[go: up one dir, main page]

RU2338014C2 - Способ обработки оптических элементов из селенида цинка - Google Patents

Способ обработки оптических элементов из селенида цинка Download PDF

Info

Publication number
RU2338014C2
RU2338014C2 RU2006146434/15A RU2006146434A RU2338014C2 RU 2338014 C2 RU2338014 C2 RU 2338014C2 RU 2006146434/15 A RU2006146434/15 A RU 2006146434/15A RU 2006146434 A RU2006146434 A RU 2006146434A RU 2338014 C2 RU2338014 C2 RU 2338014C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
polishing
zinc selenide
optic elements
carried out
processing
Prior art date
Application number
RU2006146434/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2006146434A (ru
Inventor
Евгений Михайлович Гаврищук (RU)
Евгений Михайлович Гаврищук
Светлана Рафаиловна Кушнир (RU)
Светлана Рафаиловна Кушнир
Беньюмин Александрович Радбиль (RU)
Беньюмин Александрович Радбиль
Олег Владимирович Тимофеев (RU)
Олег Владимирович Тимофеев
Original Assignee
Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН)
Общество с ограниченной ответственностью Научно-внедренческая фирма "ЛЕСМА" (ООО НВФ "ЛЕСМА")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН), Общество с ограниченной ответственностью Научно-внедренческая фирма "ЛЕСМА" (ООО НВФ "ЛЕСМА") filed Critical Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН)
Priority to RU2006146434/15A priority Critical patent/RU2338014C2/ru
Publication of RU2006146434A publication Critical patent/RU2006146434A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2338014C2 publication Critical patent/RU2338014C2/ru

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Paper (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает глубокую шлифовку микропорошками окиси алюминия и глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смол на основе модифицированной живичной канифоли с температурой размягчения 50-80°С, химически активного компонента, в качестве которого используют азотную или хлорную кислоты или их смесь с концентрацией 0,5-5 М и смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ). Полировку ведут при давлении 25-500 г/см2. Способ позволяет получить поверхность селенида цинка, отвечающую 3 классу чистоты поверхности по ГОСТ 11141-84 с отклонением от плоскости не более одного интерференционного кольца с местной ошибкой не более 0,1 интерференционного кольца. Скорость съема материала при упомянутых условиях обработки составляет (4-11)·10-3 г/ч·см2. 2 з.п. ф-лы.

Description

Заявляемое изобретение относится к способам обработки оптических материалов и касается разработки способа обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных CO2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн.
Известен способ обработки оптических материалов из селенида цинка, включающий химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника инертного полимерного материала Politex, и химического активного компонента - полирующего раствора в виде устойчивых, растворимых в воде гипогаллитов щелочных или щелочноземельных металлов, при этом полировку ведут при давлении 100-500 г/см2, с постоянным поддержанием поверхности селенида цинка в смоченном избыточным количеством упомянутого полирующего раствора состоянии, с последующим удалением с отполированной поверхности остатков полирующего раствора током неполирующей среды, например воды (см. патент США №3869323, опубл. 04.03.75).
Недостатком способа является то, что он не обеспечивает возможность получения оптического элемента с высоким качеством геометрии поверхности и высоким качеством ее чистоты, из-за применения в качестве материала полировальника мягкого синтетического материала. Известен способ обработки оптических элементов из селенида цинка, включающий предварительную шлифовку микропорошками окиси алюминия и последующую глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника пекоканифольной полировочной смолы с температурой размягчения (по кольцу и шару) 63°С. В качестве смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ) использовали дистиллированную воду, в которую, на конечной стадии, добавляли небольшие количества окислителя следующего состава: 100 мг перманганата калия, 10 мл серной кислоты и 40 мл воды. Полирование проводили при удельном давлении 25-300 г/см2 (Гаврищук Е.М. и др. // Прикладная физика, 2005, №5, с.107-111).
Способ обеспечивает высококачественную обработку поверхности образца селенида цинка, отвечающую 3 классу чистоты без ухудшения плоскостности.
Недостатком способа является то, что он разработан с использованием в качестве материала полировальника пекоканифольной полировочной смолы, которая не вырабатывается отечественной промышленностью. Предприятия оптической промышленности сами подбирают и готовят составы смол для полирования выпускаемых изделий. Приготовление пекоканифольных смол является сложным технологическим процессом, с одной стороны, а с другой стороны - упомянутые смолы неустойчивы, состав их со временем меняется, что вызывает неудобства при их использовании.
Известен способ обработки оптических элементов из селенида цинка, включающий глубокую шлифовку микропорошками оксида алюминия с последующей глубокой химико-механической полировкой с использованием в качестве материала полировальника смол на основе модифицированной живичной канифоли с температурой размягчения 56-73,5°С и активного химического компонента, в качестве которого использовали 1 М раствор азотной кислоты. Полировку проводили при температуре окружающей среды. Полученная поверхность отвечает 4 классу чистоты по ГОСТ 11141-84 (Гаврищук Е.М. и др. / Неорганические материалы, 2006, том 42, №7, стр.775-780).
Задачей авторов настоящей статьи являлось исследование химико-механической полировки селенида цинка с использованием полировочных смол на основе модифицированной живичной канифоли и изучение влияния температуры размягчения полировальной смолы на скорость съема материала и оптические характеристики поверхности селенида цинка. Давление, при котором проводили полировку селенида цинка, указано конкретно на изделие, при котором проводили исследования.
Упомянутый способ выбран в качестве прототипа.
Недостатком прототипа является недостаточно высокое качество обработки поверхности селенида цинка, что ограничивает область его практического использования.
Задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является разработка способа обработки оптических элементов из селенида цинка, полученного CVD-методом, направленного на повышение качества обработки поверхности селенида цинка за счет повышения ее чистоты в сочетании с заданной геометрией поверхности образца.
Эта задача решается за счет того, что в способе обработки оптических элементов из селенида цинка, включающем глубокую шлифовку и последующую глубокую химико-механическую полировку при температуре окружающей среды с использованием в качестве материала полировальника смол на основе модифицированной живичной канифоли, химически активного компонента и смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ), согласно заявляемому изобретению используют смолу с температурой размягчения 50-80°С, в качестве химически активного компонента используют азотную или хлорную кислоты или их смесь с концентрацией раствора 0,5-5 М и полировку ведут при давлении 25-500 г/см2.
В качестве СОЖ предпочтительно использовать дистиллированную воду, обеспечивающую наиболее высокую чистоту обработки поверхности.
В качестве модификаторов канифоли предпочтительно использовать гликоли, например диэтиленгликоль, глицерин, или диенофилы, например акриловую кислоту, обеспечивающие наиболее высокую чистоту обработки поверхности.
Заявляемый способ позволяет получить поверхность селенида цинка, отвечающую 3 классу чистоты поверхности по ГОСТ 11141-84 с отклонением от плоскости не более одного интерференционного кольца с местной ошибкой не более 0,1 интерференционного кольца. Скорость съема материала составляет (4-11)·10-3 (г/ч·см2).
Опытным путем было установлено, что использование смол с температурой размягчения 50-80°С является оптимальным с точки зрения качества геометрии и чистоты поверхности селенида цинка. Использование смол с температурой размягчения ниже 50°С и выше 80°С не обеспечивает высокого качества геометрии и чистоты поверхности. При температуре размягчения ниже 50°С смола будет слишком мягкая для удержания зерна полирующего микропорошка, а при температуре выше 80°С - слишком жесткая для получения требуемой чистоты поверхности.
Давление в интервале 2,5-500 г/см2, при котором ведут полировку, является оптимальным с точки зрения геометрии и чистоты поверхности селенида цинка, с одной стороны, и скорости съема слоя материала, с другой. Опытным путем было установлено, что проведение полировки при давлении ниже 2,5 г/см2 резко снижает скорость съема слоя материала, а при давлении выше 500 г/см2 качество поверхности ухудшается за счет микроразрушений материала.
В процессе химико-механической обработки использование азотной или хлорной кислот или их смеси с концентрацией 0,5-5 М обеспечивает максимально возможную скорость съема материала, при этом обработанная поверхность соответствует 3 классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84. Все упомянутые признаки являются существенными, т.к. каждый из них необходим, а вместе они достаточны для решения поставленной задачи - разработки способа обработки оптических элементов из селенида цинка, обеспечивающего повышение чистоты в сочетании с заданной геометрией поверхности образца.
Пример 1. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 25 см2 и толщиной 5 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 59°С на основе живичной канифоли, модифицированной диэтиленгликолем. Полирование проводили при давлении 345 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 1 моль/л и дистиллированную воду. Скорость съема слоя материала составляла 8,6·10-3 (г/ч·см2). Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).
Пример 2. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 86 см2 и толщиной 3 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 59°С на основе живичной канифоли, модифицированной диэтиленгликолем. Полирование проводили при давлении 162 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 1 моль/л и дистиллированную воду. Скорость съема слоя материала составляла 1,95·10-3 (г/ч·см2). Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).
Пример 3. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 86 см2 и толщиной 3 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 59°С на основе живичной канифоли, модифицированной диэтиленгликолем. Полирование проводили при давлении 162 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли смесь азотной и хлорной кислот с концентрацией 2 моль/л и дистиллированную воду. Скорость съема слоя материала составляла 2,4·10-3 (г/ч·см2). Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).
Пример 4. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 25 см2 и толщиной 5 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 61°С на основе живичной канифоли, модифицированной акриловой кислотой. Полирование проводили при давлении 450 г/см2 в течение 105 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 5 моль/л и дистиллированную воду. Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).
Пример 5. Обработке подвергали CVD-селенид цинка с площадью поверхности 25 см2 и толщиной 5 мм. Поверхность последовательно шлифовали микропорошками окиси алюминия с размером зерна 20, 10 и 5 мкм соответственно, затем проводили глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полировальника смолы с температурой размягчения 61°С на основе живичной канифоли, модифицированной акриловой кислотой. Полирование проводили при давлении 30 г/см2 в течение 200 минут. В процессе полирования в зону обработки добавляли азотную кислоту с концентрацией 0,5 моль/л и дистиллированную воду. Обработанная поверхность соответствует З классу чистоты согласно ГОСТ 11141-84, с отклонением по плоскости не более одного интерференционного кольца (N≤1), местная ошибка не превышала 0,1 интерференционного кольца (ΔN≤1).

Claims (3)

1. Способ обработки оптических элементов из селенида цинка, включающий глубокую шлифовку и последующую глубокую химико-механическую полировку при температуре окружающей среды, с использованием полировочных смол на основе модифицированной живичной канифоли, химически активного компонента и смазочно-охлаждающей жидкости (СОЖ), отличающийся тем, что используют смолы с температурой размягчения 50-80°С, в качестве химически активного компонента используют азотную или хлорную кислоты или их смесь с концентрацией 0,5-5М, а полировку ведут при давлении 25-500 г/см2.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве модификаторов живичной канифоли используют гликоли или диенофилы.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве СОЖ используют дистиллированную воду.
RU2006146434/15A 2006-12-04 2006-12-04 Способ обработки оптических элементов из селенида цинка RU2338014C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006146434/15A RU2338014C2 (ru) 2006-12-04 2006-12-04 Способ обработки оптических элементов из селенида цинка

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006146434/15A RU2338014C2 (ru) 2006-12-04 2006-12-04 Способ обработки оптических элементов из селенида цинка

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006146434A RU2006146434A (ru) 2008-07-20
RU2338014C2 true RU2338014C2 (ru) 2008-11-10

Family

ID=40230519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006146434/15A RU2338014C2 (ru) 2006-12-04 2006-12-04 Способ обработки оптических элементов из селенида цинка

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2338014C2 (ru)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3869323A (en) * 1973-12-28 1975-03-04 Ibm Method of polishing zinc selenide

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3869323A (en) * 1973-12-28 1975-03-04 Ibm Method of polishing zinc selenide

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ГАВРИЩУК Е.М. и др. Полирование ZnSe с использованием смол на основе канифоли. «Неорганические материалы», т.42, №7, 2006, с.775-780. ГАВРИЩУК Е.М. и др. Влияние условий полирования на качество обработки оптических поверхностей элементов из селенида цинка для изделий, работающих в ИК-диапазоне. «Прикладная физика», №5, 2005, с.107-111. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU2006146434A (ru) 2008-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3019076B1 (fr) Feutre de polissage mecano-chimique avec couche de polissage et fenetre
EP3800229B1 (en) Polishing composition
JP7298915B2 (ja) 単結晶炭化ケイ素基板の製造方法
CN110431210B (zh) 研磨用组合物
JP2011516392A (ja) ガラスの製造及び製品への処理のための保護コーティング
TWI452123B (zh) 具增進效能之化學機械拋光(cmp)拋光溶液
CN114290132A (zh) 碳化硅晶片的表面处理方法
US8008203B2 (en) Substrate, method of polishing the same, and polishing apparatus
RU2338014C2 (ru) Способ обработки оптических элементов из селенида цинка
CN107384218A (zh) 一种碲锌镉材料的抛光液及抛光方法
WO2020084931A1 (ja) レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法およびレーザマーク付きシリコンウェーハ
US11628534B2 (en) Silicon wafer single-side polishing method
CN115070512B (zh) 一种锗晶片的双抛工艺、装置及锗晶片
EP3515870A1 (fr) Procédé pour améliorer la tenue au flux laser d'un composant optique
CN109590820B (zh) 超硬激光晶体表面粗糙度的加工方法
KR102347861B1 (ko) 유리 코팅된 cbn 연마제 및 이들의 제조 방법
McKay et al. Chemical mechanical polishing and direct bonding of YAG
TW201634854A (zh) 預填充氟化烴化合物的氣體填充容器
FR2551431A1 (fr) Procede de polissage de la surface d'articles en verre
CN105455329A (zh) 碳硅石圆钻
US10392261B2 (en) Quality multi-spectral zinc sulfide
KR20180085520A (ko) 티타늄 및 티타늄합금 제품용 광택 화학연마제 조성물
US9150458B2 (en) Method of increasing the hardness of wurtzite crystalline materials
ES2041587B1 (es) Procedimiento de pulido de vidrios opticos mediante tratamiento termico superficial con laser.
EP1066926B1 (fr) Procédé de polissage d'au moins une surface d'une pièce à base de silicium

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201205