RU2375480C1 - Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации - Google Patents
Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2375480C1 RU2375480C1 RU2008125865/02A RU2008125865A RU2375480C1 RU 2375480 C1 RU2375480 C1 RU 2375480C1 RU 2008125865/02 A RU2008125865/02 A RU 2008125865/02A RU 2008125865 A RU2008125865 A RU 2008125865A RU 2375480 C1 RU2375480 C1 RU 2375480C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tungsten
- zone
- trioxide
- temperature
- tungsten trioxide
- Prior art date
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z decaazanium;dioxido(dioxo)tungsten;hydron;trioxotungsten Chemical compound [H+].[H+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 6
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 4
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- ZGSDJMADBJCNPN-UHFFFAOYSA-N [S-][NH3+] Chemical compound [S-][NH3+] ZGSDJMADBJCNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011197 physicochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к получению высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней. Способ включает очистку раствора паравольфрамата аммония от примесей сульфидом аммония и последующую очистку раствора ионным обменом на анионите АМ-п. Затем ведут термическое разложение паравольфрамата аммония при температуре 600-800°С до получения трехокиси вольфрама и очистку трехокиси вольфрама зонной сублимациией при температуре 900-950°С в постоянном потоке кислорода. После сублимации ведут гетерогенное восстановление водородом при температуре 700-750°С трехокиси вольфрама до образования порошка вольфрама и прессование порошка вольфрама до получения прутка. Затем ведут электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка до получения кристаллов высокочистого вольфрама и электронную вакуумную плавку в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка с каждой стороны на всю глубину не менее двух раз. Предлагается также устройство для зонной сублимации трехокиси вольфрама. Техническим результатом является резкое повышение чистоты вольфрама, предназначенного для тонкопленочной металлизации магнетронным распылением мишеней. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к области металлургии цветных металлов и может быть использовано при производстве распыляемых магнетронных мишеней в технологии кремниевых интегральных схем в микроэлектронике.
Известен способ ионно-обменной очистки с получением высокочистого вольфрама, в соответствии с которым производят очистку раствора вольфрамата аммония от двух- и трехвалентных металлов-примесей, а также от молибдена. Из уровня техники также известен (Зеликман А.Н., Никитина Л.С. Вольфрам. М.: Металлургия, 1978, с.196-201) способ получения высокочистого вольфрама, включающий вакуумное рафинирование металлического вольфрама первым переплавом электронно-лучевой плавкой и вторым переплавом электродуговой вакуумной плавкой с затвердеванием расплавов в кристаллизаторах с получением слитков.
Недостатком известных способов является то, что применяемые для этой цели известные физико-химические методы либо весьма трудоемки, либо малоэффективны, в силу чего содержание, например, молибдена в сырье квалификации ОСЧ обычно находится на уровне не менее 5·10-3 %. При исследовании избирательных свойств ионно-обменных материалов различной природы по отношению к примесям, отрицательно влияющим на физические свойства вольфрама, при сорбции их из раствора вольфрамата аммония установлено, что наибольшую селективность к ионам двух- и трехвалентных металлов (Fe, Pb, Co, Ni, Сu и др.) проявляют аминокарбоксильные амфолиты. Исследование сорбции вольфрама из растворов вольфрамата аммония показало их повышенную селективность к молибдену. Получение вольфрама с помощью многократных вакуумных переплавов не позволяет избавиться от таких примесей, как углерод, молибден, тантал и др., содержание которых может значительно превышать допустимые пределы. Кроме того, не вызывает сомнения и тот факт, что высокочистый вольфрам невозможно получить, используя только один, возможно весьма мощный, способ очистки, самым разумным представляется применение комплекса химико-металлургических методов.
Техническая задача - повышение чистоты вольфрама для распыляемых мишеней, используемых для тонкопленочной металлизации, поскольку чистота вольфрама в значительной мере определяет электрофизические параметры наносимых тонких слоев.
Это достигается тем, что используется способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней, который включает очистку паравольфрамата аммония в виде раствора от примесей сульфидом аммония для перевода примеси молибдена в тиокомплекс [MoS4 2-] и осаждения примесей, последующую очистку раствора ионным обменом на анионите АМ-n, термическое разложение паравольфрамата аммония при температуре 600-800°С до получения трехокиси вольфрама, очистку трехокиси вольфрама зонной сублимацией при температуре 900-950°С в постоянном потоке кислорода, при этом высшую летучую трехокись вольфрама собирают в дальней части реактора, а нелетучие низшие окислы примесей собирают в начальной части реактора, гетерогенное восстановление водородом трехокиси вольфрама при температуре 700-750°С до образования порошка вольфрама, прессование порошка вольфрама до получения прутка, электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка до получения кристаллов высокочистого вольфрама и электронную вакуумную плавку в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка с каждой стороны на всю глубину не менее двух раз.
Это достигается тем, что используется устройство для зонной сублимационной очистки трехокиси вольфрама для получения из него высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней, включающее реактор, перемещаемый зонный нагреватель, систему подачи кислорода, перемещаемую зону шириной 50 мм вдоль засыпки из трехокиси вольфрама длиной 500 мм при соотношении длины засыпки и ширины зоны 10:1 и скорости перемещения зоны 20 мм/ч.
На фиг.1 и фиг.2 представлена схема лабораторного устройства для зонной сублимации трехокиси вольфрама в начале и конце процесса зонной сублимационной очистки, соответственно: 1 - кварцевый реактор; 2 - зонный нагреватель; 3 - трехокись вольфрама.
Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней осуществляется следующим образом. Раствор паравольфрамата аммония очищают от различных примесей, в том числе от молибдена, в одну стадию, но проводят предварительную обработку раствора паравольфрамата аммония сульфидом аммония для перевода примеси молибдена в тиокомплекс [MoS4 2-] и осаждения примесей, содержащихся в растворе в виде нерастворимых сульфидов (Fe, Pb, Co, Ni, Сu и др.). Очистку проводят на анионите АМ-n. Затем паравольфрамат аммония подвергают термическому разложению при температуре 600-800°С до получения трехокиси вольфрама, трехокись вольфрама 3 подвергают зонной сублимации в реакторе 1 при температуре 900-950°С, скорости перемещения нагревателя 2 20 мм/ч и десяти проходах зоны, в результате чего трехокись вольфрама 3, подвергаемая зонной очистке, перемещается из ближней по ходу движения нагревателя части реактора 1 в дальнюю его часть, причем в процессе зонной сублимации происходит очистка от летучих оксидов примесей, производят гетерогенное восстановление трехокиси вольфрама водородом при температуре 700-750°С до получения мелкодисперсного порошка металлического вольфрама, который прессуют в пруток и подвергают электронной вакуумной зонной перекристаллизации до получения кристаллов вольфрама. Необходимое по массе число кристаллов вольфрама переплавляют в охлаждаемом плоском кристаллизаторе в вакууме с помощью аксиального электронного луча, причем плоский слиток с каждой стороны проплавляют на всю глубину не менее двух раз.
Пример реализации способа.
В качестве исходных материалов использовали паравольфрамат аммония, который подвергали очистке от молибдена и других примесей в одну стадию, однако проводили предварительную обработку раствора паравольфрамата аммония сульфидом аммония для перевода примеси молибдена в тиокомплекс [MoS4 2-] и осаждения примесей, содержащихся в растворе в виде нерастворимых сульфидов (Fe, Pb, Со, Ni, Сu и др.). Очистку проводили на анионите АМ-n. Далее паравольфрамат аммония подвергали термическому разложению при температуре 600-800°С и получали трехокись вольфрама, которую подвергали зонной сублимации на установке с кварцевым реактором и зонным нагревателем, в результате чего получали очищенную трехокись вольфрама. Скорость потока кислорода 50-60 мл/мин, скорость перемещения зоны 20 мм/ч, температура 900-950°С. Затем трехокись вольфрама подвергали гетерогенному восстановлению водородом при температуре 700-750°С в течение 3-5 часов при загрузке 0,5-1 кг. В результате получали мелкодисперсный порошок металлического вольфрама, который прессовали в пруток для электронно-лучевой зонной плавки. Вакуумную зонную плавку проводили по технологии в установке ЭЛЗП с предварительным вакуумным отжигом в этой же установке. По данным масс-спектрального анализа содержание примесей в монокристаллах вольфрама было следующим (ррm): Сu 0,08; Al<0,1; Mg<0,3; Mn<0,3; Pb<0,06; Fe<0,1; Ni<0,06; Co<0,3; Si<0,3; Nb 0,1; V 0,3; Mo<1,0. Отношение сопротивлений для монокристаллов вольфрама составляло R300K/R4.2K=70000, лучшие образцы имели величину 100000. Из результатов анализа и величины остаточного электросопротивления видно, что комплекс химических и вакуумно-металлургических методов позволяет получать вольфрам высокой чистоты. Насколько нам известно, пока в литературе нет сообщений относительно образцов вольфрама такой высокой чистоты и с таким высоким показателем остаточного электросопротивления.
Claims (2)
1. Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней, который включает очистку паравольфрамата аммония в виде раствора от примесей сульфидом аммония для перевода примеси молибдена в тиокомплекс [MoS4 2-] и осаждения примесей, последующую очистку раствора ионным обменом на анионите АМ-п, термическое разложение паравольфрамата аммония при температуре 600-800°С до получения трехокиси вольфрама, очистку трехокиси вольфрама зонной сублимациией при температуре 900-950°С в постоянном потоке кислорода, при этом высшую летучую трехокись вольфрама собирают в дальней части реактора, а нелетучие низшие окислы примесей собирают в начальной части реактора, гетерогенное восстановление водородом при температуре 700-750°С трехокиси вольфрама до образования порошка вольфрама, прессование порошка вольфрама до получения прутка, электронную вакуумную зонную перекристаллизацию прутка до получения кристаллов высокочистого вольфрама и электронную вакуумную плавку в плоском кристаллизаторе с проплавлением плоского слитка с каждый стороны на всю глубину не менее двух раз.
2. Устройство для зонной сублимационной очистки трехокиси вольфрама для получения из него высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней, включающее реактор, перемещаемый зонный нагреватель, систему подачи кислорода, перемещаемую зону шириной 50 мм вдоль засыпки из трехокиси вольфрама длиной 500 мм при соотношении длины засыпки и ширины зоны 10:1 и скорости перемещения зоны 20 мм/ч.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008125865/02A RU2375480C1 (ru) | 2008-06-26 | 2008-06-26 | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008125865/02A RU2375480C1 (ru) | 2008-06-26 | 2008-06-26 | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2375480C1 true RU2375480C1 (ru) | 2009-12-10 |
Family
ID=41489594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008125865/02A RU2375480C1 (ru) | 2008-06-26 | 2008-06-26 | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2375480C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2434960C1 (ru) * | 2010-09-10 | 2011-11-27 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2178059A (en) * | 1985-06-03 | 1987-02-04 | Mitsubishi Metal Corp | Process for preparing an ingot from metal scrap |
| US5224534A (en) * | 1990-09-21 | 1993-07-06 | Nippon Mining And Metals Company, Limited | Method of producing refractory metal or alloy materials |
| US5722034A (en) * | 1994-12-09 | 1998-02-24 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing high purity refractory metal or alloy |
| WO2002052051A3 (en) * | 2000-12-27 | 2002-09-12 | Rmi Titanium Co | Methods of melting titanium and other metals and alloys by plasma arc or electron beam |
| RU2263721C2 (ru) * | 2003-12-25 | 2005-11-10 | ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение (ВСМПО) | Способ получения слитков |
-
2008
- 2008-06-26 RU RU2008125865/02A patent/RU2375480C1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2178059A (en) * | 1985-06-03 | 1987-02-04 | Mitsubishi Metal Corp | Process for preparing an ingot from metal scrap |
| US5224534A (en) * | 1990-09-21 | 1993-07-06 | Nippon Mining And Metals Company, Limited | Method of producing refractory metal or alloy materials |
| US5722034A (en) * | 1994-12-09 | 1998-02-24 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing high purity refractory metal or alloy |
| WO2002052051A3 (en) * | 2000-12-27 | 2002-09-12 | Rmi Titanium Co | Methods of melting titanium and other metals and alloys by plasma arc or electron beam |
| RU2263721C2 (ru) * | 2003-12-25 | 2005-11-10 | ОАО Верхнесалдинское металлургическое производственное объединение (ВСМПО) | Способ получения слитков |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ЗЕЛИКМАН А.Н., НИКИТИНА Л.С. Вольфрам. - М.: Металлургия, 1978, с.196-201. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2434960C1 (ru) * | 2010-09-10 | 2011-11-27 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002516918A (ja) | タンタルスパッタリングターゲット及び製造方法 | |
| US6007597A (en) | Electron-beam melt refining of ferroniobium | |
| Hu et al. | Synthesis of Fe-based bulk metallic glasses with low purity materials by multi-metalloids addition | |
| JP3825984B2 (ja) | 高純度マンガンの製造方法 | |
| RU2375480C1 (ru) | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней и устройство для его реализации | |
| CN1818109A (zh) | 一种具备高强度和高导电性能的铜合金材料及其制备工艺 | |
| RU2434959C1 (ru) | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней | |
| KR101678334B1 (ko) | 고순도 망간의 제조 방법 | |
| CN108220664A (zh) | 一种高强度铜丝的制备工艺 | |
| CN103740954A (zh) | 一种含In99.999%等级铟的生产方法 | |
| Zhou et al. | Remarkable effect of Ce base element purity upon glass forming ability in Ce–Ga–Cu bulk metallic glasses | |
| JPWO2015060018A1 (ja) | 高純度マンガンの製造方法及び高純度マンガン | |
| RU2375479C1 (ru) | Способ получения высокочистого молибдена для распыляемых мишеней и устройство для его реализации | |
| EP2480497A1 (en) | Method for producing high purity silicon | |
| CN104831079B (zh) | 偏析法精铝提纯中有效去除钒的方法 | |
| CN110499480A (zh) | 一种Cu-M-O非晶合金及其制备方法 | |
| Uchikoshi et al. | Mass production of high-purity iron using anion-exchange separation and plasma arc melting | |
| RU2434960C1 (ru) | Способ получения высокочистого вольфрама для распыляемых мишеней | |
| RU2434955C1 (ru) | Способ получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней | |
| CN103114213A (zh) | 蓝宝石生长炉用高纯钼制备方法 | |
| JP2710049B2 (ja) | 高純度モリブデン酸アンモニウム結晶の製造方法 | |
| Morvan et al. | Preparation of photovoltaic silicon by purification of metallurgical grade silicon with a reactive plasma process | |
| CA2068437A1 (en) | Copper oxide whiskers and process for producing the same | |
| RU2446219C1 (ru) | Способ получения высокочистого никеля для распыляемых мишеней | |
| Yi et al. | Fabrication of Fe-based bulk amorphous alloys using hot metal and commercial ferro-alloys |