RU2249063C1 - Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth - Google Patents
Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth Download PDFInfo
- Publication number
- RU2249063C1 RU2249063C1 RU2003118726/15A RU2003118726A RU2249063C1 RU 2249063 C1 RU2249063 C1 RU 2249063C1 RU 2003118726/15 A RU2003118726/15 A RU 2003118726/15A RU 2003118726 A RU2003118726 A RU 2003118726A RU 2249063 C1 RU2249063 C1 RU 2249063C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- single crystal
- batch
- crucible
- wurtzite
- sintering
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 14
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011182 sodium carbonates Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Данное изобретение относится к получению поликристаллической шихты для выращивания оксидных монокристаллов из расплавов, а именно монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2 - перспективных материалов для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия.This invention relates to the production of a polycrystalline charge for growing oxide single crystals from melts, namely single crystals with a wurtzite structure of the composition LiMeO 2 , promising materials for the manufacture of substrates for the epitaxial growth of gallium nitride.
Известен способ получения соединений с вюрцитной структурой, например метаалюмината лития, путем спекания карбоната лития с оксидом алюминия в расплаве карбонатов натрия и калия эвтектического состава (Kinoshita B.A., Sim W., Askerman J.P. Preparation and characterization of Li-auminate//Mat. Ress. Bull. 1978. V.13. N.5. P.445-455). Bpeмя синтеза при 640°С составляет 72 ч. Недостатком данного способа получения метаалюмината лития является невозможность получения его в компактном виде, продолжительное время синтеза, а также загрязнение калием и натрием, которые являются нежелательными примесями при выращивании монокристаллов метаалюмината лития.A known method for producing compounds with a wurtzite structure, for example lithium meta-aluminate, by sintering lithium carbonate with aluminum oxide in a melt of sodium and potassium carbonates of eutectic composition (Kinoshita BA, Sim W., Askerman JP Preparation and characterization of Li-auminate // Mat. Ress. Bull. 1978. V.13. N.5. P.445-455). The synthesis time at 640 ° C is 72 hours. The disadvantage of this method of producing lithium meta-aluminate is the impossibility of obtaining it in a compact form, the long synthesis time, as well as contamination with potassium and sodium, which are undesirable impurities when growing single crystals of lithium meta-aluminate.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявляемому изобретению является способ получения моноалюмината лития с вюрцитной структурой путем спекания карбоната лития с оксидом алюминия (Н.А.Lеnmann, H.Hesselbarth. Uber eine neue Modifikation des LiAlO2// Z.Anorg. Allgem.Chem. 1961. Bd. 313. S.117-120). По этому способу спекание соединений проводят при температуре 600°С в течение длительного времени 86-120 часов. Недостатком данного способа является низкая температура синтеза, что не позволяет получить поликристаллическую шихту в компактном рациональном виде.The closest in technical essence and the achieved result to the claimed invention is a method for producing lithium monoaluminate with a wurtzite structure by sintering lithium carbonate with aluminum oxide (N.A. Lenmann, H. Hesselbarth. Uber eine neue Modification f LiAlO 2 // Z. Anorg. Allgem. Chem. 1961. Bd. 313. S.117-120). According to this method, the sintering of compounds is carried out at a temperature of 600 ° C for a long time 86-120 hours. The disadvantage of this method is the low synthesis temperature, which does not allow to obtain a polycrystalline mixture in a compact rational form.
Технической задачей предлагаемого изобретения является создание высокопроизводительного, экономически выгодного способа получения шихты в компактном рациональном виде - в форме профилированных таблеток любого диаметра с целью выращивания высококачественных монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, использующихся для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия.The technical task of the invention is the creation of a high-performance, cost-effective method of producing a mixture in a compact rational form - in the form of profiled tablets of any diameter in order to grow high-quality single crystals with wurtzite structure of LiMeO 2 composition used for the manufacture of substrates for epitaxial growth of gallium nitride.
Указанная техническая задача решается за счет того, что в известном способе получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, включающем смешивание оксида металла, входящего в состав формулы монокристалла, с карбонатом лития (Li2CO3), взятых в стехиометрическом соотношении, и термообработку в тигле, перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO2, где Me - алюминий (Al) или галлий (Ga), предварительно подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла в течение 6 часов в алундовом тигле.The specified technical problem is solved due to the fact that in the known method of producing a mixture for growing single crystals with a wurtzite structure of the composition LiMeO 2 , comprising mixing metal oxide, which is part of the single crystal formula, with lithium carbonate (Li 2 CO 3 ), taken in stoichiometric ratio, and heat-treating in a crucible, before mixing the compounds of elements belonging to the single crystal LiMeO formula 2, where Me - aluminum (Al) or gallium (Ga), is previously subjected to comminution to a particle size less than 2 microns and in direct heat affairs stability of these compounds, and the sintering is performed at a temperature of 87-88% of the melting temperature of the corresponding single crystal for 6 hours under an alundum crucible.
Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед смешиванием соединения элементов, входящих в состав формулы монокристалла LiMeO2, где Ме - Аl (алюминий) или Ga (галлий), подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм и нагреванию в пределах устойчивости этих соединений, а спекание осуществляют при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего монокристалла, в течение 6 часов в алундовом тигле.Comparative analysis of the proposed invention with the prototype shows that the claimed method differs from the known one in that before mixing the compounds of the elements that make up the formula of the LiMeO 2 single crystal, where Me - Al (aluminum) or Ga (gallium), is subjected to grinding to a particle size of not more than 2 μm and heating within the stability of these compounds, and sintering is carried out at a temperature of 87-88% of the melting point of the corresponding single crystal for 6 hours in an alundum crucible.
Предварительное измельчение соединений карбоната лития Li2CO3 и оксида металла Аl2О3 или Ga2О3 до смешивания позволяет увеличить площадь взаимодействия реагирующих частиц, что в конечном итоге увеличивает скорость синтеза соединений, тем самым увеличивает производительность процесса. Измельчение соединений до размера частиц не более 2 мкм обеспечивает оптимальные результаты. Недостаточное измельчение частиц, а именно до размера более 2 мкм, замедляет скорость взаимодействия этих частиц или увеличивает время, необходимое для этого взаимодействия, а это экономически невыгодно.Preliminary grinding of compounds of lithium carbonate Li 2 CO 3 and metal oxide Al 2 O 3 or Ga 2 O 3 before mixing allows to increase the area of interaction of reacting particles, which ultimately increases the rate of synthesis of compounds, thereby increasing the productivity of the process. Grinding the compounds to a particle size of not more than 2 microns provides optimal results. Insufficient grinding of particles, namely, to a size greater than 2 microns, slows down the rate of interaction of these particles or increases the time required for this interaction, and this is economically disadvantageous.
После измельчения, соединения элементов, перед смешиванием, каждый по отдельности, подвергают нагреванию в пределах устойчивости каждого из них, достигая верхней границы этого предела и не превышая его, что предотвращает последующее нарушение стехиометрии расплава, а следовательно, обуславливает исключение выращивания некондиционных кристаллов. Нагревание до температуры выше предела устойчивости хотя бы одного из них приводит к нарушению стехиометрии расплава при наплавлении синтезированной шихты, что в конечном итоге ухудшает качество выращиваемых монокристаллов.After grinding, joining the elements, before mixing, each is subjected to heating within the stability of each of them, reaching the upper limit of this limit and not exceeding it, which prevents subsequent violation of the stoichiometry of the melt, and therefore leads to the exclusion of the growth of substandard crystals. Heating to a temperature above the stability limit of at least one of them leads to a violation of the stoichiometry of the melt during deposition of the synthesized charge, which ultimately affects the quality of the grown single crystals.
Спекание смесей карбоната лития с оксидом алюминия (Li2СО3+Аl2О3) или карбоната лития с оксидом галлия (Li2СО3+Ga2O3) при температурах, составляющих 87-88% от температуры плавления соответствующего кристалла, позволяет предотвратить расплавление шихты на стадии ее синтеза, а следовательно, ее взаимодействие со стенками тигля, и позволяет получать ее в рациональном компактном виде - в форме профилированных таблеток. Спекание смесей при температурах ниже нижнего предельного значения не позволяет получать шихту в компактном виде в форме профилированных таблеток диаметром 86-100 мм, а следовательно, обеспечить полную загрузку тигля, из которого осуществляется последующий рост соответствующего монокристалла. Спекание же смесей при более высокой температуре, выше верхнего предельного значения, приводит к прилипанию их к стенкам тигля, что свидетельствует о начале их взаимодействия с материалом тигля, и, как следствие этого, происходит загрязнение полученной шихты и последующий рост некачественных кристаллов.Sintering mixtures of lithium carbonate with alumina (Li 2 CO 3 + Al 2 O 3 ) or lithium carbonate with gallium oxide (Li 2 CO 3 + Ga 2 O 3 ) at temperatures of 87-88% of the melting temperature of the corresponding crystal, allows to prevent the melting of the charge at the stage of its synthesis, and consequently, its interaction with the walls of the crucible, and allows you to get it in a rational compact form - in the form of shaped tablets. Sintering mixtures at temperatures below the lower limit value does not allow to obtain the mixture in a compact form in the form of shaped tablets with a diameter of 86-100 mm, and therefore, to ensure full loading of the crucible, from which the subsequent growth of the corresponding single crystal is carried out. Sintering of mixtures at a higher temperature, above the upper limit value, leads to their adhesion to the walls of the crucible, which indicates the beginning of their interaction with the material of the crucible, and, as a result, the resulting mixture is contaminated and subsequent growth of low-quality crystals.
Спекание смесей в течение 6 часов достаточно для получения шихт в рациональном экономическом виде в форме профилированных таблеток металюмината лития - LiAlO2 или метагаллата лития - LiGaO2 диаметром 86-100 мм, которые позволяют при выращивании соответствующих монокристаллов получать более качественные кристаллы за счет исключения нарушения стехиометрического состава шихт.Sintering the mixtures for 6 hours is enough to obtain the mixture in a rational economic form in the form of shaped tablets of lithium metaluminate - LiAlO 2 or lithium metagallate - LiGaO 2 with a diameter of 86-100 mm, which allow to obtain better crystals when growing the corresponding single crystals by eliminating stoichiometric disturbance the composition of the charge.
Спекание смесей менее 6 часов не дает возможности получать таблетированную шихту (таблетки рассыпаются), обуславливающую высокое качество выращиваемых кристаллов, а выдержка более 6 часов экономически нецелесообразна.Sintering mixtures for less than 6 hours makes it impossible to obtain a pelletized mixture (tablets disintegrate), which determines the high quality of the grown crystals, and exposure for more than 6 hours is not economically feasible.
Пример конкретного выполнения.An example of a specific implementation.
Исходные соединения элементов - карбонат лития (Li2СО3) и оксид металла, входящий в состав формулы монокристаллов - оксид алюминия (Аl2О3) или оксид галлия (Ga2О3) до смешивания, каждый по отдельности, подвергают измельчению до размера частиц не более 2 мкм, а затем нагреванию в пределах устойчивости этих соединений. Нагревание карбоната лития проводят при температуре в пределах устойчивости этого соединение, достигая его верхней границы - 100°С, чтобы исключить разложение на оксид лития и углекислый газ. Нагревание оксида алюминия и оксида галлия проводят, нагревая соеднение до температуры 600°С, при которой данные оксиды устойчивы. После предварительной обработки соединений готовят 1240,4 г смеси (масса каждой их трех таблеток), содержащей карбонат лития и соответствующий оксид металла в стехиометрическом соотношении 1:1. Смесь тщательно перемешивают в полиэтиленовой банке с использованием смесителя типа “пьяная бочка”. Затем смесь загружают в алундовый тигель, а именно в пространство между его внутренними стенками и алундовой трубкой, установленной в центральной части тигля. Подготовленный тигель со смесью соединений подвергают спеканию при температуре, составляющей 87-88% от температуры плавления соответствующего получаемого монокристалла (метагаллата или метаалюмината лития), в течение 6 часов. В результате получаем профилированные таблетки шихты для выращивания монокристаллов метаалюмината или метагаллата лития с вюрцитной структурой. Результаты опытов сведены в таблицу.The starting compounds of the elements — lithium carbonate (Li 2 CO 3 ) and metal oxide, which is part of the single crystal formula — alumina (Al 2 O 3 ) or gallium oxide (Ga 2 O 3 ), before being mixed, are individually ground to size particles not more than 2 microns, and then heated within the stability of these compounds. The heating of lithium carbonate is carried out at a temperature within the stability of this compound, reaching its upper limit of 100 ° C in order to prevent decomposition into lithium oxide and carbon dioxide. The heating of aluminum oxide and gallium oxide is carried out by heating the compound to a temperature of 600 ° C, at which these oxides are stable. After pretreatment of the compounds, 1240.4 g of a mixture (the weight of each of three tablets) containing lithium carbonate and the corresponding metal oxide in a stoichiometric ratio of 1: 1 is prepared. The mixture is thoroughly mixed in a plastic jar using a drunk barrel mixer. Then the mixture is loaded into the alundum crucible, namely, into the space between its inner walls and the alundum tube installed in the central part of the crucible. The prepared crucible with the mixture of compounds is sintered at a temperature of 87-88% of the melting temperature of the corresponding obtained single crystal (metagallate or lithium metaaluminate) for 6 hours. As a result, we obtain profiled charge tablets for growing single crystals of meta-aluminate or lithium metagallate with a wurtzite structure. The results of the experiments are summarized in table.
Предложен высокопроизводительный, экономически выгодный способ получения шихты для выращивания монокристаллов с вюрцитной структурой состава LiMeO2, где Me - Al или Ga, позволяющий:A high-performance, cost-effective method of producing a mixture for growing single crystals with a wurtzite structure of the composition LiMeO 2 , where Me is Al or Ga, which allows:
- получать профилированные таблетки качественной шихты необходимой массы и размеров при выращивании из него монокристалла;- receive profiled tablets of high-quality mixture of the required mass and size when growing a single crystal from it;
- избежать нарушения стехиометрии расплава, так как синтезированные таблетки полностью используются при наплавлении их в иридиевый тигель для последующего выращивания монокристаллов, а следовательно, получать однородные по своему составу монокристаллы для изготовления подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия.- to avoid violation of the stoichiometry of the melt, since the synthesized tablets are completely used when melting them into an iridium crucible for the subsequent growth of single crystals, and therefore, to obtain single crystals of uniform composition for the manufacture of substrates for epitaxial growth of gallium nitride.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003118726/15A RU2249063C1 (en) | 2003-06-25 | 2003-06-25 | Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003118726/15A RU2249063C1 (en) | 2003-06-25 | 2003-06-25 | Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2003118726A RU2003118726A (en) | 2004-12-27 |
| RU2249063C1 true RU2249063C1 (en) | 2005-03-27 |
Family
ID=35560495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003118726/15A RU2249063C1 (en) | 2003-06-25 | 2003-06-25 | Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2249063C1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1189545A (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | Vertical temperature gradient method for growing lithium aluminate and lithium gallate crystals |
-
2003
- 2003-06-25 RU RU2003118726/15A patent/RU2249063C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1189545A (en) * | 1997-01-30 | 1998-08-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | Vertical temperature gradient method for growing lithium aluminate and lithium gallate crystals |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| COCKAYNE B. et al. The Czochralski growth of single crystal lithium aluminate, LiAlO 2 . "J. Cryst. Growth",1981,54,N3,546-550. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108383162B (en) | Method for producing garnet-type oxide solid electrolyte | |
| KR101451995B1 (en) | Process for producing ZnO single crystal according to method of liquid phase growth | |
| CN101476156B (en) | Gadolinium, yttrium, scandium and gallium doped garnet, gadolinium-yttrium-scandium-gallium-aluminum garnet and crystal growth method by melt method | |
| PL211013B1 (en) | Phosphor single crystal substrate and method for preparing the same, and nitride semiconductor component using the same | |
| Suda et al. | Crystal growth of La2Hf2O7 by micro-pulling-down method using W crucible | |
| CN110923816B (en) | A kind of calcium bismuth titanate photoelectric functional crystal and its growth method and application | |
| RU2249063C1 (en) | Method for production of batch for wurtzite-structure single crystal growth | |
| Suda et al. | Crystal growth of La2Zr2O7 by micro-pulling-down method using Mo and W crucibles | |
| CN101671844A (en) | Ca, Mg, Zr, Gd and Ga garnet doped with Sm and melt method crystal growth method thereof | |
| JP6102687B2 (en) | Method for producing complex oxide single crystal | |
| US7811909B2 (en) | Production of a hexagonal boron nitride crystal body capable of emitting out ultraviolet radiation | |
| RU2194808C1 (en) | Process of preparation of mixture to grow monocrystals of gallosilicates with structure of calcium gallogermanate | |
| JP4459519B2 (en) | Compound raw material and method for producing compound single crystal | |
| CN101780959A (en) | Preparation method of Bi4Si3O12 nanocrystals | |
| Masloboeva et al. | Sol-gel synthesis of lithium niobate doped by zinc and boron and study of the luminescent properties of ceramics LiNbO3: Zn: B | |
| CN114150380B (en) | Zinc oxide crystal and preparation method thereof | |
| Li | Fabrication of transparent yttrium aluminum garnet ceramic | |
| RU2296824C1 (en) | Method of production of charge for growing monocrystals on base of oxides of rare-earth metals, trace metals and refractory metals or silicon | |
| RU2245402C2 (en) | Method for production of single crystal lithium aluminate | |
| RU2241793C2 (en) | Method for producing of batch for growth of single crystal strong-nigacite and strontangacite with calcium gallogermanate structure | |
| CN115467024B (en) | Potassium barium calcium boron oxyfluoride compound, potassium barium calcium boron oxyfluoride nonlinear optical crystal, preparation method and application | |
| JP6102686B2 (en) | Method for producing complex oxide single crystal | |
| JPS5938193B2 (en) | Manufacturing method of corundum single crystal that emits starry colors | |
| JP2002234796A (en) | Method for synthesizing lithium cobaltate and method for growing its single crystal | |
| JP2647052B2 (en) | Method for producing rare earth vanadate single crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050626 |