RU2018112510A - СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ - Google Patents
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2018112510A RU2018112510A RU2018112510A RU2018112510A RU2018112510A RU 2018112510 A RU2018112510 A RU 2018112510A RU 2018112510 A RU2018112510 A RU 2018112510A RU 2018112510 A RU2018112510 A RU 2018112510A RU 2018112510 A RU2018112510 A RU 2018112510A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- layer
- substrate
- single crystal
- manufacturing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H10P95/00—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/68—Crystals with laminate structure, e.g. "superlattices"
-
- H10P14/22—
-
- H10P14/24—
-
- H10P14/3208—
-
- H10P14/3238—
-
- H10P14/3248—
-
- H10P14/3408—
-
- H10P14/36—
-
- H10P52/00—
-
- H10P90/00—
-
- H10P90/1904—
-
- H10P90/1916—
-
- H10P95/11—
-
- H10W10/181—
-
- H10P14/20—
-
- H10P14/2905—
-
- H10P14/3456—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Claims (11)
1. Способ изготовления композитной подложки SiC, имеющей монокристаллический слой SiC на поликристаллической подложке SiC, включающий:
обеспечение монокристаллического слоя SiC на одной поверхности удерживающей подложки, изготовленной из Si, для подготовки носителя монокристаллического слоя SiC, после этого
осаждение поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC с помощью физического или химического средства для подготовки слоистого материала SiC, при этом монокристаллический слой SiC и поликристаллическая подложка SiC послойно наносятся на удерживающую подложку, и после этого
удаление удерживающей подложки физическим и/или химическим способом.
2. Способ изготовления композитной подложки SiC по п.1, дополнительно включающий: перед осаждением поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC, вызывание деформации в носителе монокристаллического слоя SiC путем создания физического повреждения поверхности, расположенной напротив поверхности, несущей монокристаллический слой SiC удерживающей подложки в носителе монокристаллического слоя SiC.
3. Способ изготовления композитной подложки SiC по п.1 или 2, дополнительно включающий: после осаждения поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC, создание физического повреждения на поверхности, расположенной напротив прилегающей поверхности поликристаллической подложки SiC с монокристаллическим слоем SiC в слоистом материале SiC.
4. Способ изготовления композитной подложки SiC по п.2 или 3, в котором физическое повреждение создается по меньшей мере одним способом обработки, выбранным от пескоструйной обработки, шлифовки, резки, лазерной обработки и электроискровой обработки.
5. Способ изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-4, в котором монокристаллический слой SiC обеспечивают на одной поверхности удерживающей подложки с промежуточным слоем, изготовленным из оксида кремния, нитрида кремния или оксинитрида кремния и размещенным между ними.
6. Способ изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-5, в котором монокристаллическая тонкая пленка SiC, отслоенная от монокристаллической подложки SiC способом ионно-имплантированного отслоения, переносится на удерживающую подложку для обеспечения монокристаллического слоя SiC.
7. Способ изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-6, в котором поликристаллический SiC осаждается на монокристаллический слой SiC путем химического осаждения из паровой фазы.
8. Способ изготовления полупроводниковой подложки, включающий: изготовление композитной подложки SiC способом изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-7, и, с использованием композитной подложки SiC в качестве шаблона, гетероэпитаксиальное выращивание монокристалла SiC на монокристаллическом слое SiC для послойного нанесения монокристаллического SiC.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015179290A JP6572694B2 (ja) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
| JP2015-179290 | 2015-09-11 | ||
| PCT/JP2016/076297 WO2017043528A1 (ja) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2018112510A true RU2018112510A (ru) | 2019-10-14 |
| RU2018112510A3 RU2018112510A3 (ru) | 2019-12-04 |
| RU2720397C2 RU2720397C2 (ru) | 2020-04-29 |
Family
ID=58240790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018112510A RU2720397C2 (ru) | 2015-09-11 | 2016-09-07 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10612157B2 (ru) |
| EP (1) | EP3349237B1 (ru) |
| JP (1) | JP6572694B2 (ru) |
| CN (1) | CN108140540B (ru) |
| RU (1) | RU2720397C2 (ru) |
| TW (1) | TWI698908B (ru) |
| WO (1) | WO2017043528A1 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
| DE102019110402A1 (de) | 2018-05-25 | 2019-11-28 | Infineon Technologies Ag | Ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers, eine Halbleiter-Verbundstruktur und eine Stützstruktur für einen Halbleiterwafer |
| DE102019111377B4 (de) * | 2018-05-28 | 2025-10-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Verarbeiten eines Siliziumkarbid-Wafers |
| JP7235456B2 (ja) * | 2018-08-14 | 2023-03-08 | 株式会社ディスコ | 半導体基板の加工方法 |
| CN109678106B (zh) * | 2018-11-13 | 2020-10-30 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法 |
| US11024501B2 (en) * | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| FR3099637B1 (fr) * | 2019-08-01 | 2021-07-09 | Soitec Silicon On Insulator | procédé de fabrication d’unE structure composite comprenant une couche mince en Sic monocristallin sur un substrat support en sic polycristallin |
| FR3110283B1 (fr) * | 2020-05-18 | 2022-04-15 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de fabrication d’un substrat semi-conducteur sur isolant pour applications radiofréquences |
| US11848197B2 (en) | 2020-11-30 | 2023-12-19 | Thinsic Inc. | Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing |
| CN116745886A (zh) * | 2021-01-25 | 2023-09-12 | 罗姆股份有限公司 | 半导体衬底及其制造方法和半导体器件 |
| JP7639528B2 (ja) * | 2021-04-23 | 2025-03-05 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| TWI780901B (zh) * | 2021-09-09 | 2022-10-11 | 合晶科技股份有限公司 | 複合基板及其製造方法 |
| CN114075699B (zh) * | 2021-11-21 | 2024-04-12 | 苏州晶瓴半导体有限公司 | 一种双层复合碳化硅衬底及其制备方法 |
| FR3132381B1 (fr) * | 2022-01-28 | 2025-10-17 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de fabrication d’une plaquette de p-SiC non déformable |
| CN114864529B (zh) * | 2022-05-18 | 2024-07-19 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种碳化硅复合基板及其制造方法与应用 |
| US12400914B2 (en) | 2022-07-03 | 2025-08-26 | Thinsic Inc. | Semiconductor exfoliation method |
| US12322657B2 (en) | 2022-07-03 | 2025-06-03 | Thinsic Inc. | Wide band gap semiconductor process, device, and method |
| CN115188695A (zh) * | 2022-09-09 | 2022-10-14 | 苏州华太电子技术股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
| FR3147427A1 (fr) * | 2023-03-29 | 2024-10-04 | Soitec | Procédé de fabrication d’un substrat |
| CN117418309B (zh) * | 2023-12-18 | 2024-03-08 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | 一种3C-SiC单晶体的制备方法 |
| WO2025192132A1 (ja) * | 2024-03-15 | 2025-09-18 | ローム株式会社 | ＳｉＣ複合基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4028149A (en) * | 1976-06-30 | 1977-06-07 | Ibm Corporation | Process for forming monocrystalline silicon carbide on silicon substrates |
| DE4234508C2 (de) * | 1992-10-13 | 1994-12-22 | Cs Halbleiter Solartech | Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht |
| JP3087070B1 (ja) * | 1999-08-24 | 2000-09-11 | 日本ピラー工業株式会社 | 半導体デバイス製作用単結晶ＳｉＣ複合素材及びその製造方法 |
| FR2817395B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
| FR2835096B1 (fr) | 2002-01-22 | 2005-02-18 | Procede de fabrication d'un substrat auto-porte en materiau semi-conducteur monocristallin | |
| JP4802380B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-10-26 | 株式会社デンソー | 半導体基板の製造方法 |
| US6562127B1 (en) * | 2002-01-16 | 2003-05-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making mosaic array of thin semiconductor material of large substrates |
| TWI229897B (en) * | 2002-07-11 | 2005-03-21 | Mitsui Shipbuilding Eng | Large-diameter sic wafer and manufacturing method thereof |
| JP2007273524A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 複層構造炭化シリコン基板の製造方法 |
| JP2010251724A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の作製方法 |
| JP5554126B2 (ja) * | 2010-04-06 | 2014-07-23 | 三菱電機株式会社 | ＳｉＣ半導体素子の製造方法 |
| RU2521142C2 (ru) * | 2012-09-21 | 2014-06-27 | Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ" | Способ получения гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке |
| KR102120509B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2020-06-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 복합 기판의 제조 방법 및 복합 기판 |
| JP6061251B2 (ja) | 2013-07-05 | 2017-01-18 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体基板の製造方法 |
| US9761493B2 (en) * | 2014-01-24 | 2017-09-12 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Thin epitaxial silicon carbide wafer fabrication |
| JP6572694B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2019-09-11 | 信越化学工業株式会社 | ＳｉＣ複合基板の製造方法及び半導体基板の製造方法 |
-
2015
- 2015-09-11 JP JP2015179290A patent/JP6572694B2/ja active Active
-
2016
- 2016-09-07 US US15/757,879 patent/US10612157B2/en active Active
- 2016-09-07 WO PCT/JP2016/076297 patent/WO2017043528A1/ja not_active Ceased
- 2016-09-07 CN CN201680049584.9A patent/CN108140540B/zh active Active
- 2016-09-07 RU RU2018112510A patent/RU2720397C2/ru active
- 2016-09-07 EP EP16844389.3A patent/EP3349237B1/en active Active
- 2016-09-09 TW TW105129333A patent/TWI698908B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3349237A1 (en) | 2018-07-18 |
| CN108140540B (zh) | 2022-09-06 |
| JP2017055022A (ja) | 2017-03-16 |
| TWI698908B (zh) | 2020-07-11 |
| US20180334757A1 (en) | 2018-11-22 |
| CN108140540A (zh) | 2018-06-08 |
| TW201724177A (zh) | 2017-07-01 |
| EP3349237A4 (en) | 2019-04-10 |
| RU2720397C2 (ru) | 2020-04-29 |
| WO2017043528A1 (ja) | 2017-03-16 |
| JP6572694B2 (ja) | 2019-09-11 |
| EP3349237B1 (en) | 2021-10-27 |
| RU2018112510A3 (ru) | 2019-12-04 |
| US10612157B2 (en) | 2020-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2018112510A (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ | |
| RU2018113434A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| RU2018113432A (ru) | Способ изготовления составной подложки из sic | |
| RU2018113268A (ru) | КОМПОЗИТНАЯ SiC-ПОДЛОЖКА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | |
| JP2016100593A5 (ru) | ||
| JP2016098166A5 (ru) | ||
| WO2013119728A3 (en) | Thermal surface treatment for reuse of wafers after epitaxial lift off | |
| SG148930A1 (en) | Process for fabricating a structure for epitaxy without an exclusion zone | |
| FR3103962B1 (fr) | Procede de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en sic monocristallin sur un substrat support en sic cristallin | |
| MY185237A (en) | Semiconductor wafer with a layer of al:ga1-zn and process for producing it | |
| JP6219238B2 (ja) | サセプタ及びその製造方法 | |
| JP2018052749A5 (ru) | ||
| GB2541146A (en) | Method of manufacturing a germanium-on-insulator substrate | |
| SG11201810554QA (en) | Susceptor for holding a semiconductor wafer, method for depositing an epitaxial layer on a front side of a semiconductor wafer, and semiconductor wafer with epitaxial layer | |
| WO2016196216A8 (en) | Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish | |
| JP2014181178A5 (ru) | ||
| WO2012123741A3 (en) | Oxide removal from semiconductor surfaces | |
| CN110600436A (zh) | 多层复合基板结构及其制备方法 | |
| SG11202009528QA (en) | Method for manufacturing a monocrystalline layer of diamond or iridium material, and substrate for epitaxically growing a monocrystalline layer of diamond or iridium material | |
| JP2013222893A5 (ru) | ||
| KR20190123505A (ko) | 대형 SiC 플레이트 제조방법 | |
| JP2016508291A5 (ru) | ||
| JP2016032062A (ja) | 炭化珪素単結晶基板の加工方法、及び治具付き炭化珪素単結晶基板 | |
| WO2020234416A1 (en) | Crystal efficient sic device wafer production | |
| JP2015522511A (ja) | ＜１００＞シリコンからなる自立層の分離 |