RU2284070C9 - Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора - Google Patents
Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2284070C9 RU2284070C9 RU2005100286/09A RU2005100286A RU2284070C9 RU 2284070 C9 RU2284070 C9 RU 2284070C9 RU 2005100286/09 A RU2005100286/09 A RU 2005100286/09A RU 2005100286 A RU2005100286 A RU 2005100286A RU 2284070 C9 RU2284070 C9 RU 2284070C9
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- manganese
- anodes
- aqueous solution
- layers
- manganese nitrate
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Согласно изобретению способ получения катодной обкладки заключается в нанесении многослойного покрытия из двуокиси марганца на оксидированные объемно-пористые аноды, которое предусматривает пропитку анодов в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца, 50- и 62%-ных водных растворах смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца и последующее пиролитическое разложение этих соединений марганца, когда через каждые два слоя двуокиси марганца производят подформовку анодов, причем при пиролитическом разложении применяются добавки водяного пара и водного раствора аммиака. Технический результат: улучшение электрических и частотных характеристик конденсатора при использовании получаемого по данному способу многослойного покрытия из двуокиси марганца, которое имеет улучшенные параметры по плотности, однородности, сплошности, механической прочности и электропроводности. 10 з.п. ф-лы, 1 табл., 3 ил.
Description
Изобретение относится к способам изготовления изделий электронной техники, а именно конденсаторов, преимущественно оксидно-полупроводниковых конденсаторов, и касается способа получения катодной обкладки в виде покрытия из слоев двуокиси марганца, наносимого на поверхность объемно-пористого анода из порошка вентильных металлов, например тантала, ниобия и т.д., и являющегося твердым электролитом.
Известен способ, описанный в патенте JP 3209995, кл. Н 01 G 9/032, опубл. 17.09.2001 г., согласно которому спеченные и оксидированные аноды погружаются один или несколько раз в смесь раствора нитрата марганца и порошка диоксида марганца и подвергаются термическому разложению, или пиролизу, в печи с водяным паром, когда аноды нагреваются сначала до 100°С за несколько секунд в атмосфере, не содержащей влаги, а затем на них распыляются мелкие капельки воды, и процесс пиролиза выполняется в атмосфере водяного пара при температуре 200-350°С.
Применение водяного пара повышает механическую прочность и электропроводность, а также улучшает плотность, сплошность и однородность покрытия, так как поступление пара к анодной таблетке предотвращает выделение нитрата марганца из внутренних пор, способствуя тем самым равномерному пиролизу нитрата марганца.
Но все-таки покрытие, нанесенное по указанному выше способу, получается не настолько плотным и сплошным, чтобы предотвратить нарушение оксидного слоя, что выражается в образовании в оксидном слое пор, которые могут быть также и следствием наличия посторонних включений на поверхности тантала, в т.ч. в виде трещин, которые при электрическом подключении формованного анода блокируются кислородом, поступающим из двуокиси марганца, так что в порах на границе вентильного металла и двуокиси марганца последняя частично восстанавливается до окиси марганца. Выделившийся при этом кислород перемещается к металлу и вступает с ним в реакцию, а это приводит к меньшей плотности и однородности самого оксидного слоя, нестабильности его параметров, что в итоге способствует увеличению тангенса угла диэлектрических потерь (tg δ) и тока утечки, а также ухудшению частотных характеристик конденсатора.
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому способу является способ получения катодного покрытия из двуокиси марганца, применяемый в конденсаторе К53-1А УА4.662.000 СБ, в соответствии с которым для пропитки анодов используют 25-, 50- и 62%-ные водные растворы смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца с последующим их термическим разложением, проводимым последовательно в два этапа: в присутствии водяного пара и без него, а также производят подформовку анодов в уксуснокислом электролите через каждые два нанесенных слоя, при этом непосредственно после пропитки в 62%-ном растворе, если в слое двуокиси марганца наблюдаются оголенные участки, проводят дополнительную подсушку при повышенной температуре для более равномерного нанесения слоя двуокиси марганца.
Подформовка, или вторичная формовка, анодов является процессом, улучшающим оксидный слой, и имеет отношение как к "залечиванию" дефектов, так и к собственно образованию оксида. Во время подформовки, которую проводят после нанесения двуокиси марганца, последняя только лишь в дефектных зонах оксида тантала, образующихся при пиролизе, и вокруг них превращается за счет местного нагрева электропроводной двуокиси марганца, MnO2, в низший оксид, MnO, обладающий более низкой электропроводностью, т.е. большими изолирующими свойствами, чем диоксид марганца, таким образом, дефектные зоны локализуются, что снижает токи утечки через дефектные области оксидного слоя в конденсаторе, при этом оставшийся диоксид марганца продолжает работать как твердый электролит.
В этом способе благодаря применению водяного пара улучшаются плотность, сплошность и однородность покрытия, а также его прочность и электропроводность, а за счет разбавления азотнокислого марганца уксуснокислым марганцем уменьшаются повреждения оксидного слоя, в том числе и при нанесении последующих контактных слоев, что в итоге способствует уменьшению как величины переходного электрического сопротивления, а соответственно и снижению величины tg δ, так и величины тока утечки конденсатора.
Недостатком прототипа является недостаточная стабильность тока утечки, несмотря на достигнутое уменьшение его величины.
Задача изобретения состоит в дальнейшем улучшении электрических характеристик оксидно-полупроводникового конденсатора, в частности тока утечки, особенно в отношении его стабильности, и tg δ, а также частотных характеристик путем дальнейшего уменьшения повреждений и повышения стабильности параметров оксидного слоя, а соответственно и дальнейшего снижения переходного электрического сопротивления - за счет достижения технического результата, заключающегося в получении покрытия из многих слоев двуокиси марганца с высоким качеством их по прочности, однородности, плотности и сплошности.
Эта задача решается в настоящем способе получения катодной обкладки путем нанесения многослойного покрытия из двуокиси марганца на оксидированные объемно-пористые аноды, предусматривающего применение для пропитки анодов 20%-ного водного раствора азотнокислого марганца, 50- и 62%-ных водных растворов смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца и добавок водяного пара и водного раствора аммиака в камеру пиролитического разложения термостата, при этом через каждые два слоя производят подформовку анодов.
В предлагаемом способе первые два слоя двуокиси марганца на оксидированных анодах получают пропиткой анодов в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца с плотностью 1,14-1,18 г/см3 при температуре 40±5°С в течение 8-15 мин, в зависимости от габаритных размеров анодов, и последующим пиролизом азотнокислого марганца в термостате с вентилятором при температуре 205±15°С в течение 8-15 мин и сушкой на воздухе не менее 30 секунд. Вторую и третью пару слоев двуокиси марганца наносят аналогично, но при этом для пропитки анодов применяют 50- и 62%-ный водный раствор смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца с плотностью 1,47-1,49 г/см3 и 1,69-1,71 г/см3. Четвертую и пятую пару слоев наносят, применяя для пропитки 62%-ный водный раствор смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца с плотностью 1,69-1,74 г/см3 и выполняя пиролиз в два последовательных этапа: 1) с добавками водяного пара (температура 120-180°С, давление 0,1-0,6±0,02-0,03 кг/см3) и 10-15%-ного водного раствора аммиака (плотность 0,9396-0,9575 г/см3, количество 5-8 мл); 2) в отсутствии водяного пара, когда имеется только среда водного раствора аммиака. Шестую пару слоев наносят с применением 62%-ного водного раствора смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца с плотностью 1,69-1,71 г/см3.
Разбавление азотнокислого марганца уксуснокислым марганцем приводит к дальнейшему уменьшению повреждений оксидного слоя. Добавка водяного пара в среду камеры разложения термостата еще больше улучшает плотность, сплошность, однородность, механическую прочность и электропроводность покрытия, из-за чего еще сильнее уменьшается переходное электрическое сопротивление, а добавка водного раствора аммиака в среду камеры разложения термостата позволяет получить высокую однородность микроструктуры слоя двуокиси марганца, что существенно уменьшает не только величину тока утечки, но и разброс его значений, и в итоге у конденсатора уменьшается tg δ, уменьшается и стабилизируется ток утечки и улучшаются частотные характеристики (см. сравнительные данные по прототипу и заявляемому способу в таблице и на фиг.1, 2, 3).
Фигуры 1, 2 и 3 графически представляют зависимости емкости, tg δ, полного сопротивления (Z) от частоты для конденсаторов номинала 16В×68 мкФ, изготовленных по способу-прототипу и по заявляемому способу соответственно.
Предлагаемое изобретение реализовано в серийном производстве на ОАО "Элеконд", г.Сарапул. Данные по электрическим характеристикам конденсаторов (ток утечки, tg δ, эквивалентное последовательное сопротивление (ЭПС), Z), изготовленных с использованием способа-прототипа и заявляемого способа, представлены в таблице (номинал 16В×68 мкФ).
| Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора | Электрические характеристики конденсатора | |||
| Ток утечки, мкА | tg δ, % | ЭПС, Ом | Z, Ом | |
| Прототип | 2,5-3,2 | 2,5-4,0 | 1,1-1,5 | 1,6-1,8 |
| Заявляемый | 1,7-2,3 | 1,2-2,2 | 0,6-0,9 | 0,9-1,2 |
Claims (11)
1. Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора, заключающийся в нанесении многослойного покрытия из двуокиси марганца на оксидированные объемно-пористые аноды, которое предусматривает пропитку анодов в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца, 50-и 62%-ных водных растворах смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца при температуре 40°С в течение 8-15 мин и последующее пиролитическое разложение соединений марганца при температуре 205°С в течение 8-15 мин, когда через каждые два слоя производят подформовку анодов, отличающийся тем, что при пиролитическом разложении применяют добавки водяного пара и водного раствора аммиака.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что многослойное покрытие из двуокиси марганца имеет двенадцать, или шесть пар, слоев.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что водяной пар имеет температуру 120-180°С и давление 0,1-0,6 кг/см3.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что водный раствор аммиака имеет плотность 0,9396-0,9575 г/см3 и добавляется в количестве 5-8 мл.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения именно первой пары слоев двуокиси марганца пропитку анодов производят в 20%-ном водном растворе азотнокислого марганца.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что 20%-ный водный раствор азотнокислого марганца имеет плотность 1,14-1,18 г/см3.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения именно второй пары слоев двуокиси марганца пропитку анодов производят в 50%-ном водном растворе смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что 50%-ный водный раствор смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца имеет плотность 1,47-1,49 г/см3.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что пропитку анодов для получения третьей пары и всех последующих пар слоев двуокиси марганца производят в 62%-ном водном растворе смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что 62%-ный водный раствор смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца, применяющийся для пропитки при нанесении третьей, а также завершающей пары слоев, имеет плотность 1,69-1,71 г/см3.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что 62%-ный водный раствор смеси азотнокислого и уксуснокислого марганца, применяющийся для пропитки при нанесении всех пар слоев, наносимых между третьей и завершающей парой слоев, имеет плотность 1,69-1,74 г/см3.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005100286/09A RU2284070C9 (ru) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005100286/09A RU2284070C9 (ru) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005100286A RU2005100286A (ru) | 2006-06-20 |
| RU2284070C1 RU2284070C1 (ru) | 2006-09-20 |
| RU2284070C9 true RU2284070C9 (ru) | 2007-01-10 |
Family
ID=36713770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005100286/09A RU2284070C9 (ru) | 2005-01-11 | 2005-01-11 | Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2284070C9 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2463679C1 (ru) * | 2011-07-18 | 2012-10-10 | Открытое акционерное общество "Элеконд" | Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор |
| RU2740516C1 (ru) * | 2020-07-21 | 2021-01-15 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Способ получения покрытий из диоксида марганца на танталовых анодах оксидно-полупроводниковых конденсаторов |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4042420A (en) * | 1974-11-20 | 1977-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing manganese oxide solid electrolyte capacitor |
| EP0325203A1 (de) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Mangandioxidschicht von Fest-Elektrolytkondensatoren |
| RU2073278C1 (ru) * | 1993-01-14 | 1997-02-10 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Юпитер Трэйд энд Финэнси ЛТД" | Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов |
-
2005
- 2005-01-11 RU RU2005100286/09A patent/RU2284070C9/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4042420A (en) * | 1974-11-20 | 1977-08-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing manganese oxide solid electrolyte capacitor |
| EP0325203A1 (de) * | 1988-01-21 | 1989-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen einer Mangandioxidschicht von Fest-Elektrolytkondensatoren |
| RU2073278C1 (ru) * | 1993-01-14 | 1997-02-10 | Товарищество с ограниченной ответственностью "Юпитер Трэйд энд Финэнси ЛТД" | Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2284070C1 (ru) | 2006-09-20 |
| RU2005100286A (ru) | 2006-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3037497B1 (en) | Process for producing functionalized polythiophenes | |
| TWI637415B (zh) | 電容器和包含該電容器的電子電路、其製作方法、該電子電路的用途及分散液 | |
| US6243256B1 (en) | Electrode foil for solid electrolytic capacitor, manufacturing method thereof, and solid electrolytic capacitor | |
| JPH0878292A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH1154374A (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| CN103474247A (zh) | 一种固体聚合物电解质电容器的制备方法 | |
| JP4899438B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| RU2284070C9 (ru) | Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора | |
| JP4131709B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| CN109300695B (zh) | 一种低esr钽电解电容器的阴极及其制备方法 | |
| KR101251101B1 (ko) | 다공질 밸브 금속박막, 그 제조방법 및 박막 콘덴서 | |
| US6428842B1 (en) | Process for producing an impermeable or substantially impermeable electrode | |
| CN102473528B (zh) | 固体电解电容器的制造方法 | |
| RU2463679C1 (ru) | Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор | |
| TW200830341A (en) | Base material for solid electrolytic capacitor, capacitor using the base material, and method for manufacturing the capacitor | |
| JP5798279B1 (ja) | タングステン系コンデンサ素子の製造方法 | |
| JP4895172B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| RU2516525C1 (ru) | Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора | |
| JPS5821414B2 (ja) | コタイデンカイコンデンサ | |
| KR100753618B1 (ko) | 고체 전해 커패시터의 제조방법 | |
| US5951721A (en) | Process for producing solid electrolytic capacitor | |
| WO2015166670A1 (ja) | タングステン系コンデンサ素子の製造方法 | |
| JP4730654B2 (ja) | 固体電解質層形成方法及びこの方法を用いて製造される複合材料 | |
| JP5029937B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4877229B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TH4A | Reissue of patent specification | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140112 |