RU2370757C2 - Device for analysing perfection of structure of monocrystalline layers - Google Patents
Device for analysing perfection of structure of monocrystalline layers Download PDFInfo
- Publication number
- RU2370757C2 RU2370757C2 RU2007117455/28A RU2007117455A RU2370757C2 RU 2370757 C2 RU2370757 C2 RU 2370757C2 RU 2007117455/28 A RU2007117455/28 A RU 2007117455/28A RU 2007117455 A RU2007117455 A RU 2007117455A RU 2370757 C2 RU2370757 C2 RU 2370757C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystal
- ray
- detector
- analyzer
- analysed
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 77
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 238000011160 research Methods 0.000 claims description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к аппаратуре для анализа структуры поверхности, приповерхностных слоев и границ раздела кристаллов методом, основанным на энергодисперсионных измерениях вторичной эмиссии (фото- и оже-электронов, рентгеновского флуоресцентного излучения), возбуждаемой в кристалле стоячей рентгеновской волной, получившим название метода стоячих рентгеновских волн.The invention relates to apparatus for analyzing the surface structure, surface layers and interface between crystals by a method based on energy dispersive measurements of secondary emission (photo and Auger electrons, X-ray fluorescence radiation) excited in a crystal by a standing X-ray wave, called the standing X-ray wave method.
Например, в случае фотоэлектронной эмиссии регистрация угловых зависимостей выхода фотоэлектронов с различными потерями энергии в условиях динамической дифракции рентгеновских лучей позволит получить информацию о структуре слоев, находящихся на различной глубине (определить полный профиль распределения деформации по глубине нарушенного слоя), а при выделении линии нулевых потерь электронов - данные о структуре поверхности кристалла [1].For example, in the case of photoelectron emission, recording the angular dependences of the yield of photoelectrons with various energy losses under conditions of dynamic x-ray diffraction will provide information on the structure of layers located at different depths (to determine the full profile of the strain distribution over the depth of the damaged layer), and when the line of zero losses is highlighted of electrons - data on the structure of the crystal surface [1].
Известно несколько устройств для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев методом стоячих рентгеновских волн.Several devices are known for studying the perfection of the structure of single-crystal layers by the method of standing x-ray waves.
Одним из них является устройство [2], содержащее источник излучения, кристалл-монохроматор, детектор рентгеновского излучения, детектор вторичной эмиссии, выполненный в виде газонаполненной камеры со стенками, прозрачными для рентгеновского излучения, снабженной электродами, причем внутри указанной камеры установлен держатель исследуемого образца, который представляет собой один из электродов камеры.One of them is a device [2] containing a radiation source, a monochromator crystal, an X-ray detector, a secondary emission detector made in the form of a gas-filled chamber with walls transparent to X-ray radiation equipped with electrodes, and the holder of the sample under study is installed inside the chamber which is one of the electrodes of the camera.
В этом устройстве существует возможность измерения в условиях дифракции рентгеновских лучей, интенсивности выхода вторичной эмиссии (электронов, флуоресценции) как функции энергии эмитируемых частиц и угла поворота кристалла, а также угловой зависимости интенсивности рентгеновского отражения от указанного кристалла.In this device, it is possible to measure under X-ray diffraction conditions, the secondary emission yield (electrons, fluorescence) as a function of the energy of the emitted particles and the angle of rotation of the crystal, as well as the angular dependence of the intensity of the X-ray reflection on the specified crystal.
Одним из недостатков данного устройства является низкое энергетическое разрешение (15-20%) детектора вторичной эмиссии, что ограничивает его использование для послойного анализа нарушений структуры монокристаллических слоев с высоким разрешением. В таких случаях необходимо использовать для энергоанализа электронов электростатические энергетические анализаторы, а для детектирования рентгеновского флуоресцентного излучения полупроводниковые детекторы на основе Si-Li. Вторым недостатком является отсутствие вакуумных условий в камере образца, необходимых для исследования поверхности кристалла.One of the disadvantages of this device is the low energy resolution (15-20%) of the secondary emission detector, which limits its use for layer-by-layer analysis of structural disturbances in single-crystal layers with high resolution. In such cases, it is necessary to use electrostatic energy analyzers for electron energy analysis, and Si-Li based semiconductor detectors to detect X-ray fluorescence radiation. The second disadvantage is the lack of vacuum conditions in the sample chamber necessary for studying the crystal surface.
Так, в близком к предлагаемому техническому решению двухкристальном вакуумном дифактометре [3], предназначенном для исследования в условиях высокого вакуума электронной эмиссии, сопровождающей динамическую дифракцию рентгеновского излучения, энергоанализ электронов осуществляется с помощью 127°-го цилиндрического дефлектора с энергетическим разрешением 1.5% для кинетической энергии электронов, превышающей I кэВ.So, in a two-crystal vacuum diffractometer [3] close to the proposed technical solution, designed to study electron emission under high vacuum conditions accompanying dynamic x-ray diffraction, electron energy analysis is carried out using a 127 ° cylindrical deflector with an energy resolution of 1.5% for kinetic energy electrons exceeding I keV.
Прибор содержит источник рентгеновского излучения, детектор рентгеновского излучения, вакуумную камеру с окнами для рентгеновского излучения, в которой размещены кристалл-монохроматор, исследуемый кристалл со средствами поворота и линейных перемещений, энергетический анализатор с детектором электронов.The device contains an x-ray source, an x-ray detector, a vacuum chamber with windows for x-ray radiation, in which a crystal monochromator, a test crystal with rotation and linear displacement means, an energy analyzer with an electron detector are placed.
Главными недостатками данного устройства являются его конструктивная сложность, чрезмерная насыщенность вакуумного объема прецизионными гониометрическими и аналитическими устройствами, что приводит к усложнению эксплуатации прибора и технологии его изготовления.The main disadvantages of this device are its structural complexity, excessive saturation of the vacuum volume with precision goniometric and analytical devices, which complicates the operation of the device and its manufacturing technology.
Эти недостатки устранены в устройстве для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев [4], которое является наиболее близким по своим собственным признакам к заявляемому объекту. В устройстве реализована трехкристалльная схема рентгеновской дифракции. Первый и второй кристаллы-монохроматоры, источник излучения установлены на параллельных направляющих и вынесены за пределы вакуумного объема рабочей камеры, где расположены исследуемый кристалл, анализатор энергии электронов и детектор рентгеновского излучения, кинематически жестко связанные друг с другом, причем исследуемый кристалл снабжен средствами поворота.These disadvantages are eliminated in the device for studying the perfection of the structure of single-crystal layers [4], which is closest in its own characteristics to the claimed object. The device implements a three-crystal X-ray diffraction scheme. The first and second monochromator crystals, the radiation source are mounted on parallel guides and placed outside the vacuum volume of the working chamber, where the crystal under study, the electron energy analyzer and the X-ray detector are kinematically rigidly connected to each other, and the crystal under study is equipped with rotation means.
Существенным недостатком указанного устройства является ограниченный диапазон исследования, обусловленный ограниченным диапазоном углов дифракции рентгеновского излучения от исследуемого кристалла.A significant disadvantage of this device is the limited research range, due to the limited range of angles of diffraction of x-ray radiation from the investigated crystal.
Целью изобретения является расширение диапазона исследований за счет увеличения диапазона углов дифракции от исследуемого кристалла.The aim of the invention is to expand the research range by increasing the range of diffraction angles from the investigated crystal.
Указанная цель достигается тем, что в известном устройстве для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев, содержащем последовательно расположенные источник рентгеновского излучения, средства монохроматизации рентгеновского излучения и исследуемый кристалл со средствами поворота, энергоанализатор электронов и детектор электронов, причем исследуемый кристалл, энергоанализатор и детектор расположены в вакуумной камере, в качестве энергоанализатора использован анализатор типа сферическое зеркало, расположенный между исследуемым кристаллом и средствами монохроматизации рентгеновского излучения и состоящий из внешнего и внутреннего концентрических полусферических электродов, при этом исследуемый кристалл размещен в фокусе анализатора, в котором по пути распространения рентгеновского пучка выполнены щели, а детектор электронов размещен между внутренним полусферическим электродом и исследуемым кристаллом.This goal is achieved by the fact that in the known device for studying the perfection of the structure of single crystal layers containing sequentially located x-ray source, means of x-ray monochromatization and the studied crystal with rotation means, an electron energy analyzer and an electron detector, and the investigated crystal, energy analyzer and detector are located in a vacuum a chamber, a spherical mirror type analyzer is used as an energy analyzer, located crystal between the test means and monochromatic X-ray radiation and consisting of inner and outer concentric hemispherical electrodes, the test crystal placed in focus analyzer, wherein the propagation path of X-ray slit beam is formed, and the electron detector is disposed between an inner hemispherical electrode and investigated the crystal.
Сопоставительный анализ с прототипом позволяет сделать вывод, что заявляемое устройство отличается тем, что в качестве энергоанализатора использован анализатор типа сферическое зеркало, расположенный между исследуемым кристаллом и средствами монохроматизации и состоящий из двух концентрических полусферических электродов.Comparative analysis with the prototype allows us to conclude that the inventive device is characterized in that a spherical mirror type analyzer is used as an energy analyzer, located between the studied crystal and monochromatization means and consisting of two concentric hemispherical electrodes.
Оптическая ось анализатора, соединяющая фокус анализатора, центры полусферических электродов, совпадает с направлением распространения рентгеновского пучка, падающего на исследуемый кристалл, расположенный в фокусе анализатора, в котором по пути распространения рентгеновского пучка выполнены щели, а детектор электронов размещен между внутренним электродом анализатора и исследуемым кристаллом. Таким образом, заявляемое техническое решение соответствует критерию "новизна".The optical axis of the analyzer, connecting the focus of the analyzer, the centers of the hemispherical electrodes, coincides with the direction of propagation of the X-ray beam incident on the crystal under study, located in the focus of the analyzer, in which slits are made along the path of the X-ray beam, and the electron detector is placed between the internal electrode of the analyzer and the crystal under study . Thus, the claimed technical solution meets the criterion of "novelty."
Анализ известных технических решений (аналогов) в исследуемой области, т.е. техники стоячих рентгеновских волн и смежных областях (рентгеновской дифрактометрии и электронной спектроскопии), позволяет сделать вывод об отсутствии в них признаков, сходных с существенными отличительными признаками в заявляемом устройстве для исследования совершенства структуры монокристаллических слоев.Analysis of known technical solutions (analogues) in the studied area, i.e. the technique of standing x-ray waves and related areas (x-ray diffractometry and electron spectroscopy), allows us to conclude that they lack features similar to the significant distinguishing features in the inventive device for studying the perfection of the structure of single crystal layers.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг.1 дана рентгенооптическая схема заявляемого устройства; на фиг.2 - рентгенооптическая схема прототипа, а на фиг.3 - конструкция устройства.The invention is illustrated by drawings, where figure 1 is given an x-ray optical diagram of the inventive device; figure 2 is an x-ray optical diagram of the prototype, and figure 3 is a design of the device.
В состав предлагаемого устройства входят устройство 1 формирования рентгеновского пучка, измерительное 2 и загрузочно-шлюзовое 3 устройства.The composition of the proposed device includes a
Устройство 1 формирования рентгеновского пучка содержит источник 4 рентгеновского излучения, коллиматорные щелевые диафрагмы 5 и 6, средства монохроматизации рентгеновского излучения (кристаллы-монохроматоры) 7 и 8, установленные на держателях кристаллов гониометров 9 и 10, позволяющих производить грубую и плавную установки держателя кристалла соответственно в широком и узком угловых интервалах с последующей фиксацией в заданных положениях, а также производить возвратно-поступательные и наклонные перемещения держателя кристалла.The X-ray
Кроме того, устройство 1 формирования рентгеновского пучка содержит детекторы 11 и 12 рентгеновского излучения, щелевые диафрагмы 13 и 14, снабженные соответственно устройствами 15 и 16 возвратно-поступательных перемещений относительно входных поверхностей указанных детекторов 11 и 12.In addition, the
Детекторы 11 и 12 снабжены устройствами 17 и 18 независимого поворота относительно осей поворота соответственно О11 и O12, совпадающих с осями O7 и O8. Источник 4, коллиматорная щелевая диафрагма 5, ограничивающая пучок от указанного источника, гониометр 9 первого кристалла-монохроматора 7 установлены на прямолинейной направляющей 19 с осью H1H2, а гониометр 10 второго кристалла-монохроматора 8, коллиматорная щелевая диафрагма, ограничивающая пучок, дифрагированный кристаллом 8, установлены на прямолинейной направляющей 20 с осью Н3-Н4, выставленной параллельно направляющей 19.The
Для перемещения источника 4, коллиматорных щелевых диафрагм 5 и 6 параллельно или перпендикулярно осям соответствующих направляющих служат устройства 21-23 перемещения соответственно, а для перемещения гониометров 9 и 10 вдоль направляющих 19 и 20 служат соответственно устройства 24 и 25 перемещений.To move the
Устройство 1 благодаря устройству 26 перемещения может перемещаться в направлении, перпендикулярном направлению распространения рентгеновского пучка.The
Измерительное устройство 2 представляет собой вакуумную камеру 27, в центре которой расположен исследуемый кристалл 28, установленный на держателе гониометра 29.The measuring device 2 is a
В камере 27 находятся также анализатор 30 энергий электронов с детектором 31 электронов и детектор 32 рентгеновского излучения, снабженные соответственно устройствами 33 и 34 независимого поворота относительно вертикальной оси вращения гониометра 29. Кроме этого, устройство 33 позволяет производить радиальные возвратно-поступательные перемещения анализатора 30 с детектором 31, необходимые для совмещения исследуемого кристалла 28 с фокусом анализатора 30.In the
В качестве анализатора 30 использован энергоанализатор типа сферическое зеркало, состоящий из внешнего 35 и внутреннего 36 концентрических полусферических электродов. В каждом из указанных электродов 35, 36 и детекторе 32 электронов по оптической оси анализатора 30, проходящей через центры этих электродов, детектор 32 и фокус энергоанализатора, выполнены щели. Кроме того, устройство содержит входное 37 и выходное 38 окна для рентгеновского излучения.As the
Для управления гониометром 29 камера 27 снабжена устройством 39 ввода перемещений в вакуумный объем, а для настройки спектрометра предусмотрен детектор 40 рентгеновского излучения с щелевой диафрагмой 41, которая благодаря устройству 42 перемещения может смещаться вдоль входной поверхности детектора 40. Окна 37 и 38, ось вращения кристалла 28 и детектор 40 лежат на одной прямой K1-К2. Средства откачки (не обозначены) рассчитаны на поддержание давления в камере 27 не хуже 10-8 мм рт.ст.To control the
Загрузочно-шлюзовое устройство 3 содержит шлюзовую камеру 43, разгрузочно-передающий манипулятор 44, устройство 45 перемещения указанного манипулятора, высоковакуумный затвор 46.The loading-
Устройство работает следующим образом. Сформированный устройством 1 рентгеновский пучок направляется в измерительное устройство 2, где он, проходя через щели во внешнем 35 и внутреннем 36 электродах анализатора 30 и детектора 31 электронов, попадает на исследуемый кристалл 28, который при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя через положение, соответствующее углу Брэгга. Рентгеновское излучение дифрагированное и флуоресцированное кристаллом 28 регистрируется детектором 32, а электроны, эмитируемые исследуемым кристаллом 28, регистрируются детектором 31, установленным позади анализатора 30 энергии. При этом диапазон углов дифракции в заявляемом устройстве по сравнению с прототипом возрастает на одну четвертую часть угла раствора анализатора, т.е. на Δθ=φ/2, где φ - угол, соответствующий половине угла раствора анализатора с вершиной в фокусе анализатора.The device operates as follows. The x-ray beam formed by
Действительно, из рассмотрения рентгенооптических схем заявляемого устройства (фиг.1) и прототипа (фиг.2) видно, что угол, соответствующий верхней границе диапазона углов дифракции для прототипа, равен:Indeed, from the consideration of x-ray optical schemes of the inventive device (Fig. 1) and the prototype (Fig. 2), it is seen that the angle corresponding to the upper boundary of the range of diffraction angles for the prototype is:
а для заявляемого устройства:and for the claimed device:
тогда:then:
Для данной геометрии анализатора:For a given analyzer geometry:
где R, r - радиусы внешнего и внутреннего электродов анализатора соответственно.where R, r are the radii of the external and internal electrodes of the analyzer, respectively.
Замена исследуемого кристалла производится без нарушений вакуумных условий в измерительном устройстве 2 с помощью загрузочно-шлюзового устройства 3.The test crystal is replaced without violating the vacuum conditions in the measuring device 2 using the loading-
Цикл исследования заключается в том, что сначала производят юстировку устройства 1 формирования рентгеновского пучка. Для этого перемещают источник 4 излучения, коллиматорные щелевые диафрагмы 5, 13, кристалл-монохроматор 7 перпендикулярно оси H1-Н2 направляющей 19 с помощью соответствующих устройств 21, 22, 15 и 9 перемещения. Кроме того, производят повороты кристалла-монохроматора 7, детектора 11 вокруг совмещенных осей O7-О11 с помощью соответствующих гониометра 9 и устройства 17 поворота. Этим добиваются, чтобы фокус рентгеновской трубки источника 4, центр коллиматорной щелевой диафрагмы 5, осей O7-О11, центр щелевой диафрагмы 13 лежали на оси Н1-Н2 направляющей 19. После этого устройством 17 разворачивают вокруг оси O17 детектор 11 против часовой стрелки на угол 2θM1 (θm1 - угол Брэгга), а кристалл-монохроматор 7 с помощью гониометра 9 разворачивает вокруг оси O7 против часовой стрелки на угол θM1 и, плавно вращая и покачивая его, вводят в отражающее положение, при этом дифрагированный кристаллом 7 луч фиксируется детектором 11.The research cycle consists in first aligning the X-ray
Затем первый кристалл-монохроматор 7 фиксируют с помощью гониометра 9 в отражающем положении, а детектор 11 возвращают в исходное положение. После этого осуществляется перемещение гониометра 10 вдоль направляющей 20, возвратно-поступательные перемещения и повороты кристалла-монохроматора 8 и щелевой диафрагмы 14, а также угловые повороты детектора 12, добиваются, чтобы рентгеновский луч, дифрагированный первым кристаллом-монохроматором 7, проходил через оси O7 и O8 вращения первого и второго кристаллов-монохроматоров и центр щелевой диафрагмы 14. Затем устройством 18 разворачивают вокруг оси O18 детектор 12 по часовой стрелке на угол 2θM2 (θM2=θM1) относительно исходного положения указанного детектора 12, а кристалл-монохроматор 8 с помощью гониометра 10 разворачивают вокруг оси O8 по часовой стрелке на угол θM2 и, плавно вращая и покачивая кристалл 8, выводят его в отражающее положение, при этом дифрагированный кристаллом-монохроматором 8 луч фиксируется детектором 12. Затем второй кристалл - монохроматор 8 фиксируют с помощью гониометра 10 в отражающем положении, а детектор 12 устройством 18 поворота возвращают в исходное положение.Then, the
Таким образом, луч, сформированный устройством 1, проходит вдоль оси Н3-Н4 направляющей 20. На этом юстирование устройства 1 формирования рентгеновского пучка завершено. Далее производят юстирование измерительного устройства 2. Для этого с помощью устройства 33 поворота анализатор 30 устанавливают приблизительно параллельно оси камеры K1-K2, затем, перемещая устройством 26 перемещения, рентгеновский пучок, выходящий из устройства 1 формирования, добиваются, чтобы он фиксировался детектором 40, после чего устройством 23 перемещения добиваются, чтобы этот пучок проходил через центр коллиматорной щелевой диафрагмы 6. Затем, перемещая устройством 26 рентгеновский пучок, сформированные устройством 1, перпендикулярно оси K1-К2 камеры 27, а также совершая возвратно-поступательные движения исследуемым кристаллом 28 и щелевой диафрагмой 41 в направлении, перпендикулярном оси K1-К2 камеры 27, с помощью соответственно гониометра 29 и устройства 42 и, вращая кристалл 28, с помощью гониометра 29 добиваются, чтобы оси O8 и О28, центр щелевой диафрагмы 41 лежали на одной прямой K1-K2. В этом случае сформированный устройством 1 рентгеновский пучок будет проходить через вертикальную ось гониометра O28, на которую оказывается выведенным исследуемый кристалл 23. После этого с помощью устройства 33 радиальных и угловых перемещений совмещают фокус анализатора 30 с поверхностью исследуемого кристалла 28 и разворачивают анализатор 30 с детектором 31 приблизительно на прямой угол до совмещения падающего на образец 28 рентгеновского пучка с осью анализатора 30. На этом юстировка спектрометра закончена.Thus, the beam formed by the
С помощью средств откачки добиваются рабочего давления в вакуумной камере 27 (10-8 мм рт.ст. и ниже). После этого с помощью устройства 39 ввода перемещений, гониометра 29 и устройства 34 поворота разворачивают, соответственно, исследуемый кристалл 28 на угол θБ, а детектор 32 рентгеновского пучка - на угол 2θБ и, плавно, вращая и покачивая кристалл 28 по углу, устанавливают его в отражающее положение, при этом дифрагированный исследуемым кристаллом 28 луч фиксируется детектором 32. Затем в соответствии с заданным диапазоном углового сканирования А кристалл разворачивают с помощью устройства 39 ввода перемещений и гониометра 29 в направлении, противоположном направлению последующего углового сканирования на угол А/2, относительно исходного положения.Using pumping means, the working pressure in the
После чего исследуемый кристалл 28 с помощью гониометра 29 при очень точном контроле за углом поворачивается, проходя положение, соответствующее углу Брэгга. Рентгеновское излучение, дифрагированное и флуоресцированное кристаллом 28, регистрируется детектором 32, а электроны, эмитируемые исследуемым кристаллом 28, регистрируются детектором 31, установленным позади анализатора 30 энергии.After that, the studied
Для замены образца в шлюзовой камере 43 получают давление такого же порядка, что и в измерительной камере 27.To replace the sample in the
Затем открывают высоковакуумный затвор 46 и с помощью устройства 45 перемещений вводят загрузочно-передающий манипулятор 44 в вакуумный объем камеры 27 до зацепления его с держателем кристалла, после чего кристалл вместе с указанным держателем снимают с помощью манипулятора 44 и устройства 45 его перемещения с гониометра 29 и перемещают в шлюзовую камеру 43.Then, the high-
Высоковакуумным затвором 46 перекрывают камеру 27 и вынимают кристалл из шлюзовой камеры 43, вскрыв ее на атмосферу. Затем устанавливают в камеру 43 на манипулятор 44 держатель с новым образцом и осуществляют загрузку в обратной последовательности, в результате чего устанавливают указанный образец на гониометр 29.High-
Таким образом, в заявляемом устройстве диапазон углов дифракции по сравнению с прототипом существенно возрастает, в результате чего происходит расширение диапазона исследования, т.е. расширяются круг исследуемых материалов и порядков отражения, а также диапазон длин волн рентгеновского излучения.Thus, in the inventive device, the range of diffraction angles in comparison with the prototype increases significantly, resulting in an extension of the research range, i.e. the range of materials under study and reflection orders are expanding, as well as the wavelength range of x-rays.
ЛитератураLiterature
1. Ковальчук М.В., Кон В.Г. Рентгеновские стоящие волны - новый метод исследования структуры кристаллов // УФН. - 1986. - Т.148, вып.5, с.5-46.1. Kovalchuk M.V., Kon V.G. X-ray standing waves - a new method for studying the structure of crystals // UFN. - 1986.- T.148,
2. Авторское свидетельство СССР №800836, МКИ3 G01N 23/20 от 30.01.81 г.2. USSR author's certificate No. 800836, MKI 3 G01N 23/20 of 01.30.81.
3. Kikuta S., Takahashi, Tuzi Y., Fukudome R. Double crystal vacuum X-ray diffractometer // Rev. Sci. Instrum. - 1977. - Vol.48, №12, p.1576-1580.3. Kikuta S., Takahashi, Tuzi Y., Fukudome R. Double crystal vacuum X-ray diffractometer // Rev. Sci. Instrum. - 1977. - Vol. 48, No. 12, p. 1576-1580.
4. Авторское свидетельство СССР №1226210, МКИ3 G01N 23/20 от 22.12.1985 г.4. USSR author's certificate No. 1226210, MKI 3 G01N 23/20 of 12.22.1985
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007117455/28A RU2370757C2 (en) | 2007-05-10 | 2007-05-10 | Device for analysing perfection of structure of monocrystalline layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007117455/28A RU2370757C2 (en) | 2007-05-10 | 2007-05-10 | Device for analysing perfection of structure of monocrystalline layers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007117455A RU2007117455A (en) | 2008-11-20 |
| RU2370757C2 true RU2370757C2 (en) | 2009-10-20 |
Family
ID=40240923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007117455/28A RU2370757C2 (en) | 2007-05-10 | 2007-05-10 | Device for analysing perfection of structure of monocrystalline layers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2370757C2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2442145C1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-02-10 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Method for structural inspection of semiconductor multilayer structure (variants) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1396023A2 (en) * | 1985-11-04 | 1988-05-15 | Предприятие П/Я В-8754 | Device for studying the perfection of single crystal layer structures |
| SU1497533A1 (en) * | 1987-07-20 | 1989-07-30 | Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова | Method of inspecting structural perfection of crystals |
-
2007
- 2007-05-10 RU RU2007117455/28A patent/RU2370757C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1396023A2 (en) * | 1985-11-04 | 1988-05-15 | Предприятие П/Я В-8754 | Device for studying the perfection of single crystal layer structures |
| SU1497533A1 (en) * | 1987-07-20 | 1989-07-30 | Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова | Method of inspecting structural perfection of crystals |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2442145C1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-02-10 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар" | Method for structural inspection of semiconductor multilayer structure (variants) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2007117455A (en) | 2008-11-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bowen et al. | High resolution X-ray diffractometry and topography | |
| US7076024B2 (en) | X-ray apparatus with dual monochromators | |
| US6359964B1 (en) | X-ray analysis apparatus including a parabolic X-ray mirror and a crystal monochromator | |
| CN1534289B (en) | X-ray diffraction device | |
| CN102770753B (en) | The method and apparatus carrying out the X-ray analysis of sample | |
| US6665372B2 (en) | X-ray diffractometer | |
| US11835474B2 (en) | X-ray scattering apparatus | |
| KR100990592B1 (en) | Diffraction Analyzer and Diffraction Analysis Method | |
| JP5127976B2 (en) | Radiometric apparatus with variable collimator | |
| RU2370757C2 (en) | Device for analysing perfection of structure of monocrystalline layers | |
| EP0894264B1 (en) | X-ray spectrometer with an analyzer crystal having a partly variable and a partly constant radius of curvature | |
| JPH10507532A (en) | X-ray spectrometer with multiple fixed measurement channels | |
| JP2005528594A (en) | X-ray diffraction apparatus and method | |
| RU2555191C1 (en) | Device for x-ray-fluorescent analysis of materials with flux generation by flat x-ray waveguide-resonator | |
| CN117388295A (en) | A bent crystal detection device and its use method | |
| SU1257482A1 (en) | X-ray diffraction method of analyzing structure disarrangements in thin near-surface layers of crystals | |
| RU2370758C2 (en) | Device for analysing perfection of structure of crystalline layers | |
| SU1226210A1 (en) | Arrangement for investigating perfection of single-crystal structure | |
| Barysheva et al. | Investigation of supersmooth optical surfaces and multilayer elements using soft X-ray radiation | |
| Christensen et al. | A beam expander facility for studying x‐ray optics | |
| Hubert | A compact soft x-ray (0.1–1.2 keV) calibration bench for radiometric measurements using an original versatile Rowland circle grazing incidence monochromator | |
| JP6862710B2 (en) | X-ray diffractometer | |
| JP7742653B2 (en) | X-ray fluorescence analyzer | |
| RU2166184C2 (en) | X-ray reflectometer | |
| JPH06160312A (en) | X-ray evaluation apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090521 |