[go: up one dir, main page]

RU2015119644A - Способ определения положения подложки в системе литографии, подложка для использования в таком способе и система литографии для выполнения такого способа - Google Patents

Способ определения положения подложки в системе литографии, подложка для использования в таком способе и система литографии для выполнения такого способа Download PDF

Info

Publication number
RU2015119644A
RU2015119644A RU2015119644A RU2015119644A RU2015119644A RU 2015119644 A RU2015119644 A RU 2015119644A RU 2015119644 A RU2015119644 A RU 2015119644A RU 2015119644 A RU2015119644 A RU 2015119644A RU 2015119644 A RU2015119644 A RU 2015119644A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
optical
mark
substrate
reflection coefficient
Prior art date
Application number
RU2015119644A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2659967C2 (ru
Inventor
БУР Гвидо ДЕ
Нильс ВЕРГЕР
Original Assignee
МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. filed Critical МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Publication of RU2015119644A publication Critical patent/RU2015119644A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2659967C2 publication Critical patent/RU2659967C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045—Object or beam position registration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H10P72/57—
    • H10P76/00—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

1. Система для определения положения подложки в системе (1) литографии, содержащая:оптическую колонну (PO), выполненную с возможностью проецирования одного или более экспонирующих лучей на подложку (12, 513);первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения, установленный на системе таким образом, что он имеет по существу постоянное расстояние от оптической колонны (PO), причем первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения выполнен с возможностью испускания луча (511) света с предопределенной длиной волны на подложку (12, 513), а также с возможностью измерения профиля интенсивности луча (518) отраженного света нулевого порядка;луч света, фокусируемый в пятно, имеющее размер пятна на подложке;подложку содержащую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, имеющую высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), оптическая отметка (100) положения проходит вдоль первого направления и выполнена с возможностью изменения коэффициента отражения отметки (SMRK, DMRK, 100) положения вдоль упомянутого первого направления, причем оптическая отметка положения содержит:- первую главную область (110), содержащую первую пару (105) областей;в которой первая пара (105) областей первой главной области (110) содержит:- первую область (101), имеющую первый коэффициент отражения и первую ширину (W);- вторую область (102), имеющую второй коэффициент отражения и вторую ширину (W), причем второй коэффициент отражения отличается от первого коэффициента отражения; при этом вторая область граничит с первой областью (101);в которой первая область (101) содержит субволновые структуры (SWS) по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемоголуча света;в которой субволновые структуры (SWS)

Claims (28)

1. Система для определения положения подложки в системе (1) литографии, содержащая:
оптическую колонну (PO), выполненную с возможностью проецирования одного или более экспонирующих лучей на подложку (12, 513);
первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения, установленный на системе таким образом, что он имеет по существу постоянное расстояние от оптической колонны (PO), причем первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения выполнен с возможностью испускания луча (511) света с предопределенной длиной волны на подложку (12, 513), а также с возможностью измерения профиля интенсивности луча (518) отраженного света нулевого порядка;
луч света, фокусируемый в пятно, имеющее размер пятна на подложке;
подложку содержащую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, имеющую высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), оптическая отметка (100) положения проходит вдоль первого направления и выполнена с возможностью изменения коэффициента отражения отметки (SMRK, DMRK, 100) положения вдоль упомянутого первого направления, причем оптическая отметка положения содержит:
- первую главную область (110), содержащую первую пару (105) областей;
в которой первая пара (105) областей первой главной области (110) содержит:
- первую область (101), имеющую первый коэффициент отражения и первую ширину (W);
- вторую область (102), имеющую второй коэффициент отражения и вторую ширину (W), причем второй коэффициент отражения отличается от первого коэффициента отражения; при этом вторая область граничит с первой областью (101);
в которой первая область (101) содержит субволновые структуры (SWS) по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемого
луча света;
в которой субволновые структуры (SWS) содержат множество регулярных сегментов, сформированных с помощью сегментации первой области вдоль первого направления и/или второго направления, перпендикулярного первому направлению;
в которой упомянутые первая ширина и вторая ширина больше, чем упомянутый размер пятна; и
при этом система выполнена с возможностью сканирования первым чувствительным элементом (SS, DS, 500) оптического совмещения оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения в первом направлении.
2. Система по п. 1, в которой первая главная область (110) содержит вторую пару (105) областей, по существу равную первой паре (105) областей.
3. Система по п. 1 или 2, в которой вторая область по существу не содержит субволновых структур (SWS).
4. Система по п. 1, дополнительно содержащая вторую главную область (120), граничащую с первой главной областью (110), причем вторая главная область (120) по существу не содержит структур.
5. Система по п. 4, дополнительно содержащая третью главную область (130), граничащую со второй главной областью (120), в которой вторая главная область (120) расположена между первой главной областью (110) и третьей главной областью (130), если смотреть в первом направлении, и в которой третья главная область (130) включает в себя третью пару областей;
в которой третья пара областей третьей главной области содержит:
третью область, имеющую третий коэффициент отражения и третью ширину; и
четвертую область, имеющую четвертый коэффициент отражения и четвертую ширину, причем четвертый коэффициент отражения отличается от третьего коэффициента отражения; при этом четвертая область граничит с третьей главной областью.
в которой третья область содержит субволновые структуры по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемого луча света.
6. Система по п. 5, в которой первая главная область (110) и третья главная область (130) по существу идентичны.
7. Система по п. 1, дополнительно содержащая первую концевую область (140), расположенную на первом конце первой оптической отметки (100) положения, граничащую с первой главной областью (110), причем первая концевая область (140) по существу не содержит структур.
8. Система по п. 5, дополнительно содержащая вторую концевую область (140), расположенную на втором конце оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения, граничащую с третьей главной областью (130), причем вторая концевая область (140) по существу не содержит структур.
9. Система по п. 1, в которой высота (MH) отметки во много раз больше длины волны красного или инфракрасного света.
10. Система по п. 1, в которой первая ширина и вторая ширина находятся в диапазоне от 1 мкм до 2 мкм.
11. Система по п. 1, дополнительно содержащая:
второй чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения, установленный на системе по существу с постоянным расстоянием от оптической колонны (PO), выполненный с возможностью испускания второго луча (511) света, имеющего предопределенную длину волны, на подложку (12, 513) и для измерения профиля интенсивности луча (518) отраженного света нулевого порядка,
причем система выполнена с возможностью сканирования вторым чувствительным элементом (DS, 500) оптического совмещения во втором направлении (Yw), перпендикулярном первому направлению (Xw).
12. Система по п. 11, в которой первый чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения устанавливается в фиксированном и известном положении относительно оптической колонны (PO) в упомянутом первом направлении (Xw), а второй чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения устанавливается в фиксированном и известном положении относительно оптической колонны (PO) в упомянутом втором направлении (Yw).
13. Система по п. 11 или 12, в которой каждый из первого и второго элементов (DS, 500) оптического совмещения предназначен для измерения только в одном направлении.
14. Система по п. 11, в которой упомянутая оптическая отметка
положения является второй оптической отметкой (DMRK, 100) положения, подложка дополнительно содержит первую оптическую отметку (SMRK, 100) положения, причем первая оптическая отметка (SMRK, 100) положения имеет высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), и проходит в упомянутом втором направлении (Yw) и выполнена с возможностью изменения коэффициента отражения отметки (100) положения вдоль упомянутого второго направления (Yw), причем первая оптическая отметка (100) положения имеет ту же структуру, что и вторая оптическая отметка (100) положения.
15. Система по п. 11, в которой первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения смещается в упомянутом первом направлении (Xw) относительно проекционной оптики (PO), и предназначен для измерения второй отметки (DMRK) положения в упомянутом первом направлении (Xw), а второй чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения смещается в упомянутом втором направлении (Yw) относительно проекционной оптики (PO), и предназначен для измерения первой отметки (SMRK) положения в упомянутом втором направлении (Yw).
16. Система по п. 8 или 9, в которой первое направление (Xw) совпадает с первым направлением (L) перемещения подложки (12, 513) при эксплуатационном использовании системы литографии, а второе направление (Yw) совпадает со вторым направлением (S) перемещения подложки (12, 513) при эксплуатационном использовании системы литографии.
17. Система по п. 11, в которой оптическая колонна (PO) выполнена с возможностью проецирования множества экспонирующих лучей заряженных частиц на подложку (12, 513).
18. Система по п. 1, выполненная с возможностью:
- перемещения подложки (12, 513) таким образом, что оптическая отметка (SMRK, DMRK, 100) положения находится по существу около чувствительного элемента (SS, DS, 500) оптического совмещения в соответствии с предполагаемым положением оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения относительно чувствительного элемента (SS, DS, 500) оптического совмещения;
- сканирования оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения
вдоль продольного направления с помощью чувствительного элемента (SS, DS, 500) оптического совмещения для получения измеренного профиля интенсивности, имеющего длину развертки, причем длина развертки больше, чем длина (ML) отметки;
- сравнения измеренного профиля интенсивности с ожидаемым профилем интенсивности, связанным с оптической отметкой (SMRK, DMRK, 100) положения, для определения разности между фактическим положением оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения и предполагаемым положением; и
- определения фактического положения отметки положения из этой разности.
19. Система по п. 18, выполненная с возможностью сравнения измеренного профиля интенсивности с ожидаемым профилем интенсивности первой оптической отметки положения путем вычисления функции (CRC) перекрестной корреляции между измеренным профилем интенсивности и ожидаемым профилем интенсивности и определения положения максимума (TPR) в функции (CRC) перекрестной корреляции, в которой это положение указывает на упомянутую разность.
20. Система по п. 1, в которой упомянутый испускаемый луч (511) света является поляризованным лучом света, и в которой первый чувствительный элемент (SS, DS, 500) оптического совмещения содержит поляризующий расщепитель (536') луча, выполненный с возможностью направления упомянутого испускаемого луча (511) света на подложку (12, 513), а также направления упомянутого отраженного луча (518) света на детектор (519) интенсивности света, а также четвертьволновую пластину (539), расположенную между расщепителем (536') луча и подложкой (12, 513),
в которой упомянутый чувствительный элемент оптического совмещения предпочтительно дополнительно содержит фокусирующую линзу (512), расположенную между четвертьволновой пластиной (539) и подложкой (12, 513).
21. Подложка (12, 513), содержащая первую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, выполненную с возможностью изменения интенсивности отражения нулевого порядка луча (511) света, сфокусированного в пятно на подложке, сканирующего отметку вдоль первого направления, причем луч света имеет предопределенную
длину волны и фокусируется в пятно, имеющее размер пятна луча на подложке (12, 513),
первая оптическая отметка (SMRK, DMRK, 100) положения имеет высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), проходит продольно в первом направлении (Yw) и имеет изменяющийся коэффициент отражения вдоль упомянутого первого направления,
в которой первая оптическая отметка положения содержит первую главную область (110), содержащую множество пар (105) областей, по существу равных друг другу,
в которой пары (105) областей содержат:
- первую область (101), имеющую первый коэффициент отражения и первую ширину;
- вторую область (102), имеющую второй коэффициент отражения и вторую ширину, причем второй коэффициент отражения отличается от первого коэффициента отражения, при этом вторая область граничит с первой областью (101), причем первая область и вторая область образуют пару областей;
в которой упомянутая первая ширина и упомянутая вторая ширина больше, чем упомянутый размер пятна луча,
в которой каждая из первых областей (101) содержит субволновые структуры (SWS) по сравнению с предопределенной длиной волны света; и
в которой субволновые структуры (SWS) содержит множество регулярных сегментов, сформированных путем сегментации первой области вдоль первого и/или второго направления, причем второе направление перпендикулярно первому направлению.
22. Подложка по п. 21, дополнительно содержащая вторую главную область (120), граничащую с первой главной областью (110), причем себя вторая главная область (120) по существу не содержит структур.
23. Подложка по п. 22, дополнительно содержащая третью главную область (130), граничащую со второй главной областью (120), в которой вторая главная область (120) расположена между первой главной областью (110) и третьей главной областью (130), если смотреть в первом направлении, и в которой третья главная область
(130) содержит третью пару областей;
в которой третья пара областей третьей главной области содержит:
- третью область, имеющую третий коэффициент отражения и третью ширину; и
- четвертую область, имеющую четвертый коэффициент отражения и четвертую ширину, причем четвертый коэффициент отражения отличается от третьего коэффициента отражения, при этом четвертая область граничит с третьей областью;
в которой третья область содержит субволновые структуры по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемого луча света.
24. Подложка по любому из пп. 21-23, дополнительно содержащая первую концевую область (140), расположенную на первом конце оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения, граничащую с первой главной областью (110), причем первая концевая область (140) по существу не содержит структур.
25. Подложка по п. 24, дополнительно содержащая вторую концевую область (140), расположенную на втором конце оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения, граничащую с третьей главной областью (130), причем вторая концевая область (140) по существу не содержит структур.
26. Подложка по п. 21, в которой высота (MH) отметки составляет менее 40 мкм, и в которой длина отметки составляет по меньшей мере 100 мкм.
27. Подложка по п. 21, в которой первая ширина и вторая ширина находятся в диапазоне от 1 мкм до 2 мкм.
28. Подложка по п. 21, которая дополнительно содержит вторую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, имеющую высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке, проходящую вдоль упомянутого второго направления и имеющую изменяющийся коэффициент отражения вдоль упомянутого второго направления, причем вторая оптическая отметка положения имеет ту же самую структуру, что и первая оптическая отметка положения.
RU2015119644A 2012-10-26 2013-10-28 Способ определения положения подложки в системе литографии, подложка для использования в таком способе и система литографии для выполнения такого способа RU2659967C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261718872P 2012-10-26 2012-10-26
US61/718,872 2012-10-26
US201261732445P 2012-12-03 2012-12-03
US61/732,445 2012-12-03
PCT/EP2013/072518 WO2014064290A1 (en) 2012-10-26 2013-10-28 Determining a position of a substrate in lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015119644A true RU2015119644A (ru) 2016-12-20
RU2659967C2 RU2659967C2 (ru) 2018-07-04

Family

ID=49515344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015119644A RU2659967C2 (ru) 2012-10-26 2013-10-28 Способ определения положения подложки в системе литографии, подложка для использования в таком способе и система литографии для выполнения такого способа

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10054863B2 (ru)
EP (1) EP2912521A1 (ru)
JP (1) JP6367209B2 (ru)
KR (2) KR102042212B1 (ru)
CN (1) CN104885014B (ru)
NL (1) NL2011681C2 (ru)
RU (1) RU2659967C2 (ru)
TW (1) TWI617903B (ru)
WO (1) WO2014064290A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6449985B2 (ja) 2014-07-30 2019-01-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． アライメントセンサおよびリソグラフィ装置
US9484188B2 (en) 2015-03-11 2016-11-01 Mapper Lithography Ip B.V. Individual beam pattern placement verification in multiple beam lithography
DE102015211879B4 (de) * 2015-06-25 2018-10-18 Carl Zeiss Ag Vermessen von individuellen Daten einer Brille
US10386173B2 (en) * 2015-11-19 2019-08-20 Kris Vossough Integrated sensory systems
KR20170105247A (ko) * 2016-03-09 2017-09-19 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 누적 광량의 측정 방법
CN105845596B (zh) * 2016-04-21 2018-12-04 京东方科技集团股份有限公司 一种测试设备及测试方法
JP7172596B2 (ja) * 2016-05-31 2022-11-16 株式会社ニコン マーク検出装置及びマーク検出方法、計測装置、露光装置及び露光方法、並びに、デバイス製造方法
JP6644919B2 (ja) * 2016-08-15 2020-02-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． アライメント方法
US10021372B2 (en) 2016-09-16 2018-07-10 Qualcomm Incorporated Systems and methods for improved depth sensing
US10418290B2 (en) * 2017-02-02 2019-09-17 United Microelectronics Corp. Method of patterning semiconductor device
US10585360B2 (en) 2017-08-25 2020-03-10 Applied Materials, Inc. Exposure system alignment and calibration method
US10670802B2 (en) 2017-08-31 2020-06-02 University of Pittsburgh—of the Commonwealth System of Higher Education Method of making a distributed optical fiber sensor having enhanced Rayleigh scattering and enhanced temperature stability, and monitoring systems employing same
CN107728236B (zh) * 2017-10-26 2019-07-05 鲁东大学 超构表面元件的制造方法及其产生纳米尺度纵向光斑链的方法
US10593509B2 (en) 2018-07-17 2020-03-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
US10483080B1 (en) * 2018-07-17 2019-11-19 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
WO2020180470A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-10 Applied Materials, Inc. Transparent wafer center finder
WO2021180473A1 (en) * 2020-03-13 2021-09-16 Asml Netherlands B.V. Leveling sensor in multiple charged-particle beam inspection
KR20220044016A (ko) 2020-09-29 2022-04-06 삼성전자주식회사 극자외선(euv) 포토마스크 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4631416A (en) 1983-12-19 1986-12-23 Hewlett-Packard Company Wafer/mask alignment system using diffraction gratings
AT393925B (de) 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
US5523193A (en) * 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JPH0786121A (ja) 1993-06-30 1995-03-31 Canon Inc ずれ測定方法及びそれを用いた位置検出装置
JPH07248208A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Nikon Corp 位置合わせ装置
US5827629A (en) 1995-05-11 1998-10-27 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Position detecting method with observation of position detecting marks
JPH1038514A (ja) * 1996-07-23 1998-02-13 Nikon Corp 位置検出装置
KR970028876A (ko) 1995-11-10 1997-06-24 오노 시게오 위치검출장치
EP1184896A4 (en) 1999-01-18 2006-05-10 Nikon Corp MODEL COMPARISON METHOD AND APPARATUS, POSITION IDENTIFICATION METHOD AND APPARATUS, LOCATION JUSTAGEMETHODE AND APPARATUS AND APPARATUS AND ITS MANUFACTURE
EP1111473A3 (en) 1999-12-23 2004-04-21 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus with vacuum chamber and interferometric alignment system
JP3989697B2 (ja) * 2001-05-30 2007-10-10 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の位置検出方法
US7116626B1 (en) 2001-11-27 2006-10-03 Inphase Technologies, Inc. Micro-positioning movement of holographic data storage system components
JP4165871B2 (ja) 2002-03-15 2008-10-15 キヤノン株式会社 位置検出方法、位置検出装置及び露光装置
JP4999781B2 (ja) 2002-03-15 2012-08-15 キヤノン株式会社 位置検出装置及び方法、露光装置、デバイス製造方法
EP1400860B1 (en) * 2002-09-20 2013-11-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic marker structure, lithographic projection apparatus comprising such a lithographic marker structure and method for substrate alignment using such a lithographic marker structure
SG152898A1 (en) * 2002-09-20 2009-06-29 Asml Netherlands Bv Alignment systems and methods for lithographic systems
US7425396B2 (en) 2003-09-30 2008-09-16 Infineon Technologies Ag Method for reducing an overlay error and measurement mark for carrying out the same
JP2005116626A (ja) 2003-10-03 2005-04-28 Canon Inc 位置検出装置及び位置検出方法、並びに露光装置
US20060061743A1 (en) * 2004-09-22 2006-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment system, and device manufacturing method
US7271907B2 (en) 2004-12-23 2007-09-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with two-dimensional alignment measurement arrangement and two-dimensional alignment measurement method
US7626701B2 (en) * 2004-12-27 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with multiple alignment arrangements and alignment measuring method
JP4520429B2 (ja) * 2005-06-01 2010-08-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 位置合わせ装置への２次元フォトニック結晶の応用
US7863763B2 (en) * 2005-11-22 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks
US20080079920A1 (en) 2006-09-29 2008-04-03 Heiko Hommen Wafer exposure device and method
NL2002954A1 (nl) * 2008-06-11 2009-12-14 Asml Netherlands Bv Sub-segmented alignment mark arrangement.
NL2003762A (en) * 2008-11-18 2010-05-20 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5738981B2 (ja) * 2010-04-12 2015-06-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ハンドリング装置、リソグラフィ装置、ツール、及びデバイス製造方法
NL2008110A (en) * 2011-02-18 2012-08-21 Asml Netherlands Bv Measuring method, measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2008285A (en) 2011-03-11 2012-09-12 Asml Netherlands Bv Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process.
EP2699967B1 (en) * 2011-04-22 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
KR20140027298A (ko) * 2011-04-22 2014-03-06 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 웨이퍼와 같은 타겟의 처리를 위한 리소그래피 시스템 및 웨이퍼와 같은 타겟의 처리를 위한 리소그래피 시스템 작동 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014064290A1 (en) 2014-05-01
JP2016500845A (ja) 2016-01-14
TW201426208A (zh) 2014-07-01
TWI617903B (zh) 2018-03-11
US20150177625A1 (en) 2015-06-25
NL2011681C2 (en) 2014-05-01
JP6367209B2 (ja) 2018-08-01
KR102215545B1 (ko) 2021-02-16
US10054863B2 (en) 2018-08-21
CN104885014A (zh) 2015-09-02
KR102042212B1 (ko) 2019-11-08
CN104885014B (zh) 2017-05-31
EP2912521A1 (en) 2015-09-02
KR20150070407A (ko) 2015-06-24
KR20190126457A (ko) 2019-11-11
RU2659967C2 (ru) 2018-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015119644A (ru) Способ определения положения подложки в системе литографии, подложка для использования в таком способе и система литографии для выполнения такого способа
JP2016500845A5 (ru)
TWI464362B (zh) 用於測量物體高度及獲得其對焦圖像的裝置與方法
KR20210092821A (ko) 광학 측정 장치
CN107643055B (zh) 基于偏振光束的自参考准直光路系统及计算被测角度方法
CN102679912B (zh) 基于差动比较原理的自准直仪
US9030661B1 (en) Alignment measurement system
JP2011040547A5 (ru)
KR20200135944A (ko) 측거 유닛 및 광 조사 장치
JP2014240782A (ja) 計測装置
US20140233040A1 (en) Methods and Devices for Measuring Homogeneously Reflective Surfaces
KR20190050859A (ko) 웨이퍼의 3차원 맵핑
FI127908B (en) Method and apparatus for measuring the height of a surface
KR102246791B1 (ko) 포커싱 및 레벨링 장치
JP5249391B2 (ja) 物体の表面プロファイルを測定する方法及び装置
RU2531555C2 (ru) Автоколлимационный способ измерения фокусного расстояния
JP6616650B2 (ja) 距離測定装置および方法
JP2008128744A (ja) 距離測定装置および距離測定方法
US20150070710A1 (en) Measurement apparatus
JP4936287B2 (ja) 内径測定装置
JPH08247713A (ja) 変位センサ
KR101133562B1 (ko) 비점수차 렌즈를 이용한 형상측정장치
EP3267145A1 (en) Measuring device for accurately determining the displacement of a rotating test object provided with a light reflective surface
WO2016002442A1 (ja) 距離測定装置および方法
JP2016017755A (ja) 距離測定装置および方法