RU2311653C1 - Method for dividing analog integration chips on basis of reliability - Google Patents
Method for dividing analog integration chips on basis of reliability Download PDFInfo
- Publication number
- RU2311653C1 RU2311653C1 RU2006107247/28A RU2006107247A RU2311653C1 RU 2311653 C1 RU2311653 C1 RU 2311653C1 RU 2006107247/28 A RU2006107247/28 A RU 2006107247/28A RU 2006107247 A RU2006107247 A RU 2006107247A RU 2311653 C1 RU2311653 C1 RU 2311653C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reliability
- voltage
- noise
- coefficient
- basis
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам определения потенциально ненадежных аналоговых интегральных схем (ИС) в процессе производства, а также при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры.The invention relates to microelectronics, and in particular to methods for determining potentially unreliable analog integrated circuits (ICs) during the manufacturing process, as well as in the manufacture of electronic equipment.
Известен способ [1], применимый для контроля ИС и включающий в себя циклическое воздействие высоких и низких температур, а также расчет информативного параметра (площади петли гистерезиса), получаемого на основе критических напряжений.The known method [1], applicable for monitoring IP and including the cyclical effect of high and low temperatures, as well as the calculation of the informative parameter (area of the hysteresis loop), obtained on the basis of critical stresses.
Недостатки данного способа: большая трудоемкость, применение более одного информативного параметра, сложность автоматизации процесса.The disadvantages of this method: high complexity, the use of more than one informative parameter, the complexity of the automation process.
Наиболее близким аналогом является способ [2], состоящий в том, что проводят измерение интенсивности шума до и после пропускания импульса тока, в 1,5-5 раз превышающего по амплитуде предельно допустимое значение по техническим условиям (ТУ), после чего по отношению двух измерений судят о потенциальной надежности приборов.The closest analogue is the method [2], which consists in the fact that they measure the noise intensity before and after passing a current pulse that is 1.5-5 times higher in amplitude than the maximum permissible value according to technical specifications (TU), and then in relation to two measurements judge the potential reliability of the instruments.
Недостатком способа является подача импульса, в 1,5-5 раз превышающего по амплитуде допустимое по ТУ значение на прибор, что может вызвать необратимые процессы в структуре приборов, которые могут привести к недостаточной достоверности результатов и к катастрофическим отказам приборов в эксплуатации.The disadvantage of this method is the supply of a pulse that is 1.5-5 times higher in amplitude than the permissible TU value for the device, which can cause irreversible processes in the structure of the devices, which can lead to insufficient reliability of the results and to catastrophic device failures in operation.
Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей.The invention is aimed at improving the reliability and expansion of functionality.
Это достигается тем, что в предлагаемом способе разделения аналоговых интегральных схем по надежности у схем дважды измеряют интенсивность шума при минимальном и максимальном значении напряжения питания по техническим условиям (ТУ).This is achieved by the fact that in the proposed method for separating analog integrated circuits by reliability, the noise intensity is measured twice in the circuits at the minimum and maximum value of the supply voltage according to the technical specifications (TU).
Способ осуществляется следующим образом.The method is as follows.
На представительной выборке аналоговых ИС одного типа проводили измерение среднеквадратичного напряжения шума по выводам "питание - общая точка" при минимальном и максимальном напряжении питания согласно техническим условиям без пропускания импульса тока. После чего находили коэффициент, характеризующий надежность аналоговых ИС:On a representative sample of analog ICs of the same type, the rms noise voltage was measured from the “power-to-common point” terminals at the minimum and maximum supply voltage according to specifications without passing a current pulse. Then they found a coefficient characterizing the reliability of analog ICs:
где , - значение шума при максимальном и минимальном напряжении питания соответственно.Where , - the noise value at the maximum and minimum voltage, respectively.
Более высокую надежность будут иметь те ИС, которые имеют минимальное значение этого коэффициента.Higher reliability will have those ICs that have a minimum value of this coefficient.
Измерение шума при напряжениях питания согласно ТУ без подачи импульса тока не вызывает необратимые процессы в структуре приборов и позволяет повысить степень достоверности.Noise measurement at supply voltages according to TU without applying a current pulse does not cause irreversible processes in the structure of devices and allows to increase the degree of reliability.
Пример осуществления способа.An example implementation of the method.
Методом случайной выборки было отобрано 12 интегральных схем типа ОРА735 (операционный усилитель, выполненный по технологии КМОП с диапазоном значений напряжения питания по ТУ от 2,7 до 12 В) в 8-выводном корпусе DIP. Среднеквадратичное напряжение шума измерялось методом прямого измерения [3] по выводам "питание-общая точка" на частоте 1 кГц. Ширина полосы измерения частот Δf=200 Гц, время усреднения τ=2 с. Схема включения ИС-повторитель (инвертирующий вход соединен с выходом) с заземленным неинвертирующим входом.By random sampling, 12 integrated circuits of the OPA735 type were selected (an operational amplifier made using CMOS technology with a range of supply voltage values from TU from 2.7 to 12 V) in an 8-pin DIP package. RMS noise voltage was measured by the direct measurement method [3] according to the conclusions "power-common point" at a frequency of 1 kHz. The frequency measurement bandwidth is Δf = 200 Hz, the averaging time is τ = 2 s. Switching circuit IC repeater (inverting input connected to the output) with a grounded non-inverting input.
Результаты измерений 12 ИС при напряжениях питания, равных 2,7 и 12 В, т.е. минимальном и максимальном значениях по ТУ, представлены в таблице, где также даны величины относительного изменения К, вычисленного по выражению (1).The measurement results of 12 ICs at power supply voltages of 2.7 and 12 V, i.e. the minimum and maximum values for TU are presented in the table, where the values of the relative change in K, calculated by the expression (1), are also given.
Если выбрать критерий, что для надежных схем К<1,4, то схемы 3, 6, 10 будут потенциально ненадежными.If we select the criterion that for reliable circuits K <1.4, then circuits 3, 6, 10 will be potentially unreliable.
Можно разделить партию по надежности на три группы: ИС, имеющие более повышенную надежность со значением К≤1,2 (схемы №7, 12); ИС с надежностью, соответствующей техническим условиям, имеющие значения 1,2<К<1,4 (схемы №1, 2, 4, 5, 8, 9, 11) и ИС потенциально ненадежные, имеющие значение К≥1,4 (схемы №3, 6, 10).It is possible to divide a batch according to reliability into three groups: IS having a higher reliability with a value of K≤1,2 (schemes No. 7, 12); ICs with reliability corresponding to technical conditions, having values 1.2 <K <1.4 (circuits No. 1, 2, 4, 5, 8, 9, 11) and ICs that are potentially unreliable having a value of K≥1.4 (circuits No. 3, 6, 10).
Экспериментальное подтверждение разделения партии ИС на надежные и потенциально ненадежные было получено в результате испытаний на безотказность (500 ч, повышенная температура, максимально допустимая нагрузка), когда ИС №3, 6, 10 имели параметрический отказ.Experimental confirmation of the separation of the batch of ICs into reliable and potentially unreliable was obtained as a result of reliability tests (500 h, elevated temperature, maximum permissible load), when IS No. 3, 6, 10 had a parametric failure.
Источники информацииInformation sources
1. Пат. России №2018148, G01R 31/28, опубл. 1994.1. Pat. Russia №2018148, G01R 31/28, publ. 1994.
2. Авторское свидетельство СССР №490047, G01R 31/28, 1976.2. USSR Copyright Certificate No. 490047, G01R 31/28, 1976.
3. Ван дер Зил А. Шум - источники, описание, измерение: Пер. с англ. / Под ред. А.К.Нарышкина. М.: Советское радио, 1973. 178 с.3. Van der Zil A. Noise - sources, description, measurement: Trans. from English / Ed. A.K. Naryshkina. M.: Soviet Radio, 1973. 178 p.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006107247/28A RU2311653C1 (en) | 2006-03-09 | 2006-03-09 | Method for dividing analog integration chips on basis of reliability |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006107247/28A RU2311653C1 (en) | 2006-03-09 | 2006-03-09 | Method for dividing analog integration chips on basis of reliability |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2311653C1 true RU2311653C1 (en) | 2007-11-27 |
Family
ID=38960374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006107247/28A RU2311653C1 (en) | 2006-03-09 | 2006-03-09 | Method for dividing analog integration chips on basis of reliability |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2311653C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2492494C2 (en) * | 2010-07-20 | 2013-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method for comparative evaluation of reliability of batches of integrated circuits |
| RU2529675C2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-09-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method of sorting integrated circuits according to reliability |
| RU2538032C2 (en) * | 2010-07-20 | 2015-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1420558A1 (en) * | 1986-10-31 | 1988-08-30 | Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны | Method of rejecting potentially unstable digital integrated microcircuits |
| US6184048B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability |
| RU2230335C1 (en) * | 2002-10-21 | 2004-06-10 | Воронежский государственный технический университет | Procedure establishing potentially unreliable semiconductor devices |
| RU2234104C1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-10 | Воронежский государственный технический университет | Method for determination of potentially unstable semiconductor devices |
-
2006
- 2006-03-09 RU RU2006107247/28A patent/RU2311653C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1420558A1 (en) * | 1986-10-31 | 1988-08-30 | Минское Высшее Инженерное Зенитное Ракетное Училище Противовоздушной Обороны | Method of rejecting potentially unstable digital integrated microcircuits |
| US6184048B1 (en) * | 1999-11-03 | 2001-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Testing method and apparatus assuring semiconductor device quality and reliability |
| RU2230335C1 (en) * | 2002-10-21 | 2004-06-10 | Воронежский государственный технический университет | Procedure establishing potentially unreliable semiconductor devices |
| RU2234104C1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-08-10 | Воронежский государственный технический университет | Method for determination of potentially unstable semiconductor devices |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2492494C2 (en) * | 2010-07-20 | 2013-09-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method for comparative evaluation of reliability of batches of integrated circuits |
| RU2538032C2 (en) * | 2010-07-20 | 2015-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles |
| RU2529675C2 (en) * | 2012-03-20 | 2014-09-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Method of sorting integrated circuits according to reliability |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106199366B (en) | A kind of method of power MOS (Metal Oxide Semiconductor) device temperature measurement on-line | |
| CN107167719B (en) | An ultra-fast bias temperature instability test system and method applied to semiconductor devices | |
| TWI264074B (en) | Measuring method, inspection method, inspection device, semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and method of manufacturing an element substrate | |
| EP2562932B1 (en) | Integrated circuit | |
| JP2007502402A (en) | Tester and test board calibration with golden samples | |
| US7518377B2 (en) | Measurement apparatus, test apparatus, and measurement method | |
| CN110346703B (en) | Method for eliminating parasitic capacitance influence in ultra-fast semiconductor component test | |
| KR100555544B1 (en) | A device that generates a test stimulus signal with a current source independent of the internal impedance change of the device under test. | |
| RU2311653C1 (en) | Method for dividing analog integration chips on basis of reliability | |
| RU2386975C1 (en) | Method for comparative assessment of reliability of intergral circuits batches | |
| CN109709152B (en) | Insulation film measuring system for fA-pA magnitude weak current | |
| RU2324194C1 (en) | Method of integrated circuit division upon reliability criterion | |
| RU2258234C1 (en) | Method of reliability separation of semiconductor devices | |
| Devarakond et al. | Concurrent device/specification cause–effect monitoring for yield diagnosis using alternate diagnostic signatures | |
| CN106199285B (en) | Capacitance characteristic measuring equipment and method under any alternating current carrier | |
| RU2538032C2 (en) | Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles | |
| RU2492494C2 (en) | Method for comparative evaluation of reliability of batches of integrated circuits | |
| RU2490655C2 (en) | Method for comparative assessment of semiconductor reliability | |
| US20110187587A1 (en) | Receiver test circuits, systems and methods | |
| RU2702962C1 (en) | Method for comparative evaluation of batches of semiconductor articles by reliability | |
| RU2292052C1 (en) | Mode of separation of semiconductor products according to their reliability | |
| JP2009115745A (en) | Current detection circuit and inspecting method of current detection circuit | |
| Wati et al. | Noise characterization of MOSFET current mirror circuit on high impedance application using DAQ card PCI-6221 | |
| US20140097858A1 (en) | Ring oscillator testing with power sensing resistor | |
| RU2529675C2 (en) | Method of sorting integrated circuits according to reliability |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20080310 |