the driving transistor, the second electrode of the second light emitting control transistor is electrically connected to the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element, and the gate electrode of the second light emitting control transistor is configured to receive the second light emitting control signal.
[0030] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют панель отображения, включающую в себя подложку отображения согласно любому из вариантов осуществления настоящего раскрытия.[0030] Some embodiments of the present disclosure also provide a display panel including a display substrate according to any one of the embodiments of the present disclosure.
[0031] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют устройство отображения, и устройство отображения включает в себя панель отображения согласно любому из вариантов осуществления настоящего раскрытия.[0031] Some embodiments of the present disclosure also provide a display device, and the display device includes a display panel according to any one of the embodiments of the present disclosure.
[0032] Например, устройство отображения, предоставленное посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя возбуждающую микросхему, возбуждающая микросхема электрически соединяется с панелью отображения, и возбуждающая микросхема расположена на стороне первого субпиксела в каждой повторяющейся ячейке отдаленно от второго субпиксела.[0032] For example, a display device provided by some embodiments of the present disclosure further includes a driver chip, the driver chip is electrically connected to the display panel, and the driver chip is located on the first subpixel side in each repeating cell away from the second subpixel.
[0033] Например, в устройстве отображения, предоставленном посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в каждой повторяющейся ячейке, область ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке превышает область ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.[0033] For example, in a display device provided by some embodiments of the present disclosure, in each repeating cell, the orthographic area of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel on the carrier substrate exceeds the orthographic projection area of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel on a carrier substrate.
[0034] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют способ подготовки для подготовки подложки отображения согласно любому из вариантов осуществления настоящего раскрытия, и способ подготовки включает в себя: предоставление несущей подложки; и формирование множества повторяющихся ячеек на несущей подложке, при этом каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, каждый из множества субпикселов содержит пиксельную схему и светоизлучающий элемент, светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения, множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.[0034] Some embodiments of the present disclosure also provide a preparation method for preparing a display substrate according to any one of the embodiments of the present disclosure, and the preparation method includes: providing a carrier substrate; and forming a plurality of repeating cells on the carrier substrate, wherein each of the plurality of repeating cells comprises a plurality of subpixels, each of the plurality of subpixels comprises a pixel circuit and a light emitting element, the light emitting element comprises a first electrode for applying a light emitting voltage, a second electrode for applying a voltage of light, and a light emitting layer between the first a light emitting voltage supply electrode and a second light emitting voltage supply electrode, a plurality of subpixels comprise a first subpixel and a second subpixel, the color of the light emitted by the light emitting element of the first subpixel is the same as the color of the light emitted by the light emitting element of the second subpixel, the shape of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element the first subpixel differs from the shape of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel, the orthographic projection of the first th electrode for supplying the light voltage of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the first subpixel on the carrier substrate, and the orthographic projection of the first electrode for supplying the light voltage of the light emitting element of the second subpixel on the carrier substrate overlaps at least partially with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel on the carrier substrate.
[0035] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют подложку отображения, и подложка отображения включает в себя несущую подложку и множество повторяющихся ячеек на несущей подложке, каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, каждый из множества субпикселов содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света, пиксельная схема содержит возбуждающую схему, и светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения; возбуждающие схемы множества субпикселов размещаются в матрице на несущей подложке; множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, и цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела содержит вспомогательный электродный блок, первый возбуждающий электродный блок и первый соединительный электродный блок, и первый возбуждающий электродный блок, вспомогательный электродный блок и первый соединительный электродный блок электрически соединены между собой; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела содержит второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок, и второй возбуждающий электродный блок электрически соединяется со вторым соединительным электродным блоком; вспомогательный электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела отдаленно от несущей подложки; и второй возбуждающий электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела отдаленно от несущей подложки.[0035] Some embodiments of the present disclosure also provide a display substrate, and the display substrate includes a carrier substrate and a plurality of repeating cells on the carrier substrate, each of the plurality of repeating cells comprises a plurality of subpixels, each of the plurality of subpixels comprises a light emitting element and a pixel circuit for driving a light emitting element for emitting light, the pixel circuit includes a drive circuit, and the light emitting element includes a first light emitting voltage supply electrode, a second light emitting voltage supply electrode, and a light emitting layer between the first light emitting voltage supply electrode and the second light emitting voltage supply electrode; driving circuits of the plurality of subpixels are arranged in the matrix on the carrier substrate; the plurality of subpixels include a first subpixel and a second subpixel, and the color of light emitted by the light emitting element of the first subpixel is the same as the color of light emitted by the light emitting element of the second subpixel; the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel comprises an auxiliary electrode unit, a first excitation electrode unit and a first connecting electrode unit, and the first excitation electrode unit, the auxiliary electrode unit and the first connecting electrode unit are electrically connected to each other; the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel includes a second excitation electrode unit and a second excitation electrode unit, and the second excitation electrode unit is electrically connected to the second excitation electrode unit; the sub-electrode unit is disposed on the control terminal side of the first subpixel pixel circuit driving circuit at a distance from the carrier substrate; and the second driving electrode unit is disposed on the control terminal side of the driving circuit of the pixel circuit of the second sub-pixel remotely from the carrier substrate.
[0036] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, форма первого возбуждающего электродного блока отличается от формы вспомогательного электродного блока, форма первого возбуждающего электродного блока является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока, и область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке.[0036] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the shape of the first excitation electrode unit is different from the shape of the auxiliary electrode unit, the shape of the first excitation electrode unit is the same as that of the second excitation electrode unit, and the orthographic projection area of the first excitation electrode unit on the carrier substrate is identical to the orthographic projection area of the second exciting electrode unit on the carrier substrate.
[0037] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, форма первого соединительного электродного блока является идентичной форме второго соединительного электродного блока, и область ортографической проекции первого соединительного электродного блока на несущей подложке является идентичной области ортографической проекции второго соединительного электродного блока на несущей подложке.[0037] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the shape of the first connecting electrode unit is the same as the shape of the second connecting electrode unit, and the orthographic area of the first connecting electrode unit on the carrier substrate is the same as the orthographic area of the second connecting electrode unit on a carrier substrate.
[0038] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела размещаются в первом направлении, и в первом направлении, первый возбуждающий электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела вплотную к управляющему контактному выводу возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.[0038] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, a first subpixel pixel circuit drive circuit control terminal and a second subpixel pixel circuit drive circuit control terminal are disposed in a first direction, and in a first direction, the first electrode drive unit disposed on the side of the control terminal of the first sub-pixel pixel circuit drive circuit adjacent to the control terminal of the second sub-pixel pixel circuit drive circuit.
[0039] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, первый возбуждающий электродный блок расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.[0039] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, in a first direction, a first drive electrode unit is disposed between a first subpixel pixel circuit drive circuit control terminal and a second subpixel pixel circuit drive circuit control terminal.
[0040] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, первый соединительный электродный блок расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.[0040] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, in the first direction, the first connecting electrode unit is located on the side of the first excitation electrode unit distantly from the control terminal of the second subpixel pixel circuit driving circuit.
[0041] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, первый соединительный электродный блок расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.[0041] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, in a first direction, a first connecting electrode unit is disposed between a first subpixel pixel circuit drive circuit control terminal and a second subpixel pixel circuit drive circuit control terminal.
[0042] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый соединительный электродный блок расположен между первым возбуждающим электродным блоком и вспомогательным электродным блоком в первом направлении.[0042] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, a first connecting electrode unit is disposed between the first drive electrode unit and the sub electrode unit in the first direction.
[0043] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, второй соединительный электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела, и второй возбуждающий электродный блок расположен между вторым соединительным электродным блоком и первым возбуждающим электродным блоком.[0043] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, in the first direction, the second connecting electrode unit is located on the control terminal side of the second subpixel pixel circuit driving circuit remotely from the control terminal of the first subpixel pixel circuit driving circuit, and the second excitation electrode unit is disposed between the second connection electrode unit and the first excitation electrode unit.
[0044] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и центром первого возбуждающего электродного блока превышает расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела и центром второго возбуждающего электродного блока.[0044] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the distance between the center of the driving pin of the first subpixel pixel circuit driving circuit and the center of the first driving electrode unit is greater than the distance between the center of the driving pin of the second subpixel pixel circuit driving circuit and the center the second exciting electrode unit.
[0045] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют подложку отображения, подложка отображения включает в себя несущую подложку и множество повторяющихся ячеек на несущей подложке, каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, каждый из множества субпикселов содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света, светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения, пиксельная схема содержит возбуждающую схему, вторую светоизлучающую управляющую схему и схему сброса, вторая светоизлучающая управляющая схема электрически соединяется со второй линией сигналов управления светоизлучением, вторым контактным выводом возбуждающей схемы и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента и выполнена с возможностью, под управлением второго сигнала управления светоизлучением, предоставленного посредством второй линии сигналов управления светоизлучением, включать или выключать соединение между возбуждающей схемой и светоизлучающим элементом, схема сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и первой линией управляющих сигналов сброса и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии управляющих сигналов сброса, вторая линия сигналов управления светоизлучением и первая линия управляющих сигналов сброса размещаются вдоль первого направления, множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается как с ортографической проекцией первой линии управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, так и с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично, перекрывается с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.[0045] Some embodiments of the present disclosure also provide a display substrate, the display substrate includes a carrier substrate and a plurality of repeating cells on the carrier substrate, each of the plurality of repeating cells comprises a plurality of subpixels, each of the plurality of subpixels comprises a light emitting element and a pixel circuit for driving the light emitting element for emitting light, the light-emitting element comprises a first light-emitting voltage supply electrode, a second light-emitting voltage supply electrode and a light-emitting layer between the first light-emitting voltage supply electrode and the second light-emitting voltage supply electrode, the pixel circuit comprises a drive circuit, a second light-emitting control circuit and a reset circuit, the second the light emitting control circuit is electrically connected to the second light emitting control signal line, the second terminal of the driving circuit and the first voltage supply electrode emitting light from the light emitting element, and configured, under the control of the second light emitting control signal provided by the second light emitting control signal line, to turn on or off the connection between the driving circuit and the light emitting element, the reset circuit is electrically connected to the driving circuit control terminal and the first reset control signal line and is configured to reset the drive circuit control terminal under the control of the first reset control sub-signal provided by the first reset control signal line, the second light emission control signal line and the first reset control signal line are arranged along the first direction, the plurality of sub-pixels include a first sub-pixel and a second sub-pixel, orthographic projection of the first electrode for supplying the light-emitting voltage of the light-emitting element of the first subpixel on the carrier substrate, at least e, partially overlaps with both the orthographic projection of the first reset control signal line connected to the reset circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate and the orthographic projection of the second light emitting control signal line connected to the second light emitting control circuit of the first subpixel pixel circuitry on the carrier substrate and the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the second light control signal line connected to the second light-emitting control circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate.
[0046] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема дополнительно содержит схему записи данных, схема записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы и первой линией сигналов развертки и выполнена с возможностью записывать сигнал данных на управляющий контактный вывод возбуждающей схемы под управлением сигнала развертки, предоставленного посредством первой линии сигналов развертки в первом направлении, первая линия сигналов развертки расположена между второй линией сигналов управления светоизлучением и первой линией управляющих сигналов сброса, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела размещаются вдоль первого направления, и в первом направлении, первая линия сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела, расположена между первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела.[0046] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the pixel circuit further comprises a data recording circuit, the data recording circuit is electrically connected to the first terminal of the driving circuit and the first scanning signal line, and is configured to write a data signal to the driving circuit. a driving circuit terminal under the control of a scan signal provided by the first scan signal line in the first direction, the first scan signal line is located between the second light control signal line and the first reset control signal line, the first light emission voltage supply electrode of the light emitting element of the first sub-pixel and the first supply electrode light emitting voltages of the light emitting element of the second subpixel are arranged along the first direction, and in the first direction, the first scanning signal line connected to the data recording circuit a second sub-pixel pixel circuit is disposed between the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first sub-pixel and the first light-emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second sub-pixel.
[0047] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, схема сброса дополнительно электрически соединяется с первой линией сигналов электропитания и сброса, схема сброса выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы согласно первому сигналу сброса, предоставленному посредством первой линии сигналов электропитания и сброса под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии управляющих сигналов сброса в первом направлении, первая линия сигналов электропитания и сброса расположена на стороне первой линии управляющих сигналов сброса отдаленно от второй линии сигналов управления светоизлучением, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке дополнительно, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией первой линии сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.[0047] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the reset circuit is further electrically connected to the first power supply and reset signal line, the reset circuit is configured to reset the control pin of the drive circuit according to the first reset signal provided by the first line power supply and reset signals under the control of the first reset control sub-signal provided by the first reset control signal line in the first direction, the first power supply and reset signal line is located on the side of the first reset control signal line distantly from the second light emission control signal line, and an orthographic projection of the first supply electrode the light emitting voltage of the light emitting element of the first subpixel on the carrier substrate additionally at least partially overlaps with the orthographic projection of the first signal line power supply and reset, connected to the reset circuit of the pixel circuit of the second subpixel on the carrier substrate.
[0048] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, все из второй линии сигналов управления светоизлучением, первой линии управляющих сигналов сброса, первой линии сигналов развертки и первой линии сигналов электропитания и сброса продолжается во втором направлении, и второе направление является перпендикулярным первому направлению.[0048] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, all of the second light control signal line, the first reset control signal line, the first scan signal line, and the first power and reset signal line continue in the second direction, and the second direction is perpendicular to the first direction.
[0049] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, вторая линия сигналов управления светоизлучением, первая линия управляющих сигналов сброса, первая линия сигналов развертки и первая линия сигналов электропитания и сброса являются параллельными между собой.[0049] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the second light control signal line, the first reset control signal line, the first scan signal line, and the first power and reset signal line are in parallel with each other.
[0050] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела содержит вспомогательный электродный блок, первый возбуждающий электродный блок и первый соединительный электродный блок, первый возбуждающий электродный блок, вспомогательный электродный блок и первый соединительный электродный блок электрически соединены между собой и размещаются в первом направлении, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела содержит второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок, второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок электрически соединены и размещаются в первом направлении, в первом направлении, первый соединительный электродный блок и вспомогательный электродный блок расположены на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от второго возбуждающего электродного блока, первый соединительный электродный блок расположен между вспомогательным электродным блоком и первым возбуждающим электродным блоком, второй соединительный электродный блок расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока отдаленно от первого возбуждающего электродного блока, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией первой линии управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, и с ортографической проекцией первой линии сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, в первом направлении, вспомогательный электродный блок расположен на стороне второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела отдаленно от первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, и в первом направлении, второй возбуждающий электродный блок расположен между второй линией сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела, и первой линией сигналов развертки, соединенной со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела.[0050] For example, in the display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel includes an auxiliary electrode unit, a first excitation electrode unit and a first connection electrode unit, a first excitation electrode unit, an auxiliary electrode unit, and the first connecting electrode unit is electrically connected to each other and disposed in the first direction, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel comprises a second exciting electrode unit and a second connecting electrode unit, the second exciting electrode unit and the second connecting electrode unit are electrically connected and disposed in the first direction , in the first direction, the first connecting electrode unit and the auxiliary electrode unit are located on the side of the first excitation electrode unit At a distance from the second excitation electrode unit, the first connecting electrode unit is located between the auxiliary electrode unit and the first excitation electrode unit, the second connecting electrode unit is located on the side of the second excitation electrode unit remotely from the first excitation electrode unit, an orthographic view of the first excitation electrode unit on a carrier substrate overlaps at least partially with the orthographic projection of the first reset control signal line connected to the reset circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate, and with the orthographic projection of the first power and reset signal line connected to the reset circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate the orthographic projection of the first connecting electrode unit on the carrier substrate overlaps at least partially with the orthographic projection of the second light control signal line, connected to the second light emitting control circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate, in the first direction, the auxiliary electrode unit is located on the side of the second light emission control signal line connected to the second light emitting control circuit of the first subpixel pixel circuit distantly from the first electrode for supplying the light voltage of the light emitting element of the second sub-pixel, the orthographic projection of the second connecting electrode unit on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the second light emitting control signal line connected to the second light emitting control circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate, and in the first direction, the second driving electrode unit is disposed between the second light emitting control signal line connected to the second light emitting control circuit of the second subpixel pixel circuit and the first or a scanning signal connected to the data recording circuit of the pixel circuit of the second subpixel.
[0051] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, и форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела.[0051] For example, in a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, the color of light emitted by the light emitting element of the first subpixel is the same as the color of light emitted by the light emitting element of the second subpixel, and the shape of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the first subpixel differs from the shape of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel.
Краткое описание чертежейBrief Description of Drawings
[0052] Чтобы ясно иллюстрировать технические решения вариантов осуществления настоящего раскрытия, ниже кратко описываются чертежи вариантов осуществления; очевидно, что описанные чертежи относятся только к некоторым вариантам осуществления настоящего раскрытия и в силу этого не ограничивают настоящее раскрытие.[0052] To clearly illustrate the technical solutions of the embodiments of the present disclosure, drawings of the embodiments are briefly described below; it is obvious that the described drawings relate only to some embodiments of the present disclosure and, therefore, do not limit the present disclosure.
[0053] Фиг. 1 является принципиальной структурной схемой повторяющейся пиксельной ячейки в пиксельной компоновочной структуре;[0053] FIG. 1 is a schematic structural diagram of a repeating pixel cell in a pixel arrangement;
[0054] Фиг. 2 является принципиальной блок-схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0054] FIG. 2 is a schematic block diagram of a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure;
[0055] Фиг. 3A является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0055] FIG. 3A is a schematic block diagram of a pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure;
[0056] Фиг. 3B является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы первого субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0056] FIG. 3B is a schematic block diagram of a first subpixel pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure;
[0057] Фиг. 3C является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы второго субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0057] FIG. 3C is a schematic block diagram of a second sub-pixel pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure;
[0058] Фиг. 4A-4E являются принципиальными схемами различных слоев пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0058] FIG. 4A-4E are schematic diagrams of various layers of a pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure;
[0059] Фиг. 5A является плоской принципиальной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0059] FIG. 5A is a planar schematic diagram of a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure;
[0060] Фиг. 5B является плоской принципиальной схемой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0060] FIG. 5B is a flat schematic diagram of a repeating cell provided by some embodiments of the present disclosure;
[0061] Фиг. 6A является плоской принципиальной схемой другой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0061] FIG. 6A is a flat schematic diagram of another repeating cell provided by some embodiments of the present disclosure;
[0062] Фиг. 6B является компоновочной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0062] FIG. 6B is a layout diagram of a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure;
[0063] Фиг. 6C является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L1-L1' на фиг. 6B;[0063] FIG. 6C is a schematic cross-sectional diagram of a line L1-L1 'in FIG. 6B;
[0064] Фиг. 6D является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L2-L2' на фиг. 6B;[0064] FIG. 6D is a schematic structural diagram in cross-section of line L2-L2 'in FIG. 6B;
[0065] Фиг. 6E является плоской принципиальной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0065] FIG. 6E is a planar schematic diagram of another display substrate provided through some embodiments of the present disclosure;
[0066] Фиг. 7 является частичной принципиальной структурной схемой панели отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0066] FIG. 7 is a partial schematic structural diagram of a display panel provided by some embodiments of the present disclosure;
[0067] Фиг. 8A является принципиальной блок-схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;[0067] FIG. 8A is a schematic block diagram of a display device provided by some embodiments of the present disclosure;
[0068] Фиг. 8B является принципиальной структурной схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; и[0068] FIG. 8B is a schematic structural diagram of a display device provided by some embodiments of the present disclosure; and
[0069] Фиг. 9 является блок-схемой последовательности операций способа подготовки для подготовки подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия.[0069] FIG. 9 is a flowchart of a preparation method for preparing a display substrate provided by an embodiment of the present disclosure.
Подробное описание изобретенияDetailed description of the invention
[0070] Чтобы обеспечивать очевидность целей, технических подробностей и преимуществ вариантов осуществления настоящего раскрытия, технические решения вариантов осуществления должны описываться четко и понятно в связи с чертежами, связанными с вариантами осуществления настоящего раскрытия. Очевидно, что описанные варианты осуществления представляют собой только часть, а не все варианты осуществления настоящего раскрытия. На основе описанных вариантов осуществления в данном документе, специалисты в данной области техники могут получать другой вариант(ы) осуществления без изобретательских усилий, что должно находиться в пределах объема настоящего раскрытия.[0070] To ensure that the objectives, technical details, and advantages of embodiments of the present disclosure are apparent, technical solutions of the embodiments are to be described clearly and intelligibly in connection with the drawings associated with the embodiments of the present disclosure. Obviously, the described embodiments are only a part rather than all of the embodiments of the present disclosure. Based on the described embodiments herein, those skilled in the art can obtain other embodiment (s) without inventive effort, which should be within the scope of the present disclosure.
[0071] Если не указано иное, все технические и научные термины, используемые в данном документе, имеют смысловые значения, идентичные значениям, обычно понимаемым специалистами в области техники, которой принадлежит настоящее раскрытие. Термины, "первый", "второй" и т.д., которые используются в настоящем раскрытии, имеют намерение не указывать любую последовательность, величину или значимость, а отличать различные компоненты. Кроме того, такие упоминание в единственном числе имеет намерение не ограничивать количество, а указывать наличие по меньшей мере одного. Термины "содержать", "содержащий", "содержать", "включающий в себя" и т.д. имеют намерение указывать то, что элементы или объекты, приведенные перед этими терминами, охватывают элементы или объекты и их эквиваленты, перечисленные после этих терминов, но не исключают другие элементы или объекты. Фразы "соединяться", "соединенный" и т.д. имеют намерение не задавать физическое соединение или механическое соединение, а могут содержать электрическое соединение, прямо или косвенно. "На", "под", "правый", "левый" и т.п. используются только для того, чтобы указывать относительную позиционную взаимосвязь, и когда позиция объекта, который описывается, изменяется, относительная позиционная взаимосвязь может изменяться, соответственно.[0071] Unless otherwise indicated, all technical and scientific terms used in this document have the same meanings as commonly understood by those of ordinary skill in the art to which this disclosure belongs. The terms "first", "second", etc., as used in this disclosure, are not intended to indicate any sequence, magnitude or significance, but to distinguish between the various components. In addition, such singular references are intended not to limit the number, but to indicate the presence of at least one. The terms "comprise", "comprising", "comprise", "including", etc. are intended to indicate that the elements or objects before these terms encompass the elements or objects and their equivalents listed after these terms, but do not exclude other elements or objects. The phrases "connect", "connected", etc. do not intend to define a physical connection or a mechanical connection, but may contain an electrical connection, directly or indirectly. "On", "under", "right", "left", etc. are used only to indicate the relative positional relationship, and when the position of the object that is being described changes, the relative positional relationship may change accordingly.
[0072] Чтобы обеспечивать ясность и точность нижеприведенного описания вариантов осуществления настоящего раскрытия, подробные описания некоторых известных функций и известных компонентов опускаются из настоящего раскрытия.[0072] In order to maintain clarity and accuracy of the following description of embodiments of the present disclosure, detailed descriptions of some known functions and known components are omitted from the present disclosure.
[0073] Фиг. 1 является принципиальной структурной схемой повторяющейся пиксельной ячейки в пиксельной компоновочной структуре; как показано на фиг. 1, пиксельная компоновочная структура включает в себя множество повторяющихся пиксельных ячеек 400, и множество повторяющихся пиксельных ячеек 400 размещаются в матрице вдоль направления 405 и направления 406. Каждая повторяющаяся пиксельная ячейка 400 включает в себя красный субпиксел 401, синий субпиксел 402, первый зеленый субпиксел 403 и второй зеленый субпиксел 404. Как показано на фиг. 1, красный субпиксел 401 и синий субпиксел 402 размещаются в направлении 405, первый зеленый субпиксел 403 и второй зеленый субпиксел 404 размещаются в направлении 406 и в направлении 405, первый зеленый субпиксел 403 и второй зеленый субпиксел 404 расположены между красным субпикселом 401 и синим субпикселом 402.[0073] FIG. 1 is a schematic structural diagram of a repeating pixel cell in a pixel arrangement; as shown in FIG. 1, a pixel arrangement includes a plurality of repeating
[0074] В процессе обнаружения подсветки для каждого субпиксела в пиксельной компоновочной структуре, как показано на фиг. 1, яркость первого зеленого субпиксела 403 и яркость второго зеленого субпиксела 404 являются несогласованными, в силу этого приводя к проблеме пропуска обнаружения ярких пятен, т.е. некоторые зеленые субпикселы не могут обнаруживаться. Согласно экспериментальным результатам, яркость первого зеленого субпиксела 403 выше яркости второго зеленого субпиксела 404, в силу этого приводя к такому явлению, что яркость первого зеленого субпиксела 403 является относительно большой, тогда как яркость второго зеленого субпиксела 404 является относительно небольшой.[0074] In the process of detecting backlight for each sub-pixel in the pixel arrangement as shown in FIG. 1, the luminance of the first
[0075] В каждом субпикселе, возникает паразитная емкость между анодом светоизлучающего элемента и затворным электродом возбуждающего транзистора, и паразитная емкость должна затрагивать яркость светового излучения светоизлучающего элемента, и чем больше паразитная емкость, тем слабее яркость светового излучения. Чем меньше паразитная емкость, тем сильнее яркость светового излучения. Согласно анализу пиксельной компоновочной структуры, в этой пиксельной компоновочной структуре, затворный электрод возбуждающего транзистора в пиксельной схеме для возбуждения первого зеленого субпиксела 403 не блокируется посредством анода светоизлучающего элемента первого зеленого субпиксела 403, в то время как затворный электрод возбуждающего транзистора в пиксельной схеме для возбуждения второго зеленого субпиксела 404 блокируется посредством анода в светоизлучающем элементе второго зеленого субпиксела 404. Таким образом, отсутствует паразитная емкость между затворным электродом возбуждающего транзистора первого зеленого субпиксела 403 и светоизлучающим элементом первого зеленого субпиксела 403, либо паразитная емкость между затворным электродом возбуждающего транзистора первого зеленого субпиксела 403 и светоизлучающим элементом первого зеленого субпиксела 403 меньше паразитной емкости между затворным электродом возбуждающего транзистора второго зеленого субпиксела 404 и светоизлучающим элементом второго зеленого субпиксела 404, т.е. паразитная емкость между затворным электродом возбуждающего транзистора первого зеленого субпиксела 403 и светоизлучающим элементом первого зеленого субпиксела значительно отличается от паразитной емкости между затворным электродом возбуждающего транзистора второго зеленого субпиксела 404 и светоизлучающим элементом второго зеленого субпиксела 404, в силу этого приводя к яркостной разности между первым зеленым субпикселом 403 и вторым зеленым субпикселом 404 в каждой повторяющейся ячейке, что серьезно затрагивает эффект отображения.[0075] In each subpixel, parasitic capacitance occurs between the anode of the light emitting element and the gate electrode of the driving transistor, and the parasitic capacitance must affect the luminance of the light emitting from the light emitting element, and the larger the parasitic capacitance, the weaker the luminance of the light. The lower the parasitic capacitance, the stronger the brightness of the light radiation. According to the analysis of the pixel arrangement, in this pixel arrangement, the gate electrode of the driving transistor in the pixel circuit for driving the first
[0076] По меньшей мере, некоторый вариант осуществления настоящего раскрытия предоставляет подложку отображения и способ ее подготовки, панель отображения и устройство отображения. В подложке отображения, светоизлучающий элемент первого субпиксела покрывает затворный электрод возбуждающего транзистора первого субпиксела, и светоизлучающий элемент второго субпиксела также покрывает затворный электрод возбуждающего транзистора второго субпиксела, с тем чтобы уменьшать разность между паразитной емкостью между светоизлучающим элементом первого субпиксела и затворным электродом возбуждающего транзистора первого субпиксела и паразитной емкостью между светоизлучающим элементом второго субпиксела и затворным электродом возбуждающего транзистора второго субпиксела и обеспечивать достижение идентичной пиксельной яркости первого субпиксела и пиксельной яркости второго субпиксела, за счет этого улучшая однородность отображения и эффект отображения и разрешая проблему пиксельной яркостной разности панели отображения. Помимо этого, подложка отображения имеет простую структуру, является простой в проектировании и изготовлении и имеет низкие затраты.[0076] At least some embodiment of the present disclosure provides a display substrate and a method for preparing it, a display panel, and a display device. In the display substrate, the first subpixel light emitting element covers the gate electrode of the first subpixel drive transistor, and the second subpixel drive transistor light emitting element also covers the second subpixel drive transistor gate, so as to reduce the parasitic capacitance difference between the first subpixel light emitting element of the first subpixel drive and the gate subpixel drive transistor and parasitic capacitance between the light emitting element of the second subpixel and the gate electrode of the drive transistor of the second subpixel, and achieve identical pixel luminance of the first subpixel and the pixel luminance of the second subpixel, thereby improving display uniformity and display effect and solving the problem of pixel luminance difference of the display panel. In addition, the display substrate has a simple structure, is easy to design and manufacture, and has a low cost.
[0077] Ниже подробно описываются несколько вариантов осуществления настоящего раскрытия со ссылкой на прилагаемые чертежи, но настоящее раскрытие не ограничено этими конкретными вариантами осуществления.[0077] Several embodiments of the present disclosure are described in detail below with reference to the accompanying drawings, but the present disclosure is not limited to these specific embodiments.
[0078] Фиг. 2 является принципиальной блок-схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, фиг. 3A является плоской принципиальной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, фиг. 3A является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, фиг. 3B является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы первого субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, и фиг. 3C является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы второго субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия.[0078] FIG. 2 is a schematic block diagram of a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure; FIG. 3A is a planar schematic diagram of a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure, FIG. 3A is a circuit block diagram of a pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure, FIG. 3B is a schematic structural diagram of a first sub-pixel pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure, and FIG. 3C is a schematic block diagram of a second sub-pixel pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure.
[0079] Например, как показано на фиг. 2, подложка 100 отображения, предоставленная посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, включает в себя несущую подложку 10 и множество повторяющихся ячеек 11 на несущей подложке 10, каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя множество субпикселов 12. Каждый субпиксел 12 включает в себя светоизлучающий элемент 120 и пиксельную схему 121, пиксельная схема 121 используется для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света, и пиксельная схема 121 включает в себя возбуждающую схему 122.[0079] For example, as shown in FIG. 2, a display substrate 100 provided by an embodiment of the present disclosure includes a
[0080] Например, подложка 100 отображения может применяться к панели отображения, такой как панель отображения на органических светоизлучающих диодах с активной матрицей (AMOLED) и т.п. Подложка 100 отображения может представлять собой матричную подложку.[0080] For example, the display substrate 100 may be applied to a display panel such as an active matrix organic light emitting diode (AMOLED) display panel and the like. The display substrate 100 may be a matrix substrate.
[0081] Например, несущая подложка 10 может представлять собой подходящую подложку, такую как стеклянная подложка, кварцевая подложка и пластиковая подложка и т.д.[0081] For example, the
[0082] Например, светоизлучающий элемент 120 каждого субпиксела 12 включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения.[0082] For example, the
[0083] Например, множество субпикселов 12 включают в себя первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2.[0083] For example, the plurality of
[0084] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 дополнительно включает в себя первую светоизлучающую управляющую схему 123 и вторую светоизлучающую управляющую схему 124. Возбуждающая схема 122 включает в себя управляющий контактный вывод, первый контактный вывод и второй контактный вывод и выполнена с возможностью предоставлять ток возбуждения для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света. Например, первая светоизлучающая управляющая схема 123 соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым контактным выводом VDD напряжения и выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой 122 и первым контактным выводом VDD напряжения, и вторая светоизлучающая управляющая схема 124 электрически соединяется со вторым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 и выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой 122 и светоизлучающим элементом 120.[0084] For example, as shown in FIG. 3A, the
[0085] Например, как показано на фиг. 3B и 3C, пиксельная схема 121a первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя первую паразитную схему 125a, и пиксельная схема 121b второго субпиксела G2 дополнительно включает в себя вторую паразитную схему 125b. Например, первая паразитная схема 125a электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122a пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 и выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы 122a пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1. Вторая паразитная схема 125b электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 и выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы 122b пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2.[0085] For example, as shown in FIG. 3B and 3C, the
[0086] Следует отметить, что пиксельная схема 121 дополнительно может включать в себя паразитную схему, и паразитная схема не показана на фиг. 3A, например, первая паразитная схема в пиксельной схеме первого субпиксела G1 и вторая паразитная схема в пиксельной схеме второго субпиксела G2 не показаны на фиг. 3A.[0086] It should be noted that the
[0087] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 дополнительно включает в себя схему 126 записи данных, схему 127 хранения данных, пороговую компенсационную схему 128 и схему 129 сброса. Схема 126 записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и выполнена с возможностью записывать сигнал данных в схему 127 хранения данных под управлением сигнала развертки; схема 127 хранения данных электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первого контактного вывода VDD напряжения и выполнена с возможностью сохранять сигнал данных; пороговая компенсационная схема 128 электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и вторым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и выполнена с возможностью выполнять пороговую компенсацию для возбуждающей схемы 122; и схема 129 сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 под управлением управляющего сигнала сброса.[0087] For example, as shown in FIG. 3A, the
[0088] Например, как показано на фиг. 3A, возбуждающая схема 122 включает в себя возбуждающий транзистор T1, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 включает в себя затворный электрод возбуждающего транзистора T1, первый контактный вывод возбуждающей схемы 122 включает в себя первый электрод возбуждающего транзистора T1, и второй контактный вывод возбуждающей схемы 122 включает в себя второй электрод возбуждающего транзистора T1.[0088] For example, as shown in FIG. 3A, the
[0089] Например, как показано на фиг. 3A, схема 126 записи данных включает в себя транзистор T2 записи данных, схема 127 хранения данных включает в себя третий конденсатор C2, пороговая компенсационная схема 128 включает в себя пороговый компенсационный транзистор T3, первая светоизлучающая управляющая схема 123 включает в себя первый светоизлучающий управляющий транзистор T4, вторая светоизлучающая управляющая схема 124 включает в себя второй светоизлучающий управляющий транзистор T5, схема 129 сброса включает в себя первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса, и управляющий сигнал сброса может включать в себя первый управляющий субсигнал сброса и второй управляющий субсигнал сброса.[0089] For example, as shown in FIG. 3A, the
[0090] Например, как показано на фиг. 3A, первый электрод транзистора T2 записи данных электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора T1, второй электрод транзистора T2 записи данных выполнен с возможностью электрически соединяться с линией Vd передачи данных, чтобы принимать сигнал данных, и затворный электрод транзистора T2 записи данных выполнен с возможностью электрически соединяться с первой линией Ga1 сигналов развертки, чтобы принимать сигнал развертки; первый электрод третьего конденсатора C2 электрически соединяется с первым контактным выводом VDD напряжения, и второй электрод третьего конденсатора C2 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1; первый электрод порогового компенсационного транзистора T3 электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора T1, второй электрод порогового компенсационного транзистора T3 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1, и затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 выполнен с возможностью электрически соединяться со второй линией Ga2 сигналов развертки, чтобы принимать компенсационный управляющий сигнал; первый электрод первого транзистора T6 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться с первым контактным выводом Vinit1 электропитания сброса, чтобы принимать первый сигнал сброса, второй электрод первого транзистора T6 сброса электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1, и затворный электрод первого транзистора T6 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться с первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса, чтобы принимать первый управляющий субсигнал сброса; первый электрод второго транзистора T7 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться со вторым контактным выводом Vinit2 электропитания сброса, чтобы принимать второй сигнал сброса, второй электрод второго транзистора T7 сброса электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120, и затворный электрод второго транзистора T7 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться со второй линией Rst2 управляющих сигналов сброса, чтобы принимать второй управляющий субсигнал сброса; первый электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 электрически соединяется с первым контактным выводом VDD напряжения, второй электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора T1, и затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 выполнен с возможностью электрически соединяться с первой линией EM1 сигналов управления светоизлучением, чтобы принимать первый сигнал управления светоизлучением; первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора T1, второй электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120, и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 выполнен с возможностью электрически соединяться со второй линией EM2 сигналов управления светоизлучением, чтобы принимать второй сигнал управления светоизлучением; и второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 электрически соединяется со вторым контактным выводом VSS напряжения.[0090] For example, as shown in FIG. 3A, the first electrode of the data recording transistor T2 is electrically connected to the first electrode of the drive transistor T1, the second electrode of the data recording transistor T2 is electrically connected to the data line Vd to receive a data signal, and the gate electrode of the data recording transistor T2 is electrically connect to the first sweep signal line Ga1 to receive a sweep signal; the first electrode of the third capacitor C2 is electrically connected to the first voltage terminal VDD, and the second electrode of the third capacitor C2 is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor T1; the first electrode of the compensation threshold transistor T3 is electrically connected to the second electrode of the excitation transistor T1, the second electrode of the threshold compensation transistor T3 is electrically connected to the gate electrode of the excitation transistor T1, and the gate electrode of the threshold compensation transistor T3 is electrically connected to the second scan signal line Ga2 to receive a compensation control signal; the first electrode of the first reset transistor T6 is electrically connected to the first reset power supply terminal Vinit1 to receive the first reset signal, the second electrode of the first reset transistor T6 is electrically connected to the gate electrode of the driving transistor T1, and the gate electrode of the first reset transistor T6 is configured electrically connect to the first reset control signal line Rst1 to receive the first reset control sub-signal; the first electrode of the second reset transistor T7 is electrically connected to the second reset power supply terminal Vinit2 to receive the second reset signal, the second electrode of the second reset transistor T7 is electrically connected to the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element 120, and the gate electrode of the second reset transistor T7 configured to be electrically connected to the second reset control signal line Rst2 to receive a second reset control sub-signal; the first electrode of the first light emitting control transistor T4 is electrically connected to the first voltage terminal VDD, the second electrode of the first light emitting control transistor T4 is electrically connected to the first electrode of the driving transistor T1, and the gate electrode of the first light emitting control transistor T4 is electrically connected to the first signal line EM1 control light emission to receive the first control signal light emission; the first electrode of the second light emitting control transistor T5 is electrically connected to the second electrode of the driving transistor T1, the second electrode of the second light emitting control transistor T5 is electrically connected to the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element 120, and the gate electrode of the second light emitting control transistor T5 is configured to be electrically connected to the second light emitting control transistor T5 a light emission control signal line EM2 to receive a second light emission control signal; and the second light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element 120 is electrically connected to the second voltage terminal VSS.
[0091] Например, как показано на фиг. 3B, для первого субпиксела G1, первая паразитная схема 125a включает в себя первый конденсатор C11, и первый конденсатор C11 включает в себя первый электрод CC3a и второй электрод CC4a. Первый электрод CC3a первого конденсатора C11 электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1, и второй электрод CC4a первого конденсатора C11 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1.[0091] For example, as shown in FIG. 3B, for the first subpixel G1, the first
[0092] Например, как показано на фиг. 3C, для второго субпиксела G2, вторая паразитная схема 125b включает в себя второй конденсатор C12, и второй конденсатор C12 включает в себя первый электрод и второй электрод. Первый электрод второго конденсатора C12 электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2, и второй электрод второго конденсатора C12 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2.[0092] For example, as shown in FIG. 3C, for the second subpixel G2, the second
[0093] Например, значение емкости первого конденсатора C11 может быть идентичным значению емкости второго конденсатора C12 таким образом, что пиксельная яркость первого субпиксела G1 может быть согласованной с пиксельной яркостью второго субпиксела G2, и может улучшаться однородность отображения и эффект отображения.[0093] For example, the capacitance value of the first capacitor C11 may be the same as the capacitance value of the second capacitor C12, such that the pixel luminance of the first subpixel G1 can be matched with the pixel luminance of the second subpixel G2, and display uniformity and display effect can be improved.
[0094] Например, один из первого контактного вывода VDD напряжения и второго контактного вывода VSS напряжения представляет собой контактный вывод высокого напряжения, и другой из первого контактного вывода VDD напряжения и второго контактного вывода VSS напряжения представляет собой контактный вывод низкого напряжения. Например, в варианте осуществления, как показано на фиг. 3A, первый контактный вывод VDD напряжения представляет собой источник напряжения, чтобы выводить неизменяющееся первое напряжение, и первое напряжение представляет собой положительное напряжение; и второй контактный вывод VSS напряжения может представлять собой источник напряжения, чтобы выводить неизменяющееся второе напряжение, второе напряжение представляет собой отрицательное напряжение, и т.п. Например, в некоторых примерах, второй контактный вывод VSS напряжения может заземляться.[0094] For example, one of the first voltage terminal VDD and the second voltage terminal VSS is a high voltage terminal, and the other of the first voltage terminal VDD and the second voltage terminal VSS is a low voltage terminal. For example, in an embodiment as shown in FIG. 3A, the first voltage terminal VDD is a voltage source to output a fixed first voltage, and the first voltage is a positive voltage; and the second voltage terminal VSS may be a voltage source to output a constant second voltage, the second voltage is a negative voltage, and the like. For example, in some examples, the second voltage terminal VSS may be grounded.
[0095] Например, для первого субпиксела G1, как показано на фиг. 3B, пиксельная схема 121a первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя схему 126a записи данных, схему 127a хранения данных, пороговую компенсационную схему 128a и схему 129a сброса; и для второго субпиксела G2, как показано на фиг. 3C, пиксельная схема 121b второго субпиксела G2 дополнительно включает в себя схему 126b записи данных, схему 127b хранения данных, пороговую компенсационную схему 128b и схему 129b сброса. Взаимосвязь соединений и функция каждого элемента в каждой схеме пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 и пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 являются аналогичными примеру, описанному выше относительно фиг. 3A, и повторение не приводится здесь снова.[0095] For example, for the first subpixel G1 as shown in FIG. 3B, the
[0096] Например, как показано на фиг. 3A, сигнал развертки может быть идентичным компенсационному управляющему сигналу, т.е. затворный электрод транзистора T2 записи данных и затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 могут электрически соединяться с идентичной сигнальной линией, такой как первая линия Ga1 сигналов развертки, чтобы принимать идентичный сигнал (например, сигнал развертки), в это время, подложка 100 отображения может не содержать вторую линию Ga2 сигналов развертки, за счет этого уменьшая число сигнальных линий. В качестве другого примера, затворный электрод транзистора T2 записи данных и затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 могут электрически соединяться с различными сигнальными линиями, т.е. затворный электрод транзистора T2 записи данных электрически соединяется с первой линией Ga1 сигналов развертки, затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 электрически соединяется со второй линией Ga2 сигналов развертки, и сигнал, передаваемый посредством первой линии Ga1 сигналов развертки, является идентичным сигналу, передаваемому посредством второй линии Ga2 сигналов развертки.[0096] For example, as shown in FIG. 3A, the sweep signal may be identical to the compensation control signal, i. E. the gate electrode of the data recording transistor T2 and the gate electrode of the threshold compensation transistor T3 may be electrically connected to an identical signal line such as the first scan signal line Ga1 to receive an identical signal (e.g., a scan signal), at this time, the display substrate 100 may not contain a second sweep signal line Ga2, thereby reducing the number of signal lines. As another example, the gate electrode of the data recording transistor T2 and the gate electrode of the compensation threshold transistor T3 may be electrically connected to different signal lines, i.e. the gate electrode of the data recording transistor T2 is electrically connected to the first scanning signal line Ga1, the gate electrode of the threshold compensation transistor T3 is electrically connected to the second scanning signal line Ga2, and the signal transmitted by the first scanning signal line Ga1 is the same as the signal transmitted by the second scanning signal line Ga2 sweep signals.
[0097] Следует отметить, что сигнал развертки и компенсационный управляющий сигнал также могут отличаться таким образом, что затворный электрод транзистора T2 записи данных и порогового компенсационного транзистора T3 могут отдельно и независимо управляться, за счет этого повышая гибкость управления пиксельной схемой.[0097] It should be noted that the scanning signal and the compensation control signal can also be different so that the gate electrode of the data writing transistor T2 and the compensation threshold transistor T3 can be separately and independently controlled, thereby increasing the flexibility of the pixel circuit control.
[0098] Например, как показано на фиг. 3A-3B, первый сигнал управления светоизлучением может быть идентичным второму сигналу управления светоизлучением, т.е. затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 могут электрически соединяться с идентичной сигнальной линией, такой как первая линия EM1 сигналов управления светоизлучением, чтобы принимать идентичный сигнал (например, первый сигнал управления светоизлучением), и в это время, подложка 100 отображения может не содержать вторую линию EM2 сигналов управления светоизлучением, за счет этого уменьшая число сигнальных линий. В качестве другого примера, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 также могут электрически соединяться с различными сигнальными линиями, т.е. затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 электрически соединяется с первой линией EM1 сигналов управления светоизлучением, затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 электрически соединяется со второй линией EM2 сигналов управления светоизлучением, и сигнал, передаваемый посредством первой линии EM1 сигналов управления светоизлучением, является идентичным сигналу, передаваемому посредством второй линии EM2 сигналов управления светоизлучением.[0098] For example, as shown in FIG. 3A-3B, the first light emitting control signal may be the same as the second light emitting control signal, i. E. the gate electrode of the first light emitting control transistor T4 and the gate electrode of the second light emitting control transistor T5 may be electrically connected to the same signal line such as the first light emitting control signal line EM1 to receive the same signal (for example, the first light emitting control signal), and at this time, the display substrate 100 may not contain the second light emission control signal line EM2, thereby reducing the number of signal lines. As another example, the gate electrode of the first light emitting control transistor T4 and the gate electrode of the second light emitting control transistor T5 may also be electrically connected to different signal lines, i. E. the gate electrode of the first light emitting control transistor T4 is electrically connected to the first light emitting control signal line EM1, the gate electrode of the second light emitting control transistor T5 is electrically connected to the second light emitting control signal line EM2, and the signal transmitted by the first light control signal line EM1 is the same as the signal, transmitted by the second light control signal line EM2.
[0099] Следует отметить, что в случае, если первый светоизлучающий управляющий транзистор T4 и второй светоизлучающий управляющий транзистор T5 представляют собой различные типы транзисторов, например, в случае если первый светоизлучающий управляющий транзистор T4 представляет собой транзистор с каналом p-типа, и второй светоизлучающий управляющий транзистор T5 представляет собой транзистор с каналом n-типа, первый сигнал управления светоизлучением и второй сигнал управления светоизлучением также могут отличаться, и вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен этим случаем.[0099] It should be noted that in the case where the first light emitting control transistor T4 and the second light emitting control transistor T5 are different types of transistors, for example, in the case where the first light emitting control transistor T4 is a p-channel transistor and the second light emitting control transistor the driving transistor T5 is an n-channel transistor, the first light emitting control signal and the second light emitting control signal may also be different, and the embodiment of the present disclosure is not limited to this case.
[00100] Например, первый управляющий субсигнал сброса может быть идентичным второму управляющему субсигналу сброса, т.е. затворный электрод первого транзистора T6 сброса и затворный электрод второго транзистора T7 сброса могут электрически соединяться с идентичной сигнальной линией, такой как первая линия Rst1 управляющих сигналов сброса, чтобы принимать идентичный сигнал (например, первый управляющий субсигнал сброса). В это время, подложка 100 отображения может не содержать вторую линию Rst2 управляющих сигналов сброса, за счет этого уменьшая число сигнальных линий. В качестве другого примера, затворный электрод первого транзистора T6 сброса и затворный электрод второго транзистора T7 сброса могут электрически соединяться с различными сигнальными линиями, т.е. затворный электрод первого транзистора T6 сброса электрически соединяется с первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса, затворный электрод второго транзистора T7 сброса электрически соединяется со второй линией Rst2 управляющих сигналов сброса, и сигнал, передаваемый посредством первой линии Rst1 управляющих сигналов сброса, является идентичным сигналу, передаваемому посредством второй линии Rst2 управляющих сигналов сброса. Следует отметить, что первый управляющий субсигнал сброса и второй управляющий субсигнал сброса также могут отличаться.[00100] For example, the first reset control sub-signal may be the same as the second reset control sub-signal, i. E. the gate electrode of the first reset transistor T6 and the gate electrode of the second reset transistor T7 may be electrically connected to the same signal line, such as the first reset control signal line Rst1, to receive the same signal (eg, the first reset control sub-signal). At this time, the display substrate 100 may not contain the second reset control signal line Rst2, thereby reducing the number of signal lines. As another example, the gate electrode of the first reset transistor T6 and the gate electrode of the second reset transistor T7 may be electrically connected to different signal lines, i. E. the gate electrode of the first reset control signal line Rst1 is electrically connected to the first reset control signal line Rst1, the gate electrode of the second reset control signal line Rst2 is electrically connected to the second reset control signal line Rst2, and the signal transmitted by the first reset control signal line Rst1 is the same as the signal transmitted by the second line Rst2 of the reset control signals. It should be noted that the first reset control sub-signal and the second reset control sub-signal may also be different.
[00101] Например, в некоторых примерах, второй управляющий субсигнал сброса может быть идентичным сигналу развертки, т.е. затворный электрод второго транзистора T7 сброса может электрически соединяться с первой линией Ga1 сигналов развертки, чтобы принимать сигнал развертки в качестве второго управляющего субсигнала сброса.[00101] For example, in some examples, the second reset control sub-signal may be identical to the sweep signal, i. E. the gate electrode of the second reset transistor T7 may be electrically connected to the first scan signal line Ga1 to receive the scan signal as the second reset control sub-signal.
[00102] Например, первый контактный вывод Vinit1 электропитания сброса и второй контактный вывод Vinit2 электропитания сброса могут представлять собой контактные выводы постоянного опорного напряжения, чтобы выводить неизменяющиеся постоянные опорные напряжения. Первый контактный вывод Vinit1 электропитания сброса и второй контактный вывод Vinit2 электропитания сброса могут представлять собой контактные выводы высокого напряжения или контактные выводы низкого напряжения, при условии, что первый контактный вывод Vinit1 электропитания сброса и второй контактный вывод Vinit2 электропитания сброса могут предоставлять первый сигнал сброса и второй сигнал сброса, чтобы сбрасывать затворный электрод возбуждающего транзистора T1 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120, и настоящее раскрытие не ограничено этим.[00102] For example, the first reset power supply terminal Vinit1 and the second reset power supply terminal Vinit2 may be constant reference voltage terminals to output constant constant reference voltages. The first pin Vinit1 of the reset power supply and the second pin Vinit2 of the reset power may be high voltage pins or low voltage pins, provided that the first pin Vinit1 of the reset power supply and the second pin Vinit2 of the reset power can provide the first reset signal and the second a reset signal to reset the gate electrode of the driving transistor T1 and the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting
[00103] Следует отметить, что возбуждающая схема 122, схема 126 записи данных, схема 127 хранения данных, пороговая компенсационная схема 128 и схема 129 сброса в пиксельной схеме, как показано на фиг. 3A-3B, являются только схематичными. Конкретные структуры возбуждающей схемы 122, схемы 126 записи данных, схемы 127 хранения данных, пороговой компенсационной схемы 128 и схемы 129 сброса могут задаваться согласно фактическим требованиям применения, и вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен конкретным образом этим случаем.[00103] It should be noted that the
[00104] Например, согласно характеристикам транзисторов, транзисторы могут разделяться на транзисторы с каналом n-типа и транзисторы с каналом p-типа. Для понятности, варианты осуществления настоящего раскрытия конкретно представляют техническую схему настоящего раскрытия посредством рассмотрения случая, в котором транзисторы представляют собой транзисторы с каналом p-типа (например, MOS-транзисторы с каналом p-типа), в качестве примера, т.е. в описании настоящего раскрытия, возбуждающий транзистор T1, транзистор T2 записи данных, пороговый компенсационный транзистор T3, первый светоизлучающий управляющий транзистор T4, второй светоизлучающий управляющий транзистор T5, первый транзистор T6 сброса, второй транзистор T7 сброса и т.д. могут представлять собой транзисторы с каналом p-типа. Тем не менее, транзисторы вариантов осуществления настоящего раскрытия не ограничены транзисторами с каналом p-типа, и специалисты в данной области техники также могут использовать транзисторы с каналом n-типа (например, MOS-транзисторы с каналом n-типа), чтобы достигать функций одного или более транзисторов в вариантах осуществления настоящего раскрытия согласно фактическим потребностям.[00104] For example, according to the characteristics of transistors, transistors may be classified into n-channel transistors and p-channel transistors. For clarity, embodiments of the present disclosure specifically represent the technical outline of the present disclosure by considering the case in which the transistors are p-channel transistors (eg, p-channel MOS transistors) as an example, i. E. in the description of the present disclosure, the driving transistor T1, the data recording transistor T2, the threshold compensation transistor T3, the first light emitting control transistor T4, the second light emitting control transistor T5, the first reset transistor T6, the second reset transistor T7, etc. can be p-channel transistors. However, the transistors of the embodiments of the present disclosure are not limited to p-channel transistors, and those skilled in the art may also use n-channel transistors (e.g., n-channel MOS transistors) to achieve the functions of one or more transistors in the embodiments of the present disclosure according to actual needs.
[00105] Следует отметить, что транзисторы, используемые в вариантах осуществления настоящего раскрытия, могут представлять собой тонкопленочные транзисторы или полевые транзисторы либо другие переключающие устройства с идентичными характеристиками, и тонкопленочные транзисторы могут включать в себя оксидные полупроводниковые тонкопленочные транзисторы, тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния или тонкопленочные транзисторы на основе поликристаллического кремния и т.д. Электрод истока и электрод стока транзистора могут быть симметричными по структуре, так что электрод истока и электрод стока транзистора могут быть неотличимыми по физической структуре. В вариантах осуществления настоящего раскрытия, чтобы отличать два электрода транзисторов, за исключением затворного электрода, служащего в качестве управляющего электрода, один из двух электродов непосредственно описывается как первый электрод, и другой из двух электродов описываются как второй электрод, так что первые электроды и вторые электроды всех или части транзисторов в варианте осуществления настоящего раскрытия являются взаимозаменяемыми по мере необходимости.[00105] It should be noted that the transistors used in the embodiments of the present disclosure may be thin film transistors or field effect transistors or other switching devices with identical characteristics, and the thin film transistors may include oxide semiconductor thin film transistors, amorphous silicon thin film transistors or thin-film transistors based on polycrystalline silicon, etc. The source electrode and the drain electrode of the transistor may be symmetrical in structure, so that the source electrode and the drain electrode of the transistor may be indistinguishable in physical structure. In the embodiments of the present disclosure, in order to distinguish two electrodes of transistors except for a gate electrode serving as a gate electrode, one of the two electrodes is directly described as a first electrode, and the other of the two electrodes is described as a second electrode, so that the first electrodes and second electrodes all or part of the transistors in the embodiment of the present disclosure are interchangeable as needed.
[00106] Следует отметить, что в дополнение к заданию позиций, взаимосвязи соединений, структуры и типы и т.д. соответствующих схем (например, возбуждающей схемы 122a, первой светоизлучающей управляющей схемы 123a, второй светоизлучающей управляющей схемы 124a, схемы 126a записи данных, схемы 127a хранения данных, пороговой компенсационной схемы 128a и схемы 129a сброса и т.д.) в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 являются идентичными взаимосвязям соединений, структурам и типам и т.д. надлежащим образом соответствующих схем (например, возбуждающей схемы 122b, первой светоизлучающей управляющей схемы 123b, второй светоизлучающей управляющей схемы 124b, схемы 126b записи данных, схемы 127b хранения данных, пороговой компенсационной схемы 128b и схемы 129b сброса и т.д.) в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2, т.е., например, структура и тип возбуждающей схемы 122a в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 являются идентичными структуре и типу возбуждающей схемы 122b в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2. Кроме того, соответствующие схемы в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 и надлежащим образом соответствующие схемы в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 могут подготавливаться одновременно с использованием идентичного процесса, например, возбуждающая схема 122a в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 и возбуждающая схема 122b в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 могут подготавливаться одновременно с использованием идентичного процесса формирования рисунка.[00106] It should be noted that in addition to specifying positions, connection relationships, structures and types, etc. respective circuits (e.g.,
[00107] Необходимо отметить, что как показано на фиг. 3B, соответствующие сигнальные линии, электрически соединенные с соответствующими схемами в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1, представляют собой первую линию Ga1a сигналов развертки, вторую линию Ga2a сигналов развертки, первую линию Rst1a управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2a управляющих сигналов сброса, первый контактный вывод Vinit1a электропитания сброса, второй контактный вывод Vinit2a электропитания сброса, первую линию EM1a сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2a сигналов управления светоизлучением и линию Vd передачи данных, соответственно. Как показано на фиг. 3C, соответствующие сигнальные линии, электрически соединенные с соответствующими схемами в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2, представляют собой первую линию Ga1b сигналов развертки, вторую линию Ga2b сигналов развертки, первую линию Rst1b управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2b управляющих сигналов сброса, первый контактный вывод Vinit1b электропитания сброса, второй контактный вывод Vinit2b электропитания сброса, первую линию EM1b сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2b сигналов управления светоизлучением и линию Vd передачи данных, соответственно.[00107] It should be noted that as shown in FIG. 3B, corresponding signal lines electrically connected to corresponding circuits in the
[00108] Следует отметить, что в вариантах осуществления настоящего раскрытия, в дополнение к 7T2C-структуре, как показано на фиг. 3A (т.е. включающей в себя семь транзисторов, один конденсатор и один паразитный конденсатор), пиксельная схема субпиксела также может иметь структуру, включающую в себя другие числа транзисторов, такую как 6T2C-структура или 9T2C-структура, вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен этим случаем.[00108] It should be noted that in embodiments of the present disclosure, in addition to the 7T2C structure as shown in FIG. 3A (i.e., including seven transistors, one capacitor and one parasitic capacitor), the subpixel pixel circuit may also have a structure including other numbers of transistors, such as a 6T2C structure or a 9T2C structure, an embodiment of the present disclosure is not limited to this case.
[00109] Фиг. 4A-4E являются принципиальными схемами различных слоев пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия. Ниже описывается позиционная взаимосвязь соответствующих схем в пиксельной схеме на монтажной плате со ссылкой на фиг. 4A-4E. Примеры, как показано на фиг. 4A-4E, рассматривают пиксельную схему 121a первого субпиксела G1 в качестве примера. Как показано на фиг. 3B, пиксельная схема 121a первого субпиксела G1 включает в себя возбуждающий транзистор T1, транзистор T2 записи данных, пороговый компенсационный транзистор T3, первый светоизлучающий управляющий транзистор T4, второй светоизлучающий управляющий транзистор T5, первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса, первый конденсатор C11 и третий конденсатор C2. Фиг. 4A-4E также показывают первую линию Ga1a сигналов развертки, вторую линию Ga2a сигналов развертки, первую линию Rst1a управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2a управляющих сигналов сброса, первую линию Init1a сигналов электропитания и сброса первого контактного вывода Vinit1a электропитания сброса, вторую линию Init2a сигналов электропитания и сброса второго контактного вывода Vinit2a электропитания сброса, первую линию EM1a сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2a сигналов управления светоизлучением, линии Vd передачи данных, первую линию VDD1 сигналов электропитания и вторую линию VDD2 сигналов электропитания первого контактного вывода VDD напряжения, которые соединены с пиксельной схемой 121a первого субпиксела G1, и первая линия VDD1 сигналов электропитания и вторая линия VDD2 сигналов электропитания электрически соединены между собой. Следует отметить, что, в примерах, как показано на фиг. 4A-4E, первая линия Ga1a сигналов развертки и вторая линия Ga2a сигналов развертки представляют собой идентичную сигнальную линию, первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса и вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса представляют собой идентичную сигнальную линию, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса и вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса представляют собой идентичную сигнальную линию, и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением представляют собой идентичную сигнальную линию.[00109] FIG. 4A-4E are schematic diagrams of various layers of a pixel circuit provided by some embodiments of the present disclosure. Next, the positional relationship of respective circuits in a pixel circuit on a circuit board will be described with reference to FIG. 4A-4E. Examples as shown in FIG. 4A to 4E, take the
[00110] Например, фиг. 4A показывает активный полупроводниковый слой 310 пиксельной схемы 121a. Активный полупроводниковый слой 310 может формировать рисунок с использованием полупроводникового материала. Активный полупроводниковый слой 310 может использоваться для того, чтобы изготавливать активные слои вышеуказанного возбуждающего транзистора T1, транзистора T2 записи данных, порогового компенсационного транзистора T3, первого светоизлучающего управляющего транзистора T4, второго светоизлучающего управляющего транзистора T5, первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса, и каждый из активных слоев может включать в себя участок истока, участок стока и участок канала между участком истока и участок стока. Например, активные слои соответствующих транзисторов предоставляются как единое целое.[00110] For example, FIG. 4A shows the
[00111] Например, активный полупроводниковый слой 310 может подготавливаться посредством аморфного кремния, поликристаллического кремния, оксидного полупроводникового материала и т.п. Следует отметить, что вышеуказанные участок истока и участок стока могут представлять собой участки, легированные с примесями n-типа или примесями p-типа.[00111] For example, the
[00112] Например, электродный металлический затворный слой пиксельной схемы 121a может включать в себя первый проводящий слой и второй проводящий слой. Изоляционный затворный слой (не показан) формируется на активном полупроводниковом слое 310, чтобы защищать активный полупроводниковый слой 310. Фиг. 4B показывает первый проводящий слой 320 пиксельной схемы 121a, первый проводящий слой 320 располагается на изоляционном затворном слое таким образом, что он изолируется от активного полупроводникового слоя 310. Первый проводящий слой 320 может включать в себя второй электрод CC2a третьего конденсатора C2, первую линию Ga1a сигналов развертки, вторую линию Ga2a сигналов развертки, первую линию Rst1a управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2a управляющих сигналов сброса, первую линию EM1a сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2a сигналов управления светоизлучением и затворные электроды возбуждающего транзистора T1, транзистора T2 записи данных, порогового компенсационного транзистора T3, первого светоизлучающего управляющего транзистора T4, второго светоизлучающего управляющего транзистора T5, первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса.[00112] For example, the electrode metal gate layer of the
[00113] Например, как показано на фиг. 4B, затворный электрод транзистора T2 записи данных может представлять собой часть, в которой первая линия Ga1a сигналов развертки перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 может представлять собой первую часть, в которой первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 может представлять собой вторую часть, в которой первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод первого транзистора T6 сброса может представлять собой первую часть, в которой первая линия RS1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод второго транзистора T7 сброса представляет собой вторую часть, в которой первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса перекрывает активный полупроводниковый слой 310, пороговый компенсационный транзистор T3 может представлять собой тонкопленочный транзистор с двухзатворной структурой, первый затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 может представлять собой часть, в которой вторая линия Ga2a сигналов развертки перекрывает активный полупроводниковый слой 310, и второй затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 может представлять собой часть, в которой выступающая часть, выступающая из второй линии Ga2a сигналов развертки, перекрывает активный полупроводниковый слой 310. Как показано на фиг. 3B и 4B, затворный электрод возбуждающего транзистора T1 может представлять собой второй электрод CC4a первого конденсатора C11 и второй электрод CC2a третьего конденсатора C2.[00113] For example, as shown in FIG. 4B, the gate electrode of the data recording transistor T2 may be a part in which the first scanning signal line Ga1a overlaps the active semiconductor layer 310, the gate electrode of the first light emitting control transistor T4 may be a first part in which the first light control signal line EM1a / second line Light control signal EM2a overlaps the active semiconductor layer 310, the gate electrode of the second light emitting control transistor T5 may be a second portion in which the first light control signal line EM1a / second light control signal line EM2a overlaps the active semiconductor layer 310, the gate electrode of the first reset transistor T6 may be the first part in which the first reset control signal line RS1a / the second reset control signal line Rst2a overlaps the active semiconductor layer 310, the gate electrode of the second th reset transistor T7 is a second part in which the first reset control signal line Rst1a / the second reset control signal line Rst2a overlaps the active semiconductor layer 310, the threshold compensation transistor T3 may be a thin film transistor with a two-gate structure, the first gate electrode of the threshold compensation transistor T3 may be a part in which the second scan signal line Ga2a overlaps the active semiconductor layer 310, and the second gate electrode of the threshold compensation transistor T3 may be a part in which a protruding portion protruding from the second scan signal line Ga2a overlaps the active semiconductor layer 310. As shown in FIG. 3B and 4B, the gate electrode of the driving transistor T1 may be the second electrode CC4a of the first capacitor C11 and the second electrode CC2a of the third capacitor C2.
[00114] Следует отметить, что соответствующие пунктирные прямоугольные рамки на фиг. 4A показывают соответствующие части, в которых первый проводящий слой 320 перекрывает активный полупроводниковый слой 310.[00114] It should be noted that the corresponding dashed rectangular boxes in FIG. 4A show respective portions in which the first
[00115] Например, как показано на фиг. 4B, первая линия Ga1a сигналов развертки/вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением размещаются вдоль первого направления X. Первая линия Ga1a сигналов развертки/вторая линия Ga2a сигналов развертки расположена между первой линией Rst1a управляющих сигналов сброса/второй линией Rst2a управляющих сигналов сброса и первой линией EM1a сигналов управления светоизлучением/второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением.[00115] For example, as shown in FIG. 4B, first scan signal line Ga1a / second scan signal line Ga2a, first reset control signal line Rst1a / second reset control signal line Rst2a, and first light control signal line EM1a / second light control signal line EM2a are arranged along the first X direction. First line Ga1a sweep / second sweep signal line Ga2a is disposed between the first reset control signal line Rst1a / second reset control signal line Rst2a and the first light control signal line EM1a / second light control signal line EM2a.
[00116] Например, в первом направлении X, второй электрод CC4a первого конденсатора C11 (т.е. второй электрод CC2a третьего конденсатора C2) расположен между первой линией Ga1a сигналов развертки/второй линией Ga2a сигналов развертки и первой линией EM1 сигналов управления светоизлучением/второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением. Выступающая часть, выступающая из второй линии Ga2a сигналов развертки, расположена на стороне второй линии Ga2a сигналов развертки отдаленно от первой линии EM1a сигналов управления светоизлучением/второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением.[00116] For example, in the first X direction, the second electrode CC4a of the first capacitor C11 (i.e., the second electrode CC2a of the third capacitor C2) is located between the first scanning signal line Ga1a / second scanning signal line Ga2a and the first light control signal line EM1 / second light control signal line EM2a. A protruding part protruding from the second scanning signal line Ga2a is located on the side of the second scanning signal line Ga2a distantly from the first light control signal line EM1a / second light control signal line EM2a.
[00117] Например, как показано на фиг. 4A, в первом направлении X, затворный электрод транзистора T2 записи данных, затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3, затворный электрод первого транзистора T6 сброса и затворный электрод второго транзистора T7 сброса расположены на первой стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 расположены на второй стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, и, например, в примере, как показано на фиг. 6A-6E, первая сторона и вторая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 представляют собой противоположные стороны затворного электрода возбуждающего транзистора T1 в первом направлении X. Например, как показано на фиг. 4A-4E, первая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой верхнюю сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1, и вторая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой нижнюю сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1.[00117] For example, as shown in FIG. 4A, in the first direction X, the gate electrode of the data recording transistor T2, the gate electrode of the threshold compensation transistor T3, the gate electrode of the first reset transistor T6, and the gate electrode of the second reset transistor T7 are disposed on the first side of the gate electrode of the driving transistor T1, the gate electrode of the first light-emitting control transistor T4 and the gate electrode of the second light-emitting driving transistor T5 are disposed on the second side of the gate electrode of the driving transistor T1, and, for example, in the example, as shown in FIG. 6A to 6E, the first side and the second side of the gate electrode of the driving transistor T1 of the
[00118] Например, в некоторых вариантах осуществления, как показано на фиг. 4A-4E, во втором направлении Y, затворный электрод транзистора T2 записи данных и затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 расположены на третьей стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, первый затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3, затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 и затворный электрод второго транзистора T7 сброса расположены на четвертой стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, например, в примере, показанном на фиг. 4A-4E, третья сторона и четвертая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 представляют собой противоположные стороны затворного электрода возбуждающего транзистора T1 во втором направлении Y, например, как показано на фиг. 4A-4E, третья сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой правую сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1, и четвертая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой левую сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1.[00118] For example, in some embodiments, as shown in FIG. 4A to 4E, in the second Y direction, the gate electrode of the data recording transistor T2 and the gate electrode of the first light emitting control transistor T4 are disposed on the third side of the gate electrode of the driving transistor T1, the first gate electrode of the threshold compensation transistor T3, the gate electrode of the second light emitting control transistor T5, and the gate an electrode of the second reset transistor T7 is disposed on the fourth side of the gate electrode of the driving transistor T1, for example, in the example shown in FIG. 4A to 4E, the third side and the fourth side of the gate electrode of the driving transistor T1 of the
[00119] Например, первый изоляционный слой (не показан) формируется на первом проводящем слое 320, чтобы защищать первый проводящий слой 320. Фиг. 4C показывает второй проводящий слой 330 пиксельной схемы 120a. Второй проводящий слой 330 включает в себя первый электрод CC1a третьего конденсатора C2, первую линию Init1a сигналов электропитания и сброса, вторую линию Init2a сигналов электропитания и сброса и вторую линию VDD2 сигналов электропитания. Вторая линия VDD2 сигналов электропитания формируется как единое целое с первым электродом CC1a третьего конденсатора C2. Первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 и второй электрод CC2a третьего конденсатора C2, по меньшей мере, частично перекрываются с возможностью формировать третий конденсатор C2.[00119] For example, a first insulating layer (not shown) is formed on the first
[00120] Например, второй изоляционный слой (не показан) формируется на втором проводящем слое 330, чтобы защищать второй проводящий слой 330. Фиг. 4D показывает электродный металлический слой 340 "исток-сток" пиксельной схемы 121a, электродный металлический слой 340 "исток-сток" включает в себя линию Vd передачи данных и первую линию VDD1 сигналов электропитания.[00120] For example, a second insulating layer (not shown) is formed on the second
[00121] Фиг. 4E является принципиальной схемой пакетированной позиционной взаимосвязи вышеуказанного активного полупроводникового слоя 310, первого проводящего слоя 320, второго проводящего слоя 330 и электродного металлического слоя 340 "исток-сток". Как показано на фиг. 4D и 4E, линия Vd передачи данных соединяется с участком истока транзистора T2 записи данных в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 381a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания соединяется с участком истока соответствующего первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 382a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания соединяется с первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 во втором проводящем слое 330, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 3832a) во втором изоляционном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания также соединяется со второй линией VDD2 сигналов электропитания во втором проводящем слое 330, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 3831a) во втором изоляционном слое.[00121] FIG. 4E is a schematic diagram of a stacked positional relationship of the above
[00122] Например, как показано на фиг. 4D и 4E, электродный металлический слой 340 "исток-сток" дополнительно включает в себя первую соединительную часть 341a, вторую соединительную часть 342a и третью соединительную часть 343a. Один контактный вывод первой соединительной части 341a соединяется с участком стока соответствующего порогового компенсационного транзистора T3 в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 384a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое, и другой контактный вывод первой соединительной части 341a соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1 (т.е. вторым электродом CC2a третьего конденсатора C2) в первом проводящем слое 320, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 385a) в первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Один контактный вывод второй соединительной части 342a соединяется с первой линией Init1a сигналов электропитания и сброса/второй линией Init2a сигналов электропитания и сброса через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 386a) во втором изоляционном слое, и другой контактный вывод второй соединительной части 342a соединяется с участком стока второго транзистора T7 сброса в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 387a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Третья соединительная часть 343a соединяется с участком стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 388a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое.[00122] For example, as shown in FIG. 4D and 4E, the source-drain
[00123] Например, промежуточный слой (не показан) формируется на вышеуказанном электродном металлическом слое 340 "исток-сток", чтобы защищать электродный металлический слой 340 "исток-сток". Первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента каждого субпиксела может находиться на стороне промежуточного слоя отдаленно от несущей подложки.[00123] For example, an intermediate layer (not shown) is formed on the above source-drain
[00124] Например, как показано на фиг. 4A-4E, в первом направлении X, первая линия Ga1a сигналов развертки, вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса и первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса и вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса расположены на первой стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1, и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением расположены на второй стороне возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1.[00124] For example, as shown in FIG. 4A-4E, in a first X direction, a first scan line Ga1a, a second scan line Ga2a, a first reset control line Rst1a, a second reset control line Rst2a, and a first power and reset line Init1a and a second power and reset line Init2a are located on the first side of the gate electrode of the driving transistor T1 of the
[00125] Например, первая линия Ga1a сигналов развертки, вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса, первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением, вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса и вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса продолжаются во втором направлении Y, и линия Vd передачи данных продолжается в первом направлении X.[00125] For example, first scan signal line Ga1a, second scan signal line Ga2a, first reset control signal line Rst1a, second reset control signal line Rst2a, first light control signal line EM1a, second light control signal line EM2a, first power signal line Init1a and reset and the second power supply and reset line Init2a continue in the second Y direction and the data line Vd continues in the first X direction.
[00126] Например, первая линия VDD1 сигналов электропитания продолжается в первом направлении X, и вторая линия VDD2 сигналов электропитания продолжается во втором направлении Y. Сигнальные линии первого контактного вывода VDD напряжения наносятся в форме сетки на подложку отображения, т.е. первая линия VDD1 сигналов электропитания и вторая линия VDD2 сигналов электропитания размещаются в сетчатом рисунке на всей подложке отображения таким образом, что сопротивление сигнальных линий первого контактного вывода VDD напряжения является небольшим, и падение напряжения сигнальных линий первого контактного вывода VDD напряжения является низким, и дополнительно может повышаться стабильность напряжения источника мощности, предоставленного посредством первого контактного вывода VDD напряжения.[00126] For example, the first power signal line VDD1 extends in the first X direction, and the second power signal line VDD2 continues in the second Y direction. The voltage signal lines VDD of the first terminal VDD are grid-shaped on the display substrate, i. the first power supply signal line VDD1 and the second power supply signal line VDD2 are arranged in a grid pattern on the entire display substrate such that the resistance of the signal lines of the first voltage terminal VDD is small and the voltage drop of the signal lines of the first voltage terminal VDD is low, and additionally can increase the stability of the voltage of the power source provided by the first voltage terminal VDD.
[00127] Например, первая линия Ga1a сигналов развертки, вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса, первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением расположены на идентичном слое, и первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса, вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса и вторая линия VDD2 сигналов электропитания расположены на идентичном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания и линия Vd передачи данных расположены на идентичном слое.[00127] For example, the first scanning signal line Ga1a, the second scanning signal line Ga2a, the first reset control signal line Rst1a, the second reset control signal line Rst2a, the first light control signal line EM1a, and the second light control signal line EM2a are disposed on the same layer, and the first power and reset signal line Init1a, the second power and reset signal line Init2a, and the second power supply signal line VDD2 are disposed on the same layer. The first power signal line VDD1 and the data transmission line Vd are disposed on the same layer.
[00128] Следует отметить, что позиционная взаимосвязь компоновки возбуждающей схемы, первой светоизлучающей управляющей схемы, второй светоизлучающей управляющей схемы, схемы записи данных, схемы хранения данных, пороговой компенсационной схемы и схемы сброса и т.д. в каждой пиксельной схеме не ограничена примерами, как показано на фиг. 4A-4E, и согласно фактическим требованиям применения, позиции возбуждающей схемы, первой светоизлучающей управляющей схемы, второй светоизлучающей управляющей схемы, схемы записи данных, схемы хранения данных, пороговой компенсационной схемы и схемы сброса могут специально задаваться.[00128] It should be noted that the positional relationship of the arrangement of the drive circuit, the first light emitting control circuit, the second light emitting control circuit, the data recording circuit, the data storage circuit, the threshold compensation circuit and the reset circuit, and so on. in each pixel circuit is not limited to the examples as shown in FIG. 4A to 4E, and according to actual application requirements, the positions of the drive circuit, the first light emitting drive circuit, the second light emitting drive circuit, the data recording circuit, the data storage circuit, the threshold compensation circuit, and the reset circuit can be specially set.
[00129] Фиг. 5A является плоской принципиальной схемой подложки отображения согласно некоторым вариантам осуществления настоящего раскрытия; фиг. 5B является плоской принципиальной схемой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; фиг. 6A является плоской принципиальной схемой другой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; фиг. 6B является компоновочной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; фиг. 6C является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L1-L1' на фиг. 6B; фиг. 6D является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L2-L2' на фиг. 6B; и фиг. 6E является плоской принципиальной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия.[00129] FIG. 5A is a planar schematic diagram of a display substrate according to some embodiments of the present disclosure; fig. 5B is a flat schematic diagram of a repeating cell provided by some embodiments of the present disclosure; fig. 6A is a flat schematic diagram of another repeating cell provided by some embodiments of the present disclosure; fig. 6B is a layout diagram of a display substrate provided by some embodiments of the present disclosure; fig. 6C is a schematic cross-sectional diagram of a line L1-L1 'in FIG. 6B; fig. 6D is a schematic structural diagram in cross-section of line L2-L2 'in FIG. 6B; and FIG. 6E is a planar schematic diagram of another display substrate provided through some embodiments of the present disclosure.
[00130] Например, как показано на фиг. 5A, в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия, пиксельная компоновочная структура в подложке 10 отображения может представлять собой пиксельную компоновочную GGRB-структуру для того, чтобы увеличивать PPI (число пикселов на дюйм) панели отображения, включающей в себя подложку 10 отображения, за счет этого повышая визуальное разрешение панели отображения при идентичном разрешении отображения. Например, каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя четыре субпиксела, четыре субпиксела представляют собой первый субпиксел G1, второй субпиксел G2, третий субпиксел R и четвертый субпиксел B, соответственно, и четыре субпиксела могут приспосабливать GGRB-компоновку. Следует отметить, что только две полные повторяющиеся ячейки 11 показаны на фиг. 5A, но настоящее раскрытие не ограничено этим. Подложка 10 отображения включает в себя множество повторяющихся ячеек 11, и множество повторяющихся ячеек 11 размещаются в матрице вдоль первого направления X и второго направления Y.[00130] For example, as shown in FIG. 5A, in some embodiments of the present disclosure, the pixel arrangement in the
[00131] Например, как показано на фиг. 5A, участки 31-40 могут представлять собой участки, в которых расположены пиксельные схемы соответствующих субпикселов на несущей подложке 10, например, участки 31-35 расположены в первой строке, и участки 36-40 расположены во второй строке; участки 31 и 36 находятся в первом столбце, участки 32 и 37 находятся во втором столбце, участки 33 и 38 находятся в третьем столбце, участки 34 и 39 находятся в четвертом столбце, и участки 35 и 40 находятся в пятом столбце. Например, в примере, как показано на фиг. 5A, в повторяющейся ячейке 11, окруженной посредством пунктирных линий, пиксельная схема первого субпиксела G1 расположена в участке 32, пиксельная схема второго субпиксела G2 расположена в участке 37, пиксельная схема третьего субпиксела R расположена в участке 38, и пиксельная схема четвертого субпиксела B расположена в участке 36.[00131] For example, as shown in FIG. 5A, portions 31-40 may be portions in which pixel circuits of respective subpixels on the
[00132] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "строка" может представлять строку, соответствующую областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы, и "столбец" может представлять столбец, соответствующий областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы.[00132] It should be noted that in the present disclosure, "row" may represent a row corresponding to areas in which corresponding pixel circuits are located, and a "column" may represent a column corresponding to areas in which corresponding pixel circuits are located.
[00133] Например, светоизлучающий элемент 120 выполнен с возможностью принимать светоизлучающий сигнал (например, может представлять собой сигнал тока) в ходе работы и излучать свет с силой света, соответствующей светоизлучающему сигналу. Светоизлучающий элемент 120 может представлять собой светоизлучающий диод, и светоизлучающий диод, например, может представлять собой органический светоизлучающий диод (OLED), светоизлучающий диод на квантовых точках (QLED) и т.п., но варианты осуществления настоящего раскрытия не ограничены этим.[00133] For example, the
[00134] Например, как показано на фиг. 6C, светоизлучающий элемент 120 включает в себя первый электрод 1201 подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203 между первым электродом 1201 подачи напряжения светоизлучения и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения. Например, как показано на фиг. 6C, светоизлучающий элемент первого субпиксела G1 включает в себя первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203a, и светоизлучающий элемент второго субпиксела G2 включает в себя первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203a.[00134] For example, as shown in FIG. 6C, the
[00135] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00135] For example, as shown in FIG. 6C, the orthographic projection of the first light-emitting
[00136] Например, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 могут быть расположены на идентичном слое, и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 могут предоставляться как единое целое.[00136] For example, the first light emitting
[00137] Например, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 является непрерывной с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, т.е. светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 могут подготавливаться посредством открывающегося отверстия в пластине на основе высокоточной металлической маски (FMM), что позволяет эффективно уменьшать трудность в технологическом процессе FMM. Например, светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 интегрируются.[00137] For example, the orthographic projection of the
[00138] Например, материалы светоизлучающих слоев 1203 соответствующих субпикселов могут выбираться согласно различным цветам света, излучаемого посредством светоизлучающих элементов 120 соответствующих субпикселов. Материал светоизлучающего слоя 1203 каждого субпиксела включает в себя люминесцентный светоизлучающий материал, фосфоресцирующий светоизлучающий материал и т.п. Например, в некоторых вариантах осуществления, первый электрод 1201 подачи напряжения светоизлучения представляет собой анод, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения представляет собой катод, и как первый электрод 1201 подачи напряжения светоизлучения, так и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения подготавливаются посредством проводящих материалов. Следует отметить, что в некоторых примерах, первый органический слой располагается между первым электродом 1201 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающим слоем 1203, и второй органический слой располагается между вторым электродом 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающим слоем 1203. Первый органический слой и второй органический слой используются для выравнивания поверхности и могут опускаться.[00138] For example, materials of the
[00139] Например, в каждой повторяющейся ячейке 11, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2, т.е. первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 представляют собой субпикселы одного цвета. Например, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 представляют собой чувствительные цветные субпикселы. В случае если подложка 100 отображения приспосабливает режим отображения на основе системы "красный-зеленый-синий" (RGB), вышеуказанный чувствительный цвет является зеленым, т.е. первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 представляют собой зеленые субпикселы. Например, третий субпиксел R может представлять собой красный субпиксел, и четвертый субпиксел B может представлять собой синий субпиксел.[00139] For example, in each repeating
[00140] Например, четыре субпиксела в каждой повторяющейся ячейке 11 могут формировать два виртуальных пиксела, и третий субпиксел R и четвертый субпиксел B в повторяющейся ячейке 11, соответственно, совместно используются посредством двух виртуальных пикселов. Субпикселы во множестве повторяющихся ячеек 11 формируют пиксельную матрицу. В направлении строк пиксельной матрицы, плотность субпикселов в 1,5 раза превышает плотность виртуальных пикселов, и в направлении столбцов пиксельной матрицы, плотность субпикселов в 1,5 раза превышает плотность виртуальных пикселов.[00140] For example, four subpixels in each repeating
[00141] Например, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 принадлежат двум виртуальным пикселам, соответственно.[00141] For example, the first subpixel G1 and the second subpixel G2 belong to two virtual pixels, respectively.
[00142] Следует отметить, что, во-первых, поскольку третий субпиксел R и четвертый субпиксел B совместно используются посредством двух смежных виртуальных пикселов, граница каждого виртуального пиксела также является очень размытой, и в силу этого вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничивает формы соответствующих виртуальных пикселов. Во-вторых, разделение виртуальных пикселов связано с режимом возбуждения, и конкретный режим разделения виртуальных пикселов может определяться согласно фактическому режиму возбуждения, который не ограничен конкретным образом посредством настоящего раскрытия.[00142] It should be noted that, firstly, since the third subpixel R and the fourth subpixel B are shared by two adjacent virtual pixels, the border of each virtual pixel is also very blurry, and therefore the embodiment of the present disclosure does not limit the shapes of the respective virtual pixels. pixels. Second, the virtual pixel division is related to the drive mode, and a specific virtual pixel division mode can be determined according to the actual drive mode, which is not particularly limited by the present disclosure.
[00143] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Иными словами, ортографическая проекция первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 полностью покрывает ортографическую проекцию управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, ортографическая проекция первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 полностью покрывает ортографическую проекцию управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, например, область ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 может превышать область ортографической проекции управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и область ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 может превышать область ортографической проекции управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00143] For example, as shown in FIG. 6C, an orthographic projection of the driving terminal 1221a of the driving circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 on the
[00144] Например, как показано на фиг. 3B, в случае если возбуждающая схема 122a пиксельной схемы первого субпиксела G1 включает в себя возбуждающий транзистор T1, управляющий контактный вывод 1221a возбуждающей схемы 122a пиксельной схемы первого субпиксела G1 представляет собой затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1, то ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1 на несущей подложке 10; и, как показано на фиг. 3C, в случае если возбуждающая схема 122b пиксельной схемы второго субпиксела G2 включает в себя возбуждающий транзистор T1, управляющий контактный вывод 1221b возбуждающей схемы 122b пиксельной схемы второго субпиксела G2 представляет собой затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00144] For example, as shown in FIG. 3B, in a case where the
[00145] Например, ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10; и ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00145] For example, an orthographic projection of the gate electrode of the driving transistor T1 of the first subpixel G1 on the
[00146] Например, как показано на фиг. 6C, область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 составляет первую область A1. Область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 составляет вторую область A2, и отношение первой области A1 ко второй области A2 удовлетворяет следующей взаимосвязи:[00146] For example, as shown in FIG. 6C, an overlapping area between the orthographic projection of the
Amin≤A1/A2≤Amax,Amin≤A1 / A2≤Amax,
где A1 представляет первую область, A2 представляет вторую область, Amin представляет минимальное пороговое значение отношения и составляет 90%, и Amax представляет максимальное пороговое значение отношения и составляет 110%.where A1 represents the first region, A2 represents the second region, Amin represents the minimum threshold value of the ratio and is 90%, and Amax represents the maximum threshold value of the ratio and is 110%.
[00147] Например, в некоторых примерах, первая область A1 может превышать или быть равна второй области A2, в этом случае, минимальное пороговое значение Amin отношения может составлять 90%, и максимальное пороговое значение Amax отношения также может составлять 100%; и в других примерах, первая область A1 может быть меньше второй области A2, в этом случае, минимальное пороговое значение Amin отношения может составлять 95%, и максимальное пороговое значение Amax отношения может составлять 105%. Вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен конкретным образом конкретным значениями для минимального порогового значения отношения и максимального порогового значения отношения при условии, что разность между первой областью A1 и второй областью A2 обеспечивается как небольшая (например, меньше 10%), и кроме того, разность между паразитной емкостью между первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом 1221a возбуждающей схемы первого субпиксела G1 (т.е. первым конденсатором C11, как показано на фиг. 3B) и паразитной емкостью между первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 и управляющим контактным выводом 1221b возбуждающей схемы второго субпиксела G2 (т.е. второго конденсатора C12, как показано на фиг. 3C) может обеспечиваться как небольшая (например, меньше 10%), за счет этого улучшая эффект отображения панели отображения, включающей в себя подложку 100 отображения. Например, в случае если отношение первой области A1 и второй области A2 составляет между вышеуказанным минимальным пороговым значением отношения и максимальным пороговым значением отношения, даже при низкой шкале полутонов (например, 64 шкалы полутонов), т.е. в случае, если характеристики распознавания человеческого глаза являются высокими, пользователь может не иметь возможность видеть яркостную разность между первым субпикселом G1 и вторым субпикселом G2, за счет этого эффективно улучшая эффект отображения панели отображения и повышая удобство работы пользователей.[00147] For example, in some examples, the first area A1 may be greater than or equal to the second area A2, in which case, the minimum threshold ratio Amin may be 90%, and the maximum threshold value Amax of the ratio may also be 100%; and in other examples, the first area A1 may be smaller than the second area A2, in which case, the minimum ratio threshold Amin may be 95% and the maximum ratio threshold Amax may be 105%. An embodiment of the present disclosure is not particularly limited to specific values for the minimum threshold value of the ratio and the maximum threshold value of the ratio, provided that the difference between the first area A1 and the second area A2 is provided as small (e.g., less than 10%), and furthermore, the difference between parasitic capacitance between the first light emitting
[00148] Например, как показано на фиг. 5A и 5B, форма первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 отличается от формы первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2. Например, в некоторых примерах, форма первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 может представлять собой восьмиугольник, и форма первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 может быть пятиугольной.[00148] For example, as shown in FIG. 5A and 5B, the shape of the first light emitting
[00149] Например, в каждой повторяющейся ячейке 11, область ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 отличается от области ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, и область ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 превышает область ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00149] For example, in each repeating
[00150] Например, как показано на фиг. 5B, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 включает в себя вспомогательный электродный блок Ae, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10.[00150] For example, as shown in FIG. 5B, the first light emitting
[00151] Например, ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции вспомогательного электродного блока Ae первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.[00151] For example, the orthographic projection of the gate electrode of the driving transistor T1 of the first subpixel G1 on the
[00152] Например, вспомогательный электродный блок Ae служит в качестве первого электрода CC3 первого конденсатора C11, управляющий контактный вывод 1221a возбуждающей схемы 122a первого субпиксела G1 мультиплексируется в качестве второго электрода CC4 первого конденсатора C11, т.е. вспомогательный электродный блок Ae представляет собой первый электрод CC3 первого конденсатора C11, и управляющий контактный вывод 1221a возбуждающей схемы 122a первого субпиксела G1 (т.е. затворный электрод возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1) представляет собой второй электрод CC4 первого конденсатора C11.[00152] For example, the auxiliary electrode unit Ae serves as the first electrode CC3 of the first capacitor C11, the
[00153] Например, как показано на фиг. 5B, форма вспомогательного электродного блока Ae может быть прямоугольной, и форма ортографической проекции вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 является идентичной форме вспомогательного электродного блока Ae, т.е. прямоугольной. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим, и форма вспомогательного электродного блока Ae может быть пятиугольной, шестиугольной, эллиптической и т.п.[00153] For example, as shown in FIG. 5B, the shape of the auxiliary electrode unit Ae may be rectangular, and the orthographic projection shape of the auxiliary electrode unit Ae on the
[00154] Например, как показано на фиг. 5B, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя первый возбуждающий электродный блок De1, и первый возбуждающий электродный блок De1 электрически соединяется со вспомогательным электродным блоком Ae.[00154] For example, as shown in FIG. 5B, the first light emitting
[00155] Например, как показано на фиг. 5B, форма первого возбуждающего электродного блока De1 может представлять собой пятиугольник, и форма ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 является идентичной форме первого возбуждающего электродного блока De1, т.е. представлять собой пятиугольник. Пятиугольник может состоять из треугольника и прямоугольника.[00155] For example, as shown in FIG. 5B, the shape of the first excitation electrode unit De1 may be a pentagon, and the orthographic projection shape of the first excitation electrode unit De1 on the
[00156] Например, в примере, как показано в 5B, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae предоставляются как единое целое, и в силу этого форма первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения может представлять собой восьмиугольник, и восьмиугольник может состоять из пятиугольника и прямоугольника.[00156] For example, in the example as shown in 5B, the first excitation electrode unit De1 and the auxiliary electrode unit Ae are provided integrally, and thus the shape of the first light-emitting
[00157] Следует отметить, что в других примерах, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae могут предоставляться отдельно, при условии, что первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae могут электрически соединяться между собой.[00157] Note that in other examples, the first excitation electrode unit De1 and the auxiliary electrode unit Ae may be provided separately, provided that the first excitation electrode unit De1 and the auxiliary electrode unit Ae can be electrically connected to each other.
[00158] Например, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae могут одновременно формироваться посредством идентичного процесса формирования рисунка.[00158] For example, the first excitation electrode unit De1 and the auxiliary electrode unit Ae can be simultaneously formed through the same patterning process.
[00159] Например, как показано на фиг. 6C, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae расположены на идентичном слое.[00159] For example, as shown in FIG. 6C, the first excitation electrode unit De1 and the auxiliary electrode unit Ae are disposed on the same layer.
[00160] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.[00160] For example, as shown in FIG. 6C, an orthographic projection of a first excitation electrode unit De1 on a
[00161] Например, в некоторых вариантах осуществления, вторые электроды подачи напряжения светоизлучения светоизлучающих элементов всех субпикселов на подложке отображения предоставляются как единое целое, т.е. второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения покрывает всю несущую подложку 10, т.е. второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения может представлять собой плоский электрод. Например, как показано на фиг. 6C, для первого субпиксела G1 и второго субпиксела G2, часть, в которой плоский второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, может представляться как второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и часть, в которой плоский второй электрод подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, может представляться как второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2. Второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 предоставляются как единое целое.[00161] For example, in some embodiments, the second light emitting voltage supply electrodes of the light emitting elements of all subpixels on the display substrate are provided integrally, i. E. the second light-emitting
[00162] Например, как показано на фиг. 6C, светоизлучающий слой светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и светоизлучающий слой светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 предоставляются как единое целое. Для первого субпиксела G1 и второго субпиксела G2, часть, в которой светоизлучающий слой 1203a перекрывается с первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, может представляться как светоизлучающий слой светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и часть, в которой светоизлучающий слой 1203a перекрывается с первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, может представляться как светоизлучающий слой светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.[00162] For example, as shown in FIG. 6C, the light emitting layer of the light emitting element of the first subpixel G1 and the light emitting layer of the light emitting element of the second subpixel G2 are provided integrally. For the first subpixel G1 and the second subpixel G2, the portion in which the
[00163] Например, как показано на фиг. 6C, подложка 100 отображения дополнительно включает в себя задающий пиксельный слой 160, задающий пиксельный слой 160 расположен на стороне первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента каждого субпиксела отдаленно от несущей подложки 10 и включает в себя первое отверстие, первое отверстие обеспечивает доступность первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и, по меньшей мере, часть светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 расположены в первом отверстии и покрывают открытую для доступа часть первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения и открытую для доступа часть первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения, область части, в которой первое отверстие перекрывается с первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения, представляет собой эффективную светоизлучающую область первого субпиксела G1, и область части, в которой первое отверстие перекрывается с первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения, представляет собой эффективную светоизлучающую область второго субпиксела G2.[00163] For example, as shown in FIG. 6C, the display substrate 100 further includes a driving
[00164] Следует отметить, что в варианте осуществления настоящего раскрытия, светоизлучающий слой каждого светоизлучающего элемента может включать в себя непосредственно электролюминесцентный слой и другие общие слои, расположенные на обеих сторонах электролюминесцентного слоя, например, другие общие слои содержат слой инжекции дырок, слой переноса дырок, слой инжекции электронов, слой переноса электронов и т.п.; но на чертежах настоящего раскрытия, только электролюминесцентный слой в светоизлучающем слое показан, и другие общие слои не показаны.[00164] It should be noted that in an embodiment of the present disclosure, the light emitting layer of each light emitting element may include the EL layer directly and other common layers located on both sides of the EL layer, for example, other common layers include a hole injection layer, a hole transport layer , electron injection layer, electron transport layer, etc .; but in the drawings of the present disclosure, only the electroluminescent layer in the light emitting layer is shown, and other common layers are not shown.
[00165] Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 может не полностью перекрываться с ортографической проекцией второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, например, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 также может быть расположена в пределах ортографической проекции второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.[00165] For example, in some examples, the orthographic projection of the first excitation electrode unit De1 on the
[00166] Следует отметить, что в участке, в котором ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 перекрываются, для первого субпиксела G1, часть светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, соответствующая первому отверстию задающего пиксельного слоя 160, используется для того, чтобы излучать свет.[00166] It should be noted that in a portion in which the orthographic projection of the first excitation electrode unit De1 on the
[00167] Например, как показано на фиг. 5B, первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 включает в себя второй возбуждающий электродный блок De2. Ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 может быть расположена в пределах ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10. Например, ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00167] For example, as shown in FIG. 5B, the first light-emitting
[00168] Например, второй возбуждающий электродный блок De2 может мультиплексироваться в качестве первого электрода второго конденсатора C12, управляющий контактный вывод 1221b возбуждающей схемы 122b второго субпиксела G2 может мультиплексироваться в качестве второго электрода второго конденсатора C12, т.е. второй возбуждающий электродный блок De2 представляет собой первый электрод второго конденсатора C12, и управляющий контактный вывод 1221b возбуждающей схемы 122b второго субпиксела G2 (т.е. затворный электрод возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2) представляет собой второй электрод второго конденсатора C12.[00168] For example, the second driving electrode unit De2 can be multiplexed as the first electrode of the second capacitor C12, the control terminal 1221b of the driving
[00169] Например, как показано на фиг. 5B, форма первого возбуждающего электродного блока De1 может быть идентичной форме второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. форма второго возбуждающего электродного блока De2 также может представлять собой пятиугольник. Форма ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. представляет собой пятиугольник.[00169] For example, as shown in FIG. 5B, the shape of the first excitation electrode unit De1 may be the same as the shape of the second excitation electrode unit De2, i.e. the shape of the second exciting electrode unit De2 can also be a pentagon. The shape of the orthographic projection of the second exciting electrode unit De2 on the
[00170] Например, область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10.[00170] For example, the orthographic projection area of the first exciting electrode unit De1 on the
[00171] Следует отметить, что в некоторых вариантах осуществления, форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 могут представлять собой прямоугольники, ромбы и т.п. Форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 могут отличаться, и настоящее раскрытие не ограничено этим.[00171] It should be noted that, in some embodiments, the shape of the first excitation electrode unit De1 and the shape of the second excitation electrode unit De2 may be rectangles, diamonds, or the like. The shape of the first excitation electrode unit De1 and the shape of the second excitation electrode unit De2 may be different, and the present disclosure is not limited thereto.
[00172] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.[00172] For example, as shown in FIG. 6C, an orthographic projection of a second excitation electrode unit De2 on a
[00173] Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 может не полностью перекрываться с ортографической проекцией второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, например, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00173] For example, in some examples, the orthographic projection of the second excitation electrode unit De2 on the
[00174] Следует отметить, что в участке, в котором ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 перекрываются, для второго субпиксела G2, часть светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, соответствующая первому отверстию задающего пиксельного слоя 160, используется для того, чтобы излучать свет.[00174] It should be noted that in a portion in which the orthographic projection of the second excitation electrode unit De2 on the
[00175] Например, как показано на фиг. 5A и 5B, в каждой повторяющейся ячейке 11, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 размещаются вдоль первого направления X, и первое направление X является параллельным поверхности несущей подложки 10. Например, в первом направлении X, вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, т.е., как показано на фиг. 5B, в первом направлении X, первый возбуждающий электродный блок De1 расположен между вспомогательным электродным блоком Ae и вторым возбуждающим электродным блоком De2.[00175] For example, as shown in FIG. 5A and 5B, in each repeating
[00176] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 не полностью перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.[00176] For example, as shown in FIG. 6C, the orthographic projection of the auxiliary electrode unit Ae on the
[00177] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя первый соединительный электродный блок Ce1, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между вспомогательным электродным блоком Ae и первым возбуждающим электродным блоком De1 и электрически соединяется как со вспомогательным электродным блоком Ae, так и с первым возбуждающим электродным блоком De1.[00177] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel G1 further includes a first connection electrode unit Ce1, in the first direction X, the first connection electrode unit Ce1 is located on the side of the first excitation electrode unit De1 remotely from the light-emitting element of the second subpixel G2, the first connecting electrode unit Ce1 is disposed between the auxiliary electrode unit Ae and the first excitation electrode unit De1, and is electrically connected to both the auxiliary electrode unit Ae and the first excitation electrode unit De1.
[00178] Например, в некоторых вариантах осуществления, первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 предоставляются как единое целое. Следует отметить, что в других примерах, первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 могут предоставляться отдельно, при условии, что первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 могут электрически соединяться между собой.[00178] For example, in some embodiments, the first connecting electrode unit Ce1, the auxiliary electrode unit Ae, and the first excitation electrode unit De1 are provided integrally. It should be noted that in other examples, the first electrode connection unit Ce1, the auxiliary electrode unit Ae, and the first excitation electrode unit De1 may be provided separately, provided that the first electrode connection unit Ce1, the auxiliary electrode unit Ae and the first excitation electrode unit De1 can electrically connect with each other.
[00179] Например, первый соединительный электродный блок Ce1 используется для того, чтобы соединять первый возбуждающий электродный блок De1 и пиксельную схему первого субпиксела G1.[00179] For example, the first connecting electrode unit Ce1 is used to connect the first driving electrode unit De1 and the pixel circuit of the first subpixel G1.
[00180] Например, как показано на фиг. 6C, первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 расположены на идентичном слое. Первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 могут одновременно формироваться посредством идентичного процесса формирования рисунка.[00180] For example, as shown in FIG. 6C, the first connecting electrode unit Ce1, the auxiliary electrode unit Ae, and the first excitation electrode unit De1 are disposed on the same layer. The first connecting electrode unit Ce1, the sub electrode unit Ae, and the first excitation electrode unit De1 can be simultaneously formed by the same patterning process.
[00181] Например, форма первого соединительного электродного блока Ce1 может представлять собой правильную форму, например, прямоугольник, ромб и т.п.; и форма первого соединительного электродного блока Ce1 также может представлять собой неправильную форму.[00181] For example, the shape of the first connecting electrode unit Ce1 may be a regular shape, such as a rectangle, a diamond, and the like; and the shape of the first connecting electrode unit Ce1 may also be irregular.
[00182] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в некоторых примерах, форма вспомогательного электродного блока Ae и форма первого соединительного электродного блока Ce1 представляет собой прямоугольники, и во втором направлении Y, ширина вспомогательного электродного блока Ae меньше ширины первого соединительного электродного блока Ce1, т.е. вспомогательный электродный блок Ae и первый соединительный электродный блок Ce1 образуют уступчатую форму. Во втором направлении Y, ширина первого соединительного электродного блока Ce1 меньше максимальной ширины первого возбуждающего электродного блока De1.[00182] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, in some examples, the shape of the auxiliary electrode unit Ae and the shape of the first connecting electrode unit Ce1 are rectangles, and in the second direction Y, the width of the auxiliary electrode unit Ae is smaller than the width of the first connecting electrode unit Ce1, i.e. the auxiliary electrode unit Ae and the first electrode connecting unit Ce1 form a stepped shape. In the second Y direction, the width of the first electrode connection unit Ce1 is smaller than the maximum width of the first excitation electrode unit De1.
[00183] Например, первый возбуждающий электродный блок De1 имеет пять внутренних углов, и пять внутренних углов могут включать в себя два прямых угла, два тупых угла и острый угол, и первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается со стороны, в которой расположен острый угол первого возбуждающего электродного блока De1, в направлении первого возбуждающего электродного блока De1 от светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.[00183] For example, the first excitation electrode unit De1 has five inner corners, and the five inner corners may include two right angles, two obtuse angles, and an acute angle, and the first electrode connection unit Ce1 extends from the side where the acute angle of the first the excitation electrode unit De1 towards the first excitation electrode unit De1 from the light emitting element of the second subpixel G2.
[00184] Например, в некоторых вариантах осуществления, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим случаем, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 может частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Следует отметить, что в случае, если ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, область перекрывающейся части между ортографической проекцией первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 меньше области перекрывающейся части между ортографической проекцией вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.[00184] For example, in some embodiments, the orthographic projection of the first connecting electrode unit Ce1 on the
[00185] Например, как показано на фиг. 6C и 6D, подложка 100 отображения дополнительно включает в себя промежуточный слой 101. В направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, пиксельная схема 121 каждого субпиксела расположена между промежуточным слоем 101 и несущей подложкой 10, и светоизлучающий элемент 120 расположен на стороне промежуточного слоя 101 отдаленно от несущей подложки 10, т.е. промежуточный слой 101 расположен между светоизлучающим элементом 120 и несущей подложкой 10.[00185] For example, as shown in FIG. 6C and 6D, the display substrate 100 further includes an
[00186] Например, в некоторых вариантах осуществления, слои, в которых расположены светоизлучающие элементы всех субпикселов, составляют первую группу функциональных слоев, слои, в которых расположены пиксельные схемы всех субпикселов, составляют вторую группу функциональных слоев, т.е. в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первая группа функциональных слоев расположена на стороне промежуточного слоя 101 отдаленно от несущей подложки 10, вторая группа функциональных слоев расположена на стороне промежуточного слоя 101 вплотную к несущей подложке 10, т.е. вторая группа функциональных слоев расположена между промежуточным слоем 101 и несущей подложкой 10, и промежуточный слой 101 расположен между первой группой функциональных слоев и второй группой функциональных слоев. Промежуточный слой 101 расположен между первой группой функциональных слоев и второй группой функциональных слоев. Например, возбуждающая схема 122, схема 126 записи данных, схема 127 хранения данных, пороговая компенсационная схема 128 и схема 129 сброса, как показано на фиг. 3A, расположены во второй группе функциональных слоев. Например, первая паразитная схема 125a в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 и вторая паразитная схема 125b в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 также расположены во второй группе функциональных слоев.[00186] For example, in some embodiments, the layers in which the light emitting elements of all subpixels are located constitute the first group of functional layers, the layers in which the pixel circuits of all subpixels are located constitute the second group of functional layers, i. in the direction perpendicular to the surface of the
[00187] Следует отметить, что в варианте осуществления настоящего раскрытия, первая группа функциональных слоев может включать в себя множество подслоев, например, первая группа функциональных слоев может включать в себя подслой, в котором расположен первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, подслой, в котором расположен второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и подслой, в котором расположен светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1. Аналогично, вторая группа функциональных слоев также может включать в себя множество подслоев. Например, вторая группа функциональных слоев может включать в себя подслои, в которых расположены соответствующие элементы в пиксельной схеме первого субпиксела G2. В случае если пиксельная схема включает в себя транзистор, вторая группа функциональных слоев может включать в себя подслой, в котором расположен затворный электрод транзистора, подслой, в котором расположены электрод истока и электрод стока транзистора, подслой, в котором расположен активный слой, и подслой, в котором расположены изоляционный затворный слой, и т.д.[00187] It should be noted that in an embodiment of the present disclosure, the first functional layer group may include a plurality of sub-layers, for example, the first functional layer group may include a sub-layer in which the first light-emitting
[00188] Например, промежуточный слой 101 может представлять собой плоский слой. Например, как показано на фиг. 6C и 6D, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 отдаленно от промежуточного слоя 101.[00188] For example, the
[00189] Например, как показано на фиг. 6C, промежуточный слой 101 включает в себя первое переходное отверстие h1, и первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается до первого переходного отверстия h1 и электрически соединяется с пиксельной схемой первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1, например, первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124a пиксельной схемы первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1. Например, первый соединительный электродный блок Ce1 может покрывать и заполнять первое переходное отверстие h1.[00189] For example, as shown in FIG. 6C, the
[00190] Например, в первом субпикселе G1, первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1.[00190] For example, in the first subpixel G1, the first connecting electrode unit Ce1 is electrically connected to the second electrode of the second light emitting control transistor T5 of the pixel circuit of the first subpixel G1 through the first via h1.
[00191] Например, как показано на фиг. 4A-4E, пиксельная схема 121 может включать в себя активный полупроводниковый слой 310, электродный металлический затворный слой (включающий в себя первый проводящий слой 320 и второй проводящий слой 330) и электродный металлический слой 340 "исток-сток". В направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, активный полупроводниковый слой 310 расположен между несущей подложкой 10 и электродным металлическим затворным слоем, и электродный металлический затворный слой расположен между активным полупроводниковым слоем 310 и электродным металлическим слоем 340 "исток-сток". Например, первый проводящий слой 320 электродного металлического затворного слоя расположен между активным полупроводниковым слоем 310 и вторым проводящим слоем 330 электродного металлического затворного слоя, и второй проводящий слой 330 электродного металлического затворного слоя расположен между первым проводящим слоем 320 электродного металлического затворного слоя и электродным металлическим слоем 340 "исток-сток".[00191] For example, as shown in FIG. 4A-4E, the
[00192] Например, в настоящем раскрытии, активные слои соответствующих транзисторов (например, возбуждающего транзистора T1, транзистора T2 записи данных, порогового компенсационного транзистора T3, первого светоизлучающего управляющего транзистора T4, второго светоизлучающего управляющего транзистора T5, первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса и т.д.) в пиксельной схеме 121 каждого субпиксела расположены в активном полупроводниковом слое 310, затворные электроды соответствующих транзисторов в пиксельной схеме 121 расположены в первом проводящем слое 320 электродного металлического затворного слоя, и электроды истока и электроды стока соответствующих транзисторов в пиксельной схеме 121 расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток".[00192] For example, in the present disclosure, the active layers of respective transistors (e.g., drive transistor T1, data write transistor T2, threshold compensation transistor T3, first light emitting control transistor T4, second light emitting control transistor T5, first reset transistor T6, and second transistor T7 reset, etc.) in the
[00193] Например, первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через первое переходное отверстие h1.[00193] For example, the first connecting electrode unit Ce1 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the first via h1.
[00194] Например, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 дополнительно включает в себя второй соединительный электродный блок Ce2, и второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединяется со вторым возбуждающим электродным блоком De2. Например, в некоторых вариантах осуществления, второй соединительный электродный блок Ce2 предоставляется как единое целое со вторым возбуждающим электродным блоком De2. Следует отметить, что в других примерах, второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 могут предоставляться отдельно, при условии, что второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 могут электрически соединяться между собой.[00194] For example, the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel G2 further includes a second connecting electrode unit Ce2, and the second connecting electrode unit Ce2 is electrically connected to the second driving electrode unit De2. For example, in some embodiments, the second electrode connection unit Ce2 is provided integrally with the second excitation electrode unit De2. Note that in other examples, the second electrode connection unit Ce2 and the second excitation electrode unit De2 may be provided separately, provided that the second electrode connection unit Ce2 and the second excitation electrode unit De2 can be electrically connected to each other.
[00195] Например, второй соединительный электродный блок Ce2 используется для того, чтобы соединять второй возбуждающий электродный блок De2 и пиксельную схему второго субпиксела G2.[00195] For example, the second connecting electrode unit Ce2 is used to connect the second driving electrode unit De2 and the pixel circuit of the second sub-pixel G2.
[00196] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в первом направлении X, второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока De2 отдаленно от светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, т.е., как показано на фиг. 6A и 6B, второй возбуждающий электродный блок De2 расположен между вторым соединительным электродным блоком Ce2 и первым возбуждающим электродным блоком De1 в первом направлении X.[00196] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, in the first X direction, the second electrode connection unit Ce2 is located on the side of the second excitation electrode unit De2 remotely from the light emitting element of the first subpixel G1, that is, as shown in FIG. 6A and 6B, the second driving electrode unit De2 is disposed between the second connecting electrode unit Ce2 and the first driving electrode unit De1 in the first X direction.
[00197] Например, как показано на фиг. 6C, второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 расположены на идентичном слое. Второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 могут формироваться одновременно посредством идентичного процесса формирования рисунка.[00197] For example, as shown in FIG. 6C, the second connecting electrode unit Ce2 and the second excitation electrode unit De2 are disposed on the same layer. The second connecting electrode unit Ce2 and the second driving electrode unit De2 can be formed simultaneously by the same patterning process.
[00198] Например, форма второго соединительного электродного блока Ce2 может представлять собой правильную форму, например, прямоугольник и ромб и т.д. Форма второго соединительного электродного блока Ce2 может представлять собой неправильную форму.[00198] For example, the shape of the second connecting electrode unit Ce2 may be a regular shape such as a rectangle and a diamond, and so on. The shape of the second Ce2 connecting electrode unit may be irregular.
[00199] Например, в некоторых примерах, во втором направлении Y, ширина второго соединительного электродного блока Ce2 меньше максимальной ширины второго возбуждающего электродного блока De2. Например, второй возбуждающий электродный блок De2 включает в себя пять внутренних углов, пять внутренних углов могут включать в себя два прямых угла, два тупых угла и острый угол, и второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается со стороны, в которой расположен острый угол второго возбуждающего электродного блока De2, в направлении второго возбуждающего электродного блока De2 от светоизлучающего элемента первого субпиксела G1.[00199] For example, in some examples, in the second Y direction, the width of the second connecting electrode unit Ce2 is smaller than the maximum width of the second excitation electrode unit De2. For example, the second excitation electrode unit De2 includes five internal corners, the five internal corners may include two right angles, two obtuse angles, and an acute angle, and the second connection electrode unit Ce2 extends from the side where the acute angle of the second excitation electrode is located. unit De2, towards the second driving electrode unit De2 from the light emitting element of the first subpixel G1.
[00200] Например, в некоторых примерах, форма первого соединительного электродного блока Ce1 может быть идентичной форме второго соединительного электродного блока Ce2.[00200] For example, in some examples, the shape of the first connecting electrode unit Ce1 may be the same as the shape of the second connecting electrode unit Ce2.
[00201] Например, в некоторых вариантах осуществления, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим случаем, и ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 может частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Следует отметить, что в случае, если ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, область перекрывающейся части между ортографической проекцией второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 меньше области перекрывающейся части между ортографической проекцией второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.[00201] For example, in some embodiments, the orthographic projection of the second connecting electrode unit Ce2 on the
[00202] Например, аналогично первому субпикселу G1, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 отдаленно от промежуточного слоя 101.[00202] For example, similar to the first subpixel G1, in a direction perpendicular to the surface of the
[00203] Например, как показано на фиг. 6C, промежуточный слой 101 включает в себя второе переходное отверстие h2, и второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается до второго переходного отверстия h2 и электрически соединяется с пиксельной схемой второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2, например, второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124b пиксельной схемы второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2. Например, второй соединительный электродный блок Ce2 может покрывать и заполнять второе переходное отверстие h2.[00203] For example, as shown in FIG. 6C, the
[00204] Например, во втором субпикселе G2, второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2.[00204] For example, in the second subpixel G2, the second connecting electrode unit Ce2 is electrically connected to the second electrode of the second light emitting control transistor T5 of the
[00205] Например, второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через второе переходное отверстие h2.[00205] For example, the second connecting electrode unit Ce2 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the second via h2.
[00206] Например, как показано на фиг. 5A, в каждой повторяющейся ячейке 11, третий субпиксел R и четвертый субпиксел B размещаются вдоль второго направления Y, и во втором направлении Y, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 расположены между третьим субпикселом R и четвертым субпикселом B, второе направление Y является параллельным поверхности несущей подложки 10, и первое направление X и второе направление Y являются перпендикулярными друг другу.[00206] For example, as shown in FIG. 5A, in each repeating
[00207] Например, в каждой повторяющейся ячейке 11, линия, соединяющая центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2, представляет собой первую центральную линию, и линия, соединяющая центр третьего субпиксела R, и центр четвертого субпиксела B, представляет собой вторую центральную линию. Длина первой центральной линии меньше длины второй центральной линии. Например, первая центральная линия и вторая центральная линия вертикально делятся пополам между собой, и первая центральная линия является практически параллельной первому направлению X, и вторая центральная линия является практически параллельной второму направлению Y.[00207] For example, in each repeating
[00208] Например, светоизлучающий элемент третьего субпиксела R включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой. Как показано на фиг. 6D, светоизлучающий элемент четвертого субпиксела B включает в себя первый электрод 1201d подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202d подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203d. Следует отметить, что для третьего субпиксела R, часть, в которой плоский второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R, может представляться как второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R; и для четвертого субпиксела B, часть, в которой плоский второй электрод подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B, может представляться как второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B. Иными словами, второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R и второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B интегрируются.[00208] For example, the light emitting element of the third subpixel R includes a first light emitting voltage supply electrode, a second light emitting voltage supply electrode, and a light emitting layer. As shown in FIG. 6D, the light emitting element of the fourth subpixel B includes a first light emitting
[00209] Например, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R на несущей подложке 10 может, по меньшей мере, частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы третьего субпиксела R на несущей подложке 10.[00209] For example, the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the third subpixel R on the
[00210] Например, ортографическая проекция первого электрода 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 также может, по меньшей мере, частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10. Например, как показано на фиг. 6D, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221d возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B на несущей подложке 10.[00210] For example, the orthographic projection of the first light-emitting
[00211] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R включает в себя третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3, и третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединены между собой, и первый электрод 1201d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B включает в себя четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4, и четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединены между собой. Например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221c возбуждающей схемы пиксельной схемы третьего субпиксела R на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией третьего возбуждающего электродного блока De3 на несущей подложке 10; и как показано на фиг. 6D, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221d возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке 10, например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221d возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке 10.[00211] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the third subpixel R includes the third excitation electrode unit De3 and the third excitation electrode unit Ce3, and the third excitation electrode unit De3 and the third electrode connection unit Ce3 are electrically connected to each other, and the
[00212] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 используется для того, чтобы соединять третий возбуждающий электродный блок De3 и пиксельную схему третьего субпиксела R; и четвертый соединительный электродный блок Ce4 используется для того, чтобы соединять четвертый возбуждающий электродный блок De4 и пиксельную схему четвертого субпиксела B.[00212] For example, the third connecting electrode unit Ce3 is used to connect the third driving electrode unit De3 and the pixel circuit of the third sub-pixel R; and the fourth connecting electrode unit Ce4 is used to connect the fourth driving electrode unit De4 and the pixel circuit of the fourth subpixel B.
[00213] Например, пиксельная схема третьего субпиксела R дополнительно включает в себя третью паразитную схему, и пиксельная схема четвертого субпиксела B дополнительно включает в себя четвертую паразитную схему. Третья паразитная схема включает в себя четвертый конденсатор, и четвертая паразитная схема включает в себя пятый конденсатор. Третий возбуждающий электродный блок De3 мультиплексируется в качестве первого электрода четвертого конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы третьего субпиксела R мультиплексируется в качестве второго электрода четвертого конденсатора. Четвертый возбуждающий электродный блок De4 мультиплексируется в качестве первого электрода пятого конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы четвертого субпиксела B мультиплексируется в качестве второго электрода пятого конденсатора.[00213] For example, the pixel circuit of the third subpixel R further includes a third parasitic circuit, and the pixel circuit of the fourth subpixel B further includes a fourth parasitic circuit. The third parasitic circuit includes a fourth capacitor, and the fourth parasitic circuit includes a fifth capacitor. The third driving electrode unit De3 is multiplexed as the first electrode of the fourth capacitor, and the control terminal of the driving circuit of the third subpixel R is multiplexed as the second electrode of the fourth capacitor. The fourth driving electrode unit De4 is multiplexed as the first electrode of the fifth capacitor, and the driving terminal of the driving circuit of the fourth subpixel B is multiplexed as the second electrode of the fifth capacitor.
[00214] Например, форма третьего возбуждающего электродного блока De3 может представлять собой правильный шестиугольник, и форма четвертого возбуждающего электродного блока De4 также может представлять собой правильный шестиугольник. Форма третьего соединительного электродного блока Ce3 также может представлять собой неправильный шестиугольник, и форма четвертого соединительного электродного блока Ce4 также может представлять собой неправильный шестиугольник.[00214] For example, the shape of the third excitation electrode unit De3 may be a regular hexagon, and the shape of the fourth excitation electrode unit De4 may also be a regular hexagon. The shape of the third electrode connection unit Ce3 may also be an irregular hexagon, and the shape of the fourth electrode connection unit Ce4 may also be an irregular hexagon.
[00215] Следует отметить, что в некоторых вариантах осуществления, форма третьего возбуждающего электродного блока De3 и форма четвертого возбуждающего электродного блока De4 могут представлять собой прямоугольники, длинные эллипсы и т.д. Настоящее раскрытие, в частности, не ограничивает форму третьего возбуждающего электродного блока De3, форму третьего соединительного электродного блока Ce3, форму четвертого возбуждающего электродного блока De4 и форму четвертого соединительного электродного блока Ce4.[00215] It should be noted that, in some embodiments, the shape of the third excitation electrode unit De3 and the shape of the fourth excitation electrode unit De4 may be rectangles, long ellipses, and so on. The present disclosure does not particularly limit the shape of the third excitation electrode unit De3, the shape of the third excitation electrode unit Ce3, the shape of the fourth excitation electrode unit De4, and the shape of the fourth excitation electrode unit Ce4.
[00216] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 может представлять собой часть, выступающую наружу с одной стороны (например, нижней правой стороны шестиугольника) шестиугольного третьего возбуждающего электродного блока De3; и четвертый соединительный электродный блок Ce4 может представлять собой часть, выступающую наружу с одной стороны (например, нижней левой стороны шестиугольного) шестиугольного четвертого возбуждающего электродного блока De4.[00216] For example, the third electrode connection unit Ce3 may be a portion protruding outward on one side (eg, the lower right side of the hexagon) of the hexagonal third excitation electrode unit De3; and the fourth connecting electrode unit Ce4 may be a portion protruding outward from one side (for example, the lower left side of the hexagonal) hexagonal fourth driving electrode unit De4.
[00217] Следует отметить, что область возбуждающего электродного блока каждого субпиксела, в частности, может задаваться согласно светоотдаче люминесцентного материала. Например, если светоотдача люминесцентного материала является более высокой, область возбуждающего электродного блока субпиксела может быть меньшей; и в то время как светоотдача люминесцентного материала является более низкой, область возбуждающего электродного блока субпиксела может быть большей. Например, в некоторых вариантах осуществления, область третьего возбуждающего электродного блока De3 меньше области четвертого возбуждающего электродного блока De4. Область третьего возбуждающего электродного блока De3 превышает область первого возбуждающего электродного блока De1, и область третьего возбуждающего электродного блока De3 превышает область второго возбуждающего электродного блока De2.[00217] It should be noted that the area of the exciting electrode unit of each subpixel can be specifically set according to the light output of the luminescent material. For example, if the light output of the luminescent material is higher, the area of the sub-pixel drive electrode unit may be smaller; and while the light output of the luminescent material is lower, the area of the subpixel drive electrode unit may be larger. For example, in some embodiments, the area of the third excitation electrode unit De3 is smaller than the area of the fourth excitation electrode unit De4. The region of the third exciting electrode unit De3 is larger than the region of the first exciting electrode unit De1, and the region of the third exciting electrode unit De3 is larger than the region of the second exciting electrode unit De2.
[00218] Например, в некоторых вариантах осуществления, третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 предоставляются как единое целое, и четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 также предоставляются как единое целое. Следует отметить, что в других примерах, третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 могут предоставляться отдельно, при условии, что третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 могут электрически соединяться между собой. Аналогично, четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 могут предоставляться отдельно, при условии, что четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 могут электрически соединяться между собой.[00218] For example, in some embodiments, the third excitation electrode unit De3 and the third excitation electrode unit Ce3 are provided integrally, and the fourth excitation electrode unit De4 and the fourth excitation electrode unit Ce4 are also provided integrally. Note that in other examples, the third excitation electrode unit De3 and the third excitation electrode unit Ce3 may be provided separately, provided that the third excitation electrode unit De3 and the third excitation electrode unit Ce3 can be electrically connected to each other. Likewise, the fourth excitation electrode unit De4 and the fourth electrode connection unit Ce4 may be provided separately, provided that the fourth excitation electrode unit De4 and the fourth electrode connection unit Ce4 can be electrically connected to each other.
[00219] Например, третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 расположены на идентичном слое. Как показано на фиг. 6D, четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположены на идентичном слое.[00219] For example, the third driving electrode unit De3 and the third connecting electrode unit Ce3 are disposed on the same layer. As shown in FIG. 6D, the fourth exciting electrode unit De4 and the fourth connecting electrode unit Ce4 are disposed on the same layer.
[00220] Например, аналогично первому субпикселу G1 и второму субпикселу G2, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R находится на стороне светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента третьего субпиксела R вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R находится на стороне светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента третьего субпиксела R отдаленно от промежуточного слоя 101; и, как показано на фиг. 6D, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод 1201d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B находится на стороне светоизлучающего слоя 1203d светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B находится на стороне светоизлучающего слоя 1203d светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B отдаленно от промежуточного слоя 101.[00220] For example, similar to the first subpixel G1 and the second subpixel G2, in a direction perpendicular to the surface of the
[00221] Например, как показано на фиг. 6B, промежуточный слой 101 включает в себя третье переходное отверстие h3, и третий соединительный электродный блок Ce3 продолжается до третьего переходного отверстия h3 и электрически соединяется с пиксельной схемой третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3. Например, третий соединительный электродный блок Ce3 может покрывать и заполнять третье переходное отверстие h3.[00221] For example, as shown in FIG. 6B, the
[00222] Например, как показано на фиг. 6D, промежуточный слой 101 включает в себя четвертое переходное отверстие h4, и четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до четвертого переходного отверстия h4 и электрически соединяется с пиксельной схемой четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4. Например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 может покрывать и заполнять четвертое переходное отверстие h4.[00222] For example, as shown in FIG. 6D, the
[00223] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через третье переходное отверстие h3; и четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через четвертое переходное отверстие h4.[00223] For example, the third connecting electrode unit Ce3 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the third via h3; and the fourth electrode connection unit Ce4 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the fourth via h4.
[00224] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через третье переходное отверстие h3, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора третьего субпиксела R, расположенного на электродном металлическом слое "исток-сток" пиксельной схемы. Например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через четвертое переходное отверстие h4, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B, расположенного на электродном металлическом слое "исток-сток" пиксельной схемы.[00224] For example, the third electrode connection unit Ce3 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the third via h3 to be electrically connected to the second electrode of the second light emitting control transistor of the third sub-pixel R located on the electrode metal layer " source-drain "pixel circuit. For example, the fourth connecting electrode unit Ce4 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the fourth via h4 so as to be electrically connected to the second electrode of the second light-emitting control transistor of the fourth sub-pixel B located on the source-drain electrode metal layer "pixel circuitry.
[00225] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в каждой повторяющейся ячейке 11, третий соединительный электродный блок Ce3 расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока De3 отдаленно от вспомогательного электродного блока Ae первого субпиксела G1 в первом направлении X, и третий соединительный электродный блок Ce3 расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока De3 вплотную к четвертому возбуждающему электродному блоку De4 во втором направлении Y, т.е. в примере, как показано на фиг. 6A и 6B, третий соединительный электродный блок Ce3 расположен на нижней правой стороне третьего возбуждающего электродного блока De3, т.е. форма первого электрода 1201c подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R может представлять собой Q-образную зеркальную симметричную форму.[00225] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, in each repeating
[00226] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в каждой повторяющейся ячейке 11, четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока De4 отдаленно от вспомогательного электродного блока Ae первого субпиксела G1 в первом направлении X, и четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока De4 вплотную к третьему возбуждающему электродному блоку De3 во втором направлении Y, т.е. в примере, как показано на фиг. 6A и 6B, четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположен на нижней левой стороне четвертого возбуждающего электродного блока De4, т.е. форма первого электрода 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B может представлять собой Q-форму.[00226] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, in each repeating
[00227] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124c пиксельной схемы третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3 и, например, третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора пиксельной схемы третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3.[00227] For example, the third connecting electrode unit Ce3 is electrically connected to the second light emitting control circuit 124c of the third subpixel pixel circuitry through the third via h3, and, for example, the third connecting electrode unit Ce3 is electrically connected to the second electrode of the second light emitting control transistor of the third subpixel pixel circuit R through the third via h3.
[00228] Например, как показано на фиг. 6D, четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124d пиксельной схемы четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4, например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора пиксельной схемы четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4.[00228] For example, as shown in FIG. 6D, the fourth connecting electrode unit Ce4 is electrically connected to the second light emitting
[00229] Например, как показано на фиг. 6B, промежуточный слой (не показан) формируется на электродном металлическом слое 340 "исток-сток", как показано на фиг. 6D, и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента каждого субпиксела предоставляется на промежуточном слое. Первый соединительный электродный блок Ce1, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, третий соединительный электродный блок Ce3 и третий возбуждающий электродный блок De3 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R и четвертый соединительный электродный блок Ce4 и четвертый возбуждающий электродный блок De4 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B располагаются на промежуточном слое, первый соединительный электродный блок Ce1 первого субпиксела G1 соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1, второй соединительный электродный блок Ce2 второго субпиксела G2 соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2, третий соединительный электродный блок Ce3 третьего субпиксела R соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3, и четвертый соединительный электродный блок Ce4 четвертого субпиксела B соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4.[00229] For example, as shown in FIG. 6B, an intermediate layer (not shown) is formed on the source-drain
[00230] Например, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae первого субпиксела G1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 на несущей подложке, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 второго субпиксела G2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 на несущей подложке, ортографическая проекция третьего возбуждающего электродного блока De3 третьего субпиксела R на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме третьего субпиксела R на несущей подложке, и ортографическая проекция четвертого возбуждающего электродного блока De4 четвертого субпиксела B на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме четвертого субпиксела B на несущей подложке.[00230] For example, the orthographic projection of the auxiliary electrode unit Ae of the first subpixel G1 on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the gate electrode of the exciting transistor in the
[00231] Следует отметить, что фиг. 6E показывает возбуждающие электродные блоки соответствующих субпикселов, вспомогательные электродные блоки соответствующих первых субпикселов и соединительные электродные блоки соответствующих субпикселов, и фиг. 6E также показывает переходные отверстия, соответствующие надлежащим соединительным электродным блокам. Следует отметить, что соединительный электродный блок каждого субпиксела может покрывать и заполнять соответствующее переходное отверстие. Например, первый соединительный электродный блок покрывает и заполняет первое переходное отверстие h1, второй соединительный электродный блок покрывает и заполняет второе переходное отверстие h2, третий соединительный электродный блок покрывает и заполняет третье переходное отверстие h3, и четвертый соединительный электродный блок покрывает и заполняет четвертое переходное отверстие h4. Тем не менее, чтобы показывать позиции соответствующих переходных отверстий, соответствующие переходные отверстия расположены выше соответствующих соединительных электродных блоков на фиг. 6E.[00231] It should be noted that FIG. 6E shows drive electrode units of respective subpixels, auxiliary electrode units of respective first subpixels, and connection electrode units of respective subpixels, and FIG. 6E also shows vias corresponding to the proper connecting electrode blocks. It should be noted that the connecting electrode unit of each sub-pixel can cover and fill the corresponding via. For example, the first electrode connection unit covers and fills the first via h1, the second electrode connection unit covers and fills the second via h2, the third electrode connection unit covers and fills the third via h3, and the fourth electrode connection unit covers and fills the fourth via h4 ... However, to show the positions of the respective vias, the corresponding vias are located above the respective connecting electrode blocks in FIG. 6E.
[00232] Например, как показано на фиг. 6E, во втором направлении Y, соответствующие переходные отверстия размещаются в качестве множества строк переходных отверстий, и соответствующие переходные отверстия в каждой строке размещаются в порядке третьего переходного отверстия h3, первого переходного отверстия h1, четвертого переходного отверстия h4 и второго переходного отверстия h2, т.е. третье переходное отверстие h3, первое переходное отверстие h1, четвертое переходное отверстие h4 и второе переходное отверстие h2 представляют собой один компоновочный период HT1, в компоновочном периоде HT1, первое переходное отверстие h1 соответствует первому субпикселу G1, расположенному во второй строке и смежному с первым переходным отверстием h1, второе переходное отверстие h2 соответствует второму субпикселу G2, расположенному в первой строке и смежному со вторым переходным отверстием h2, третье переходное отверстие h3 соответствует третьему субпикселу R, расположенному в первой строке и смежному с третьим переходным отверстием h3, и четвертое переходное отверстие h4 соответствует четвертому субпикселу B, расположенному в первой строке и смежному с четвертым переходным отверстием h4.[00232] For example, as shown in FIG. 6E, in the second direction Y, corresponding vias are arranged as a plurality of via rows, and corresponding vias in each row are arranged in the order of the third via h3, the first via h1, the fourth via h4, and the second via h2, i.e. e. the third via h3, the first via h1, the fourth via h4, and the second via h2 represent one layout period HT1, in the layout period HT1, the first via h1 corresponds to the first subpixel G1 located in the second row and adjacent to the first via h1, the second via h2 corresponds to the second subpixel G2 located in the first row and adjacent to the second via h2, the third via h3 corresponds to the third subpixel R located in the first row and adjacent to the third via h3, and the fourth via h4 corresponds to the fourth subpixel B located in the first row and adjacent to the fourth via h4.
[00233] Например, во втором направлении Y, соответствующие переходные отверстия в каждой строке расположены на идентичной прямой линии, т.е. первое переходное отверстие h1, третье переходное отверстие h3, второе переходное отверстие h2 и четвертое переходное отверстие h4 в каждом компоновочном периоде HT1 расположены на идентичной прямой линии, и компоновочные периоды HT1 также расположены на идентичной прямой линии.[00233] For example, in the second Y direction, the corresponding vias in each row are located on an identical straight line, i. E. the first via h1, the third via h3, the second via h2, and the fourth via h4 in each layout period HT1 are located on the same straight line, and the layout periods HT1 are also located on the same straight line.
[00234] Например, во втором направлении Y, расстояние между любыми двумя смежными переходными отверстиями представляет собой первое фиксированное расстояние d1, т.е., как показано на фиг. 6E, в компоновочном периоде HT1, расстояние между первым переходным отверстием h1 и четвертым переходным отверстием h4 представляет собой первое фиксированное расстояние d1, расстояние между первым переходным отверстием h1 и третьим переходным отверстием h3 также представляет собой первое фиксированное расстояние d1, расстояние между вторым переходным отверстием h2 и третьим переходным отверстием h3 также представляет собой первое фиксированное расстояние d1, и расстояние между вторым переходным отверстием h2 и четвертым переходным отверстием h4 также представляет собой первое фиксированное расстояние d1. Следует отметить, что "два смежных переходных отверстия" означает то, что отсутствует переходное отверстие между двумя смежными переходными отверстиями, и первое фиксированное расстояние d1 может представлять расстояние между центрами двух смежных переходных отверстий во втором направлении Y.[00234] For example, in the second Y direction, the distance between any two adjacent vias is the first fixed distance d1, that is, as shown in FIG. 6E, in the layout period HT1, the distance between the first via h1 and the fourth via h4 is the first fixed distance d1, the distance between the first via h1 and the third via h3 is also the first fixed distance d1, the distance between the second via h2 and the third via h3 is also the first fixed distance d1, and the distance between the second via h2 and the fourth via h4 is also the first fixed distance d1. Note that “two adjacent vias” means that there is no via between two adjacent vias, and the first fixed distance d1 may represent the distance between the centers of two adjacent vias in the second Y direction.
[00235] Например, как показано на фиг. 6E, в первом направлении X, соответствующие первые переходные отверстия h1 и соответствующие вторые переходные отверстия h2 размещаются в качестве множества первых столбцов переходных отверстий, соответствующие третьи переходные отверстия h3 и соответствующие четвертые переходные отверстия h4 размещаются в качестве множества вторых столбцов переходных отверстий, и во втором направлении Y, первые столбцы переходных отверстий и вторые столбцы переходных отверстий попеременно размещаются, т.е. множество первых столбцов переходных отверстий могут представлять собой столбцы с нечетным номером, и множество вторых столбцов переходных отверстий могут представлять собой столбцы с четным номером. В каждом первом переходном столбце, соответствующие первые переходные отверстия h1 и соответствующие вторые переходные отверстия h2 расположены на идентичной прямой линии, и в каждом втором переходном столбце, соответствующие третьи переходные отверстия h3 и соответствующие четвертые переходные отверстия h4 также расположены на идентичной прямой линии.[00235] For example, as shown in FIG. 6E, in the first X direction, the corresponding first vias h1 and the corresponding second vias h2 are arranged as a plurality of first vias columns, the corresponding third vias h3 and the corresponding fourth vias h4 are arranged as the plurality of second vias columns, and in the second in the Y direction, the first via columns and the second via columns are alternately arranged, i. e. the plurality of first via columns may be odd-numbered columns and the plurality of second via columns may be even-numbered columns. In each first via column, the corresponding first vias h1 and the corresponding second vias h2 are located on the same straight line, and in every second via column, the corresponding third vias h3 and the corresponding fourth vias h4 are also located on the same straight line.
[00236] Например, в первом направлении X, расстояние между любым смежным первым переходным отверстием h1 и вторым переходным отверстием h2 представляет собой второе фиксированное расстояние d2, расстояние между любым смежным третьим переходным отверстием h3 и четвертым переходным отверстием h4 представляет собой третье фиксированное расстояние d3, и второе фиксированное расстояние d2 и третье фиксированное расстояние d3 равны. Следует отметить, что второе фиксированное расстояние d2, может представлять расстояние между центром первого переходного отверстия h1 и центром второго переходного отверстия h2, которое является смежным с первым переходным отверстием h1 в первом направлении X, и третье фиксированное расстояние d3 может представлять расстояние между центром третьего переходного отверстия h3 и центром четвертого переходного отверстия h4, которое является смежным с третьим переходным отверстием h3 в первом направлении X.[00236] For example, in the first X direction, the distance between any adjacent first via h1 and the second via h2 is the second fixed distance d2, the distance between any adjacent third via h3 and the fourth via h4 is the third fixed distance d3, and the second fixed distance d2 and the third fixed distance d3 are equal. It should be noted that the second fixed distance d2 may represent the distance between the center of the first via h1 and the center of the second via h2 that is adjacent to the first via h1 in the first X direction, and the third fixed distance d3 may represent the distance between the center of the third via the hole h3 and the center of the fourth via h4, which is adjacent to the third via h3 in the first X direction.
[00237] Например, множество повторяющихся ячеек 11 размещаются вдоль второго направления Y, чтобы формировать множество групп повторяющихся ячеек, и множество групп повторяющихся ячеек размещаются вдоль первого направления X. Как показано на фиг. 6E, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок, второй соединительный электродный блок, третий соединительный электродный блок и четвертый соединительный электродный блок расположены между двумя смежными группами повторяющихся ячеек, и в первом направлении X, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока расположена на стороне вспомогательного электродного блока отдаленно от первого возбуждающего электродного блока и между двумя смежными повторяющимися ячейками в группе повторяющихся ячеек, смежной с группой повторяющихся ячеек, в которой расположен вспомогательный электродный блок. Например, в некоторых вариантах осуществления, P-ая группа повторяющихся ячеек расположена в первой строке, и (P+1)-ая группа повторяющихся ячеек расположена в второй строке. Для повторяющихся ячеек, расположенных в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока Ae расположена на стороне вспомогательного электродного блока Ae отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1 и между двумя смежными повторяющимися ячейками в группе повторяющихся ячеек (т.е. в P-ой группе повторяющихся ячеек), смежной с группой повторяющихся ячеек (т.е. (P+1)-ой группой повторяющихся ячеек), в которой расположен вспомогательный электродный блок Ae, например, как показано на фиг. 6E, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока Ae в повторяющейся ячейке, расположенной во второй строке, продолжается до первой строки и расположена между двумя смежными повторяющимися ячейками, расположенными в первой строке, например, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока Ae в повторяющейся ячейке, расположенной во второй строке, расположена между смежным третьим субпикселом R и четвертым субпикселом B в первой строке.[00237] For example, a plurality of repeating
[00238] Например, как показано на фиг. 6C, второй светоизлучающий управляющий транзистор второй светоизлучающей управляющей схемы 124a первого субпиксела G1 включает в себя второй электрод 1241a (например, электрод стока) и активный слой 1242a. Возбуждающий транзистор возбуждающей схемы первого субпиксела G1 включает в себя затворный электрод 1221a (т.е. управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122a) и активный слой 1222a. Следует отметить, что фиг. 6C не показывает затворный электрод и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1 и первый электрод и второй электрод возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и т.д.[00238] For example, as shown in FIG. 6C, the second light emitting drive transistor of the second light emitting
[00239] Например, изоляционный затворный слой находится между активным полупроводниковым слоем 310 и первым проводящим слоем 320, т.е., как показано на фиг. 6C, изоляционный затворный слой 131 находится между затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и активным слоем 1222a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1, и изоляционный затворный слой 131 покрывает всю подложку 100 отображения, за счет чего изоляционный затворный слой 131 также находится между затворным электродом и активным слоем второго светоизлучающего управляющего транзистора. Затворный электрод 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 находится на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10. Как показано на фиг. 6C, первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенная с первой светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, также располагаются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10.[00239] For example, an insulating gate layer is sandwiched between the
[00240] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением (т.е. первой линией EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенной с первой светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1), соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.[00240] For example, as shown in FIG. 6C, the orthographic projection of the first connecting electrode unit Ce1 on the
[00241] Например, как показано на фиг. 6C, первый изоляционный слой 132 дополнительно предоставляется на затворном электроде 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1, и первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1 предоставляется на стороне первого изоляционного слоя 132 отдаленно от несущей подложки 10. Второй изоляционный слой 133 предоставляется на стороне второго электрода CC2a третьего конденсатора C2 отдаленно от несущей подложки 10. Второй электрод 1241a второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1 находится на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10 и электрически соединяется с активным слоем 1242a второго светоизлучающего управляющего транзистора через переходное отверстие 388a, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый изоляционный слой 132 и изоляционный затворный слой 131. Например, первый изоляционный слой 132 и второй изоляционный слой 133 также покрывают всю подложку 100 отображения.[00241] For example, as shown in FIG. 6C, the first insulating
[00242] Например, первая соединительная часть 341a первого субпиксела G1 также предоставляется на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10. Первая соединительная часть 341a первого субпиксела G1 электрически соединяется с затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 через переходное отверстие 385a, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый электрод CC1a третьего конденсатора C2, первый субпиксел G1 и первый изоляционный слой 132. Ортографическая проекция первой соединительной части 341a на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, т.е. ортографическая проекция первой соединительной части 341a на несущей подложке 10, ортографическая проекция затворного электрода 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.[00242] For example, the first connecting
[00243] Следует отметить, что для первого субпиксела G1, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, металлические слои, такие как первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1, первая соединительная часть 341a первого субпиксела G1 и т.п., дополнительно предоставляются между первым электродом CC3a (т.е. вспомогательным электродным блоком Ae) и вторым электродом CC4a (т.е. затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1) первого конденсатора C11. Следовательно, также может возникать паразитная емкость между вспомогательным электродным блоком Ae и первой соединительной частью 341a первого субпиксела G1, также может возникать паразитная емкость между вспомогательным электродным блоком Ae и первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1, также может возникать паразитная емкость между первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1 и первой соединительной частью 341a первого субпиксела G1, также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и первой соединительной частью 341a первого субпиксела G1 и также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1. Позиции и размеры этих паразитных емкостей связаны с конкретной структурой компоновки подложки отображения, и настоящее раскрытие подробно не описывает эти паразитные емкости.[00243] It should be noted that for the first subpixel G1, in a direction perpendicular to the
[00244] Например, второй электрод 1241a второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1 и первая соединительная часть 341a расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы, затворный электрод 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением расположены в первом проводящем слое 320 пиксельной схемы, первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1 расположен во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы, и активный слой 1242a второго светоизлучающего управляющего транзистора и активный слой 1222a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 расположены в активном полупроводниковом слое 310 пиксельной схемы.[00244] For example, the
[00245] Например, первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается до электродного металлического слоя 340 "исток-сток" пиксельной схемы через первое переходное отверстие h1, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом 1241a второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1, расположенного в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы.[00245] For example, the first connecting electrode unit Ce1 extends to the source-drain
[00246] Например, как показано на фиг. 6C, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, первая линия Init1b сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2b сигналов электропитания и сброса, соединенная с пиксельной схемой второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть второй соединительной части 342b второго субпиксела G2 и переходное отверстие 386b предоставляются между первым соединительным электродным блоком Ce1 и несущей подложкой 10, и вторая соединительная часть 342b второго субпиксела G2 электрически соединяется с первой линией Init1b сигналов электропитания и сброса/второй линией Init2b сигналов электропитания и сброса через переходное отверстие 386b.[00246] For example, as shown in FIG. 6C, in a direction perpendicular to the
[00247] Например, первая линия Init1b сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2b сигналов электропитания и сброса расположена во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы.[00247] For example, the first power and reset line Init1b / the second power and reset line Init2b is located in the second
[00248] Например, как показано на фиг. 6C, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса, соединенная с пиксельной схемой второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть второй соединительной части 342b второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть первой соединительной части 341b второго субпиксела G2, переходное отверстие 387b, переходное отверстие 384b, второй электрод 1291b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 (также второй электрод порогового компенсационного транзистора T3 второго субпиксела G2), первый электрод 1292b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 (также первый электрод второго транзистора T7 сброса второго субпиксела G2) располагаются между первым возбуждающим электродным блоком De1 и несущей подложкой 10, вторая соединительная часть 342b второго субпиксела G2 электрически соединяется с первым электродом 1292b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 через переходное отверстие 387b, и первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 электрически соединяется со вторым электродом 1291b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 через переходное отверстие 384b.[00248] For example, as shown in FIG. 6C, in a direction perpendicular to the
[00249] Например, как показано на фиг. 6C, второй светоизлучающий управляющий транзистор второй светоизлучающей управляющей схемы 124b второго субпиксела G2 включает в себя второй электрод 1241b (например, электрод стока) и активный слой 1242b. Возбуждающий транзистор возбуждающей схемы второго субпиксела G2 включает в себя затворный электрод 1221b (т.е. управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122b) и активный слой 1222b. Следует отметить, что фиг. 6C не показывает затворный электрод и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 и первый электрод и второй электрод возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и т.д.[00249] For example, as shown in FIG. 6C, the second light emitting drive transistor of the second light emitting
[00250] Например, изоляционный затворный слой 131 также предоставляется между затворным электродом 1221b и активным слоем 1222b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2. Первый изоляционный слой 132 также предоставляется на затворном электроде 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2. Первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 предоставляется на стороне первого изоляционного слоя 132 отдаленно от несущей подложки 10. Второй электрод 1241b второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 находится на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10 и электрически соединяется с активным слоем 1242b второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 через переходное отверстие 388b, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый изоляционный слой 132 и изоляционный затворный слой 131.[00250] For example, an insulating
[00251] Например, как показано на фиг. 6C, первая линия EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенная с первой светоизлучающей управляющей схемой второго субпиксела G2, и вторая линия EM2b сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10.[00251] For example, as shown in FIG. 6C, a first light emitting control signal line EM1b connected to the first light emitting driving circuit of the second subpixel G2, and a second light emitting control signal line EM2b connected to the second light emitting driving circuit are also provided on the side of the insulating
[00252] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2 (т.е. первой линией EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенной с первой светоизлучающей управляющей схемой второго субпиксела G2) на несущей подложке 10.[00252] For example, as shown in FIG. 6C, the orthographic projection of the second connecting electrode unit Ce2 on the
[00253] Например, как показано на фиг. 6C, первая линия Ga1b сигналов развертки, электрически соединенная с транзистором записи данных второго субпиксела G2, и вторая линия Ga2b сигналов развертки, электрически соединенная с пороговым компенсационным транзистором второго субпиксела G2, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10.[00253] For example, as shown in FIG. 6C, a first scanning signal line Ga1b electrically connected to the data recording transistor of the second subpixel G2, and a second scanning signal line Ga2b electrically connected to the threshold compensation transistor of the second subpixel G2 are also provided on the side of the insulating
[00254] Например, первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 дополнительно предоставляется на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10, и первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 электрически соединяется с затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 через переходное отверстие 385b, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 и первый изоляционный слой 132. Ортографическая проекция первой соединительной части 341b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, т.е. ортографическая проекция первой соединительной части 341b на несущей подложке 10, ортографическая проекция затворного электрода 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.[00254] For example, the first connecting
[00255] Следует отметить, что для второго субпиксела G2, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, металлические слои, такие как первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2, первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 и т.п., также предоставляются между первым электродом CC1b (т.е. вторым возбуждающим электродным блоком De2) и вторым электродом (т.е. затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2) второго конденсатора C12. Следовательно, также может возникать паразитная емкость между вторым возбуждающим электродным блоком De2 и первой соединительной частью 341b второго субпиксела G2, также может возникать паразитная емкость между вторым возбуждающим электродным блоком De2 и первым электродом CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2, также может возникать паразитная емкость между первым электродом CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 и первой соединительной частью 341b второго субпиксела G2, также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и первой соединительной частью 341b второго субпиксела G2 и также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и первым электродом CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2. Позиции и размеры этих паразитных емкостей связаны с конкретной структурой компоновки подложки отображения, и настоящее раскрытие подробно не описывает эти паразитные емкости.[00255] It should be noted that, for the second sub-pixel G2, in a direction perpendicular to the
[00256] Например, второй электрод 1241b второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 и первая соединительная часть 341b расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы, затворный электрод 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и первая линия EM1b сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2b сигналов управления светоизлучением расположены в первом проводящем слое 320 пиксельной схемы, первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 расположен во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы, и активный слой 1242b второго светоизлучающего управляющего транзистора и активный слой 1222b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 расположены в активном полупроводниковом слое 310 пиксельной схемы.[00256] For example, the second electrode 1241b of the second light emitting control transistor of the second subpixel G2 and the first connecting
[00257] Например, второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается до электродного металлического слоя 340 "исток-сток" пиксельной схемы через второе переходное отверстие h2, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом 1241b, который расположен в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2.[00257] For example, the second electrode connection unit Ce2 extends to the source-drain
[00258] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, форма перекрывающейся части между ортографической проекцией первого электрода подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2 на несущей подложке и ортографической проекцией активного полупроводникового слоя, соответствующей пиксельной схеме второго субпиксела G2 на несущей подложке, может включать в себя форму "Π", и часть активного полупроводникового слоя, соответствующая форме "Π", включает в себя активный слой возбуждающего транзистора пиксельной схемы второго субпиксела G2. В направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть активного полупроводникового слоя, соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2, может включать в себя активный слой возбуждающего транзистора пиксельной схемы второго субпиксела G2. Помимо этого, часть активного полупроводникового слоя, соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2, дополнительно может включать в себя участок стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы второго субпиксела G2.[00258] For example, as shown in FIG. 6B and 6C, the shape of the overlapping portion between the orthographic projection of the first light-emitting voltage electrode of the second subpixel G2 on the carrier substrate and the orthographic projection of the active semiconductor layer corresponding to the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate may include a "" shape, and a portion of the active of the semiconductor layer corresponding to the shape "" includes an active layer of a driving transistor of the pixel circuit of the second subpixel G2. In a direction perpendicular to the carrier substrate, a part of the active semiconductor layer corresponding to the pixel circuit of the second subpixel G2 overlapping with the first light-emitting voltage supply electrode of the second subpixel G2 may include an active layer of a driving transistor of the pixel circuit of the second subpixel G2. In addition, the part of the active semiconductor layer corresponding to the pixel circuit of the second subpixel G2 overlapping with the first light emitting voltage supply electrode of the second subpixel G2 may further include a drain portion of the second light emitting control transistor T5 of the pixel circuit of the second subpixel G2.
[00259] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2 на несущей подложке перекрывается с ортографической проекцией электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующей пиксельной схеме второго субпиксела G2 на несущей подложке. В направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть металлического слоя "исток-сток", соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2, включает в себя часть первой соединительной части (т.е. часть первой соединительной части, перекрывающейся с затворным электродом возбуждающего транзистора пиксельной схемы второго субпиксела G2) и третью соединительную часть (т.е. электрод стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы второго субпиксела G2), часть первой линии VDD1 сигналов электропитания и т.п.[00259] For example, as shown in FIG. 6B and 6C, the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the second subpixel G2 on the carrier substrate overlaps with the orthographic projection of the source-drain electrode metal layer corresponding to the pixel pattern of the second subpixel G2 on the carrier substrate. In the direction perpendicular to the carrier substrate, a portion of the source-drain metal layer corresponding to the pixel circuit of the second subpixel G2 overlapped with the first light-emitting voltage supply electrode of the second subpixel G2 includes a portion of the first connecting portion (i.e., a portion of the first connecting portion overlapping with the gate electrode of the driving transistor of the pixel circuit of the second subpixel G2) and the third connecting portion (i.e., the drain electrode of the second light emitting control transistor T5 of the pixel circuit of the second subpixel G2), a portion of the first power signal line VDD1, and the like.
[00260] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, в направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть активного полупроводникового слоя, соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1, может включать в себя активные слои и участки стока первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса в схеме 129b сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2, часть активного слоя (форма "Π") возбуждающего транзистора в пиксельной схеме первого субпиксела G1 и участок стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы первого субпиксела G1.[00260] For example, as shown in FIG. 6B and 6C, in a direction perpendicular to the carrier substrate, a portion of the active semiconductor layer corresponding to the pixel circuit of the second subpixel G2 overlapped with the first light emitting voltage supply electrode of the first subpixel G1 may include active layers and drain portions of the first reset transistor T6 and the second transistor T7 reset in the
[00261] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1 на несущей подложке частично перекрывается с ортографической проекцией электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующей пиксельной схеме первого субпиксела G1 на несущей подложке, и ортографической проекцией электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующей пиксельной схеме второго субпиксела G2 на несущей подложке. Например, в направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1, включает в себя часть первой соединительной части (т.е. часть первой соединительной части, перекрывающейся с участком стока порогового компенсационного транзистора), вторую соединительную часть (т.е. соединительную часть между электродом стока второго транзистора сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 и первой линией сигналов электропитания и сброса), часть первой линии VDD1 сигналов электропитания и т.п. Часть электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующая пиксельной схеме первого субпиксела G1, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1, включает в себя часть первой соединительной части (т.е. часть первой соединительной части, перекрывающейся с затворным электродом возбуждающего транзистора пиксельной схемы первого субпиксела G1) и третью соединительную часть (т.е. электрод стока второго светоизлучающего управляющего транзистора пиксельной схемы первого субпиксела G1) и т.д. Например, как показано на фиг. 6D, второй светоизлучающий управляющий транзистор второй светоизлучающей управляющей схемы 124d четвертого субпиксела B включает в себя второй электрод 1241d (например, электрод стока) и активный слой 1242c. Возбуждающий транзистор возбуждающей схемы третьего субпиксела R включает в себя затворный электрод 1221d (т.е. управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122d) и активный слой 1222d. Следует отметить, что фиг. 6D не показывает затворный электрод и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B и первый электрод и второй электрод возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и т.д.[00261] For example, as shown in FIG. 6B and 6C, the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the first subpixel G1 on the carrier substrate partially overlaps with the orthographic projection of the source-drain electrode metal layer corresponding to the pixel circuit of the first subpixel G1 on the carrier substrate, and the orthographic projection of the source-drain electrode metal layer drain "corresponding to the pixel pattern of the second sub-pixel G2 on the carrier substrate. For example, in a direction perpendicular to the carrier substrate, a portion of the source-drain electrode metal layer corresponding to the pixel circuit of the second subpixel G2 overlapped with the first light-emitting voltage supply electrode of the first subpixel G1 includes a portion of the first connecting portion (i.e., a portion the first connecting part overlapping with the drain portion of the threshold compensation transistor), the second connecting part (i.e., the connecting part between the drain electrode of the second reset transistor of the pixel circuit of the second subpixel G2 and the first power supply and reset signal line), a portion of the first power supply signal line VDD1, and etc. The portion of the source-drain electrode metal layer corresponding to the pixel circuit of the first subpixel G1 overlapping with the first light-emitting voltage supply electrode of the first subpixel G1 includes a portion of the first connecting portion (i.e., a portion of the first connecting portion overlapping with the gate electrode of the exciting of the pixel circuit transistor of the first subpixel G1) and the third connecting portion (i.e., the drain electrode of the second light emitting control transistor of the pixel circuit of the first subpixel G1), etc. For example, as shown in FIG. 6D, the second light emitting drive transistor of the second light emitting
[00262] Например, как показано на фиг. 6D, изоляционный затворный слой 131 предоставляется между затворным электродом 1221d и активным слоем 1222d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B, и первый изоляционный слой 132 также предоставляется на затворном электроде 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B. Первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B предоставляется на стороне первого изоляционного слоя 132 отдаленно от несущей подложки 10. Второй электрод 1241d второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B находится на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10 и электрически соединяется с активным слоем 1242d второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B через переходное отверстие 388d, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый изоляционный слой 132 и изоляционный затворный слой 131.[00262] For example, as shown in FIG. 6D, an insulating
[00263] Например, как показано на фиг. 6D, первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением, соединенная с первой светоизлучающей управляющей схемой четвертого субпиксела B, и вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10. Например, как показано на фиг. 6B и 6C, для четвертого субпиксела B, расположенного во второй строке, первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением, соответствующие четвертому субпикселу B, представляют собой идентичную сигнальную линию, и первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением и первая линия EM1b сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2b сигналов управления светоизлучением, соответствующие второму субпикселу G2, расположенному во второй строке, также представляют собой идентичную сигнальную линию.[00263] For example, as shown in FIG. 6D, a first light control signal line EM1d connected to the first light emitting driving circuit of the fourth subpixel B and a second light control signal line EM2d connected to the second light emitting control circuit are also provided on the side of the insulating
[00264] Например, как показано на фиг. 6D, ортографическая проекция четвертого соединительного электродного блока Ce4 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2d сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы четвертого субпиксела B (т.е. первой линией EM1d сигналов управления светоизлучением, соединенной с первой светоизлучающей управляющей схемой четвертого субпиксела B) на несущей подложке 10.[00264] For example, as shown in FIG. 6D, the orthographic projection of the fourth connecting electrode unit Ce4 on the
[00265] Например, как показано на фиг. 6D, первая линия Ga1d сигналов развертки, электрически соединенная с транзистором записи данных четвертого субпиксела B, и вторая линия Ga2d сигналов развертки, электрически соединенная с пороговым компенсационным транзистором четвертого субпиксела B, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10. Например, как показано на фиг. 6B и 6C, для четвертого субпиксела B, расположенного во второй строке, первая линия Ga1d сигналов развертки и вторая линия Ga2d сигналов развертки, соответствующие четвертому субпикселу B, представляют собой идентичную сигнальную линию, и первая линия Ga1d сигналов развертки/вторая линия Ga2d сигналов развертки и первая линия Ga1b сигналов развертки/вторая линия Ga2b сигналов развертки, соответствующие второму субпикселу G2, расположенному во второй строке, также представляют собой идентичную сигнальную линию.[00265] For example, as shown in FIG. 6D, a first scan signal line Ga1d electrically connected to the data recording transistor of the fourth subpixel B, and a second scan signal line Ga2d electrically connected to the threshold compensation transistor of the fourth subpixel B are also provided on the side of the insulating
[00266] Например, первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B также предоставляется на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10, и первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B электрически соединяется с затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B через переходное отверстие 385d, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B и первый изоляционный слой 132. Ортографическая проекция первой соединительной части 341d четвертого субпиксела B на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B на несущей подложке 10, т.е. ортографическая проекция первой соединительной части 341d на несущей подложке 10, ортографическая проекция затворного электрода 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 и ортографическая проекция четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.[00266] For example, the first connecting
[00267] Следует отметить, что для четвертого субпиксела B, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, металлические слои, такие как первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B, первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B и т.п., также предоставляются между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B. Следовательно, также может возникать паразитная емкость между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и первой соединительной частью 341d четвертого субпиксела B, также может возникать паразитная емкость между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и первым электродом CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B, также может возникать паразитная емкость между первым электродом CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B и первой соединительной частью 341d четвертого субпиксела B, также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и первой соединительной частью 341d четвертого субпиксела B, и также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и первым электродом CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B. Позиции и размеры этих паразитных емкостей связаны с конкретной структурой компоновки подложки отображения, и настоящее раскрытие подробно не описывает эти паразитные емкости.[00267] It should be noted that, for the fourth sub-pixel B, in a direction perpendicular to the
[00268] Например, как показано на фиг. 6D, первая линия Init1d сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2 сигналов электропитания и сброса, соединенная с пиксельной схемой четвертого субпиксела B и переходным отверстием 386d, предоставляется на несущей подложке 10. По меньшей мере, часть второй соединительной части 342d четвертого субпиксела B предоставляется между четвертым возбуждающим электродным блоком Ce1 и несущей подложкой 10 в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, и вторая соединительная часть 342d четвертого субпиксела B электрически соединяется с первой линией Init1d сигналов электропитания и сброса/второй линией Init2d сигналов электропитания и сброса через переходное отверстие 386d.[00268] For example, as shown in FIG. 6D, a first power and reset line Init1d / a second power and reset line Init2 connected to the fourth subpixel pixel circuit B and via 386d is provided on the
[00269] Например, как показано на фиг. 6D, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, первая линия Rst1d управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2d управляющих сигналов сброса, соединенная с пиксельной схемой четвертого субпиксела B, по меньшей мере, часть второй соединительной части 342d четвертого субпиксела B, первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B, переходное отверстие 387d, переходное отверстие 384d, второй электрод 1291d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B (также второй электрод порогового компенсационного транзистора T3 четвертого субпиксела B), первый электрод 1292d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B (также первый электрод второго транзистора T7 сброса четвертого субпиксела B) предоставляются между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и несущей подложкой 10, вторая соединительная часть 342d четвертого субпиксела B электрически соединяется с первым электродом 1292d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B через переходное отверстие 387d, и первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B электрически соединяется со вторым электродом 1291d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B через переходное отверстие 384d.[00269] For example, as shown in FIG. 6D, in a direction perpendicular to the
[00270] Например, второй электрод 1241d второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B и первая соединительная часть 341d расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы, затворный электрод 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением расположены в первом проводящем слое 320 пиксельной схемы четвертого субпиксела B, первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B и первая линия Init1d сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2d сигналов электропитания и сброса расположены во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы, и активный слой 1242d второго светоизлучающего управляющего транзистора и активный слой 1222d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B расположены в активном полупроводниковом слое 310 пиксельной схемы.[00270] For example, the
[00271] Например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через четвертое переходное отверстие h4, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом 1241d, который расположен в электродном металлическом слое "исток-сток" пиксельной схемы второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B.[00271] For example, the fourth connecting electrode unit Ce4 extends to the source-drain electrode metal layer of the pixel circuit through the fourth via h4 so as to be electrically connected to the
[00272] Например, взаимосвязь соединений между соответствующими схемами (например, возбуждающей схемой, первой светоизлучающей управляющей схемой, второй светоизлучающей управляющей схемой, схемой хранения данных, схемой сброса, пороговой компенсационной схемой, схемой записи данных и т.д.) пиксельной схемы третьего субпиксела R и взаимосвязь соединений между соответствующими схемами пиксельной схемы четвертого субпиксела B являются идентичными примеру, как показано на фиг. 3A.[00272] For example, the connection relationship between respective circuits (eg, drive circuit, first light emitting drive circuit, second light emitting drive circuit, data storage circuit, reset circuit, threshold compensation circuit, data recording circuit, etc.) of the third subpixel pixel circuit R and the connection relationship between respective pixel circuit circuits of the fourth subpixel B are identical to the example as shown in FIG. 3A.
[00273] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 2, подложка 100 отображения включает в себя несущую подложку 10 и множество повторяющихся ячеек 11 на несущей подложке 10, каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя множество субпикселов 12. Каждый субпиксел 12 включает в себя светоизлучающий элемент 120 и пиксельную схему 121 для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света, и пиксельная схема 121 включает в себя возбуждающую схему 122.[00273] An embodiment of the present disclosure also provides a display substrate. As shown in FIG. 2, the display substrate 100 includes a
[00274] Например, как показано на фиг. 5A, возбуждающие схемы 122 множества субпикселов 12 размещаются в матрице на несущей подложке 10. Например, участки 31-40 могут представлять собой участки, в которых расположены возбуждающие схемы соответствующих субпикселов на несущей подложке 10. В примере, как показано на фиг. 5A, две строки и пять столбцов возбуждающих схем показаны. Например, в примере, как показано на фиг. 3A, в повторяющейся ячейке 11, окруженной посредством пунктирных линий, возбуждающая схема пиксельной схемы первого субпиксела G1 расположена в участке 32, возбуждающая схема пиксельной схемы второго субпиксела G2 расположена в участке 37, возбуждающая схема пиксельной схемы третьего субпиксела R расположена в участке 38, и возбуждающая схема пиксельной схемы четвертого субпиксела B расположена в участке 36.[00274] For example, as shown in FIG. 5A, driving
[00275] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "строка" может представлять строку, соответствующую областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы, и "столбец" может представлять столбец, соответствующий областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы.[00275] It should be noted that in the present disclosure, "row" may represent a row corresponding to areas in which respective pixel patterns are located, and a "column" may represent a column corresponding to areas in which respective pixel patterns are located.
[00276] Например, светоизлучающий элемент 120 каждого субпиксела включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения. Например, в некоторых вариантах осуществления, первый электрод подачи напряжения светоизлучения представляет собой анод, и второй электрод подачи напряжения светоизлучения представляет собой катод.[00276] For example, the
[00277] Например, как показано на фиг. 5A и 6A, множество субпикселов 12 включают в себя первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2. Например, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, например, как первый субпиксел G1, так и второй субпиксел G2 представляют собой зеленые субпикселы.[00277] For example, as shown in FIG. 5A and 6A, the plurality of
[00278] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X.[00278] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel G1 and the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel G2 are disposed in the first X direction.
[00279] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 включает в себя вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1 и вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединены между собой.[00279] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting
[00280] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 включает в себя второй возбуждающий электродный блок De2 и второй соединительный электродный блок Ce2, и второй возбуждающий электродный блок De2 электрически соединяется со вторым соединительным электродным блоком Ce2.[00280] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting
[00281] Например, область первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 отличается от области первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, например, область первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 превышает область первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.[00281] For example, the area of the first light-emitting
[00282] Например, как показано на фиг. 6B, вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от несущей подложки 10, и второй возбуждающий электродный блок De2 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от несущей подложки 10. Например, форма вспомогательного электродного блока Ae отличается от формы второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. форма анодной части первого субпиксела G1, расположенной на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от несущей подложки 10, отличается от формы анодной части второго субпиксела G2, расположенной на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от несущей подложки 10.[00282] For example, as shown in FIG. 6B, the auxiliary electrode unit Ae is located on the control terminal side of the driving circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 remotely from the
[00283] Например, как показано на фиг. 3A, возбуждающая схема 122 пиксельной схемы 121 каждого субпиксела включает в себя возбуждающий транзистор T1. Вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от несущей подложки 10, и второй возбуждающий электродный блок De2 расположен на стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от несущей подложки 10.[00283] For example, as shown in FIG. 3A, the driving
[00284] Например, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке, и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке.[00284] For example, the orthographic projection of the auxiliary electrode unit Ae on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the gate electrode of the driving transistor T1 of the pixel circuit of the first subpixel G1 on the carrier substrate, and the orthographic projection of the second driving electrode unit De2 on the carrier substrate, at least partially overlaps with the orthographic projection of the gate electrode of the driving transistor T1 of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate.
[00285] Например, область перекрывающейся части между ортографической проекцией вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке и ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке составляет первую область, область перекрывающейся части между ортографической проекцией второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке и ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке составляет вторую область, и отношение первой области ко второй области удовлетворяет следующей взаимосвязи:[00285] For example, a region of overlapping portion between the orthographic projection of the auxiliary electrode unit Ae on the carrier substrate and the orthographic projection of the gate electrode of the driving transistor T1 of the pixel circuit of the first subpixel G1 on the carrier substrate constitutes the first region, the region of the overlapping portion between the orthographic projection of the second driving electrode unit De2 on the carrier substrate and the orthographic projection of the gate electrode of the driving transistor T1 of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate constitutes the second region, and the ratio of the first region to the second region satisfies the following relationship:
Amin≤A1/A2≤Amax,Amin≤A1 / A2≤Amax,
где A1 представляет первую область, A2 представляет вторую область, Amin представляет минимальное пороговое значение отношения и составляет 90%, и Amax представляет максимальное пороговое значение отношения и составляет 110%.where A1 represents the first region, A2 represents the second region, Amin represents the minimum threshold value of the ratio and is 90%, and Amax represents the maximum threshold value of the ratio and is 110%.
[00286] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, форма первого возбуждающего электродного блока De1 отличается от формы вспомогательного электродного блока Ae, и форма первого возбуждающего электродного блока De1 является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока De2. Например, форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 могут представлять собой пятиугольники, и форма вспомогательного электродного блока Ae может представлять собой прямоугольник. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим случаем. Форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 также могут представлять собой прямоугольники и т.п., и форма вспомогательного электродного блока Ae может представлять собой пятиугольник, шестиугольник, эллипс и т.п.[00286] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, the shape of the first excitation electrode unit De1 is different from that of the auxiliary electrode unit Ae, and the shape of the first excitation electrode unit De1 is the same as that of the second excitation electrode unit De2. For example, the shape of the first excitation electrode unit De1 and the shape of the second excitation electrode unit De2 may be pentagons, and the shape of the auxiliary electrode unit Ae may be a rectangle. However, the present disclosure is not limited to this case. The shape of the first excitation electrode unit De1 and the shape of the second excitation electrode unit De2 may also be rectangles or the like, and the shape of the auxiliary electrode unit Ae may be a pentagon, a hexagon, an ellipse, and the like.
[00287] Например, область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10.[00287] For example, the orthographic projection area of the first exciting electrode unit De1 on the
[00288] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, форма первого соединительного электродного блока Ce1 может быть идентичной форме второго соединительного электродного блока Ce2. Например, форма первого соединительного электродного блока Ce1 и форма второго соединительного электродного блока Ce2 могут представлять собой прямоугольники.[00288] For example, as shown in FIG. 6A and 6B, the shape of the first electrode connection unit Ce1 may be the same as that of the second electrode connection unit Ce2. For example, the shape of the first electrode connection unit Ce1 and the shape of the second electrode connection unit Ce2 may be rectangles.
[00289] Например, область ортографической проекции первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 является идентичной области ортографической проекции второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10.[00289] For example, the orthographic projection area of the first connecting electrode unit Ce1 on the
[00290] Следует отметить, что в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия, форма первого соединительного электродного блока Ce1 также может отличаться от формы второго соединительного электродного блока Ce2, и/или область ортографической проекции первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 также может отличаться от области ортографической проекции второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10.[00290] It should be noted that in some embodiments of the present disclosure, the shape of the first connecting electrode unit Ce1 may also be different from the shape of the second connecting electrode unit Ce2, and / or the orthographic projection area of the first connecting electrode unit Ce1 on the
[00291] Например, как показано на фиг. 6B, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X, т.е. затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 и затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X.[00291] For example, as shown in FIG. 6B, the driving terminal of the pixel circuit driving circuit of the first subpixel G1 and the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 are arranged in the first X direction, i.e. The gate electrode of the driving transistor T1 of the pixel circuit of the first subpixel G1 and the gate electrode of the driving transistor T1 of the pixel circuit of the second subpixel G2 are disposed in the first direction X.
[00292] Например, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первый возбуждающий электродный блок De1 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 вплотную к управляющему контактному выводу возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2. Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первый возбуждающий электродный блок De1 расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2.[00292] For example, as shown in FIG. 6B, in the first direction X, the first electrode unit De1 is disposed on the side of the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 adjacent to the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2. For example, in some examples, as shown in FIG. 6B, in the first direction X, the first electrode unit De1 is disposed between the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 and the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2.
[00293] Например, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2. Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2. Иными словами, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 и первый возбуждающий электродный блок De1 расположены между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2.[00293] For example, as shown in FIG. 6B, in the first X direction, the first electrode connection unit Ce1 is located on the side of the first excitation electrode unit De1 remotely from the control terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2. For example, in the first X direction, the first electrode connection unit Ce1 is disposed between the driving terminal of the pixel circuit driving circuit of the first subpixel G1 and the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2. In other words, in the first X direction, the first electrode connecting unit Ce1 and the first driving electrode unit De1 are disposed between the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 and the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2.
[00294] Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. первый возбуждающий электродный блок De1 расположен между первым соединительным электродным блоком Ce1 и вторым возбуждающим электродным блоком De2.[00294] For example, in the first X direction, the first electrode connection unit Ce1 is disposed on the side of the first excitation electrode unit De1 remotely from the second excitation electrode unit De2, i.e. the first excitation electrode unit De1 is disposed between the first connecting electrode unit Ce1 and the second excitation electrode unit De2.
[00295] Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между первым возбуждающим электродным блоком De1 и вспомогательным электродным блоком Ae, т.е. вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне первого соединительного электродного блока Ce1 отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1.[00295] For example, in the first X direction, the first electrode connection unit Ce1 is disposed between the first excitation electrode unit De1 and the auxiliary electrode unit Ae, i. E. the auxiliary electrode unit Ae is located on the side of the first electrode connection unit Ce1, distantly from the first excitation electrode unit De1.
[00296] Например, в первом направлении X, второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1.[00296] For example, in the first X direction, the second connecting electrode unit Ce2 is located on the side of the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 remotely from the driving terminal of the driving circuit of the first subpixel G1.
[00297] Например, в первом направлении X, второй возбуждающий электродный блок De2 расположен между вторым соединительным электродным блоком Ce2 и первым возбуждающим электродным блоком De1, т.е. второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока De2 отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1.[00297] For example, in the first X direction, the second driving electrode unit De2 is disposed between the second connecting electrode unit Ce2 and the first driving electrode unit De1, i.e. the second connecting electrode unit Ce2 is located on the side of the second excitation electrode unit De2 remotely from the first excitation electrode unit De1.
[00298] Например, как показано на фиг. 5A, множество субпикселов 12 дополнительно включают в себя третий субпиксел R и четвертый субпиксел B. Например, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B размещаются во втором направлении Y. Первое направление X и второе направление Y являются перпендикулярными друг другу.[00298] For example, as shown in FIG. 5A, the plurality of sub-pixels 12 further include a third sub-pixel R and a fourth sub-pixel B. For example, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the third sub-pixel R and the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the fourth sub-pixel B are disposed in the second Y direction. The first X direction and the second Y directions are perpendicular to each other.
[00299] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R включает в себя третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3, и третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединены между собой. Например, ортографическая проекция третьего возбуждающего электродного блока De3 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы третьего субпиксела R на несущей подложке.[00299] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the third subpixel R includes the third driving electrode unit De3 and the third connecting electrode unit Ce3, and the third driving electrode unit De3 and the third connecting electrode unit Ce3 are electrically connected to each other. For example, the orthographic projection of the third driving electrode unit De3 on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the driving terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the third subpixel R on the carrier substrate.
[00300] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B включает в себя четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4, и четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединены между собой. Например, как показано на фиг. 6B, четвертый возбуждающий электродный блок De4 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B отдаленно от несущей подложки 10, например, ортографическая проекция четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке.[00300] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the fourth subpixel B includes the fourth driving electrode unit De4 and the fourth connecting electrode unit Ce4, and the fourth driving electrode unit De4 and the fourth connecting electrode unit Ce4 are electrically connected to each other. For example, as shown in FIG. 6B, the fourth driving electrode unit De4 is disposed on the driving terminal side of the driving circuit of the pixel circuit of the fourth subpixel B distantly from the
[00301] Например, в первом направлении X, расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы (т.е. затворного электрода возбуждающего транзистора) пиксельной схемы первого субпиксела G1 и центром первого возбуждающего электродного блока De1 превышает расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 и центром второго возбуждающего электродного блока De2.[00301] For example, in the first X direction, the distance between the center of the driving circuit control terminal (i.e., the gate electrode of the driving transistor) of the pixel circuit of the first subpixel G1 and the center of the first driving electrode unit De1 is greater than the distance between the center of the driving pin of the driving circuit of the pixel the circuitry of the second sub-pixel G2 and the center of the second excitation electrode unit De2.
[00302] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "центр" может представлять геометрический центр физической формы элемента. При проектировании пиксельной компоновочной структуры, такие элементы, как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, в общем, проектируются с возможностью иметь правильные формы, такие как прямоугольник, шестиугольник, пятиугольник, трапеция или другие формы. При проектировании, центр элемента (например, затворного электрода возбуждающего транзистора или анода светоизлучающего элемента и т.д.) может представлять собой геометрический центр вышеуказанной правильной формы. Тем не менее, в фактическом процессе изготовления, формы таких элементов, как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, которые формируются, в общем, отклоняются от правильных форм, спроектированных выше. Например, соответствующие углы вышеуказанных правильных форм могут округляться, так что формы элементов, таких как затворный электрод возбуждающего транзистора, анод светоизлучающего элемента и т.д., могут представлять собой ободковые формы. Помимо этого, формы элементов, таких как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, которые фактически изготавливаются, также могут иметь другие изменения относительно проектных форм. Например, форма субпиксела, спроектированного в качестве шестиугольника, может становиться приблизительно эллиптической формой в фактическом процессе изготовления. Следовательно, центры элементов, таких как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, могут не представлять собой строгие геометрические центры неправильных форм сформированных субпикселов. В варианте осуществления настоящего раскрытия, центр элемента может иметь определенное смещение от геометрического центра формы элемента. Помимо этого, "центр" также может представлять центр тяжести элемента.[00302] It should be noted that in the present disclosure, "center" may represent the geometric center of the element's physical shape. When designing a pixel arrangement, elements such as the gate electrode of the drive transistor and the anode of the light emitting element are generally designed to have regular shapes such as rectangle, hexagon, pentagon, trapezoid, or other shapes. When designed, the center of the element (for example, the gate electrode of the driving transistor or the anode of the light emitting element, etc.) may be the geometric center of the above regular shape. However, in the actual manufacturing process, the shapes of elements such as the gate electrode of the drive transistor and the anode of the light emitting element that are formed generally deviate from the regular shapes designed above. For example, the corresponding corners of the above regular shapes may be rounded so that the shapes of elements such as a gate electrode of a driving transistor, an anode of a light emitting element, etc., may be rim shapes. In addition, the shapes of the elements, such as the gate electrode of the driving transistor and the anode of the light emitting element, which are actually manufactured, may also have other variations with respect to the design shapes. For example, the shape of a subpixel designed as a hexagon may become approximately elliptical in the actual manufacturing process. Therefore, the centers of elements such as the gate electrode of the driving transistor and the anode of the light-emitting element may not represent strict geometric centers of irregularly shaped subpixels. In an embodiment of the present disclosure, the center of the element may be offset from the geometric center of the shape of the element. In addition, "center" can also represent the center of gravity of the element.
[00303] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 2, подложка 100 отображения включает в себя несущую подложку 10 и множество повторяющихся ячеек 11 на несущей подложке 10, и каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя множество субпикселов 12. Каждый субпиксел 12 включает в себя светоизлучающий элемент 120 и пиксельную схему 121, и пиксельная схема 121 используется для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света.[00303] An embodiment of the present disclosure also provides a display substrate. As shown in FIG. 2, the display substrate 100 includes a
[00304] Например, светоизлучающий элемент каждого субпиксела включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения.[00304] For example, the light emitting element of each subpixel includes a first light emitting voltage supply electrode, a second light emitting voltage supply electrode, and a light emitting layer between the first light emitting voltage supply electrode and the second light emitting voltage supply electrode.
[00305] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 каждого субпиксела включает в себя возбуждающую схему 122, вторую светоизлучающую управляющую схему 124 и схему 129 сброса.[00305] For example, as shown in FIG. 3A, the
[00306] Например, вторая светоизлучающая управляющая схема 124 электрически соединяется со второй линией EM2 сигналов управления светоизлучением, вторым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 и выполнена с возможностью достигать управления соединением между возбуждающей схемой 122 и светоизлучающим элементом 120 таким образом, что оно включается или выключается под управлением второго сигнала управления светоизлучением, предоставленного посредством второй линии EM2 сигналов управления светоизлучением.[00306] For example, the second light emitting
[00307] Схема 129 сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии Rst1 управляющих сигналов сброса.[00307] The
[00308] Например, вторая линия EM2 сигналов управления светоизлучением и первая линия Rst1 управляющих сигналов сброса размещаются в первом направлении X. Как показано на фиг. 4B, для первого субпиксела G1, вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, и первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, размещаются вдоль первого направления X.[00308] For example, the second light control signal line EM2 and the first reset control signal line Rst1 are arranged in the first X direction. As shown in FIG. 4B, for the first subpixel G1, a second light control signal line EM2a connected to the second light emitting driving circuit of the first subpixel G1, and a first reset control signal line Rst1a connected to the reset circuit of the first subpixel G1 are arranged along the first X direction.
[00309] Например, как показано на фиг. 5A, множество субпикселов 12 включают в себя первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2. Например, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, G1 является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, и форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.[00309] For example, as shown in FIG. 5A, the plurality of
[00310] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается как с ортографической проекцией первой линии Rst1b управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке, так и с ортографической проекцией второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке. Ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке.[00310] For example, as shown in FIG. 6B, the orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel G1 on the carrier substrate at least partially overlaps with both the orthographic projection of the first reset control signal line Rst1b connected to the reset circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate, and with an orthographic projection of the second light emitting control signal line EM2a connected to the second light emitting control circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 on the carrier substrate. The orthographic projection of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel G2 on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the second light control signal line EM2b connected to the second light emitting control circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate.
[00311] Например, как показано на фиг. 3A, схема 129 сброса также электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента и второй линией Rst2 управляющих сигналов сброса и выполнена с возможностью сбрасывать первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента под управлением второго управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством второй линии Rst2 управляющих сигналов сброса. Например, в некоторых вариантах осуществления, первая линия Rst1 управляющих сигналов сброса и вторая линия Rst2 управляющих сигналов сброса представляют собой идентичную сигнальную линию.[00311] For example, as shown in FIG. 3A, the
[00312] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 каждого субпиксела дополнительно включает в себя схему 126 записи данных, схема 126 записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первой линией Ga1 сигналов развертки, и схема 126 записи данных выполнена с возможностью записывать сигнал данных на управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 под управлением сигнала развертки, предоставленного посредством первой линии Ga1 сигналов развертки.[00312] For example, as shown in FIG. 3A, the
[00313] Например, в первом направлении X, первая линия Ga1 сигналов развертки расположена между второй линией EM1 сигналов управления светоизлучением и первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса. Как показано на фиг. 4B, для первого субпиксела G1, первая линия Ga1a сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных первого субпиксела G1, расположена между второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, и первой линией Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса первого субпиксела G1.[00313] For example, in the first X direction, the first scanning signal line Ga1 is located between the second light emission control signal line EM1 and the first reset control signal line Rst1. As shown in FIG. 4B, for the first subpixel G1, the first scanning signal line Ga1a connected to the data recording circuit of the first subpixel G1 is disposed between the second light control signal line EM2a connected to the second light emitting control circuit of the first subpixel G1 and the first reset control signal line Rst1a connected with the reset circuit of the first subpixel G1.
[00314] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X.[00314] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first subpixel G1 and the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel G2 are disposed in the first X direction.
[00315] Например, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первая линия Ga1b сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела G2, расположена между первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.[00315] For example, as shown in FIG. 6B, in the first X direction, a first scanning signal line Ga1b connected to the pixel circuit data recording circuit of the second subpixel G2 is disposed between the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first sub-pixel G1 and the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel G2.
[00316] Например, схема 129 сброса каждого субпиксела также электрически соединяется с первой линией сигналов электропитания и сброса, и схема 129 сброса выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 1222 согласно первому сигналу сброса, предоставленному посредством первой линии сигналов электропитания и сброса под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии управляющих сигналов сброса.[00316] For example, each
[00317] Например, схема 129 сброса каждого субпиксела также электрически соединяется со второй линией сигналов электропитания и сброса, и схема 129 сброса выполнена с возможностью сбрасывать первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента согласно второму сигналу сброса, предоставленному посредством второй линии сигналов электропитания и сброса под управлением второго управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством второй линии управляющих сигналов сброса. Например, в некоторых вариантах осуществления, первая линия сигналов электропитания и сброса и вторая линия сигналов электропитания и сброса представляют собой идентичную сигнальную линию.[00317] For example, the
[00318] Например, в первом направлении X, первая линия сигналов электропитания и сброса расположена на стороне первой линии управляющих сигналов сброса отдаленно от второй линии сигналов управления светоизлучением, т.е. первая линия управляющих сигналов сброса расположена между первой линией сигналов электропитания и сброса и второй линией сигналов управления светоизлучением. Как показано на фиг. 4E, для первого субпиксела G1, в первом направлении X, первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, расположена на стороне первой линии Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса первого субпиксела G1 отдаленно от второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, т.е. первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса расположена между первой линией Init1a сигналов электропитания и сброса и второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением.[00318] For example, in the first X direction, the first power supply and reset signal line is located on the side of the first reset control signal line distantly from the second light control signal line, i. E. the first reset control signal line is located between the first power supply and reset signal line and the second light emission control signal line. As shown in FIG. 4E, for the first subpixel G1, in the first X direction, the first power and reset line Init1a connected to the reset circuit of the first subpixel G1 is located on the side of the first reset control signal line Rst1a connected to the reset circuit of the first subpixel G1 remotely from the second line EM2a light emitting control signals connected to the second light emitting control circuit of the first subpixel G1, i.e. the first reset control signal line Rst1a is located between the first power supply and reset signal line Init1a and the second light control signal line EM2a.
[00319] Например, вторая линия сигналов управления светоизлучением, первая линия управляющих сигналов сброса, первая линия сигналов развертки и первая линия сигналов электропитания и сброса продолжаются во втором направлении, и второе направление является перпендикулярным первому направлению. Например, вторая линия сигналов управления светоизлучением, первая линия управляющих сигналов сброса, первая линия сигналов развертки и первая линия сигналов электропитания и сброса являются параллельными между собой, например, практически параллельными. Как показано на фиг. 4E, для первого субпиксела G1, вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, первая линия Ga1a сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных первого субпиксела G1, и первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, продолжаются во втором направлении Y и являются практически параллельными между собой.[00319] For example, the second light control signal line, the first reset control signal line, the first scan signal line, and the first power and reset signal line extend in the second direction, and the second direction is perpendicular to the first direction. For example, the second light control signal line, the first reset control signal line, the first scan signal line, and the first power supply and reset signal line are parallel to each other, for example, substantially parallel. As shown in FIG. 4E, for the first subpixel G1, the second light control signal line EM2a connected to the second light emitting control circuit of the first subpixel G1, the first reset control signal line Rst1a connected to the reset circuit of the first subpixel G1, the first scan signal line Ga1a connected to the data recording circuit the first subpixel G1, and the first power and reset signal line Init1a connected to the reset circuit of the first subpixel G1 extend in the second Y direction and are substantially parallel to each other.
[00320] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "продолжение" представляет направление маршрутизации каждой сигнальной линии (например, второй линии сигналов управления светоизлучением, первой линии управляющих сигналов сброса, первой линии сигналов развертки и первой линии сигналов электропитания и сброса) в общем. Каждая сигнальная линия может не представлять собой прямую линию в микроскопическом виде, но может продолжаться вдоль второго направления Y в волнистой форме.[00320] It should be noted that in the present disclosure, “continuation” represents the routing direction of each signal line (eg, second light control signal line, first reset control signal line, first scan signal line, and first power and reset signal line) in general. Each signal line may not be a straight line in microscopic form, but may continue along the second Y direction in a wavy shape.
[00321] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией первой линии Rst1b сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке.[00321] For example, as shown in FIG. 6B, an orthographic projection of the first light-emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the first subpixel G1 on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the first power supply and reset line Rst1b connected to the reset circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate.
[00322] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 включает в себя вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединены между собой и размещаются в первом направлении X. Первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 включает в себя второй возбуждающий электродный блок De2 и второй соединительный электродный блок Ce2, и второй возбуждающий электродный блок De2 и второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединены между собой и размещаются вдоль первого направления X.[00322] For example, as shown in FIG. 6A, the first light-emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the first subpixel G1 includes the sub electrode unit Ae, the first excitation electrode unit De1 and the first connecting electrode unit Ce1, the sub electrode unit Ae, the first excitation electrode unit De1, and the first connecting electrode unit Ce1 are electrically connected interconnected and arranged in the first X direction. The first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel G2 includes a second excitation electrode unit De2 and a second excitation electrode unit Ce2, and the second excitation electrode unit De2 and the second connection electrode unit Ce2 are electrically connected to each other and are placed along the first X direction.
[00323] Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 и вспомогательный электродный блок Ae расположены на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от второго возбуждающего электродного блока De2, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между вспомогательным электродом Ae и первым возбуждающим электродным блоком De1, и второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока De2 отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1.[00323] For example, in the first X direction, the first electrode connection unit Ce1 and the auxiliary electrode unit Ae are located on the side of the first excitation electrode unit De1 remotely from the second excitation electrode unit De2, the first electrode connection unit Ce1 is located between the auxiliary electrode Ae and the first excitation electrode the unit De1, and the second electrode connection unit Ce2 is located on the side of the second excitation electrode unit De2 remotely from the first excitation electrode unit De1.
[00324] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается как с ортографической проекцией первой линии Rst1b управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке, так и с ортографической проекцией первой линии Init1b сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке. Ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке. В первом направлении, вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне второй линии EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.[00324] For example, as shown in FIG. 6B, the orthographic projection of the first excitation electrode unit De1 on the carrier substrate at least partially overlaps with both the orthographic projection of the first reset control signal line Rst1b connected to the reset circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate and the orthographic projection of the first line Init1b of the power supply and reset signals connected to the reset circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate. The orthographic projection of the first connecting electrode unit Ce1 on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the second light control signal line EM1a connected to the second light emitting control circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 on the carrier substrate. In the first direction, the sub electrode unit Ae is located on the side of the second light control signal line EM1a connected to the second light emitting control circuit of the pixel circuit of the first subpixel G1 remotely from the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel G2.
[00325] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке, и в первом направлении X, второй возбуждающий электродный блок De2 расположен между второй линией EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2, и первой линией Ga1b сигналов развертки, соединенной со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела G2.[00325] For example, as shown in FIG. 6B, the orthographic projection of the second connecting electrode unit Ce2 on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the second light control signal line EM1b connected to the second light emitting control circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 on the carrier substrate, and in the first direction X, the second excitation electrode unit De2 is disposed between the second light control signal line EM1b connected to the second light emitting control circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2 and the first scan signal line Ga1b connected to the data recording circuit of the pixel circuit of the second subpixel G2.
[00326] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет панель отображения. Фиг. 7 является частичной структурной схемой панели отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия. Например, как показано на фиг. 7, панель 700 отображения включает в себя подложку 100 отображения, предоставленную посредством любого из вышеуказанных вариантов осуществления.[00326] An embodiment of the present disclosure also provides a display panel. FIG. 7 is a partial block diagram of a display panel provided by some embodiments of the present disclosure. For example, as shown in FIG. 7, the
[00327] Например, как показано на фиг. 7, множество повторяющихся ячеек 11 размещаются вдоль второго направления Y, чтобы формировать множество групп повторяющихся ячеек. Фиг. 7 показывает две группы повторяющихся ячеек, и две группы повторяющихся ячеек, соответственно, представляют собой P-ую группу повторяющихся ячеек и (P+1)-ую группу повторяющихся ячеек, и P-ая группа повторяющихся ячеек и (P+1)-ая группа повторяющихся ячеек представляют собой две смежные группы повторяющихся ячеек, например, P является положительным целым числом, большим или равным ячейке. Множество групп повторяющихся ячеек размещаются вдоль первого направления X. Иными словами, множество повторяющихся ячеек 11 в подложке 100 отображения размещаются в матрице вдоль первого направления X и второго направления Y.[00327] For example, as shown in FIG. 7, a plurality of repeating
[00328] Следует отметить, что ссылаясь на вышеприведенные фиг. 5A и 6E, P-ая группа повторяющихся ячеек расположена в первой строке, и (P+1)-ая группа повторяющихся ячеек расположена во второй строке. Фиг. 7 не показывает соединительные электродные блоки светоизлучающих элементов соответствующих субпикселов.[00328] It should be noted that with reference to the above FIGS. 5A and 6E, the Pth repeating cell group is located in the first row, and the (P + 1) th repeating cell group is located in the second row. FIG. 7 does not show the light emitting element connection electrode units of the respective subpixels.
[00329] Например, продолжающаяся линия для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в P-ой группе повторяющихся ячеек, не совпадает с продолжающейся линией для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек. Например, продолжающаяся линия для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в P-ой группе повторяющихся ячеек, проходит через центр интервала между смежными двумя повторяющимися ячейками в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек, аналогично, продолжающаяся линия для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек, проходит через центр интервала между смежными двумя повторяющимися ячейками в P-ой группе повторяющихся ячеек.[00329] For example, the continuing line for the line connecting the center of the first subpixel G1 and the center of the second subpixel G2 of the repeating cell in the Pth repetitive cell group does not coincide with the continuing line for the line connecting the center of the first subpixel G1 and the center of the second subpixel G2 of the repeating cell in the (P + 1) th group of repeating cells. For example, an extended line for a line connecting the center of the first subpixel G1 and the center of the second subpixel G2 of a repeating cell in a P-th repeating cell group passes through the center of the interval between adjacent two repeating cells in a (P + 1) th repeating cell group, similarly, the continuing line for the line connecting the center of the first subpixel G1 and the center of the second subpixel G2 of the repeating cell in the (P + 1) th repeating cell group passes through the center of the interval between adjacent two repeating cells in the Pth repeating cell group.
[00330] Например, панель 700 отображения может представлять собой жидкокристаллическую панель отображения или панель отображения на органических светодиодах (OLED) и т.п. Например, в случае если панель 700 отображения представляет собой жидкокристаллическую панель отображения, подложка 100 отображения может представлять собой матричную подложку или цветную пленочную подложку. В случае если панель 700 отображения представляет собой панель отображения на органических светоизлучающих диодах, подложка 100 отображения может представлять собой матричную подложку.[00330] For example, the
[00331] Например, панель 700 отображения может представлять собой прямоугольную панель, круглую панель, эллиптическую панель, многоугольную панель и т.п. Помимо этого, панель 700 отображения может представлять собой не только плоскую панель, но также и искривленную панель или даже сферическую панель.[00331] For example, the
[00332] Например, панель 700 отображения также может иметь сенсорную функцию, т.е. панель 600 отображения может представлять собой сенсорную панель отображения.[00332] For example, the
[00333] Например, панель 700 отображения может применяться к любому продукту или компоненту с функцией отображения, такому как мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизионный приемник, дисплей, ноутбук, цифровая фоторамка, навигатор и т.д.[00333] For example, the
[00334] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет устройство отображения, фиг. 8A является принципиальной блок-схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия и фиг. 8B является принципиальной структурной схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия.[00334] An embodiment of the present disclosure also provides a display device, FIG. 8A is a schematic block diagram of a display device provided by some embodiments of the present disclosure, and FIG. 8B is a schematic structural diagram of a display device provided by some embodiments of the present disclosure.
[00335] Например, как показано на фиг. 8A, устройство 800 отображения, предоставленное посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, включает в себя панель 801 отображения, и панель 801 отображения включает в себя подложку 802 отображения, панель 801 отображения представляет собой панель 700 отображения, описанную в любом из вышеуказанных вариантов осуществления, и подложка 802 отображения представляет собой подложку 100 отображения, описанную в любом из вышеуказанных вариантов осуществления.[00335] For example, as shown in FIG. 8A, the display device 800 provided by an embodiment of the present disclosure includes a
[00336] Например, как показано на фиг. 8A, устройство 800 отображения дополнительно может включать в себя возбуждающую микросхему 803, и возбуждающая микросхема 803 электрически соединяется с панелью 801 отображения.[00336] For example, as shown in FIG. 8A, the display device 800 may further include a drive chip 803, and the drive chip 803 is electrically connected to the
[00337] Например, возбуждающая микросхема 803 расположена на стороне первого субпиксела G1 в каждой повторяющейся ячейке 11 отдаленно от второго субпиксела G2. Как показано на фиг. 8B, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 в каждой повторяющейся ячейке 11 на подложке 802 отображения размещаются вдоль первого направления X, в первом направлении X, возбуждающая микросхема 803 расположена на стороне первого субпиксела G1 в каждой повторяющейся ячейке 11 отдаленно от второго субпиксела G2. Иными словами, в первом направлении X, расстояние между первым субпикселом G1 и возбуждающей микросхемой 803 меньше расстояния между вторым субпикселом G2 и возбуждающей микросхемой 803. Например, в примере, как показано на фиг. 8B, первый субпиксел G1 находится ближе к верхней стороне панели 801 отображения, чем второй субпиксел G2 таким образом, что возбуждающая микросхема 803 может быть расположена на верхней стороне панели 801 отображения.[00337] For example, the driver chip 803 is located on the side of the first subpixel G1 in each repeating
[00338] Например, возбуждающая микросхема 803 может представлять собой полупроводниковую микросхему и может включать в себя формирователь сигналов управления данными. Формирователь сигналов управления данными в возбуждающей микросхеме 803 используется для того, чтобы возбуждать множество линий передачи данных в панели 801 отображения. Например, формирователь сигналов управления данными может предоставлять сигналы данных во множество линий передачи данных.[00338] For example, the driver chip 803 may be a semiconductor chip and may include a data driver. A data driver in the driver chip 803 is used to drive a plurality of data lines in the
[00339] Например, устройство 800 отображения может представлять собой любой продукт или компонент, имеющий функцию отображения, такой как мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизионный приемник, дисплей, ноутбук, цифровая фоторамка, навигатор и т.д.[00339] For example, display device 800 can be any product or component having a display function such as a mobile phone, tablet computer, television set, display, laptop, digital photo frame, navigator, and so on.
[00340] Следует отметить, что другие компоненты устройства 800 отображения (например, устройство управления, устройство кодирования/декодирования данных изображений, формирователь сигналов управления затвором, контроллер временной синхронизации, схема синхронизации и т.д.) должны пониматься специалистами в данной области техники и не описываются подробно в данном документе, и при этом они не должны рассматриваться в качестве ограничений настоящего раскрытия.[00340] It should be noted that other components of the display device 800 (eg, a control device, an image data encoding / decoding device, a gate driver, a timing controller, a timing circuit, etc.) are to be understood by those skilled in the art, and are not described in detail in this document, nor should they be construed as limiting the present disclosure.
[00341] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет способ подготовки для подготовки подложки отображения согласно любому из вышеуказанных вариантов осуществления, и фиг. 9 является блок-схемой последовательности операций способа подготовки для подготовки подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия.[00341] An embodiment of the present disclosure also provides a preparation method for preparing a display substrate according to any of the above embodiments, and FIG. 9 is a flowchart of a preparation method for preparing a display substrate provided by an embodiment of the present disclosure.
[00342] Например, как показано на фиг. 9, способ подготовки подложки отображения может включать в себя:[00342] For example, as shown in FIG. 9, a method for preparing a display substrate may include:
[00343] S10. Предоставление несущей подложки.[00343] S10. Providing a carrier substrate.
[00344] S11. Формирование множества повторяющихся ячеек на несущей подложке.[00344] S11. Formation of multiple repeating cells on the carrier substrate.
[00345] Например, на этапе S11, каждая повторяющаяся ячейка включает в себя множество субпикселов, каждый субпиксел включает в себя пиксельную схему и светоизлучающий элемент, светоизлучающий элемент включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения, множество субпикселов включают в себя первый субпиксел и второй субпиксел, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.[00345] For example, in step S11, each repeating cell includes a plurality of subpixels, each subpixel includes a pixel circuit and a light emitting element, the light emitting element includes a first light emitting voltage supply electrode, a second light emitting voltage supply electrode, and a light emitting layer between the first a light emitting voltage supply electrode and a second light emitting voltage supply electrode, a plurality of subpixels include a first subpixel and a second subpixel, the color of the light emitted by the light emitting element of the first subpixel is the same as the color of the light emitted by the light emitting element of the second subpixel, the shape of the first light emitting voltage electrode the light emitting element of the first subpixel differs from the shape of the first light emitting voltage supply electrode of the light emitting element of the second subpixel, an orthographic projection of the first light emitting voltage supply electrode of the first subpixel light emitting element on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate, and the orthographic projection of the first light emitting voltage supply electrode of the second subpixel light emitting element on the carrier substrate at least partially overlaps with the orthographic projection of the control terminal of the driving circuit of the pixel circuit of the second subpixel on the carrier substrate.
[00346] Например, на этапе S11, в случае если первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела формируется, первый возбуждающий электродный блок и вспомогательный электродный блок формируются посредством одного процесса формирования рисунка, и ортографическая проекция вспомогательного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке расположена в пределах ортографической проекции вспомогательного электродного блока на несущей подложке. Например, в варианте осуществления настоящего раскрытия, один процесс формирования рисунка может включать в себя нанесение фотолитографического покрытия, экспозицию, травление с проявкой, удаление фоторезиста и другие операции.[00346] For example, in step S11, in a case where the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the first sub-pixel is formed, the first excitation electrode unit and the sub-electrode unit are formed by one patterning process, and the orthographic projection of the sub-electrode unit on the carrier substrate is at least partially overlaps with the orthographic projection of the control pin of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate, for example, the orthographic projection of the control pin of the driving circuit of the first subpixel pixel circuit on the carrier substrate is located within the orthographic projection of the auxiliary electrode unit on the carrier substrate. For example, in an embodiment of the present disclosure, one patterning process may include photolithographic coating, exposure, etching and development, photoresist removal, and other operations.
[00347] Следует отметить, что в случае, если первый электрод подачи напряжения светоизлучения включает в себя первый соединительный электродный блок, первый соединительный электродный блок может формироваться в то время, когда формируются первый возбуждающий электродный блок и вспомогательный электродный блок.[00347] Note that in a case where the first light-emitting voltage supply electrode includes the first connecting electrode unit, the first connecting electrode unit may be formed while the first excitation electrode unit and the sub electrode unit are formed.
[00348] Например, на этапе S11, в случае если первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела формируется, второй возбуждающий электродный блок формируется, и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке расположена в пределах ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке.[00348] For example, in step S11, if the first light-emitting voltage supply electrode of the light-emitting element of the second subpixel is formed, the second driving electrode unit is formed, and the orthographic projection of the second driving electrode unit on the carrier substrate at least partially overlaps the orthographic projection of the driving of the driving circuit terminal of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate, for example, an orthographic projection of the driving terminal of the driving circuit of the second subpixel pixel circuit on the carrier substrate is located within the orthographic projection of the second driving electrode unit on the carrier substrate.
[00349] Следует отметить, что в случае, если второй электрод подачи напряжения светоизлучения включает в себя второй соединительный электродный блок, второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок могут формироваться посредством одного процесса формирования рисунка.[00349] It should be noted that in a case where the second light-emitting voltage supply electrode includes a second connecting electrode unit, the second excitation electrode unit and the second connecting electrode unit can be formed by a single patterning process.
[00350] Необходимо отметить, что на предмет подробного описания относительно повторяющейся ячейке, следует обратиться к релевантному описанию в вышеуказанном варианте осуществления подложки отображения, и повторение не приводится здесь.[00350] It should be noted that for a detailed description regarding a repeating cell, reference should be made to the relevant description in the above embodiment of the display substrate, and repetition is not given here.
[00351] Для настоящего раскрытия, должны поясняться следующие аспекты:[00351] For this disclosure, the following aspects should be explained:
[00352] (1) Чертежи вариантов осуществления настоящего раскрытия означают только структуры, связанные с вариантами осуществления настоящего раскрытия, и другие структуры могут означать общую структуру.[00352] (1) The drawings of the embodiments of the present disclosure mean only structures associated with the embodiments of the present disclosure, and other structures may mean a general structure.
[00353] (2) Для понятности, на чертежах, используемых для того, чтобы описывать варианты осуществления настоящего раскрытия, толщины и размеры слоев или структур чрезмерно увеличиваются. Следует понимать, что в случае, если такой элемент, как слой, пленка, участок или подложка, упоминается как находящийся "на" или "под" другим элементом, элемент может находиться "непосредственно" "на" или "под" другим элементом, либо может быть предусмотрен промежуточный элемент между элементом и другим элементом.[00353] (2) For clarity, in the drawings used to describe embodiments of the present disclosure, thicknesses and sizes of layers or structures are exaggerated. It should be understood that in the event that an element such as a layer, film, patch or substrate is referred to as being "on" or "below" another element, the element can be "directly" "on" or "below" another element, or an intermediate element may be provided between the element and another element.
[00354] (3) В случае отсутствия конфликта, варианты осуществления настоящего раскрытия и признаки в вариантах осуществления могут комбинироваться между собой, чтобы получать новые варианты осуществления.[00354] (3) In the absence of conflict, embodiments of the present disclosure and features in the embodiments may be combined with each other to obtain new embodiments.
[00355] Выше описываются просто примерные варианты осуществления настоящего раскрытия, и они не имеют намерение задавать объем настоящего раскрытия, и объем настоящего раскрытия определяется посредством прилагаемой формулы изобретения.[00355] The above are merely exemplary embodiments of the present disclosure, and are not intended to define the scope of the present disclosure, and the scope of the present disclosure is determined by the appended claims.
Claims (132)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2019/098707 WO2021016946A1 (en) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | Display substrate and preparation method therefor, display panel, and display apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2728834C1 true RU2728834C1 (en) | 2020-07-31 |
Family
ID=72085758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020100067A RU2728834C1 (en) | 2019-07-31 | 2019-07-31 | Display substrate and method of its preparation, display panel and display device |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US11735108B2 (en) |
| EP (1) | EP4006983A4 (en) |
| JP (1) | JP7420560B2 (en) |
| CN (2) | CN112673475B (en) |
| AU (2) | AU2019279968C1 (en) |
| MX (1) | MX2020000329A (en) |
| RU (1) | RU2728834C1 (en) |
| TW (1) | TWI730543B (en) |
| WO (1) | WO2021016946A1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114255703A (en) * | 2020-09-21 | 2022-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN114566520A (en) * | 2020-11-27 | 2022-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6566289B2 (en) * | 2014-11-26 | 2019-08-28 | Tianma Japan株式会社 | Display device, electro-optical device, electric apparatus, metal mask, and pixel array |
| US11768551B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-09-26 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Array substrate and display device |
| WO2021223101A1 (en) * | 2020-05-06 | 2021-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and driving method therefor, and display device |
| KR20220016347A (en) * | 2020-07-30 | 2022-02-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method of fabricating the same |
| GB2614684A (en) * | 2021-04-01 | 2023-07-12 | Boe Technology Group Co Ltd | Pixel driving circuit, driving method therefor, and display panel |
| CN115623881A (en) | 2021-04-28 | 2023-01-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display panel |
| US12002424B2 (en) * | 2021-04-30 | 2024-06-04 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| EP4207301A4 (en) * | 2021-06-10 | 2023-12-27 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE |
| TWI828189B (en) * | 2021-07-08 | 2024-01-01 | 南韓商Lg顯示器股份有限公司 | Pixel circuit and display device including the same |
| CN115273744A (en) * | 2021-07-19 | 2022-11-01 | Oppo广东移动通信有限公司 | Display module and display device |
| CN113809134B (en) * | 2021-08-26 | 2024-06-28 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | Display panel and display device |
| CN113763874B (en) * | 2021-09-16 | 2023-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN115942815B (en) * | 2021-09-30 | 2025-10-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, display panel, and display device |
| CN113920934B (en) * | 2021-09-30 | 2023-04-18 | 成都京东方光电科技有限公司 | Display substrate and display device |
| CN114171564B (en) * | 2021-11-30 | 2025-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, display panel, and display device |
| CN116917976A (en) * | 2022-02-18 | 2023-10-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel structure, display substrate and display device |
| KR20230127431A (en) * | 2022-02-24 | 2023-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus |
| CN114582291B (en) * | 2022-03-21 | 2025-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, manufacturing method and display device |
| CN117042528B (en) * | 2022-04-29 | 2026-01-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel and display device |
| CN114843288B (en) * | 2022-05-18 | 2024-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN117616903A (en) * | 2022-06-14 | 2024-02-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and preparation method thereof, display device |
| CN118414704A (en) * | 2022-11-28 | 2024-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN118542093A (en) * | 2022-12-23 | 2024-08-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN115811911A (en) * | 2023-01-09 | 2023-03-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | A display panel and a display device |
| WO2025035396A1 (en) * | 2023-08-15 | 2025-02-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display apparatus |
| CN119541387B (en) * | 2023-08-29 | 2025-08-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel driving circuit and driving method thereof, and display panel |
| CN120226070A (en) * | 2023-08-31 | 2025-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel circuit, driving method thereof and display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8599118B2 (en) * | 2011-02-16 | 2013-12-03 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with electrode connectors |
| KR20150119149A (en) * | 2013-03-15 | 2015-10-23 | 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 | Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| US9536474B2 (en) * | 2013-09-03 | 2017-01-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel circuit having a plurality of blue organic light-emitting diodes and driving method thereof |
Family Cites Families (203)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3069810D1 (en) | 1979-12-04 | 1985-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | Colour display apparatus |
| JPS60120398A (en) | 1983-12-02 | 1985-06-27 | シチズン時計株式会社 | Matrix type color display unit |
| JP2584490B2 (en) | 1988-06-13 | 1997-02-26 | 三菱電機株式会社 | Matrix type liquid crystal display |
| US5341153A (en) | 1988-06-13 | 1994-08-23 | International Business Machines Corporation | Method of and apparatus for displaying a multicolor image |
| US6681053B1 (en) | 1999-08-05 | 2004-01-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for improving the definition of black and white text and graphics on a color matrix digital display device |
| US6950115B2 (en) | 2001-05-09 | 2005-09-27 | Clairvoyante, Inc. | Color flat panel display sub-pixel arrangements and layouts |
| JP3620490B2 (en) | 2000-11-22 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | Active matrix display device |
| US7123277B2 (en) | 2001-05-09 | 2006-10-17 | Clairvoyante, Inc. | Conversion of a sub-pixel format data to another sub-pixel data format |
| TWI227340B (en) | 2002-02-25 | 2005-02-01 | Himax Tech Inc | Color filter and liquid crystal display |
| TW200413725A (en) | 2002-09-30 | 2004-08-01 | Oncotherapy Science Inc | Method for diagnosing non-small cell lung cancers |
| JP4003714B2 (en) | 2003-08-11 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and electronic apparatus |
| US7525526B2 (en) | 2003-10-28 | 2009-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method for performing image reconstruction and subpixel rendering to effect scaling for multi-mode display |
| US7483095B2 (en) | 2003-12-15 | 2009-01-27 | Genoa Color Technologies Ltd | Multi-primary liquid crystal display |
| TWI258721B (en) | 2004-08-10 | 2006-07-21 | Ind Tech Res Inst | Full-color organic electroluminescence device |
| US7733359B1 (en) | 2004-09-15 | 2010-06-08 | Rockwell Collins, Inc. | Pixel structure for electrical flat panel displays |
| US8446435B2 (en) | 2005-04-22 | 2013-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| WO2007088656A1 (en) | 2006-02-02 | 2007-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display |
| US20070205423A1 (en) | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| GB2437110B (en) | 2006-04-12 | 2009-01-28 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic display and method of manufacturing the same |
| TWI346922B (en) | 2006-06-14 | 2011-08-11 | Au Optronics Corp | Structure of pixel circuit for display and mothod of driving thereof |
| US20080001525A1 (en) | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Au Optronics Corporation | Arrangements of color pixels for full color OLED |
| CN101192382B (en) | 2006-11-29 | 2010-11-10 | 群康科技(深圳)有限公司 | LCD device |
| JP2008225179A (en) | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Sony Corp | Display device, driving method of display device, and electronic apparatus |
| TWI359626B (en) | 2007-03-22 | 2012-03-01 | Au Optronics Corp | Electro-luminescence display |
| CN101393924B (en) * | 2007-09-21 | 2015-08-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | Electroluminescence display panel |
| KR101479994B1 (en) | 2007-11-13 | 2015-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display and manufacturing method thereof |
| US8330352B2 (en) | 2007-11-13 | 2012-12-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| US20090128900A1 (en) | 2007-11-15 | 2009-05-21 | Idyllic Spectrum Sdn Bhd | Autostereoscopic display |
| WO2009122617A1 (en) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | シャープ株式会社 | Liquid crystal display |
| JP2010212814A (en) | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Sharp Corp | Calibration device, calibration method, calibration program, computer-readable recording medium, and image input device |
| WO2010113357A1 (en) | 2009-04-03 | 2010-10-07 | シャープ株式会社 | Donor substrate, process for production of transfer film, and process for production of organic electroluminescent element |
| CN101582241B (en) | 2009-06-11 | 2011-10-05 | 数能科技股份有限公司 | Display method of large light-emitting diode display |
| KR20110013691A (en) | 2009-08-03 | 2011-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel structure and organic light emitting display device using the same |
| CA2686174A1 (en) | 2009-12-01 | 2011-06-01 | Ignis Innovation Inc | High reslution pixel architecture |
| EP2541314B1 (en) * | 2010-02-26 | 2015-03-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| KR101663564B1 (en) | 2010-03-26 | 2016-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic electro-luminescence device and method of fabricating the same |
| US8754913B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-06-17 | Lg Display Co., Ltd. | Subpixel arrangement structure of display device |
| KR20110129531A (en) | 2010-05-26 | 2011-12-02 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Pixel array structure of organic light emitting display device |
| KR101189025B1 (en) | 2010-05-31 | 2012-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel Array for Organic Light Emitting Display Device |
| WO2012021767A2 (en) | 2010-08-13 | 2012-02-16 | Pixel Qi Corporation | Transflective lcd with arcuate pixel portions |
| US9583034B2 (en) | 2010-10-15 | 2017-02-28 | Lg Display Co., Ltd. | Subpixel arrangement structure for display device |
| US8520114B2 (en) | 2011-06-01 | 2013-08-27 | Global Oled Technology Llc | Apparatus for displaying and sensing images |
| KR101845332B1 (en) | 2011-06-13 | 2018-05-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| JP2014225329A (en) | 2011-09-12 | 2014-12-04 | シャープ株式会社 | Light-emitting device, display device, and illuminating device |
| KR101615332B1 (en) | 2012-03-06 | 2016-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel arrangement structure for organic light emitting display device |
| KR101943995B1 (en) | 2012-06-27 | 2019-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device |
| KR102063973B1 (en) | 2012-09-12 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof |
| EP3780113B1 (en) | 2012-09-13 | 2025-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel arrangement structure for organic light emitting diode display |
| KR20150087322A (en) | 2012-11-22 | 2015-07-29 | 가부시키가이샤 니콘 | Image pickup element and image pickup unit |
| KR101999560B1 (en) | 2012-11-28 | 2019-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emittign display device |
| TWI559524B (en) | 2013-01-15 | 2016-11-21 | 友達光電股份有限公司 | Pixel structure of electroluminescent display panel |
| KR102124040B1 (en) | 2013-02-01 | 2020-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask for thin film deposition, the fabrication method thereof, and the fabrication method of the organic light emitting display device using the same |
| TWI520323B (en) | 2013-02-08 | 2016-02-01 | 中華映管股份有限公司 | Pixel structure of organic light emitting display device |
| US20160013251A1 (en) | 2013-03-04 | 2016-01-14 | Joled Inc. | El display device |
| KR102030799B1 (en) | 2013-03-11 | 2019-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic luminescence emitting display device |
| JP5849981B2 (en) | 2013-03-25 | 2016-02-03 | ソニー株式会社 | Display device and electronic device |
| KR102096051B1 (en) | 2013-03-27 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Substrate formed thin film transistor array and organic light emitting diode display |
| JP2014203004A (en) | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and electronic apparatus |
| TWI478128B (en) | 2013-05-23 | 2015-03-21 | Au Optronics Corp | LED display panel |
| KR20150005264A (en) | 2013-07-05 | 2015-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR102190843B1 (en) | 2013-07-09 | 2020-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Unit pixel and organic light emitting display device having the same |
| CN103366683B (en) | 2013-07-12 | 2014-10-29 | 上海和辉光电有限公司 | Pixel array, display and method for displaying image on display |
| KR20150008712A (en) | 2013-07-15 | 2015-01-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Signal processing method, signal processor, and display device comprsing the signal processor |
| KR102136275B1 (en) | 2013-07-22 | 2020-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting device and method for manufacturing the same |
| US20150062140A1 (en) | 2013-08-29 | 2015-03-05 | Monotype Imaging Inc. | Dynamically Adjustable Distance Fields for Adaptive Rendering |
| KR102107566B1 (en) * | 2013-09-30 | 2020-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
| KR102103499B1 (en) | 2013-10-16 | 2020-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display device |
| EP2904603A4 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-20 | Shenzhen Yunyinggu Technology Co Ltd | SUB-PIXEL ARRANGEMENTS OF DISPLAY DEVICES AND THEIR RENDERING METHOD |
| CN103559866B (en) | 2013-11-08 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of image display control method and device |
| JP6207367B2 (en) | 2013-12-05 | 2017-10-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic electroluminescence display device |
| KR20150067624A (en) | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display |
| CN103714775B (en) | 2013-12-30 | 2016-06-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | Pel array and driving method, display panel and display unit |
| KR102205401B1 (en) | 2014-01-14 | 2021-01-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic luminescence emitting display device |
| JP2015138955A (en) | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 凸版印刷株式会社 | Thin film transistor array substrate, EL display device, and method of manufacturing thin film transistor array substrate |
| US20160351119A1 (en) | 2014-02-06 | 2016-12-01 | Joled Inc. | Display apparatus |
| US9337241B2 (en) | 2014-03-19 | 2016-05-10 | Apple Inc. | Pixel patterns for organic light-emitting diode display |
| JP6369799B2 (en) | 2014-04-23 | 2018-08-08 | Tianma Japan株式会社 | Pixel array, electro-optical device, and electric apparatus |
| CN103928498A (en) | 2014-04-23 | 2014-07-16 | 何东阳 | High-resolution AMOLED display device |
| CN103985735A (en) | 2014-04-25 | 2014-08-13 | 友达光电股份有限公司 | a display panel |
| KR102146828B1 (en) | 2014-04-25 | 2020-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
| CN103985738B (en) | 2014-05-08 | 2015-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel structure and display device |
| CN104037202B (en) | 2014-06-12 | 2017-08-04 | 上海和辉光电有限公司 | A kind of AMOLED display device and its sub-pixel structure preparation method |
| CN104166260B (en) | 2014-08-04 | 2016-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display base plate and driving method thereof and display device |
| US11004905B2 (en) | 2014-09-11 | 2021-05-11 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
| US11711958B2 (en) | 2014-09-11 | 2023-07-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
| CN104269411B (en) | 2014-09-11 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel, organic light emitting diode display and display device |
| CN104282727B (en) | 2014-09-30 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of dot structure and its display methods, display device |
| JP2016075868A (en) | 2014-10-09 | 2016-05-12 | Nltテクノロジー株式会社 | Pixel array, electro-optical device, electric apparatus, and pixel rendering method |
| CN105552099A (en) | 2014-10-29 | 2016-05-04 | 上海和辉光电有限公司 | OLED pixel arrangement structure |
| CN104332486A (en) | 2014-10-29 | 2015-02-04 | 上海和辉光电有限公司 | OLED (Organic Light Emitting Diode) pixel arrangement structure |
| KR102296918B1 (en) | 2014-11-03 | 2021-09-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display apparatus, method and apparatus for controlling thereof |
| JP6474232B2 (en) | 2014-11-05 | 2019-02-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
| JP6521610B2 (en) | 2014-11-10 | 2019-05-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Image display device |
| CN104362170B (en) | 2014-11-28 | 2017-04-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Organic electroluminescence display appliance and driving method and related device thereof |
| CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
| KR102232694B1 (en) * | 2014-12-03 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Display Panel and Manufacturing Method Thereof |
| KR20160072370A (en) | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
| CN104576695B (en) | 2014-12-22 | 2017-08-25 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | OLED pixel arrangement architecture and display device |
| CN104465714B (en) | 2014-12-30 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel structure, display method of pixel structure and display device |
| KR102458687B1 (en) | 2014-12-31 | 2022-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | The Method of manufacturing Organic luminescence emitting display device |
| CN104537974B (en) | 2015-01-04 | 2017-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | Data acquisition submodule and method, data processing unit, system and display device |
| JP6654280B2 (en) | 2015-01-14 | 2020-02-26 | 天馬微電子有限公司 | Pixel array, electro-optical device, electric apparatus, and method of driving pixel array |
| CN104536632B (en) | 2015-01-26 | 2017-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of In-cell touch panel and display device |
| CN104637987A (en) | 2015-02-06 | 2015-05-20 | 友达光电股份有限公司 | Active matrix organic light emitting display and pixel structure thereof |
| CN104597655B (en) | 2015-02-13 | 2017-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of pixel arrangement structure, display panel and display device |
| KR20160104804A (en) | 2015-02-26 | 2016-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
| TWI555195B (en) | 2015-03-27 | 2016-10-21 | 友達光電股份有限公司 | Pixel arrangement structure of display device |
| KR20160129185A (en) | 2015-04-29 | 2016-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
| CN104835468B (en) | 2015-05-21 | 2018-02-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Liquid crystal panel and its driving method |
| CN104835444B (en) | 2015-06-05 | 2017-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of display methods and display device |
| CN106486514B (en) | 2015-08-31 | 2023-12-01 | 昆山国显光电有限公司 | Pixel structure and OLED display panel |
| KR102532899B1 (en) * | 2015-11-04 | 2023-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display panel |
| CN105242436B (en) | 2015-11-06 | 2018-08-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | A kind of array substrate, display panel and display device |
| CN105280139B (en) | 2015-11-11 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | AMOLED luminance compensation methods and AMOLED drive systems |
| KR102430444B1 (en) | 2015-12-18 | 2022-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | A mask assembly, apparatus and method for manufacturing a display apparatus using the same |
| CN205231065U (en) | 2015-12-23 | 2016-05-11 | 昆山国显光电有限公司 | Dot structure and display |
| US9984624B2 (en) | 2015-12-28 | 2018-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, driver IC, and electronic device |
| KR102515628B1 (en) | 2015-12-31 | 2023-03-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display Panel |
| CN205608350U (en) | 2015-12-31 | 2016-09-28 | 上海中航光电子有限公司 | Display screen and display |
| CN106935618B (en) | 2015-12-31 | 2019-08-27 | 昆山国显光电有限公司 | OLED pixel aligning method |
| KR102447506B1 (en) | 2016-01-05 | 2022-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display control method and device of display device |
| CN105741774B (en) | 2016-01-28 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of image processing method and its device, display device |
| CN105529008B (en) | 2016-02-01 | 2018-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | The driving method of liquid crystal display panel |
| US10854684B2 (en) * | 2016-02-18 | 2020-12-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device |
| CN107644888B (en) | 2016-07-22 | 2025-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display substrate, display device, manufacturing method and mask |
| US11264430B2 (en) | 2016-02-18 | 2022-03-01 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Pixel arrangement structure with misaligned repeating units, display substrate, display apparatus and method of fabrication thereof |
| WO2020133885A1 (en) | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate, fine-grained metal mask set, and manufacturing method |
| CN110134353B (en) | 2018-02-09 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | Color compensation method, compensation device and display device |
| CN205355055U (en) | 2016-02-18 | 2016-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display panel and display device |
| CN110133899A (en) | 2018-02-09 | 2019-08-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display substrate and display device |
| CN110137215B (en) | 2018-02-09 | 2025-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display substrate and display device |
| US11233096B2 (en) | 2016-02-18 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel arrangement structure and driving method thereof, display substrate and display device |
| KR102533412B1 (en) | 2016-03-21 | 2023-05-17 | 엘지전자 주식회사 | Organic light emitting diode display device and operating method thereof |
| TWI585968B (en) | 2016-03-22 | 2017-06-01 | 群創光電股份有限公司 | Display device |
| CN107275359B (en) | 2016-04-08 | 2021-08-13 | 乐金显示有限公司 | Organic Light Emitting Display Device |
| KR101826432B1 (en) | 2016-04-08 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| CN107275361B (en) | 2016-04-08 | 2020-10-02 | 乐金显示有限公司 | Organic light emitting display device |
| KR101698718B1 (en) | 2016-04-29 | 2017-01-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| CN106094334B (en) | 2016-06-21 | 2020-03-31 | 北京京东方光电科技有限公司 | Display panel and display device |
| CN105911785B (en) | 2016-06-30 | 2019-08-23 | 上海中航光电子有限公司 | A kind of display panel and display device |
| CN205845956U (en) | 2016-07-22 | 2016-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display base plate, display device and mask plate |
| CN105976757B (en) | 2016-07-26 | 2019-01-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, pixel circuit, display panel and driving method |
| CN106097962B (en) * | 2016-08-19 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display base plate, display equipment and regional compensation method |
| CN106293244B (en) | 2016-08-30 | 2017-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Touch-control display panel and its driving method and touch control display apparatus |
| CN107817632A (en) | 2016-09-13 | 2018-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of liquid crystal display panel and display device |
| JP2018049774A (en) | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device |
| KR102795189B1 (en) | 2016-10-05 | 2025-04-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Head mounted display device |
| CN206163494U (en) | 2016-11-16 | 2017-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Structure, organic electroluminescence device , display device , mask slice are arranged to pixel |
| CN106782371B (en) | 2016-12-20 | 2018-01-19 | 惠科股份有限公司 | Liquid crystal display device and driving method of liquid crystal display panel thereof |
| CN106601167B (en) | 2016-12-20 | 2019-10-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | A kind of gray level compensation method of display panel, device and system |
| CN106531770A (en) | 2016-12-23 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Organic electroluminescent display panel, manufacturing method thereof and display device |
| KR102868177B1 (en) | 2016-12-28 | 2025-10-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | Electroluminescent Display Device |
| CN106591776B (en) | 2016-12-28 | 2019-12-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | Fine mask plate and manufacturing method thereof |
| EP3343544B1 (en) | 2016-12-28 | 2022-06-15 | Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. | Method for a display device |
| CN106782307B (en) | 2017-01-25 | 2019-07-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | A kind of gray level compensation method and gray scale compensation system of OLED display panel |
| CN106940978B (en) | 2017-05-15 | 2019-10-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Organic light emitting display panel and its driving method, organic light-emitting display device |
| KR102391918B1 (en) | 2017-05-23 | 2022-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device |
| CN106991957B (en) | 2017-06-07 | 2020-02-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | A pixel structure, a display substrate, a display device and a display method |
| CN107293571B (en) | 2017-06-09 | 2019-09-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | The pixel arrangement structure and OLED display panel of OLED display panel |
| CN110264898B (en) | 2017-06-12 | 2022-02-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | Pixel array and display |
| CN107248393B (en) * | 2017-07-24 | 2019-04-26 | 上海交通大学 | Pixel driving unit and method for forming the same, display backplane, and pixel driving circuit |
| KR102448031B1 (en) | 2017-07-28 | 2022-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | Sensor-integrated display device |
| CN107256695B (en) | 2017-07-31 | 2019-11-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Pixel circuit, its driving method, display panel and display device |
| CN107393468B (en) | 2017-08-24 | 2019-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | Color shift correction method and color shift correction device for display panel |
| WO2019042013A1 (en) | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 昆山国显光电有限公司 | Pixel structure and display device |
| CN107342037B (en) | 2017-09-01 | 2020-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Data conversion method, apparatus and computer readable storage medium |
| CN107481668B (en) * | 2017-09-01 | 2020-07-24 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Display panel and display device |
| CN109559679B (en) | 2017-09-26 | 2024-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | Touch display panel and driving method thereof, pixel circuit, and electronic device |
| CN107731870B (en) | 2017-09-28 | 2020-12-22 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Organic light emitting diode pixel structure, display panel comprising same and display device |
| CN107481671B (en) | 2017-09-29 | 2019-11-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel circuit and its driving method, array substrate, display device |
| CN107665684B (en) | 2017-10-13 | 2020-01-14 | 深圳吉迪思电子科技有限公司 | Color Mura compensation method |
| CN107910348B (en) | 2017-10-26 | 2021-03-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Display panel and display device |
| JP6978739B2 (en) | 2017-10-27 | 2021-12-08 | Tianma Japan株式会社 | Manufacturing method of OLED display device, mask and OLED display device |
| WO2019084932A1 (en) | 2017-11-03 | 2019-05-09 | 深圳市柔宇科技有限公司 | Pixel array, display panel, and electronic device |
| US10283086B1 (en) | 2017-11-06 | 2019-05-07 | Novatek Microelectronics Corp. | Display device with novel sub-pixel configuration |
| KR20190072108A (en) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 조율호 | Dpisplay device having pyramid sub-pixel array structure |
| CN107895568A (en) | 2017-12-28 | 2018-04-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Liquid crystal display device |
| WO2019134521A1 (en) | 2018-01-02 | 2019-07-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, manufacturing method therefor, display panel, display device, and mask |
| US10991768B2 (en) | 2018-01-02 | 2021-04-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel arrangement, manufacturing method thereof, display panel, display device, and mask |
| CN109994505B (en) | 2018-01-02 | 2025-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | A pixel arrangement structure and related device |
| CN108364983A (en) | 2018-02-01 | 2018-08-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Pixel arrangement structure |
| CN118605055A (en) | 2018-02-09 | 2024-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN207883217U (en) | 2018-02-09 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display base plate and display device |
| CN207781608U (en) | 2018-02-09 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display base plate and display device |
| CN207781607U (en) | 2018-02-09 | 2018-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display base plate and display device |
| CN108493221B (en) | 2018-04-17 | 2020-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pixel arrangement structure, display panel, mask plate assembly and evaporation equipment |
| CN108649000B (en) * | 2018-05-08 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | Test substrate, preparation method and detection method thereof, display substrate and display device |
| JP7117158B2 (en) | 2018-06-01 | 2022-08-12 | Tianma Japan株式会社 | Display device and its control method |
| CN108831912B (en) * | 2018-06-15 | 2020-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | OLED array substrate and method for manufacturing the same, OLED pixel circuit and display device |
| KR102493488B1 (en) | 2018-06-15 | 2023-02-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
| CN109037287A (en) | 2018-07-27 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Arrangement of subpixels structure, mask device, display panel and display device |
| CN109638035B (en) | 2018-11-13 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Pixel arrangement structure and organic light emitting diode display device |
| US11086180B1 (en) * | 2018-11-15 | 2021-08-10 | Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. | Display panel comprising a plurality of subpixels, counter substrate comprising a plurality of subpixels, array substrate comprising a plurality of sub pixels, method of operating display panel, and method of fabricating display panel |
| CN109491158B (en) * | 2018-11-16 | 2021-08-17 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | Display panel and display device |
| CN113823240B (en) | 2018-12-13 | 2023-04-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display device |
| CN109671759A (en) | 2018-12-18 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | OLED pixel structure |
| CN109817672B (en) * | 2019-01-29 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Organic electroluminescence display substrate and method for manufacturing the same, display panel and device |
| US11232750B2 (en) | 2019-01-29 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and manufacturing method and driving method of display substrate |
| US11581385B2 (en) | 2019-03-28 | 2023-02-14 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate having additional pad layer |
| CN110010021A (en) | 2019-04-26 | 2019-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Inorganic light-emitting diode display base plate, display device and driving method |
| KR102656408B1 (en) | 2019-05-13 | 2024-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method of driving the same |
| KR102736610B1 (en) | 2019-07-23 | 2024-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | Method of obtaining overdriving data of a display device, method of operating a display device, and display device |
| CN112309329B (en) | 2019-08-02 | 2024-03-01 | 天马日本株式会社 | Display device |
-
2019
- 2019-07-31 RU RU2020100067A patent/RU2728834C1/en active
- 2019-07-31 EP EP19933238.8A patent/EP4006983A4/en active Pending
- 2019-07-31 CN CN201980001215.6A patent/CN112673475B/en active Active
- 2019-07-31 US US16/958,480 patent/US11735108B2/en active Active
- 2019-07-31 WO PCT/CN2019/098707 patent/WO2021016946A1/en not_active Ceased
- 2019-07-31 JP JP2019569438A patent/JP7420560B2/en active Active
- 2019-07-31 CN CN202410745518.1A patent/CN118843353A/en active Pending
- 2019-07-31 MX MX2020000329A patent/MX2020000329A/en unknown
- 2019-07-31 AU AU2019279968A patent/AU2019279968C1/en active Active
- 2019-12-13 TW TW108145836A patent/TWI730543B/en active
-
2021
- 2021-06-15 AU AU2021203983A patent/AU2021203983B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-04 US US18/295,284 patent/US11908410B2/en active Active
-
2024
- 2024-02-19 US US18/581,023 patent/US12300179B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8599118B2 (en) * | 2011-02-16 | 2013-12-03 | Global Oled Technology Llc | Chiplet display with electrode connectors |
| KR20150119149A (en) * | 2013-03-15 | 2015-10-23 | 럭스뷰 테크놀로지 코포레이션 | Light emitting diode display with redundancy scheme and method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| US9536474B2 (en) * | 2013-09-03 | 2017-01-03 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel circuit having a plurality of blue organic light-emitting diodes and driving method thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114255703A (en) * | 2020-09-21 | 2022-03-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN114255703B (en) * | 2020-09-21 | 2023-06-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
| CN114566520A (en) * | 2020-11-27 | 2022-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR112020000234A2 (en) | 2022-02-22 |
| JP7420560B2 (en) | 2024-01-23 |
| US11735108B2 (en) | 2023-08-22 |
| US20240194141A1 (en) | 2024-06-13 |
| US12300179B2 (en) | 2025-05-13 |
| JP2022550643A (en) | 2022-12-05 |
| CN112673475B (en) | 2024-07-16 |
| MX2020000329A (en) | 2021-02-22 |
| US20230237963A1 (en) | 2023-07-27 |
| EP4006983A4 (en) | 2022-11-16 |
| US20220383811A1 (en) | 2022-12-01 |
| AU2021203983A1 (en) | 2021-07-08 |
| EP4006983A1 (en) | 2022-06-01 |
| AU2019279968B2 (en) | 2021-04-08 |
| CN112673475A (en) | 2021-04-16 |
| TW202107699A (en) | 2021-02-16 |
| TWI730543B (en) | 2021-06-11 |
| AU2021203983B2 (en) | 2022-08-11 |
| CN118843353A (en) | 2024-10-25 |
| AU2019279968A1 (en) | 2021-02-18 |
| AU2019279968C1 (en) | 2021-10-28 |
| WO2021016946A1 (en) | 2021-02-04 |
| US11908410B2 (en) | 2024-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2728834C1 (en) | Display substrate and method of its preparation, display panel and display device | |
| JP7651038B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, display device and display substrate | |
| US11282909B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof, display device | |
| CN114361236B (en) | Electroluminescent display panel and display device | |
| CN112309332B (en) | Pixel circuit, driving method thereof, display substrate and display panel | |
| CN113728439B (en) | Display substrate and display device | |
| CN114503272A (en) | Display substrate and display device | |
| CN113692649A (en) | Display substrate and display device | |
| CN113924651A (en) | Display substrate and display device | |
| GB2627131A (en) | Display substrate, display panel, and display apparatus | |
| CN113728438A (en) | Display substrate and display device | |
| CN117177618A (en) | Display substrate, display device, and manufacturing method of display substrate | |
| EP4669076A1 (en) | Display substrate, manufacturing method therefor, and display apparatus | |
| BR112020000234B1 (en) | DISPLAY SUBSTRATE, DISPLAY PANEL, DISPLAY DEVICE AND PREPARATION METHOD FOR PREPARING DISPLAY SUBSTRATE | |
| JP2025523732A (en) | Display substrate, its manufacturing method, and display device | |
| CN116134507A (en) | Display panel and display device |