[go: up one dir, main page]

RU2018140708A - Способ и система для удаления и/или избегания загрязнения в системах с пучками заряженных частиц - Google Patents

Способ и система для удаления и/или избегания загрязнения в системах с пучками заряженных частиц Download PDF

Info

Publication number
RU2018140708A
RU2018140708A RU2018140708A RU2018140708A RU2018140708A RU 2018140708 A RU2018140708 A RU 2018140708A RU 2018140708 A RU2018140708 A RU 2018140708A RU 2018140708 A RU2018140708 A RU 2018140708A RU 2018140708 A RU2018140708 A RU 2018140708A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
charged particles
charged
charged particle
aperture
optical element
Prior art date
Application number
RU2018140708A
Other languages
English (en)
Inventor
Марк СМИТС
Йохан Йост КОНИНГ
Крис Франсискус Джессика ЛОДЕВЕЙК
Хиндрик Виллем МОК
Людовик ЛАТТАРД
Original Assignee
АСМЛ Недерландс Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by АСМЛ Недерландс Б.В. filed Critical АСМЛ Недерландс Б.В.
Publication of RU2018140708A publication Critical patent/RU2018140708A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00—Methods preventing fouling
    • B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1472—Deflecting along given lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/006—Details of gas supplies, e.g. in an ion source, to a beam line, to a specimen or to a workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045—Diaphragms
    • H01J2237/0451—Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453—Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/049—Focusing means
    • H01J2237/0492—Lens systems

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Claims (62)

1. Способ предотвращения или удаления загрязнения пропускающей заряженные частицы апертуры в системе с пучками заряженных частиц, расположенной в вакуумной камере, причем система с пучками заряженных частиц содержит оптическую колонну для заряженных частиц для проецирования пучка заряженных частиц на мишень, причем упомянутая оптическая колонна для заряженных частиц содержит оптический элемент для заряженных частиц для воздействия на пучок заряженных частиц,
причем упомянутый оптический элемент для заряженных частиц содержит упомянутую пропускающую заряженные частицы апертуру для пропускания упомянутого пучка заряженных частиц и/или воздействия на него и продувочное отверстие, обеспечивающее путь потока от первой стороны до второй стороны упомянутого оптического элемента для заряженных частиц;
причем способ включает следующие этапы:
введение очищающего агента в направлении упомянутого оптического элемента для заряженных частиц, в то время как пучок заряженных частиц присутствует в упомянутом оптическом элементе для заряженных частиц или вблизи него; и
поддержание вакуума в упомянутой вакуумной камере,
причем этап поддержания вакуума включает обеспечение возможности течения или движения веществ по меньшей мере через упомянутый оптический элемент для заряженных частиц сквозь упомянутое продувочное отверстие в вакуумный насос, соединенный с упомянутой вакуумной камерой.
2. Способ по п.1, причем упомянутый оптический элемент для заряженных частиц ограничивает или по меньшей мере частично блокирует упомянутый пучок заряженных частиц и/или причем упомянутая пропускающая заряженные частицы апертура действует в качестве ограничивающей ток апертуры.
3. Система (201, 301) с пучками заряженных частиц, содержащая
генератор (16, 216) пучка заряженных частиц для генерирования пучка (20) заряженных частиц;
оптическую колонну (206, 306) для заряженных частиц, расположенную в вакуумной камере, причем упомянутая оптическая колонна для заряженных частиц предназначена для проецирования упомянутого пучка заряженных частиц на мишень (12), и причем упомянутая оптическая колонна для заряженных частиц содержит оптический элемент (226) для заряженных частиц для воздействия на упомянутый пучок заряженных частиц;
источник (62) для обеспечения очищающего агента (100);
канал (64), соединенный с упомянутым источником и расположенный для введения упомянутого очищающего агента в направлении упомянутого оптического элемента для заряженных частиц;
причем упомянутый оптический элемент для заряженных частиц содержит
пропускающую заряженные частицы апертуру (46) для пропускания упомянутого пучка заряженных частиц и/или воздействия на него, и
продувочное отверстие (60, 60a, 60b) для обеспечения пути потока (F3) между первой стороной и второй стороной упомянутого оптического элемента для заряженных частиц,
причем продувочное отверстие имеет большее поперечное сечение, чем поперечное сечение пропускающей заряженные частицы апертуры.
4. Система по п.3, причем упомянутый оптический элемент для заряженных частиц предназначен для ограничения или меньшей мере частичного блокирования упомянутого пучка заряженных частиц и/или упомянутая пропускающая заряженные частицы апертура действует как ограничивающая ток апертура.
5. Система по п.3 или 4, причем оптический элемент для заряженных частиц содержит множество упомянутых продувочных отверстий и множество упомянутых пропускающих заряженные частицы апертур, причем упомянутые продувочные отверстия расположены рядом с упомянутыми пропускающими заряженные частицы апертурами.
6. Система по любому из пп.3-5, причем упомянутые продувочные отверстия расположены с шагом (p), который равен или больше, чем размер упомянутых продувочных отверстий, причем упомянутый шаг, в частности, превышает в 1-3 раза размер упомянутых продувочных отверстий.
7. Система по любому из пп.3-6, выполненная так, что предотвращается достижение упомянутой мишени заряженными частицами, проходящими через упомянутое продувочное отверстие.
8. Система по любому из пп.3-7, причем упомянутый оптический элемент для заряженных частиц содержит ограничивающий пучок элемент (226), содержащий
множество упомянутых пропускающих заряженные частицы апертур (46) для прохождения пучков заряженных частиц и внеапертурную область для блокировки прохождения заряженных частиц, и
множество продувочных отверстий (60, 60a, 60b) для обеспечения пути потока (F3) через упомянутый ограничивающий пучок элемент.
9. Система по п.8, дополнительно содержащая проекционную линзу (29), содержащую множество апертур проекционной линзы (58) для фокусировки упомянутых пучков (8) заряженных частиц, причем упомянутая проекционная линза расположена ниже по ходу от упомянутого ограничивающего пучок элемента, и причем упомянутая проекционная линза и упомянутый ограничивающий пучок элемент расположены так, что любые заряженные частицы, проходящие через одно или более упомянутых продувочных отверстий, блокируются внеапертурной областью упомянутой проекционной линзы.
10. Система по п.9, причем упомянутые продувочные отверстия имеют поперечное сечение в диапазоне от половины поперечного сечения упомянутых апертур проекционных линз до удвоенного поперечного сечения упомянутых апертур проекционной линзы.
11. Система по п.9 или 10, причем упомянутая проекционная линза дополнительно содержит множество вспомогательных апертур (70), расположенных вокруг группы упомянутых апертур проекционной линзы, причем упомянутые продувочные отверстия расположены так, что любые заряженные частицы, проходящие через упомянутые продувочные отверстия, блокируются областью, расположенной латерально вне упомянутых вспомогательных апертур.
12. Система по любому из пп.3-11, дополнительно содержащая
второй апертурный элемент (23), содержащий множество апертур (66) для формирования множества пучков (8) заряженных частиц из упомянутого пучка (20) заряженных частиц, причем упомянутый второй апертурный элемент расположен между упомянутым генератором пучка заряженных частиц и упомянутым оптическим элементом для заряженных частиц, и
ограничительный элемент (76), предусмотренный между упомянутым генератором пучка заряженных частиц и упомянутым вторым апертурным элементом, причем упомянутый ограничительный элемент предназначен для предотвращения или по меньшей мере уменьшения потока упомянутого очищающего агента и/или его продуктов в упомянутый генератор пучка заряженных частиц.
13. Система по п.12, дополнительно содержащая
модуль генератора пучка, причем упомянутый генератор пучка заряженных частиц расположен в упомянутом модуле генератора пучка;
модуль (225) модуляции, причем упомянутый второй апертурный элемент расположен в упомянутом модуле модуляции;
причем упомянутый ограничительный элемент подвижно соединен с упомянутым модулем генератора пучка и предназначен для соединения встык с упомянутым модулем модуляции посредством силы тяжести и/или усилия пружины.
14. Система по п.13, причем упомянутый ограничительный элемент (76) соединен с первой стенкой (82) упомянутого модуля генератора пучка, упомянутый ограничительный элемент по меньшей мере частично окружает периметр отверстия (80) в упомянутой первой стенке для прохождения упомянутого пучка заряженных частиц, причем упомянутый ограничительный элемент содержит элемент (76), имеющий по меньшей мере частично форму кольца, в частности, керамического кольца, причем упомянутый элемент, имеющий по меньшей мере частично форму кольца, подвижно расположен относительно упомянутой первой стенки в направлении упомянутого модуля модуляции или в сторону от него.
15. Система по п.14, дополнительно содержащая сдерживающий элемент (78) для сдерживания движения упомянутого ограничительного элемента относительно упомянутой первой стенки, причем упомянутый ограничительный элемент снабжен одним или более выступами (77) и упомянутый сдерживающий элемент (78) выполнен с возможностью взаимодействия с упомянутыми выступами для сдерживания движения упомянутого ограничительного элемента.
16. Система по любому из пп.12-15, дополнительно содержащая
модулирующий элемент (24), расположенный ниже по ходу от упомянутого второго апертурного элемента (23), причем упомянутый модулирующий элемент содержит второе множество апертур (46) для прохождения упомянутых пучков заряженных частиц и дефлекторы, связанные с упомянутым вторым множеством апертур, причем упомянутые дефлекторы выполнены с возможностью избирательного отклонения или неотклонения упомянутых пучков заряженных частиц, и
упомянутый оптический элемент для заряженных частиц содержит ограничивающий пучок элемент (226), содержащий третье множество апертур (46) для прохождения пучков (8) заряженных частиц и область блокировки для блокирования пучков заряженных частиц, причем упомянутый ограничивающий пучок элемент расположен ниже по ходу от упомянутого модулирующего элемента,
причем упомянутый модулирующий элемент и упомянутый ограничивающий пучок элемент выполнены с возможностью совместного функционирования для того, чтобы позволить проходить или блокировать упомянутые избирательно отклоняемые пучки заряженных частиц,
причем упомянутый канал (64) предназначен для направления упомянутого очищающего агента в направлении упомянутого ограничивающего пучок элемента.
17. Способ предотвращения или удаления загрязнения пропускающей заряженные частицы апертуры в системе с пучками заряженных частиц по любому из предыдущих пунктов 3-16, включающий этапы:
введения очищающего агента в направлении упомянутого оптического элемента для заряженных частиц в то время, когда упомянутый генератор (16, 216) пучка генерирует упомянутый пучок заряженных частиц, и/или в то время, когда второй источник пучка заряженных частиц генерирует пучок заряженных частиц, который направляется к упомянутому оптическому элементу для заряженных частиц; и
поддержания вакуума в упомянутой вакуумной камере (2) во время введения упомянутого очищающего агента,
причем этап поддержания вакуума включает обеспечение течения или движения веществ по меньшей мере через упомянутый оптический элемент для заряженных частиц сквозь упомянутое продувочное отверстие (60, 60a, 60b) в вакуумный насос, соединенный с упомянутой вакуумной камерой.
18. Способ по п.17, включающий этап предотвращения достижения упомянутой мишени любыми заряженными частицами, проходящими через упомянутое по меньшей мере одно продувочное отверстие.
19. Способ по п.17 или 18, причем предотвращают достижение упомянутой мишени (12) упомянутыми заряженными частицами, проходящими через упомянутое продувочное отверстие, посредством блокировки этих заряженных частиц внеапертурными областями, содержащимися в дополнительном апертурном элементе, расположенном ниже по ходу от упомянутого оптического элемента для заряженных частиц, причем упомянутый дополнительный апертурный элемент содержит одну или более апертур для прохождения пучков заряженных частиц, прошедших через упомянутую пропускающую заряженные частицы апертуру.
20. Способ по любому из пп.17-19, дополнительно включающий следующие этапы:
размещение упомянутого генератора пучка заряженных частиц в модуле генератора пучка и упомянутого оптического элемента для заряженных частиц в модуле модуляции,
обеспечение ограничительного элемента, подвижно соединенного с упомянутым модулем генератора пучка и соединенного встык с упомянутым модулем модуляции посредством силы тяжести и/или усилия пружины.
21. Способ по любому из пп.17-20, включающий введение упомянутого очищающего агента в область упомянутой оптической колонны для заряженных частиц, где упомянутые заряженные частицы имеют энергию в пределах 1-10 кэВ, в частности, около 5 кэВ или ниже.
22. Способ по любому из пп.17-21, причем один или более пучков заряженных частиц присутствуют в оптическом элементе для заряженных частиц или вблизи него в то время, как упомянутый очищающий агент направляют к оптическому элементу для заряженных частиц.
23. Система с пучками заряженных частиц, содержащая
генератор пучка заряженных частиц для генерирования пучка заряженных частиц;
оптическую колонну для заряженных частиц, расположенную в вакуумной камере, причем оптическая колонна для заряженных частиц предназначена для проецирования пучка заряженных частиц на мишень, и причем оптическая колонна для заряженных частиц содержит оптический элемент для заряженных частиц, содержащий множество пропускающих заряженные частицы апертур;
источник для обеспечения очищающего агента;
канал, соединенный с источником, для введения очищающего агента в направлении оптического элемента для заряженных частиц;
второй апертурный элемент, содержащий множество апертур для формирования множества пучков заряженных частиц из пучка заряженных частиц, причем второй апертурный элемент расположен между генератором пучка заряженных частиц и оптическим элементом для заряженных частиц, и
ограничительный элемент, предусмотренный между генератором пучка заряженных частиц и вторым апертурным элементом, причем ограничительный элемент предотвращает или по меньшей мере сводит к минимуму течение или прохождение упомянутого очищающего агента и/или его продуктов в генератор пучка заряженных частиц.
24. Система по п.23, дополнительно содержащая
модуль (216) генератора пучка, причем упомянутый генератор пучка заряженных частиц расположен в упомянутом модуле генератора пучка;
модуль (225) модуляции, причем упомянутый второй апертурный элемент расположен в упомянутом модуле модуляции;
причем упомянутый ограничительный элемент подвижно соединен с упомянутым модулем генератора пучка и предназначен для соединения встык с упомянутым модулем модуляции посредством силы тяжести и/или усилия пружины.
25. Система по п.24, причем упомянутый ограничительный элемент (76) соединен с первой стенкой (82) упомянутого модуля генератора пучка, упомянутый ограничительный элемент по меньшей мере частично окружает периметр отверстия (80) в упомянутой первой стенке для прохождения упомянутого пучка заряженных частиц, причем упомянутый ограничительный элемент содержит элемент (76), имеющий по меньшей мере частично форму кольца, причем упомянутый элемент, имеющий по меньшей мере частично форму кольца, подвижно расположен относительно упомянутой первой стенки в направлении упомянутого модуля модуляции или в сторону от него.
RU2018140708A 2016-04-21 2017-04-21 Способ и система для удаления и/или избегания загрязнения в системах с пучками заряженных частиц RU2018140708A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/135,138 US9981293B2 (en) 2016-04-21 2016-04-21 Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
US15/135,138 2016-04-21
PCT/NL2017/050256 WO2017183980A2 (en) 2016-04-21 2017-04-21 Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2018140708A true RU2018140708A (ru) 2020-05-21

Family

ID=59021557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018140708A RU2018140708A (ru) 2016-04-21 2017-04-21 Способ и система для удаления и/или избегания загрязнения в системах с пучками заряженных частиц

Country Status (8)

Country Link
US (5) US9981293B2 (ru)
EP (1) EP3446325A2 (ru)
JP (2) JP7065027B2 (ru)
KR (2) KR102626796B1 (ru)
CN (2) CN109075004B (ru)
RU (1) RU2018140708A (ru)
TW (2) TWI765884B (ru)
WO (1) WO2017183980A2 (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011011333A2 (en) 2009-07-20 2011-01-27 Nanoink, Inc. Nanomolding micron and nano scale features
WO2011094221A2 (en) 2010-01-26 2011-08-04 Nanoink, Inc. Moire patterns generated by angular illumination of surfaces
JP2013542106A (ja) 2010-10-29 2013-11-21 ナノインク・インコーポレーテッド 医薬ブランド保護のためのミクロン及びナノスケール構造の射出成形
WO2013165415A1 (en) 2012-05-02 2013-11-07 Nanoink, Inc. Molding of micron and nano scale features
US10312091B1 (en) * 2015-10-13 2019-06-04 Multibeam Corporation Secure permanent integrated circuit personalization
US9981293B2 (en) * 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems
US10307803B2 (en) * 2016-07-20 2019-06-04 The United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy Transmission window cleanliness for directed energy devices
NL2022156B1 (en) 2018-12-10 2020-07-02 Asml Netherlands Bv Plasma source control circuit
CN111266368B (zh) * 2020-01-20 2020-09-22 哈尔滨工业大学 一种聚焦离子束清理透射电子显微镜光阑的方法
US11810765B2 (en) * 2020-12-21 2023-11-07 Applied Materials Israel Ltd. Reactive particles supply system
EP4181167A1 (en) 2021-11-11 2023-05-17 ASML Netherlands B.V. Charged particle assessment system and method
KR20240095241A (ko) 2021-11-11 2024-06-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 평가 시스템 및 방법
WO2024141423A1 (en) * 2022-12-29 2024-07-04 Asml Netherlands B.V. Charged particle apparatus with improved vacuum chamber
WO2025201807A1 (en) * 2024-03-28 2025-10-02 Asml Netherlands B.V. Charged particle-optical module

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3678333A (en) * 1970-06-15 1972-07-18 American Optical Corp Field emission electron gun utilizing means for protecting the field emission tip from high voltage discharges
US4555303A (en) 1984-10-02 1985-11-26 Motorola, Inc. Oxidation of material in high pressure oxygen plasma
US4870030A (en) 1987-09-24 1989-09-26 Research Triangle Institute, Inc. Remote plasma enhanced CVD method for growing an epitaxial semiconductor layer
US5466942A (en) 1991-07-04 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus
JP3253675B2 (ja) 1991-07-04 2002-02-04 株式会社東芝 荷電ビーム照射装置及び方法
CN1078768A (zh) 1992-05-16 1993-11-24 S·H·福尔 进气控制装置
JP3258104B2 (ja) * 1992-12-21 2002-02-18 株式会社東芝 荷電ビーム照射方法及び装置
JPH0737807A (ja) 1993-07-21 1995-02-07 Hitachi Ltd 原子、分子線による表面処理方法およびその装置
JP3466744B2 (ja) 1993-12-29 2003-11-17 株式会社東芝 洗浄機能付き荷電ビーム装置および荷電ビーム装置の洗浄方法
JPH09245716A (ja) 1996-03-04 1997-09-19 Hitachi Ltd 電子ビーム描画方法および描画装置およびこれを用いた半導体集積回路
JP3827359B2 (ja) 1996-03-19 2006-09-27 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びその装置
JPH09293472A (ja) 1996-04-26 1997-11-11 Fujitsu Ltd 荷電粒子ビーム露光装置、その露光方法及びその製造方法
US5788778A (en) 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
JPH10223512A (ja) * 1997-02-10 1998-08-21 Nikon Corp 電子ビーム投影露光装置
US8075789B1 (en) 1997-07-11 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Remote plasma cleaning source having reduced reactivity with a substrate processing chamber
US6182603B1 (en) 1998-07-13 2001-02-06 Applied Komatsu Technology, Inc. Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber
GB9822294D0 (en) 1998-10-14 1998-12-09 Univ Birmingham Contaminant removal method
US6394109B1 (en) 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
JP2001148340A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Advantest Corp 荷電粒子ビーム露光方法及び装置
US20020053353A1 (en) 2000-03-13 2002-05-09 Shintaro Kawata Methods and apparatus for cleaning an object using an electron beam, and device-fabrication apparatus comprising same
US6465795B1 (en) 2000-03-28 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Charge neutralization of electron beam systems
KR100465117B1 (ko) 2000-04-04 2005-01-05 주식회사 아도반테스토 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 복수의 전자빔을집속하는 다축전자렌즈, 반도체소자 제조방법
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
JP2002157970A (ja) 2000-11-21 2002-05-31 Nikon Corp 電子線を用いた評価装置及び方法、並びに、こうした装置及び方法を用いたデバイス製造方法
US20020144706A1 (en) 2001-04-10 2002-10-10 Davis Matthew F. Remote plasma cleaning of pumpstack components of a reactor chamber
US6772776B2 (en) 2001-09-18 2004-08-10 Euv Llc Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces
JP2003124089A (ja) 2001-10-09 2003-04-25 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置及び露光方法
JP4258840B2 (ja) * 2002-04-22 2009-04-30 株式会社ニコン 支持装置、光学装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法
ATE538412T1 (de) 2002-10-25 2012-01-15 Mapper Lithography Ip Bv Lithographisches system
CN101414127A (zh) 2002-10-30 2009-04-22 迈普尔平版印刷Ip有限公司 电子束曝光系统
DE60323927D1 (de) 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
KR100737759B1 (ko) 2002-12-20 2007-07-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치의 구성요소의 표면을 세정하는 방법, 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 및 세정장치
SG139554A1 (en) 2002-12-20 2008-02-29 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2004081910A2 (en) 2003-03-10 2004-09-23 Mapper Lithography Ip B.V. Apparatus for generating a plurality of beamlets
EP1830384B1 (en) 2003-05-28 2011-09-14 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle beamlet exposure system
KR101100136B1 (ko) 2003-07-30 2011-12-29 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 변조기 회로
JP2006128542A (ja) 2004-11-01 2006-05-18 Nec Electronics Corp 電子デバイスの製造方法
DE102005040267B4 (de) * 2005-08-24 2007-12-27 Universität Karlsruhe Verfahren zum Herstellen einer mehrschichtigen elektrostatischen Linsenanordnung, insbesondere einer Phasenplatte und derartige Phasenplatte
US7709815B2 (en) 2005-09-16 2010-05-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system and projection method
JP2007088386A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Advantest Corp 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光装置のクリーニング方法
US7465943B2 (en) 2005-12-08 2008-12-16 Asml Netherlands B.V. Controlling the flow through the collector during cleaning
JP2007172862A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線源用清浄化装置及びそれを用いた荷電粒子線装置
DE602006015768D1 (de) * 2006-02-23 2010-09-09 Integrated Circuit Testing Teilchenstrahlgerät mit Ozon-Quelle
TWI432908B (zh) 2006-03-10 2014-04-01 瑪波微影Ｉｐ公司 微影系統及投射方法
JP4952375B2 (ja) 2007-05-23 2012-06-13 株式会社明電舎 レジスト除去方法及びその装置
CN100591801C (zh) 2007-09-30 2010-02-24 南京大学 快速大面积制备薄膜材料的装置及设置方法
JP5017232B2 (ja) 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
JP5408674B2 (ja) 2008-02-26 2014-02-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 投影レンズ構成体
US8089056B2 (en) 2008-02-26 2012-01-03 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
US8445869B2 (en) 2008-04-15 2013-05-21 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
TWI585806B (zh) * 2008-04-11 2017-06-01 荏原製作所股份有限公司 試料觀察方法與裝置，及使用該方法與裝置之檢查方法與裝置
JP5587299B2 (ja) * 2008-05-23 2014-09-10 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 結像システム
WO2009147202A1 (en) 2008-06-04 2009-12-10 Mapper Lithography Ip B.V. Writing strategy
US7967913B2 (en) 2008-10-22 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Remote plasma clean process with cycled high and low pressure clean steps
WO2010082764A2 (en) 2009-01-13 2010-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of dirty paper coding using nested lattice codes
US8492731B2 (en) 2009-10-26 2013-07-23 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle multi-beamlet lithography system with modulation device
CN102098863B (zh) 2009-12-14 2013-09-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于等离子体加工设备的电极板和清除工艺沉积物的方法
JP5568419B2 (ja) * 2010-09-06 2014-08-06 株式会社リコー 表面電荷分布の測定方法および表面電荷分布の測定装置
JP2012061820A (ja) * 2010-09-17 2012-03-29 Dainippon Printing Co Ltd 繊維強化複合材料の賦型方法
EP2622626B1 (en) * 2010-09-28 2017-01-25 Applied Materials Israel Ltd. Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
JP5709535B2 (ja) 2011-01-07 2015-04-30 キヤノン株式会社 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法
JP5709546B2 (ja) 2011-01-19 2015-04-30 キヤノン株式会社 エネルギービーム描画装置及びデバイス製造方法
JP5785436B2 (ja) 2011-05-09 2015-09-30 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置およびそのクリーニング方法ならびにデバイスの製造方法
US20130020699A1 (en) 2011-07-06 2013-01-24 Mediatek Inc. Package structure and method for fabricating the same
CN102255387B (zh) 2011-07-11 2014-06-18 兰州陇能电力科技有限公司 一种电器设备的监控系统
JP5777445B2 (ja) * 2011-08-12 2015-09-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置及び物品の製造方法
WO2013034753A1 (en) 2011-09-09 2013-03-14 Mapper Lithography Ip B.V. Vibration isolation module and substrate processing system
JP2013084638A (ja) * 2011-10-05 2013-05-09 Canon Inc 静電レンズ
US9420515B2 (en) 2011-10-18 2016-08-16 Itron, Inc. Endpoint repeater functionality selection
JP2013168396A (ja) 2012-02-14 2013-08-29 Canon Inc 静電型の荷電粒子線レンズ及び荷電粒子線装置
US9123507B2 (en) 2012-03-20 2015-09-01 Mapper Lithography Ip B.V. Arrangement and method for transporting radicals
TW201401330A (zh) * 2012-05-14 2014-01-01 Mapper Lithography Ip Bv 帶電粒子微影系統和射束產生器
JP2014140009A (ja) * 2012-12-19 2014-07-31 Canon Inc 描画装置、及び物品の製造方法
NL2011401C2 (en) * 2013-09-06 2015-03-09 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle optical device.
JP2015153763A (ja) 2014-02-10 2015-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法
US9981293B2 (en) * 2016-04-21 2018-05-29 Mapper Lithography Ip B.V. Method and system for the removal and/or avoidance of contamination in charged particle beam systems

Also Published As

Publication number Publication date
US11738376B2 (en) 2023-08-29
WO2017183980A2 (en) 2017-10-26
KR102626796B1 (ko) 2024-01-19
KR20230027325A (ko) 2023-02-27
US20240017301A1 (en) 2024-01-18
JP2019507951A (ja) 2019-03-22
US20200230665A1 (en) 2020-07-23
CN113871279B (zh) 2024-07-12
CN113871279A (zh) 2021-12-31
US20180236505A1 (en) 2018-08-23
TW201801815A (zh) 2018-01-16
US10632509B2 (en) 2020-04-28
US10987705B2 (en) 2021-04-27
WO2017183980A4 (en) 2018-06-28
TW202235180A (zh) 2022-09-16
US9981293B2 (en) 2018-05-29
CN109075004B (zh) 2021-10-26
TWI824520B (zh) 2023-12-01
TWI765884B (zh) 2022-06-01
US20170304878A1 (en) 2017-10-26
WO2017183980A3 (en) 2018-04-19
EP3446325A2 (en) 2019-02-27
US12202019B2 (en) 2025-01-21
JP7065027B2 (ja) 2022-05-11
JP7154355B2 (ja) 2022-10-17
KR102501182B1 (ko) 2023-02-20
CN109075004A (zh) 2018-12-21
US20210237129A1 (en) 2021-08-05
KR20180132884A (ko) 2018-12-12
JP2021185571A (ja) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018140708A (ru) Способ и система для удаления и/или избегания загрязнения в системах с пучками заряженных частиц
JP6219374B2 (ja) 荷電粒子リソグラフィシステムおよびビーム発生器
JP2009289748A (ja) エネルギーフィルタが一体化された荷電粒子源
NL2010799C2 (en) Charged particle multi-beamlet lithography system and cooling arrangement manufacturing method.
DE102005015274B4 (de) Strahlungsquelle zur Erzeugung kurzwelliger Strahlung
CN104541332A (zh) 限制靶材的迁移
TW201629634A (zh) 真空系統
KR101123187B1 (ko) 단파 방사의 생성 동안 방사원에 의해 생성되는 입자를제거하기 위한 방법 및 장치
TWI590327B (zh) Gas distribution system and plasma photoresist device and gas distribution method thereof
KR101242463B1 (ko) 이온주입기의 가속-감속 컬럼의 포커싱 효과 약화
CN108778604A (zh) 表面改性用光束均化器
EP4209120A1 (en) Short- wavelength radiation source with multisectional collector module
US9583308B1 (en) Light bath for particle suppression
JP6347414B2 (ja) 質量分析電磁石
JPH1097979A (ja) 縮小投影装置
JP6632818B2 (ja) 荷電粒子レンズに組み込まれた光学部品およびガス送達
US11577209B2 (en) Reactor for nanoparticle production
JP2009194252A (ja) 荷電ビーム描画装置
JP2024540735A (ja) 溶接装置、バッテリー製造装置及び自動車製造装置
Burkhardt et al. Particle Background at LEP with Head-on Colliding Bunch Trains
Risselada Transverse and momentum shaping of the circulating LHC beam by the primary collimators

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20200422