[go: up one dir, main page]

RU2280320C1 - Микрорезонатор с термическим возбуждением - Google Patents

Микрорезонатор с термическим возбуждением Download PDF

Info

Publication number
RU2280320C1
RU2280320C1 RU2005102617/28A RU2005102617A RU2280320C1 RU 2280320 C1 RU2280320 C1 RU 2280320C1 RU 2005102617/28 A RU2005102617/28 A RU 2005102617/28A RU 2005102617 A RU2005102617 A RU 2005102617A RU 2280320 C1 RU2280320 C1 RU 2280320C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
microresonator
frame
silicon beam
sectional area
Prior art date
Application number
RU2005102617/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Валерьевич Зиновьев (RU)
Дмитрий Валерьевич Зиновьев
Владимир Михайлович Андреев (RU)
Владимир Михайлович Андреев
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники (технический университет)"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники (технический университет)" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт электронной техники (технический университет)"
Priority to RU2005102617/28A priority Critical patent/RU2280320C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2280320C1 publication Critical patent/RU2280320C1/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/24Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive
    • H03H9/2405Constructional features of resonators of material which is not piezoelectric, electrostrictive, or magnetostrictive of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/2447Beam resonators
    • H03H9/2463Clamped-clamped beam resonators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

Изобретение относится к кремниевым резонаторам. Техническим результатом изобретения является повышение КПД, расширение диапазона частот и амплитуды колебаний а также повышение чувствительности и точности микрорезонатора. Микрорезонатор с термическим возбуждением содержит опорную рамку и колебательное тело в виде кремниевой балки с резистивным нагревателем. Кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющие роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором. Тело кремниевой балки легировано неоднородно, так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза. 1 ил.

Description

Изобретение относится к измерительной технике, более конкретно к преобразователям различных физических параметров в электрические.
Использование резонаторов в качестве универсальных преобразователей основано на том, что частота собственных колебаний зависит не только от формы, размера и материала балки или иного резонирующего тела, но и от многих внешних условий: давления, состава, температуры окружающей среды, линейного и углового ускорений, состояния поверхности и т.д. Измерение резонансной частоты поэтому может служить мерой перечисленных и многих других воздействий.
Возбуждение колебаний резонаторов возможно за счет различных видов энергии, но наиболее соответствует микроэлектронному исполнению прибора тепловая, т.к. для ее генерации требуется лишь микрорезистор.
Известна конструкция кремниевого монокристаллического резонатора с термическим возбуждением, в которой колебания создаются вследствие неравномерного по толщине одностороннего нагрева резонирующей балки с помощью резистора, нанесенного на одну из ее сторон, в результате чего происходит ее чистый изгиб [1]. В этой конструкции колебательное тело - кремниевая консоль, выполненная заодно с несущей рамкой, имеет толщину не менее 200 мкм, т.к. только при этом удается создать необходимый для деформации градиент температуры, т.е. нагреваемое тело является «термически толстым».
Известна также конструкция резонатора с оптическим возбуждением колебаний, принятая нами за прототип, но и в нем лучистая энергия превращается в тепловую, и деформация происходит точно по той же причине, что в чисто термическом варианте [2]. Характерная особенность этой конструкции состоит в том, что колебательное тело имеет большую (по меркам микромеханики) толщину, а деформация представляет собой чистый изгиб.
Это устройство обладает следующими недостатками: температура нагреваемого тела не поддается измерению современными средствами, а отсутствие контроля этого важного параметра прибора требует использования внешней системы термостатирования, что связано с резким увеличением инерционности, энергопотребления и массы;
большая толщина тела резонатора, обусловленная теплопередачей внутри его объема, приводит к возбуждению колебаний высоких частот малой амплитуды, поэтому сигнал на выходе мал, что объясняет низкую чувствительность и точность сенсора;
создание градиента температуры требует бесполезной затраты тепла, так как прогрев объема только уменьшает прогиб. Прибор оказывается энергоемким, и это затрудняет его использование в переносном варианте.
Целью изобретения является повышение КПД, расширение диапазона частот и амплитуды колебаний и благодаря этому - увеличение чувствительности и точности микрорезонатора.
Поставленная цель достигается тем, что кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющих роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором, а тело кремниевой балки легировано неоднородно так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза.
Схема устройства представлена на чертеже, где:
1 - термо и пьезорезитор;
2 - инерциальная масса;
3 - псевдошарнир;
4 - контактная площадка;
5 - несущая рамка.
Новизна заявленного изобретения состоит в том, что ток протекает по всему сечению балки, вызывая нагрев и удлинение, приводящее к продольному изгибу большой амплитуды, поскольку деформационное напряжение велико, а момент инерции сечения чрезвычайно мал (10-21-10-24 м4). Указанные его пределы обусловлены: нижний - механической прочностью балки; верхний - предельным значением упругой деформации σпр.
Микрорезонатору, имеющему указанные выше размеры, присущи эффекты гигантской теплоотдачи и термофореза, обнаруженные авторами [3], следствием чего является чрезвычайно низкая, несвойственная обычно тепловым процессам, инерционность, и цикл нагрев-охлаждение может составлять всего 10-3 с, что позволяет за счет импульсного питания изменять частоту колебаний во всем килогерцевом диапазоне и настраивать систему на резонанс в соответствии с инерциальной массой.
В диапазоне концентраций носителей в кремнии 1014-1017 см3 на резистивном участке нагревателя его ВАХ четко выявляет экстремальную температуру, соответствующую переходу от примесной электропроводности к собственной. С помощью электронной схемы, использующей эту точку в качестве репера, температура может стабилизироваться в диапазоне 140-380°С независимо от температуры окружающей среды.
По мнению авторов, предлагаемое изобретение соответствует критерию «изобретательный уровень».
Микрорезонатор работает следующим образом.
При подаче на контакты резистора импульса тока и его нагреве за счет джоулева тепла возникают продольные сжимающие напряжения, которые в сочетании с силой термофореза, направленной в сторону холодного корпуса, приводят к продольно-поперечному изгибу. Такой вид деформации обеспечивает повышение КПД по сравнению с прототипом, т.к. колебательное тело содержит механические напряжения только одного знака, тогда как в прототипе одна его сторона растягивается, а другая - сжимается. Значительное - в 10-15 раз - уменьшение толщины резонирующего тела по сравнению с прототипом обеспечивает снижение резонансной частоты и амплитуды в 100-200 раз и примерно такое же увеличение чувствительности
Пример.
Резонатор в виде рамки с поперечной перемычкой - колебательным телом, имеющим сечение в суженных участках 15×15 мкм2, - был изготовлен из монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 7 Ом·см с температурой перехода от примесной электропроводности к собственной, равной 180°С (реперная точка). Инерциальная масса составляла 300 мг.
Нагрев осуществлялся импульсами тока в 1 мс, причем мощность составляла 50 мВт.
Резонансная частота, определенная с помощью тензометра - 500 Гц, амплитуда колебаний - 200 мкм. Сопоставление параметров приводится в таблице.
Устройство-прототип Заявленное устройство
Диапазон частот, кГц 100...200 0,5...1
Амплитуда, мкм 0,1 До 200
Потребляемая мощность, мВт 1000 50
Стабильность (уход, % в течение 100 часов) Нет данных 1
Источники информации
1. T.S.J.Lammerink, M.Elsenspoek. "Performance of Thermally exited Resonators". Sensors and Actuators, v. A 21-23, 1990, 352-356.
2. L.M.Zhang, D.Uttamchandani, B.Culshaw. Excitation of silicon microresonators using short optical pulses. Sensors and Actuators A-21-A-23, 1990, 391-393. - прототип.
3. Доклады АН РФ, 1999, №2, стр.361

Claims (1)

  1. Микрорезонатор с термическим возбуждением, содержащий опорную рамку и колебательное тело в виде кремниевой балки с резистивным нагревателем, отличающийся тем, что кремниевая балка выполнена длиной 5-10 мм с защемленными концами заодно с несущей рамкой, но изолированной от нее электрически, имеет по краям и в центре участки уменьшенного поперечного сечения шириной 30-50 и толщиной 5-15 мкм, выполняющих роль шарниров, причем центральный из них служит также термо- и пьезорезистором, а тело кремниевой балки легировано не однородно так, что удельное сопротивление резистивной части в 100-1000 раз выше, чем остальной его части, являющейся токовводами с контактными площадками, размещенными на противоположных сторонах рамки, причем две части балки, имеющие повышенное поперечное сечение, служат инерциальными массами, которые могут быть увеличены за счет дополнительного закрепленного груза.
RU2005102617/28A 2005-02-03 2005-02-03 Микрорезонатор с термическим возбуждением RU2280320C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005102617/28A RU2280320C1 (ru) 2005-02-03 2005-02-03 Микрорезонатор с термическим возбуждением

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2005102617/28A RU2280320C1 (ru) 2005-02-03 2005-02-03 Микрорезонатор с термическим возбуждением

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2280320C1 true RU2280320C1 (ru) 2006-07-20

Family

ID=37028809

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2005102617/28A RU2280320C1 (ru) 2005-02-03 2005-02-03 Микрорезонатор с термическим возбуждением

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2280320C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2661611C1 (ru) * 2017-12-06 2018-07-17 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Способ создания сенсорного элемента на основе микрорезонатора из пористого кремния для детекции паров взрывчатых веществ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265479A (en) * 1989-10-17 1993-11-30 Lucas Industries Public Limited Company Micro resonator
US6707351B2 (en) * 2002-03-27 2004-03-16 Motorola, Inc. Tunable MEMS resonator and method for tuning
US6739190B2 (en) * 2000-08-24 2004-05-25 The Regents Of The University Of Michigan Micromechanical resonator device
US6753639B2 (en) * 2000-12-15 2004-06-22 Intel Corporation Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radiant energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition
WO2004100362A2 (en) * 2003-05-09 2004-11-18 Technion Research & Development Foundation Ltd. Thermoelastically actuated microresonator

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5265479A (en) * 1989-10-17 1993-11-30 Lucas Industries Public Limited Company Micro resonator
US6739190B2 (en) * 2000-08-24 2004-05-25 The Regents Of The University Of Michigan Micromechanical resonator device
US6753639B2 (en) * 2000-12-15 2004-06-22 Intel Corporation Micro-electromechanical structure resonator frequency adjustment using radiant energy trimming and laser/focused ion beam assisted deposition
US6707351B2 (en) * 2002-03-27 2004-03-16 Motorola, Inc. Tunable MEMS resonator and method for tuning
WO2004100362A2 (en) * 2003-05-09 2004-11-18 Technion Research & Development Foundation Ltd. Thermoelastically actuated microresonator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2661611C1 (ru) * 2017-12-06 2018-07-17 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Способ создания сенсорного элемента на основе микрорезонатора из пористого кремния для детекции паров взрывчатых веществ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8225662B2 (en) Acceleration sensing device
Mescher et al. An ultra-low-power physics package for a chip-scale atomic clock
CN106771498B (zh) 可无线、无源、非接触、多线测量直流电流的装置及方法
Shen et al. Turn-on bias behavior prediction for micromachined Coriolis vibratory gyroscopes
US20100186515A1 (en) Pressure detection unit and pressure sensor
CN105301344B (zh) 基于驱动梁阵列的石英谐振式直流电压传感器芯片
RU2280320C1 (ru) Микрорезонатор с термическим возбуждением
CN101859155A (zh) 微谐振器温度控制系统
Hu et al. Quartz resonant pressure sensor based on bow-inspired rationally designed device configuration
CN109883580B (zh) 一种全石英差动式谐振压力传感器芯片
Kamppinen et al. Dimensional control of tunneling two-level systems in nanoelectromechanical resonators
CA1290593C (en) Mounting and isolation system for tuning fork temperature sensor
Singh et al. Enhanced sensitivity of SAW-based Pirani vacuum pressure sensor
US3690147A (en) Torsional vibration densitometer
CN201673420U (zh) 微谐振器温度控制系统
RU74466U1 (ru) Датчик
Randall et al. A pressure transducer using a metallic triple-beam tuning fork
Xu et al. High-precision low-power quartz tuning fork temperature sensor with optimized resonance excitation
RU2662948C1 (ru) Необремененный вибровискозиметрический датчик
CN101609131A (zh) 磁致伸缩材料、高磁导率材料和石英音叉复合磁传感器
CN116046220B (zh) 基于单压力转换元件的石英谐振式压力传感器
JPS6033056A (ja) 加速度検出方法
SU1747944A1 (ru) Устройство дл измерени температуры
Zhang et al. Design and Test of Mems Resonant Pressure Sensor with A Novel Membrane Structure
RU180986U1 (ru) Виброчастотный датчик линейных ускорений

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130204