RU2418109C1 - Установка для получения монокристаллов - Google Patents
Установка для получения монокристаллов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2418109C1 RU2418109C1 RU2009141434/05A RU2009141434A RU2418109C1 RU 2418109 C1 RU2418109 C1 RU 2418109C1 RU 2009141434/05 A RU2009141434/05 A RU 2009141434/05A RU 2009141434 A RU2009141434 A RU 2009141434A RU 2418109 C1 RU2418109 C1 RU 2418109C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- furnace
- container
- single crystal
- crystal
- mono
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 15
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 15
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть использовано для получения крупных монокристаллов. Установка для получения монокристаллов методом вытягивания вниз включает средство подачи порошкообразного сырья 2, шахтную многозонную вакуумную печь 4 с контролируемой атмосферой и средство поддержания соответствующего температурного градиентного поля 5 в ней, установленный в печи 4 тигель 7 для приема расплавленного сырья, затравочный кристалл 9, установленный на штанге 10 с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения, средство откачки летучих примесей, а также зону отжига и охлаждения 12 монокристалла 1 в печи 4, расположенную ниже тигля 7. Согласно изобретению установка дополнительно содержит контейнер 13, контактирующий с зоной отжига и охлаждения 12 монокристалла 1 в печи 4 с возможностью сообщения с ней посредством разъемного двойного вакуумного шлюза 14, который размещен на его верхнем торце, а нижний торец контейнера 13 выполнен в виде съемной крышки 15, при этом контейнер 13 оснащен средствами поддержания в нем соответствующего температурного градиентного поля 16 и состава контролируемой атмосферы печи, а разъемный двойной вакуумный шлюз 14 выполнен как с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения в нем штанги 10, так и с возможностью замены контейнера 13 с выращенным монокристаллом 1 на другой взаимозаменяемый контейнер с затравочным кристаллом на штанге. Кроме того, взаимозаменяемые контейнеры смонтированы в моноблок карусельного типа с центральной вертикальной осью вращения, при этом мо�
Description
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации материалов из расплава и может быть использовано для высокопроизводительного получения монокристаллов ресурсосберегающим способом без ущерба их качеству.
Известно устройство для выращивания монокристаллов методом вытягивания вниз (смотри: Takao Kitakawa et al. Growth of Li2B4O7 single crystals by a pulling-clown method. Journal of the Ceremic Society of Japan. Vol.105, №7, 1997, p.616-619.), которое включает шахтную вакуумную печь с контролируемой атмосферой, средство поддержания соответствующего температурного градиента в печи, установленные соосно в печи тигель с загруженным из внешнего источника поликристаллическим сырьем и затравочный кристалл. Затравочный кристалл установлен на штанге с возможностью вращения и возвратно-поступального вертикального перемещения и вводится в объем печи через ее нижний торец. Кроме того, печь оснащена средством откачки летучих примесей в виде внешнего вакуумирующего агрегата, подстыкованного к печи. Зона отжига и охлаждения монокристалла в печи расположена ниже фронта кристаллизации, примыкающего к нижнему торцу тигля. В дне тигля выполнено небольшое центральное отверстие.
Рост монокристалла в устройстве осуществляют путем вытягивания вниз с одновременным вращением затравочного кристалла в положении, при котором его верхний конец введен в контакт с расплавом сырья, вытекающим в поле тяжести Земли из отверстия в дне тигля. Физическая основа метода заключается в удержании расплава сырья между тиглем и затравочным кристаллом за счет сил смачивания расплавом сырья тигля и сил поверхностного натяжения расплава.
Основной недостаток описанного устройства обусловлен способом и заключается в том, что требуется предварительное плавление в тигле значительного избытка расплава, превышающего массу конечного монокристалла, с выдерживанием его общего количества при температуре выше точки плавления в течение всего времени выращивания монокристалла. Это требует существенных энергозатрат для поддержания процесса его роста. Второй существенный недостаток - масса выращенного монокристалла ограничена массой исходного поликристаллического сырья, загруженного однократно в тигель, что накладывает ограничения на производительность процесса в силу размещения зоны отжига и остывания монокристалла непосредственно в печи.
Известна также конструктивная схема аппарата Вернейля для выращивания монокристаллов методом вытягивания вниз (смотри: Е.Д.Добровинская, Л.Литвинов, В.Пищик «Энциклопедия сапфира», Харьков, НТК «Институт монокристаллов», 2004 г.), которая включает открытую шахтную печь с неконтролируемой атмосферой, средства подачи окислителя и горючего (соответственно - кислорода и водорода), горелку, средство подачи порошкообразного сырья, кристаллизационную камеру, огнеупорную штангу с кристаллодержателем, средства вертикального возвратно-поступательного и вращательного перемещения огнеупорной штанги с кристаллодержателем. Конструктивно, например, двухсопельная горелка состоит из большой трубы, в которую встроена трубка меньшего диаметра. Кислород и порошкообразное сырье поступают через малую трубку, а водород - через большую. Размещается горелка между кристаллизационной камерой и средством подачи порошкообразного сырья - питателем. Питатель представляет собой сосуд с ситовидным дном, над которым размещен молоточковый ударник кулачкового типа, обеспечивающий дискретный вброс порошкообразного сырья в пламя горелки. Кристаллизационная камера представляет собой стандартный муфель шахтной печи с неконтролируемой атмосферой.
Способ выращивания монокристалла обусловлен устройством и реализуется путем непрерывной подачи сырья из питателя через пламя горючего газа на введенный снизу в шахту керамический кристаллодержатель с монокристаллической затравкой. Пролетая через пламя, частицы сырья частично оплавляются и попадают на затравку. Вершина образующегося конуса оплавляется, а затем разращивается до заданного диаметра. Кристалл растет из пленки расплава, толщина которой определяется диаметром монокристалла и тепловыми условиями во фронте кристаллизации (в среднем толщина пленки близка к 40 мкм).
Недостатки известного устройства вытекают из способа:
- в силу негерметичности печи - наличие практически неуправляемой асимметрии теплового поля в зоне кристаллизации монокристалла, что и приводит к снижению качества монокристалла и энергопотерям;
- наличие ограничений на диаметр монокристалла, который в практике в среднем не превышает примерно 30 мм. Причина - высокие осевой и радиальный температурные градиенты во фронте кристаллизации (от 30 до 100 град/мм), приводящие к растрескиванию монокристалла в процессе остывания. В итоге - достаточно маленькая производительность установки в силу малых диаметров получаемых монокристаллов при их невысоком качестве.
Наиболее близким к заявляемому устройству является патент России №2215070 С2 с датой публикации 27.10.2003 года; МПК9: С30В 15/08, С30В 29/30; «Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты)» (заявитель - Япония).
Конструктивно установка для выращивания монокристаллов методом вытягивания вниз включает средство подачи порошкообразного сырья, шахтную многозонную вакуумную печь с контролируемой атмосферой и средство поддержания соответствующего температурного градиента в ней, установленные соосно в печи приемную подложку для плавления порошкообразного сырья и тигель для приема полученного расплава, затравочный кристалл, установленный на штанге с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения, средство откачки летучих примесей, а также зону отжига и охлаждения монокристалла в печи, расположенную ниже фронта кристаллизации, примыкающего к нижнему торцу тигля. При этом дно тигля перфорировано.
Способ получения монокристаллов определяется устройством и характеризуется тем, что порошкообразное сырье непрерывно вводят сверху из внешнего питателя на специальную тугоплавкую вогнутую или выпуклую (по отношению к тиглю) пластину приема порошкообразного сырья - зона ввода сырья. Пластину приема порошкообразного сырья устанавливают над зоной расплава в тигле с возможностью плавления сырья на ней внешним, например, радиочастотным нагревателем. Далее расплав сырья подают в гравитационном поле Земли внутрь тигля. Осуществляют подачу расплава сырья либо в виде капель, свободно падающих с поверхности вогнутой пластины (форма - «зонтик»), либо в виде тонкой пленки, стекающей в тигель по поверхности специально введенных тугоплавких выпаривателей. При этом верхний конец выпаривателей вводится в контакт с перфорированным выпуклым дном пластины (форма - «тарелка»). В зоне между пластиной приема сырья и тиглем, а также в тигле температура расплава поддерживается выше точки плавления кристаллической формы сырья - зона «выпаривания» летучих примесей. Удаление легколетучих примесей осуществляют путем непрерывной откачки объема вакуумной печи с контролируемой атмосферой, например аргоном.
Основной недостаток известного устройства - низкая производительность, обусловленная совмещением в одном герметичном технологическом пространстве зоны выращивания монокристалла и зоны его отжига и остывания, технологическое время использования которых не совпадает в условиях увеличенных скоростей роста монокристаллов с большим диаметром. При попытке реализации более экономически эффективной скорости вытягивания технологическое время кристаллизации монокристалла становится меньше требующегося времени его отжига и остывания в соответствующей зоне печи; и эта разница растет с увеличением диаметра выращиваемого монокристалла, что, по факту, и приводит к неэффективному использованию оборудования. Так, например, при диаметре монокристалла около 150 мм, скорости роста до 8 мм/ч само время выращивания монокристалла массой около 30 кг не превышает 52 часа, а требующееся дополнительное время на отжиг и остывание составляет примерно то же время.
Задача настоящего изобретения - повышение экономической эффективности технологического процесса выращивания тугоплавких монокристаллов без ущерба их качеству путем выравнивания производительности всех рабочих зон установки. Задача решается разработкой компоновки установки, в которой технологическое время непосредственного выращивания монокристалла не зависит от технологического времени его дальнейшего отжига и остывания без ущерба качеству монокристалла.
Использование настоящего изобретения обеспечивает следующий технический результат - практическое удвоение производительности установки.
Указанная задача решается, а технический результат достигается тем, что в установке для получения монокристаллов методом вытягивания вниз, включающей средство подачи порошкообразного сырья, шахтную многозонную вакуумную печь с контролируемой атмосферой и средство поддержания соответствующего температурного градиентного поля в ней, установленный в печи тигель для приема расплавленного сырья, затравочный кристалл, установленный на штанге с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения, средство откачки летучих примесей, а также зону отжига и охлаждения монокристалла в печи, согласно изобретению установка дополнительно содержит контейнер, контактирующий с зоной отжига и охлаждения монокристалла в печи с возможностью сообщения с ней посредством разъемного двойного вакуумного шлюза, который размещен на его верхнем торце, а нижний торец контейнера выполнен в виде съемной крышки, при этом контейнер оснащен средствами поддержания в нем соответствующего температурного градиентного поля и состава контролируемой атмосферы печи, а разъемный двойной вакуумный шлюз выполнен с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения в нем штанги, а также с возможностью замены контейнера с выращенным монокристаллом на другой взаимозаменяемый контейнер с затравочным кристаллом на штанге.
Кроме того, взаимозаменяемые контейнеры смонтированы в моноблок карусельного типа с центральной вертикальной осью вращения, при этом моноблок установлен с возможностью поочередного сообщения контейнеров с зоной отжига и охлаждения монокристалла в печи.
Наличие взаимной совокупности и взаимосвязи таких элементов и устройств установки, как: средства подачи порошкообразного сырья, шахтной многозонной вакуумной печи с контролируемой атмосферой и средства поддержания соответствующего температурного градиента в ней, установленных соосно в печи приемной подложки для плавления порошкообразного сырья и тигля для приема расплавленного сырья, затравочного кристалла, установленного на штанге с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения, средства откачки летучих примесей, а также зоны отжига и охлаждения монокристалла в печи, расположенной ниже тигля, - реализуют такой известный технический эффект, как принципиальную возможность получения качественных монокристаллов достаточно большого диаметра (более 100 мм).
Введение в конструкцию установки дополнительного контейнера, контактирующего с зоной отжига и охлаждения монокристалла в печи с возможностью сообщения с ней посредством двойного вакуумного шлюза, размещенного на его верхнем торце, оснащение контейнера средствами поддержания соответствующего температурного градиентного поля и состава контролируемой атмосферы печи, оснащение нижнего торца контейнера съемной крышкой с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения в ней и двойном вакуумном шлюзе штанги с затравочным кристаллом, обеспечивает такой технический эффект, как технологическую возможность перевода выращенного монокристалла в дополнительный контейнер с реализацией таких технологических процессов, как отжиг и остывание монокристалла в соответствующих температурных полях контейнера без ущерба его качеству с одновременным освобождением от выращенного монокристалла зоны отжига и остывания монокристалла в печи.
Выполнение двойного вакуумного шлюза разъемным с возможностью замены контейнера с выращенным монокристаллом на другой взаимозаменяемый контейнер с затравочным кристаллом на штанге, а также с возможностью сохранения в нем соответствующих температурных полей печи и состава контролируемой атмосферы, обеспечивает такой технический эффект, как разделение в пространстве и времени двух необходимых технологических процессов - непосредственную кристаллизацию из расплава и отжига монокристалла с его остыванием, которые, ранее, реализовывались в одном технологическом пространстве. Указанный технический эффект и обеспечивает решение поставленной задачи - повышение экономической эффективности технологического процесса выращивания тугоплавких монокристаллов без ущерба их качеству за счет практического удвоения производительности установки.
Выполнение взаимозаменяемых контейнеров в виде единого моноблока карусельного типа с центральной вертикальной осью вращения с возможностью поочередного сообщения контейнеров с зоной отжига и охлаждения монокристалла в печи обеспечивает такой технический эффект, как конструктивное упрощение и снижение теплопотерь в самих средствах поддержания соответствующих температурных полей в дополнительных контейнерах, что особенно эффективно при выращивании монокристаллов одного размера, когда теплоноситель нижних теплообменных секций более горячих дополнительных контейнеров подается последовательно в верхние соответствующие секции более остывших контейнеров. Расчеты показывают, что, в итоге, возможно получение окончания теплового баланса не в виде градирни, а в виде комнатного теплообменника с принудительным воздушным охлаждением, с температурой рабочего тела на выходе не выше примерно 30°С.
На фиг.1 и фиг.2 представлена схема установки и ее отдельных элементов для получения монокристаллов 1 методом вытягивания вниз. Установка включает следующие агрегаты и блоки - средство 2 подачи порошкообразного сырья 3; шахтную многозонную вакуумную печь 4 с контролируемой атмосферой; средство 5 поддержания соответствующего температурного градиента в печи 4; приемную подложку 6, установленную соосно с тиглем 7 с расплавом 8, поступающим в тигель 7, например, в виде капель 8А с приемной подложки 6 - дно тигля 7 перфорировано; затравочный кристалл 9, установленный на штанге 10 с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения; средство откачки летучих примесей (не показано), средство «выпаривания» летучих примесей в зоне 11 печи 4 (не показано), размещенное над тиглем 7; зону 12 отжига и охлаждения монокристалла 1 в печи 4, расположенную ниже фронта кристаллизации, примыкающего к нижнему торцу тигля 7 с перфорированным дном; контейнер 13, контактирующий своим верхним торцом с зоной 12 отжига и охлаждения монокристалла 1 в печи 4; разъемный двойной вакуумный шлюз 14, который сообщает контейнер 13 с зоной 12 отжига и охлаждения монокристалла 1 печи 4; съемную крышку 15 на нижнем торце контейнера 13; средство 16 поддержания в контейнере 13 соответствующего температурного градиентного поля и средство поддержания состава контролируемой атмосферы печи 4 (не показано). При этом разъемный двойной вакуумный шлюз 14 выполнен с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения в нем штанги 10 с затравочным кристаллом 9, а также с возможностью замены контейнера 13 с выращенным монокристаллом 1 на другой взаимозаменяемый контейнер 13А (смотри фиг.2) с затравочным кристаллом 9А на штанге 10А. При этом на фиг.2 приведен вариант исполнения установки для выращивания монокристаллов 1А при условии взаимозаменяемости контейнеров 13А, смонтированных в моноблок 17 карусельного типа с центральным приводным валом 18, с возможностью их поочередного сообщения с зоной 12 отжига и охлаждения монокристалла 1 в печи 4.
Выращивание монокристаллов осуществляется следующим способом. Средствами 5, например, резистивными нагревателями, поддержания соответствующего температурного градиентного поля разогревают многозонную шахтную вакуумную печь 4 с контролируемой атмосферой. При этом приемную подложку 6, выполненную, например, в виде «зонтика» со стороны тигля 7, зону выпаривания примесей 11 печи 4 и сам тигель 7 (за исключением плоскости фронта кристаллизации) разогревают до температуры, большей температуры плавления сырья 3. Во фронте кристаллизации область расплава 8, прилегающую к тиглю 7, разогревают до температуры чуть большей температуры плавления сырья 3, а область расплава 8, прилегающую к кристаллизирующемуся монокристаллу 1, до температуры чуть меньшей температуры плавления сырья 3. Из внешнего средства 2 подачи порошкообразного сырья 3 на разогретую поверхность приемной подложки 6 подают порошкообразное сырье 3, которое, плавясь, скатывается с поверхности приемной подложки 6 в виде капель расплава 8А. Под действием силы тяжести Земли капли расплава 8А, пролетая зону 11 выпаривания летучих примесей, попадают в тигель 7, при этом количество расплава 8 в тигле 7 строго контролируется. Осуществляют затравливание и разращивание монокристалла 1 до требуемого размера по диаметру, подавая вначале вертикально вверх и вращая штангу 10 с затравочным кристаллом 9, а после затравки монокристалла 1 - вниз. Рост монокристалла 1 реализуется удержанием расплава 8 между тиглем 7 и затравочным кристаллом 9 за счет сил смачивания расплавом 8 тигля 7 и сил поверхностного натяжения расплава 8, вытекающего из перфорированного дна тигля 7. После достижения выращиваемым монокристаллом 1 требуемого размера подачу сырья 3 в печь 4 прекращают и производят отрыв фронта кристаллизации монокристалла 1 от дна тигля 7. Двойной вакуумный шлюз 14 открывают и на увеличенной скорости монокристалл 1 на штанге 10 перемещают в контейнер 13, вертикальный температурный градиент и температурное поле в котором предварительно доводят средствами 16 до соответствия температурному полю и температурному градиенту в зоне 12 отжига и остывания монокристалла 1 в печи 4. После чего двойной вакуумный шлюз 14 закрывают. Время, в течение которого двойной вакуумный шлюз 14 остается открытым, должно быть минимально возможным и, например, для монокристалла массой около 30 кг и диаметром 150 мм не должно превышать 6 секунд (расчетная величина) без учета удвоенного времени срабатывания двойного вакуумного шлюза 14.
В контейнере 13 осуществляют процесс остывания монокристалла 1, совмещенный с процессом его отжига, с требуемой скоростью и вертикальным градиентным полем температур, поддерживаемым средствами 16 контейнера 13.
После перекрытия двойного вакуумного шлюза 14 контейнер 13 отделяют от печи 4 по горизонтальной плоскости разъема двойного вакуумного шлюза 14 и, сохраняя печь 4 герметичной, к ее нижнему торцу подстыковывают другой взаимозаменяемый контейнер 13А со штангой 10А и затравочным кристаллом 9А. После чего процесс выращивания нового монокристалла 1А повторяют вновь, при этом предыдущий монокристалл 1 продолжают остужать по требуемой программе, тем самым обеспечивая повышение производительности установки в целом.
При автоматизации процесса выращивания монокристаллов процесс замены контейнеров 13А допустимо осуществлять путем вращения центрального вала 18 моноблока 17 и периодического изъятия ранее выращенных и остуженных монокристаллов 1 из контейнеров 13А через их съемную крышку 15. При этом максимальная экономическая эффективность процесса будет реализовываться в условиях, когда время остывания выращенного монокристалла будет совпадать с временем проворота моноблока на 360°.
Claims (2)
1. Установка для получения монокристаллов методом вытягивания вниз, включающая средство подачи порошкообразного сырья, шахтную многозонную вакуумную печь с контролируемой атмосферой и средство поддержания соответствующего температурного градиентного поля в ней, установленный в печи тигель для приема расплавленного сырья, затравочный кристалл, установленный на штанге с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения, средство откачки летучих примесей, а также зону отжига и охлаждения монокристалла в печи, отличающаяся тем, что установка дополнительно содержит контейнер, контактирующий с зоной отжига и охлаждения монокристалла в печи с возможностью сообщения с ней посредством разъемного двойного вакуумного шлюза, который размещен на его верхнем торце, а нижний торец контейнера выполнен в виде съемной крышки, при этом контейнер оснащен средствами поддержания в нем соответствующего температурного градиентного поля и состава контролируемой атмосферы печи, а разъемный двойной вакуумный шлюз выполнен с возможностью вращения и возвратно-поступательного вертикального перемещения в нем штанги, а также с возможностью замены контейнера с выращенным монокристаллом на другой взаимозаменяемый контейнер с затравочным кристаллом на штанге.
2. Установка для выращивания монокристаллов по п.1, отличающаяся тем, что взаимозаменяемые контейнеры смонтированы в моноблок карусельного типа с центральной вертикальной осью вращения, при этом моноблок установлен с возможностью поочередного сообщения контейнеров с зоной отжига и охлаждения монокристалла в печи.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009141434/05A RU2418109C1 (ru) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Установка для получения монокристаллов |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2009141434/05A RU2418109C1 (ru) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Установка для получения монокристаллов |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2418109C1 true RU2418109C1 (ru) | 2011-05-10 |
Family
ID=44732676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009141434/05A RU2418109C1 (ru) | 2009-11-09 | 2009-11-09 | Установка для получения монокристаллов |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2418109C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110546314A (zh) * | 2018-03-29 | 2019-12-06 | 株式会社水晶系统 | 单晶制造装置和单晶制造方法 |
| US11326270B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-05-10 | Crystal Systems Corporation | Single-crystal production equipment and single-crystal production method |
| CN116136027A (zh) * | 2021-11-16 | 2023-05-19 | 北京滨松光子技术股份有限公司 | 一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10102081A1 (de) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Crystal Growing Systems Gmbh | Kristallziehanlage |
| RU2215070C2 (ru) * | 1998-05-29 | 2003-10-27 | Тойо Коммьюникейшн Эквипмент Ко., Лтд. | Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) |
| RU82707U1 (ru) * | 2008-11-18 | 2009-05-10 | Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | Установка для выращивания кристаллов |
-
2009
- 2009-11-09 RU RU2009141434/05A patent/RU2418109C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2215070C2 (ru) * | 1998-05-29 | 2003-10-27 | Тойо Коммьюникейшн Эквипмент Ко., Лтд. | Устройство для получения монокристалла (варианты), способ получения монокристалла (варианты) и монокристалл (варианты) |
| DE10102081A1 (de) * | 2001-01-18 | 2002-07-25 | Crystal Growing Systems Gmbh | Kristallziehanlage |
| RU82707U1 (ru) * | 2008-11-18 | 2009-05-10 | Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | Установка для выращивания кристаллов |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110546314A (zh) * | 2018-03-29 | 2019-12-06 | 株式会社水晶系统 | 单晶制造装置和单晶制造方法 |
| US11326270B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-05-10 | Crystal Systems Corporation | Single-crystal production equipment and single-crystal production method |
| CN116136027A (zh) * | 2021-11-16 | 2023-05-19 | 北京滨松光子技术股份有限公司 | 一种卤化物闪烁晶体生长装置及生长方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101580963B (zh) | 300mm以上蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 | |
| CN100513652C (zh) | 降埚直拉法生长低位错锗单晶工艺及装置 | |
| CN102628184B (zh) | 真空感应加热生长宝石晶体的方法和实现该方法的设备 | |
| RU2418109C1 (ru) | Установка для получения монокристаллов | |
| CN108411367A (zh) | 流动气氛导模法多片蓝宝石长晶装置及方法 | |
| CN1724722A (zh) | 大尺寸蓝宝石单晶的冷心放肩微量提拉制备法 | |
| CN108301039A (zh) | 一种生长单晶硅的拉制装置和拉制方法 | |
| CN104195640A (zh) | 一种用于蓝宝石单晶生长的热场系统 | |
| TWI417241B (zh) | 高純度多晶矽的製造裝置及製造方法 | |
| CN107858751A (zh) | 一种提高直拉单晶法成晶率的拉晶方法 | |
| CN209702906U (zh) | 一种单晶炉 | |
| CN104131351B (zh) | 一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法 | |
| JP2017039629A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| CN104085893A (zh) | 利用Al-Si合金熔体连铸硅提纯装置及方法 | |
| JPH06128094A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 | |
| CN102154683A (zh) | 金属发热体结构单多晶定向凝固系统 | |
| EP1757716B1 (en) | Method and apparatus for preparing crystal | |
| JP6039513B2 (ja) | 結晶成長装置および結晶成長方法 | |
| CN208517586U (zh) | 顶部籽晶热交换法生长蓝宝石晶体 | |
| CN105696072A (zh) | 蓝宝石长晶炉 | |
| JP5475708B2 (ja) | チタンの製造方法及び製造装置 | |
| JPH05306199A (ja) | 炭化ケイ素単結晶製造装置 | |
| US20190301050A1 (en) | Single-Crystal Production Equipment and Single-Crystal Production Method | |
| CN117328141A (zh) | 用于连续拉制单晶硅棒的工作系统及该系统连续拉制单晶硅棒的方法 | |
| CN105970286B (zh) | 一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20121101 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20131021 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20140404 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20161101 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191110 |