RU2280320C1 - Микрорезонатор с термическим возбуждением - Google Patents
Микрорезонатор с термическим возбуждением Download PDFInfo
- Publication number
- RU2280320C1 RU2280320C1 RU2005102617/28A RU2005102617A RU2280320C1 RU 2280320 C1 RU2280320 C1 RU 2280320C1 RU 2005102617/28 A RU2005102617/28 A RU 2005102617/28A RU 2005102617 A RU2005102617 A RU 2005102617A RU 2280320 C1 RU2280320 C1 RU 2280320C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- microresonator
- frame
- silicon beam
- sectional area
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/24—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
- H03H9/2405—Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
- H03H9/2447—Beam resonators
- H03H9/2463—Clamped-clamped beam resonators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Изобретение относится к кремниевым резонаторам. Техническим результатом изобретения является повышение КПД, расширение диапазона частот и амплитуды колебаний а также повышение чувствительности и точности микрорезонатора. Микрорезонатор с термическим возбуждением содержит опорную рамку и колебательное тело в виде кремниевой балки с резистивным нагревателем. Кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющие роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором. Тело кремниевой балки легировано неоднородно, так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза. 1 ил.
Description
Изобретение относится к измерительной технике, более конкретно к преобразователям различных физических параметров в электрические.
Использование резонаторов в качестве универсальных преобразователей основано на том, что частота собственных колебаний зависит не только от формы, размера и материала балки или иного резонирующего тела, но и от многих внешних условий: давления, состава, температуры окружающей среды, линейного и углового ускорений, состояния поверхности и т.д. Измерение резонансной частоты поэтому может служить мерой перечисленных и многих других воздействий.
Возбуждение колебаний резонаторов возможно за счет различных видов энергии, но наиболее соответствует микроэлектронному исполнению прибора тепловая, т.к. для ее генерации требуется лишь микрорезистор.
Известна конструкция кремниевого монокристаллического резонатора с термическим возбуждением, в которой колебания создаются вследствие неравномерного по толщине одностороннего нагрева резонирующей балки с помощью резистора, нанесенного на одну из ее сторон, в результате чего происходит ее чистый изгиб [1]. В этой конструкции колебательное тело - кремниевая консоль, выполненная заодно с несущей рамкой, имеет толщину не менее 200 мкм, т.к. только при этом удается создать необходимый для деформации градиент температуры, т.е. нагреваемое тело является «термически толстым».
Известна также конструкция резонатора с оптическим возбуждением колебаний, принятая нами за прототип, но и в нем лучистая энергия превращается в тепловую, и деформация происходит точно по той же причине, что в чисто термическом варианте [2]. Характерная особенность этой конструкции состоит в том, что колебательное тело имеет большую (по меркам микромеханики) толщину, а деформация представляет собой чистый изгиб.
Это устройство обладает следующими недостатками: температура нагреваемого тела не поддается измерению современными средствами, а отсутствие контроля этого важного параметра прибора требует использования внешней системы термостатирования, что связано с резким увеличением инерционности, энергопотребления и массы;
большая толщина тела резонатора, обусловленная теплопередачей внутри его объема, приводит к возбуждению колебаний высоких частот малой амплитуды, поэтому сигнал на выходе мал, что объясняет низкую чувствительность и точность сенсора;
создание градиента температуры требует бесполезной затраты тепла, так как прогрев объема только уменьшает прогиб. Прибор оказывается энергоемким, и это затрудняет его использование в переносном варианте.
Целью изобретения является повышение КПД, расширение диапазона частот и амплитуды колебаний и благодаря этому - увеличение чувствительности и точности микрорезонатора.
Поставленная цель достигается тем, что кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющих роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором, а тело кремниевой балки легировано неоднородно так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза.
Схема устройства представлена на чертеже, где:
1 - термо и пьезорезитор;
2 - инерциальная масса;
3 - псевдошарнир;
4 - контактная площадка;
5 - несущая рамка.
Новизна заявленного изобретения состоит в том, что ток протекает по всему сечению балки, вызывая нагрев и удлинение, приводящее к продольному изгибу большой амплитуды, поскольку деформационное напряжение велико, а момент инерции сечения чрезвычайно мал (10-21-10-24 м4). Указанные его пределы обусловлены: нижний - механической прочностью балки; верхний - предельным значением упругой деформации σпр.
Микрорезонатору, имеющему указанные выше размеры, присущи эффекты гигантской теплоотдачи и термофореза, обнаруженные авторами [3], следствием чего является чрезвычайно низкая, несвойственная обычно тепловым процессам, инерционность, и цикл нагрев-охлаждение может составлять всего 10-3 с, что позволяет за счет импульсного питания изменять частоту колебаний во всем килогерцевом диапазоне и настраивать систему на резонанс в соответствии с инерциальной массой.
В диапазоне концентраций носителей в кремнии 1014-1017 см3 на резистивном участке нагревателя его ВАХ четко выявляет экстремальную температуру, соответствующую переходу от примесной электропроводности к собственной. С помощью электронной схемы, использующей эту точку в качестве репера, температура может стабилизироваться в диапазоне 140-380°С независимо от температуры окружающей среды.
По мнению авторов, предлагаемое изобретение соответствует критерию «изобретательный уровень».
Микрорезонатор работает следующим образом.
При подаче на контакты резистора импульса тока и его нагреве за счет джоулева тепла возникают продольные сжимающие напряжения, которые в сочетании с силой термофореза, направленной в сторону холодного корпуса, приводят к продольно-поперечному изгибу. Такой вид деформации обеспечивает повышение КПД по сравнению с прототипом, т.к. колебательное тело содержит механические напряжения только одного знака, тогда как в прототипе одна его сторона растягивается, а другая - сжимается. Значительное - в 10-15 раз - уменьшение толщины резонирующего тела по сравнению с прототипом обеспечивает снижение резонансной частоты и амплитуды в 100-200 раз и примерно такое же увеличение чувствительности
Пример.
Резонатор в виде рамки с поперечной перемычкой - колебательным телом, имеющим сечение в суженных участках 15×15 мкм2, - был изготовлен из монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 7 Ом·см с температурой перехода от примесной электропроводности к собственной, равной 180°С (реперная точка). Инерциальная масса составляла 300 мг.
Нагрев осуществлялся импульсами тока в 1 мс, причем мощность составляла 50 мВт.
Резонансная частота, определенная с помощью тензометра - 500 Гц, амплитуда колебаний - 200 мкм. Сопоставление параметров приводится в таблице.
| Устройство-прототип | Заявленное устройство | |
| Диапазон частот, кГц | 100...200 | 0,5...1 |
| Амплитуда, мкм | 0,1 | До 200 |
| Потребляемая мощность, мВт | 1000 | 50 |
| Стабильность (уход, % в течение 100 часов) | Нет данных | 1 |
Источники информации
1. T.S.J.Lammerink, M.Elsenspoek. "Performance of Thermally exited Resonators". Sensors and Actuators, v. A 21-23, 1990, 352-356.
2. L.M.Zhang, D.Uttamchandani, B.Culshaw. Excitation of silicon microresonators using short optical pulses. Sensors and Actuators A-21-A-23, 1990, 391-393. - прототип.
3. Доклады АН РФ, 1999, №2, стр.361
Claims (1)
- Микрорезонатор с термическим возбуждением, содержащий опорную рамку и колебательное тело в виде кремниевой балки с резистивным нагревателем, отличающийся тем, что кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющих роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором, а тело кремниевой балки легировано не однородно так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005102617/28A RU2280320C1 (ru) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Микрорезонатор с термическим возбуждением |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005102617/28A RU2280320C1 (ru) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Микрорезонатор с термическим возбуждением |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2280320C1 true RU2280320C1 (ru) | 2006-07-20 |
Family
ID=37028809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005102617/28A RU2280320C1 (ru) | 2005-02-03 | 2005-02-03 | Микрорезонатор с термическим возбуждением |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2280320C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2661611C1 (ru) * | 2017-12-06 | 2018-07-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Способ создания сенсорного элемента на основе микрорезонатора из пористого кремния для детекции паров взрывчатых веществ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5265479A (en) * | 1989-10-17 | 1993-11-30 | Lucas Industries Public Limited Company | Micro resonator |
| US6707351B2 (en) * | 2002-03-27 | 2004-03-16 | Motorola, Inc. | Tunable MEMS resonator and method for tuning |
| US6739190B2 (en) * | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromechanical resonator device |
| US6753639B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radiant energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition |
| WO2004100362A2 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Thermoelastically actuated microresonator |
-
2005
- 2005-02-03 RU RU2005102617/28A patent/RU2280320C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5265479A (en) * | 1989-10-17 | 1993-11-30 | Lucas Industries Public Limited Company | Micro resonator |
| US6739190B2 (en) * | 2000-08-24 | 2004-05-25 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromechanical resonator device |
| US6753639B2 (en) * | 2000-12-15 | 2004-06-22 | Intel Corporation | Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radiant energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition |
| US6707351B2 (en) * | 2002-03-27 | 2004-03-16 | Motorola, Inc. | Tunable MEMS resonator and method for tuning |
| WO2004100362A2 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Technion Research & Development Foundation Ltd. | Thermoelastically actuated microresonator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2661611C1 (ru) * | 2017-12-06 | 2018-07-17 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | Способ создания сенсорного элемента на основе микрорезонатора из пористого кремния для детекции паров взрывчатых веществ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8225662B2 (en) | Acceleration sensing device | |
| Mescher et al. | An ultra-low-power physics package for a chip-scale atomic clock | |
| CN106771498B (zh) | 可无线、无源、非接触、多线测量直流电流的装置及方法 | |
| Shen et al. | Turn-on bias behavior prediction for micromachined Coriolis vibratory gyroscopes | |
| US20100186515A1 (en) | Pressure detection unit and pressure sensor | |
| CN105301344B (zh) | 基于驱动梁阵列的石英谐振式直流电压传感器芯片 | |
| RU2280320C1 (ru) | Микрорезонатор с термическим возбуждением | |
| CN101859155A (zh) | 微谐振器温度控制系统 | |
| Hu et al. | Quartz resonant pressure sensor based on bow-inspired rationally designed device configuration | |
| CN109883580B (zh) | 一种全石英差动式谐振压力传感器芯片 | |
| Kamppinen et al. | Dimensional control of tunneling two-level systems in nanoelectromechanical resonators | |
| CA1290593C (en) | Mounting and isolation system for tuning fork temperature sensor | |
| Singh et al. | Enhanced sensitivity of SAW-based Pirani vacuum pressure sensor | |
| US3690147A (en) | Torsional vibration densitometer | |
| CN201673420U (zh) | 微谐振器温度控制系统 | |
| RU74466U1 (ru) | Датчик | |
| Randall et al. | A pressure transducer using a metallic triple-beam tuning fork | |
| Xu et al. | High-precision low-power quartz tuning fork temperature sensor with optimized resonance excitation | |
| RU2662948C1 (ru) | Необремененный вибровискозиметрический датчик | |
| CN101609131A (zh) | 磁致伸缩材料、高磁导率材料和石英音叉复合磁传感器 | |
| CN116046220B (zh) | 基于单压力转换元件的石英谐振式压力传感器 | |
| JPS6033056A (ja) | 加速度検出方法 | |
| SU1747944A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
| Zhang et al. | Design and Test of Mems Resonant Pressure Sensor with A Novel Membrane Structure | |
| RU180986U1 (ru) | Виброчастотный датчик линейных ускорений |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130204 |