RU2128625C1 - Method of producing polycrystalline diamond - Google Patents
Method of producing polycrystalline diamond Download PDFInfo
- Publication number
- RU2128625C1 RU2128625C1 RU95119242A RU95119242A RU2128625C1 RU 2128625 C1 RU2128625 C1 RU 2128625C1 RU 95119242 A RU95119242 A RU 95119242A RU 95119242 A RU95119242 A RU 95119242A RU 2128625 C1 RU2128625 C1 RU 2128625C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- semiconductor
- temperature
- explosive composition
- pressure
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 claims abstract description 6
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229960002645 boric acid Drugs 0.000 claims abstract description 4
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 238000004880 explosion Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 abstract 1
- 229910021502 aluminium hydroxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 abstract 1
- 229910001679 gibbsite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000004484 Briquette Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000005474 detonation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- WMWXXXSCZVGQAR-UHFFFAOYSA-N dialuminum;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] WMWXXXSCZVGQAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к получению алмаза и может быть использовано в электронной технике для создания полупроводниковых приборов. The invention relates to the production of diamond and can be used in electronic technology to create semiconductor devices.
Известно, что легирование кристаллической решетки алмаза электрически активными примесями, например, атомами бора, приводит к уменьшению эффективной ширины запрещенной зоны и к соответствующему уменьшению удельного электрического сопротивления материала (см. например, Вавилов В.С. Алмаз - широкозонный полупроводник: Сб. "Алмаз в электронной технике".- М.: Энергоатомиздат, 1990, с. 14-21). В настоящее время получение полупроводниковых алмазов основано на использовании следующих методов: 1) метода ионной имплантации - внедрения в алмаз ускоренных ионов легирующих примесей; 2) метода эпитаксии и легирования из газовой фазы; 3) метода термической диффузии легирующих атомов в решетку алмаза в процессе синтеза в камере высокого давления. Недостаток метода ионной имплантации заключается в значительных нарушениях структуры алмаза, причем восстановление кристаллической решетки путем высокотемпературного отжига приводит к увеличению электрического сопротивления образцов. Недостаток метода эпитаксиального наращивания алмазных пленок заключается в малых значениях толщин полупроводниковых слоев, составляющих 1-2 мкм. Общим недостатком первых двух методов является их большая трудоемкость, что ограничивает возможности их применения для промышленного производства полупроводниковых алмазов. It is known that doping a diamond crystal lattice with electrically active impurities, for example, boron atoms, leads to a decrease in the effective band gap and a corresponding decrease in the electrical resistivity of the material (see, for example, Vavilov V.S. Diamond - wide-gap semiconductor: Sat. "Diamond in electronic technology ".- M: Energoatomizdat, 1990, p. 14-21). Currently, the preparation of semiconductor diamonds is based on the use of the following methods: 1) the method of ion implantation - the introduction of accelerated ions of dopants into the diamond; 2) the method of epitaxy and doping from the gas phase; 3) the method of thermal diffusion of doping atoms into the diamond lattice during synthesis in a high-pressure chamber. The disadvantage of the method of ion implantation is significant violations of the structure of diamond, and the restoration of the crystal lattice by high-temperature annealing leads to an increase in the electrical resistance of the samples. The disadvantage of the method of epitaxial growth of diamond films is the small thicknesses of the semiconductor layers, comprising 1-2 microns. A common drawback of the first two methods is their great complexity, which limits the possibilities of their application for the industrial production of semiconductor diamonds.
Известен способ синтеза алмаза, заключающийся в том, что углеродсодержащий материал с добавкой компонент, включающий бор и алюминий, подвергают действию температуры и давления, соответствующих области стабильности алмаза на фазовой диаграмме углерода, в течение времени, необходимого для образования алмаза (заявка ФРГ N 2032103, кл. C 01 B 31/06). К недостаткам известного способа относится ограниченная возможность управления процессом получения полупроводникового материала с заданными электрическими характеристиками, связанная с малой величиной коэффициента диффузии бора в алмазе, что приводит к неоднородному распределению бора по объему материала при введении электрических активных примесей путем диффузии с поверхности кристалла макроскопических размеров. A known method for the synthesis of diamond, namely, that the carbon-containing material with the addition of a component, including boron and aluminum, is subjected to temperature and pressure, corresponding to the stability region of the diamond in the carbon phase diagram, for the time necessary for the formation of diamond (application Germany N 2032103, C. C 01 B 31/06). The disadvantages of this method include the limited ability to control the process of obtaining a semiconductor material with predetermined electrical characteristics, associated with a small value of the diffusion coefficient of boron in diamond, which leads to an inhomogeneous distribution of boron over the volume of the material when electrical active impurities are introduced by diffusion from the surface of the crystal of macroscopic sizes.
Наиболее близким к изобретению является способ получения поликристаллического алмаза (пат. RU N 2041166, кл. С 01 В 31/06, 09.08.95), включающий воздействие температурой и давлением в области стабильности алмаза на фазовой диаграмме углерода, на тротилгексогеновый взрывчатый состав с отрицательным кислородным балансом и добавкой, содержащей алюминий. Closest to the invention is a method for producing polycrystalline diamond (US Pat. RU N 2041166, class C 01 B 31/06, 09/09/95), including the influence of temperature and pressure in the field of diamond stability on the carbon phase diagram on the TNT explosive composition with a negative oxygen balance and an additive containing aluminum.
Данный способ не обеспечивает связывания примесных азотных центров в кристаллической решетке алмаза, что, в свою очередь, приводит к ухудшению полупроводниковых свойств получаемого материала (Вавилов В.С., Конорова Е.А. Полупроводниковые алмазы. - Успехи физических наук, 1976, т.118, вып. 4, с. 611-639.)
Задачей авторов изобретения является разработка достаточно простого серийно осуществимого способа синтеза полукристаллического алмаза, обеспечивающего получения материала с явно выраженными полупроводниковыми свойствами.This method does not provide the binding of impurity nitrogen centers in the diamond crystal lattice, which, in turn, leads to a deterioration in the semiconductor properties of the obtained material (Vavilov V.S., Konorova E.A. Semiconductor diamonds. - Uspekhi Fizicheskikh Nauk, 1976, vol. 118, issue 4, pp. 611-639.)
The task of the authors of the invention is to develop a fairly simple commercially feasible method for the synthesis of semi-crystalline diamond, providing a material with pronounced semiconductor properties.
Новый технический результат, получаемый при осуществлении предлагаемого способа, заключается в получении поликристаллического алмаза, легированного равномерно по объему кристаллической решетки бором и алюминием одновременно. Указанный технический результат достигается тем, что известном способе получения поликристаллического алмаза путем воздействия температуры и давления, соответствующими области стабильности алмаза на фазовой диаграмме углерода, на кристаллы алмаза, легированные бором, согласно предлагаемому способу поликристаллические алмазы получают в две стадии, На первой стадии в качестве исходного углеродсодержащего материала используют тротилгексогеновый взрывчатый состав с отрицательным кислородным балансом с добавками соединений бора и алюминия, легко разлагающихся в детонационной волне, причем содержание добавок составляет не менее 5% от массы углеродсодержащего материала. На второй стадии полученный алмазный порошок подвергают действию температуры и давления, соответствующих области стабильности алмаза на фазовой диаграмме углерода, в течение времени, необходимого для образования поликристаллического алмаза с заданными электрофизическими свойствами. A new technical result obtained by the implementation of the proposed method is to obtain a polycrystalline diamond doped uniformly throughout the crystal lattice with boron and aluminum simultaneously. The specified technical result is achieved by the fact that the known method for producing polycrystalline diamond by exposure to temperature and pressure, corresponding to the stability region of the diamond in the carbon phase diagram, on boron doped diamond crystals, according to the proposed method, polycrystalline diamonds are obtained in two stages. In the first stage, as the initial carbon-containing material using trotylhexogen explosive composition with a negative oxygen balance with the addition of boron compounds and Yuminov readily decomposing in a detonation wave, the additive content is not less than 5% by weight of the carbonaceous material. In the second stage, the obtained diamond powder is subjected to temperature and pressure corresponding to the stability region of the diamond in the carbon phase diagram for the time necessary for the formation of polycrystalline diamond with desired electrophysical properties.
В предлагаемом способе на первой стадии при детонации тротилгексогенового состава с добавками легко разлагающихся в ударной волне соединений бора и алюминия образуются ультрадисперсные алмазы (УДА), легированные бором и алюминием одновременно. При детонационном синтезе УДА легирование алмаза происходит на кластерном уровне в ходе многочисленных столкновительных процессов, протекающих во фронте ударной волны. Кластеры УДА со средними размерами <a> = 5 нм образуются путем агрегативной коагуляции из зародышей размерами ~ 0,2 нм за время t ~ 1 нс, в течение которого углеродсодержащая среда подвергается воздействию температуры и давления, соответствующих области стабильности алмаза (Анисичкин В.Ф., Долгушин Д.С., Петров Е.А. Влияние температуры на процесс роста ультрадисперсных алмазов во фронте детонационной волны. - Физика горения и взрыва, 1995, т. 31, N 1, с. 109-112). При наличии в углеродсодержащей среде атомов легирующих элементов происходит замещение ими отдельных атомов углерода в кристаллической решетке алмазных кластеров. Соотношение размеров кластеров и зародышей обеспечивает однородное распределение атомов легирующих примесей в кристаллической решетке УДА, так как алмазные частицы указанных размеров образуются в результате ~ 10000 индивидуальных взаимодействий кластеров с зародышами. При одновременном легировании УДА бром и алюминием последний связывает примесные азотные центры, а примесь бора создает акцепторные уровни энергии в запрещенной зоне и обеспечивает проводимость дырочного типа. Полученный порошок подвергают химической очистке с целью удаления посторонних примесей. На второй стадии происходят спекание алмазного порошка и образование монолитного брикета миллиметровых размеров с заданными электрофизическими свойствами. In the proposed method, at the first stage, when the trotylhexogen composition is detonated with additives of boron and aluminum compounds that are easily decomposed in the shock wave, ultrafine diamonds (UDDs) are formed, doped with boron and aluminum simultaneously. In detonation synthesis of UDD, doping of diamond occurs at a cluster level during numerous collision processes occurring in the front of a shock wave. UDD clusters with average sizes <a> = 5 nm are formed by aggregative coagulation from nuclei of ~ 0.2 nm in size at a time of t ~ 1 ns, during which the carbon-containing medium is exposed to temperature and pressure corresponding to the diamond stability region (Anisichkin V.F. ., Dolgushin DS, Petrov EA The influence of temperature on the process of growth of ultrafine diamonds in the front of the detonation wave. - Combustion and Explosion Physics, 1995, vol. 31, No. 1, pp. 109-112). In the presence of atoms of alloying elements in a carbon-containing medium, they replace individual carbon atoms in the crystal lattice of diamond clusters. The ratio of cluster sizes and nuclei ensures a uniform distribution of dopant atoms in the UDD crystal lattice, since diamond particles of the indicated sizes are formed as a result of ~ 10,000 individual interactions of clusters with nuclei. With simultaneous doping of UDD with bromine and aluminum, the latter binds impurity nitrogen centers, and an impurity of boron creates acceptor energy levels in the band gap and ensures hole-type conductivity. The resulting powder is subjected to chemical purification in order to remove impurities. At the second stage, sintering of diamond powder and the formation of a monolithic briquette of millimeter sizes with desired electrophysical properties occur.
Рецептура и содержание легирующих добавок выбираются такими, чтобы, с одной стороны, обеспечивалось минимально допустимое содержание бора и алюминия (по массе) в среде кристаллизации, позволяющее заметно снизить удельное электрическое сопротивление брикета по сравнению с удельным электрическим сопротивлением брикета, полученного из порошка УДА без легирующих добавок. С другой стороны, рецептура и содержание легирующих добавок выбираются такими, чтобы обеспечить сохранение взрывчатых свойств и чувствительности тротилгексогенового состава. Режим воздействия на алмазный порошок на второй стадии выбирается таким, чтобы обеспечивались условия стабильности алмаза и перекристаллизации ультрадисперсного порошка в монолитный брикет. The recipe and content of alloying additives are selected so that, on the one hand, the minimum permissible content of boron and aluminum (by weight) in the crystallization medium is ensured, which allows to significantly reduce the electrical resistivity of the briquette in comparison with the electrical resistivity of the briquette obtained from UDD powder without alloying additives. On the other hand, the formulation and content of alloying additives are selected so as to ensure the preservation of the explosive properties and sensitivity of the trotylhexogen composition. The mode of exposure to diamond powder in the second stage is chosen so as to ensure conditions for the stability of diamond and recrystallization of ultrafine powder into a monolithic briquette.
Эксперименты показали, что в качестве легирующих добавок целесообразно использовать равные по массе порции ортоборной кислоты и гидрата окиси алюминия с суммарным содержанием не менее 5% от массы углеродсодержащего материала-тротилгексогенового состава ТГ 50/50. Это обеспечивает уменьшение электрического сопротивления алмаза на 1-2 порядка по сравнению с электрическим сопротивлением алмаза, полученного из тротилгексогенового состава без легирующих добавок. Для изготовления из ультрадисперсного порошка, полученного после химической очистки твердых продуктов взрыва, монолитной алмазной пластинки миллиметровой толщины следует подвергать этот порошок воздействию температуры 1300 К и давления 7,7 ГПа в течение 35 с. Experiments have shown that it is advisable to use equal mass portions of orthoboric acid and aluminum oxide hydrate with a total content of at least 5% by weight of the carbon-containing trotylhexogen composition TG 50/50. This provides a decrease in the electrical resistance of diamond by 1-2 orders of magnitude compared with the electrical resistance of diamond obtained from trotylhexogen composition without alloying additives. To make a monolithic millimeter-thick diamond plate from an ultrafine powder obtained after chemical cleaning of solid explosion products, this powder should be exposed to a temperature of 1300 K and a pressure of 7.7 GPa for 35 s.
Реализация способа подтверждается следующим примером. В качестве углеродосодержащего материала используют тротилгексогеновый состав ТГ 50/50 с равными по массе добавками ортоборной кислоты и гидрата окиси алюминия, составляющими в совокупности 5% от массы взрывчатого вещества (ВВ). Из данного состава изготавливают шашку массой 130 г, которую подрывают в водяной оболочке массой 3 кг внутри сохраняемой взрывной камеры. Твердые продукты взрыва подвергают химической очистке путем кипячения в специальной смеси кислот и определяют выход алмазной фазы, который составляет 10% от массы ВБ. Полученный порошок ультрадисперсных алмазов подвергают воздействию температуры 1300 К при давлении 7,7 ГПа в течение 35 секунд. Получают монолитный брикет с размерами 3 х 2 х 1,5 мм, который обладает удельным электрическим сопротивлением 0,13 ГОм • см при температуре 298 К. При нагревании брикета до температуры 773 К его удельное электрическое сопротивление уменьшается примерно на три порядка, что свидетельствует о явно выраженных полупроводниковых свойствах материала. The implementation of the method is confirmed by the following example. As a carbon-containing material, the trotylhexogen composition of TG 50/50 is used with equal mass additions of orthoboric acid and aluminum oxide hydrate, which constitute 5% by weight of the explosive (BB) in total. From this composition, a 130 g piece is made, which is detonated in a 3 kg water shell inside the stored blast chamber. The solid products of the explosion are subjected to chemical purification by boiling in a special mixture of acids and the yield of the diamond phase, which is 10% by weight of the WB, is determined. The resulting ultrafine diamond powder is subjected to a temperature of 1300 K at a pressure of 7.7 GPa for 35 seconds. A monolithic briquette with dimensions of 3 x 2 x 1.5 mm is obtained, which has a specific electrical resistance of 0.13 GΩ · cm at a temperature of 298 K. When the briquette is heated to a temperature of 773 K, its specific electrical resistance decreases by about three orders of magnitude, which indicates the pronounced semiconductor properties of the material.
Удельное электрическое сопротивление полученного предлагаемым способом поликристаллического алмаза соответствует верхней границе сопротивления природных полупроводниковых алмазов (см. Безруков Г.П. Алмаз // Физическая энциклопедия. Т. I. - М.: "Советская энциклопедия", 1988, с. 60-62). Толщина полученного образца примерно в 10 раз превышает толщину 0,1-0,2 мм полупроводникового монокристаллического слоя алмаза, полученного при диффузионном легировании бором (см. Крычков В.А., Детчуев Ю.А., Лаптев В.А. и др. Чувствительные элементы сенсоэлектроники на основе синтетического алмаза // Сборник "Алмаз в электронной технике". - М.: Энергоатомиздат, 1990, с. 74-91). Таким образом, реализация предлагаемого способа позволяет на порядок увеличить толщину полупроводникового слоя алмаза при сохранении электрофизических свойств, присущих природным алмазам. The electrical resistivity of the obtained by the proposed method polycrystalline diamond corresponds to the upper boundary of the resistance of natural semiconductor diamonds (see Bezrukov GP Diamond // Physical Encyclopedia. T. I. - M .: "Soviet Encyclopedia", 1988, pp. 60-62) . The thickness of the obtained sample is approximately 10 times the thickness of 0.1-0.2 mm of a semiconductor single-crystal layer of diamond obtained by diffusion doping with boron (see Krychkov V.A., Detchuev Yu.A., Laptev V.A. et al. Sensitive elements of sensors based on synthetic diamond // Collection "Diamond in electronic technology". - M .: Energoatomizdat, 1990, pp. 74-91). Thus, the implementation of the proposed method allows to increase the thickness of the semiconductor layer of diamond by an order of magnitude while maintaining the electrophysical properties inherent in natural diamonds.
Благодаря тому, что при своей реализации предлагаемый способ позволяет использовать широко распространенный тротилгексогеновый взрывчатый состав, появляется возможность промышленного получения алмаза с полупроводниковыми свойствами. Due to the fact that during its implementation the proposed method allows the use of widespread TNT-hexogen explosive composition, there is the possibility of industrial production of diamond with semiconductor properties.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95119242A RU2128625C1 (en) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | Method of producing polycrystalline diamond |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU95119242A RU2128625C1 (en) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | Method of producing polycrystalline diamond |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU95119242A RU95119242A (en) | 1997-12-27 |
| RU2128625C1 true RU2128625C1 (en) | 1999-04-10 |
Family
ID=20173741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU95119242A RU2128625C1 (en) | 1995-11-14 | 1995-11-14 | Method of producing polycrystalline diamond |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2128625C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2202514C1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-04-20 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Method of production of alloyed ultradispersed diamonds |
| RU2230702C1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Алмазный Центр" | Method of preparing nano-diamands |
| RU2244679C2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-01-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид"(АОЗТ "Карбид") | Method of purifying superdispersed diamonds |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1240525A (en) * | 1967-09-08 | 1971-07-28 | Gen Electric | Improvements in diamond compacts |
| GB1240526A (en) * | 1967-09-08 | 1971-07-28 | Gen Electric | Improvements in diamond compacts |
| US3630637A (en) * | 1970-01-22 | 1971-12-28 | Cornell Mfg Co | Sewage-pumping station |
| US3906082A (en) * | 1970-08-28 | 1975-09-16 | Alexandr Alexandrov Shulzhenko | Method of making diamonds synthetically |
| RU2036835C1 (en) * | 1992-09-01 | 1995-06-09 | Акционерное общество закрытого типа "Меганит" | Method for production of ultradispersed diamond |
| RU2041166C1 (en) * | 1993-04-02 | 1995-08-09 | Научно-производственное объединение "Алтай" | Method for production of diamonds |
-
1995
- 1995-11-14 RU RU95119242A patent/RU2128625C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1240525A (en) * | 1967-09-08 | 1971-07-28 | Gen Electric | Improvements in diamond compacts |
| GB1240526A (en) * | 1967-09-08 | 1971-07-28 | Gen Electric | Improvements in diamond compacts |
| DE1792454B2 (en) * | 1967-09-08 | 1976-06-16 | General Electric Co., Schenectady, N.Y. (V.St.A.) | METHOD OF MANUFACTURING A POLYCRYSTALLINE DIAMOND BODY |
| US3630637A (en) * | 1970-01-22 | 1971-12-28 | Cornell Mfg Co | Sewage-pumping station |
| US3906082A (en) * | 1970-08-28 | 1975-09-16 | Alexandr Alexandrov Shulzhenko | Method of making diamonds synthetically |
| RU2036835C1 (en) * | 1992-09-01 | 1995-06-09 | Акционерное общество закрытого типа "Меганит" | Method for production of ultradispersed diamond |
| RU2041166C1 (en) * | 1993-04-02 | 1995-08-09 | Научно-производственное объединение "Алтай" | Method for production of diamonds |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2202514C1 (en) * | 2002-01-09 | 2003-04-20 | Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики | Method of production of alloyed ultradispersed diamonds |
| RU2244679C2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-01-20 | Акционерное общество закрытого типа "Карбид"(АОЗТ "Карбид") | Method of purifying superdispersed diamonds |
| RU2230702C1 (en) * | 2003-02-06 | 2004-06-20 | Закрытое акционерное общество "Алмазный Центр" | Method of preparing nano-diamands |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Doo et al. | Preparation and properties of pyrolytic silicon nitride | |
| US2854364A (en) | Sublimation process for manufacturing silicon carbide crystals | |
| EP0282054B1 (en) | Thin film single crystal diamond substrate | |
| JP4580939B2 (en) | Silicon feedstock for solar cells | |
| US3658586A (en) | Epitaxial silicon on hydrogen magnesium aluminate spinel single crystals | |
| EP0899358B1 (en) | Silicon carbide fabrication | |
| Bondarenko et al. | On the real structure of monocrystalline silicon near dislocation slip planes | |
| JP4361892B2 (en) | Method for producing doped semiconductor wafers made of silicon and semiconductor wafers of this kind | |
| Bosman et al. | Electrical conduction in Li-doped CoO | |
| Rahimkutty et al. | Thermal behaviour of strontium tartrate single crystals grown in gel | |
| Blount et al. | Variation of the properties of chemically deposited lead sulfide film with the use of an oxidant | |
| US3990902A (en) | Magnesium-titanate-comprising spinel single crystal substrate for semiconductor devices | |
| Paradowska et al. | Effect of annealing on photoluminescence and Raman scattering of Sb-doped ZnO epitaxial layers grown on a-Al2O3 | |
| RU2128625C1 (en) | Method of producing polycrystalline diamond | |
| JPS6129919B2 (en) | ||
| JP3502394B2 (en) | Langasite wafer and manufacturing method thereof | |
| JP2681283B2 (en) | Method for growing oxide on ion-implanted polysilicon surface | |
| JP2746606B2 (en) | Method for producing large-particle polycrystalline film | |
| US4798764A (en) | Arsenate dopant sources and method of making the sources | |
| US4846902A (en) | Solid diffusion source of GD oxide/P205 compound and method of making silicon wafer | |
| US20100092363A1 (en) | Combustion synthesis method and materials produced therefrom | |
| Freedman | Stress Effects on the Magnetic Properties of Evaporated Single‐Crystal Nickel Films | |
| Biró et al. | The influence of thermal annealing on the physical properties of chemically deposited PbSe films | |
| US20020071803A1 (en) | Method of producing silicon carbide power | |
| JP3116403B2 (en) | Method for manufacturing thin film transistor |