RU2015118169A - Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы - Google Patents
Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015118169A RU2015118169A RU2015118169A RU2015118169A RU2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A RU 2015118169 A RU2015118169 A RU 2015118169A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanowires
- nanowire
- different
- substance
- fluid sample
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/414—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
- G01N27/4146—Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS involving nanosized elements, e.g. nanotubes, nanowires
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0031—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector comprising two or more sensors, e.g. a sensor array
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
- H10D62/118—Nanostructure semiconductor bodies
- H10D62/119—Nanowire, nanosheet or nanotube semiconductor bodies
- H10D62/121—Nanowire, nanosheet or nanotube semiconductor bodies oriented parallel to substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
1. Устройство для количественного обнаружения вещества в образце текучей среды, содержащееподложку;расположенный на упомянутой подложке электроизолирующий слой;множество расположенных на упомянутом электроизолирующем слое индивидуально адресуемых нанопроводов, причем каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов покрыт изолирующим материалом, при этом множество нанопроводов выполнено с возможностью обнаружения присутствия вещества в образце текучей среды посредством измерения электрической характеристики нанопровода из множества нанопроводов, при этом каждый упомянутый нанопровод имеет длину, ширину и толщину;отделение для образцов для содержания упомянутого образца текучей среды, при этом упомянутое отделение для образцов расположено таким образом, что оно покрывает по меньшей мере часть каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов,при этом упомянутая длина, упомянутая ширина и упомянутая толщина соответствующих нанопроводов имеют такие размеры, чтобы формировать различные диапазоны обнаружения вещества.2. Устройство по п. 1, в котором сочетание различных диапазонов обнаружения образует практически непрерывный диапазон обнаружения, который больше, чем каждый различный диапазон обнаружения.3. Устройство по п. 1, в котором каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов имеет площадь поверхности и объем нанопровода, при этом отношение площади поверхности и объема различно для различных нанопроводов из упомянутого множества нанопроводов.4. Устройство по п. 3, в котором толщина нанопроводов из множества нанопроводов практически одинакова, а одна или более из ширины и
Claims (19)
1. Устройство для количественного обнаружения вещества в образце текучей среды, содержащее
подложку;
расположенный на упомянутой подложке электроизолирующий слой;
множество расположенных на упомянутом электроизолирующем слое индивидуально адресуемых нанопроводов, причем каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов покрыт изолирующим материалом, при этом множество нанопроводов выполнено с возможностью обнаружения присутствия вещества в образце текучей среды посредством измерения электрической характеристики нанопровода из множества нанопроводов, при этом каждый упомянутый нанопровод имеет длину, ширину и толщину;
отделение для образцов для содержания упомянутого образца текучей среды, при этом упомянутое отделение для образцов расположено таким образом, что оно покрывает по меньшей мере часть каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов,
при этом упомянутая длина, упомянутая ширина и упомянутая толщина соответствующих нанопроводов имеют такие размеры, чтобы формировать различные диапазоны обнаружения вещества.
2. Устройство по п. 1, в котором сочетание различных диапазонов обнаружения образует практически непрерывный диапазон обнаружения, который больше, чем каждый различный диапазон обнаружения.
3. Устройство по п. 1, в котором каждый нанопровод из упомянутого множества нанопроводов имеет площадь поверхности и объем нанопровода, при этом отношение площади поверхности и объема различно для различных нанопроводов из упомянутого множества нанопроводов.
4. Устройство по п. 3, в котором толщина нанопроводов из множества нанопроводов практически одинакова, а одна или более из ширины и длины каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов различна.
5. Устройство по п. 1, в котором изолирующий материал является одним и тем же для каждого нанопровода из множества нанопроводов, и при этом изолирующий материал имеет толщину, которая различна для каждого нанопровода из множества нанопроводов.
6. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один нанопровод из упомянутого множества нанопроводов содержит по меньшей мере один слой функционализации, который предназначен для взаимодействия с веществом.
7. Устройство по п. 1, в котором каждый из по меньшей мере двух нанопроводов из упомянутого множества нанопроводов содержит слой функционализации, который предназначен для взаимодействия с веществом, при этом по меньшей мере два слоя функционализации отличаются друг от друга.
8. Устройство по п. 6, в котором по меньшей мере один слой функционализации содержит или состоит из TiO2.
9. Устройство по п. 1, в котором упомянутое отделение для образцов выполнено для обеспечения текучей среде возможности протекать поверх упомянутого множества нанопроводов.
10. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере два из упомянутых нанопроводов имеют различную чувствительность.
11. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере два нанопровода из упомянутого множества нанопроводов содержат различные легирующие примеси и/или различные концентрации легирующих примесей.
12. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один нанопровод из множества нанопроводов образует канал транзистора, а часть подложки используется в качестве вывода затвора упомянутого транзистора.
13. Устройство по п. 1, содержащее дополнительное отделение для образцов.
14. Устройство по п. 1, содержащее электрическую схему, соединенную с каждым нанопроводом из множества упомянутых нанопроводов, для считывания нанопроводов.
15. Применение устройства по п. 1 для количественного обнаружения вещества в образце текучей среды.
16. Способ количественного определения вещества в образце текучей среды с использованием устройства, содержащего множество индивидуально электрически адресуемых нанопроводов, причем каждый из упомянутых нанопроводов имеет различный диапазон обнаружения, при этом упомянутый способ содержит
определение электрической характеристики каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов;
определение для каждого нанопровода из упомянутого множества нанопроводов, указывает ли электрическая характеристика на насыщение нанопровода;
идентификацию подмножества нанопроводов, которые не являются насыщенными нанопроводами, в пределах множества нанопроводов;
идентификацию нанопровода из подмножества нанопроводов, имеющего самую высокую чувствительность; и
определение количества упомянутого вещества в упомянутой текучей среде на основе определенной электрической характеристики нанопровода, имеющего самую высокую чувствительность.
17. Способ по п. 16, в котором определяемой электрической характеристикой упомянутых нанопроводов является ток как функция поданного напряжения.
18. Способ по п. 16, в котором множество нанопроводов образуют каналы транзистора, где транзистор содержит затвор, при этом способ дополнительно содержит этап установки устройства в исходное состояние посредством подачи напряжения затвора на затвор с тем, чтобы вещество, налипшее на нанопровод из упомянутого множества нанопроводов, было по меньшей мере частично удалено с упомянутого нанопровода.
19. Способ по п. 16, дополнительно содержащий этап установки устройства в исходное состояние посредством нагревания упомянутого устройства с тем, чтобы вещество, налипшее на нанопровод из упомянутого множества нанопроводов, было по меньшей мере частично удалено с упомянутого нанопровода.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201261714418P | 2012-10-16 | 2012-10-16 | |
| US61/714,418 | 2012-10-16 | ||
| PCT/IB2013/059160 WO2014060894A2 (en) | 2012-10-16 | 2013-10-07 | Wide dynamic range fluid sensor based on nanowire platform |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015118169A true RU2015118169A (ru) | 2016-12-10 |
| RU2638130C2 RU2638130C2 (ru) | 2017-12-11 |
Family
ID=49917673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015118169A RU2638130C2 (ru) | 2012-10-16 | 2013-10-07 | Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10126263B2 (ru) |
| EP (1) | EP2909617A2 (ru) |
| JP (1) | JP6533465B2 (ru) |
| CN (1) | CN104737009B (ru) |
| BR (1) | BR112015008202B1 (ru) |
| MX (1) | MX356580B (ru) |
| RU (1) | RU2638130C2 (ru) |
| WO (1) | WO2014060894A2 (ru) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160003732A1 (en) * | 2013-03-14 | 2016-01-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Devices to detect a substance and methods of producing such a device |
| JP6063604B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-01-18 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 物質を検出するための装置及び該装置を製造する方法 |
| CN107709979B (zh) * | 2015-06-30 | 2020-07-07 | 富士通株式会社 | 气体传感器及其使用方法 |
| BR112018005093B8 (pt) | 2015-09-16 | 2023-04-18 | Systems & Software Entpr Llc | Melhoramento em mecanismos de detecção de líquidos para cartões de circuito |
| CN105424780B (zh) * | 2015-11-26 | 2018-06-22 | 深圳代尔夫特电子科技有限公司 | 一种氮化镓传感器、制备方法和多传感器系统 |
| WO2017104130A1 (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ガスセンサ及びガスセンシングシステム |
| FR3046243B1 (fr) * | 2015-12-24 | 2017-12-22 | Commissariat Energie Atomique | Capteur nw-fet comportant au moins deux detecteurs distincts a nanofil de semi-conducteur |
| CN106290525B (zh) * | 2016-08-04 | 2018-08-28 | 北京大学 | 一种带正面栅极调控的纳米线生物传感器件及其制备方法 |
| JP2019190829A (ja) * | 2016-08-31 | 2019-10-31 | シャープ株式会社 | ナノファイバーセンサ |
| JP6880930B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-06-02 | セイコーエプソン株式会社 | センサー |
| WO2019107165A1 (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | 東レ株式会社 | 回路、検知器、無線通信デバイス、水分検知システム、おむつ、報知システムおよび回路の製造方法 |
| US10788375B2 (en) * | 2017-12-07 | 2020-09-29 | Tower Semiconductor Ltd. | Apparatus, system and method of a temperature sensor |
| EP3540422B1 (en) * | 2018-03-14 | 2024-01-03 | Sciosense B.V. | Monolithic gas sensor arrangement, manufacturing method and measurement method |
| US11906459B2 (en) | 2018-11-20 | 2024-02-20 | National Research Council Of Canada | Sensor platform |
| WO2020118052A1 (en) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | FemtoDx | Differential sensor measurement methods and devices |
| CA3147264C (en) * | 2019-07-12 | 2023-10-03 | Qulab Medical Ltd. | Electrochemical fet sensor |
| RU2749070C1 (ru) * | 2020-09-17 | 2021-06-03 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника") | Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств и микроэлектронное устройство, содержащее активные структуры |
| US11414986B1 (en) | 2021-03-02 | 2022-08-16 | Saudi Arabian Oil Company | Detecting carbon dioxide leakage in the field |
| US11840921B2 (en) * | 2021-03-02 | 2023-12-12 | Saudi Arabian Oil Company | Detecting carbon dioxide leakage in the field |
| RU2764722C1 (ru) * | 2021-08-04 | 2022-01-19 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника") | Способ формирования активных структур для микроэлектронных устройств на кремниевой подложке и микроэлектронное устройство, содержащее сформированные активные структуры |
| AU2023290505B2 (en) * | 2022-06-15 | 2025-05-22 | Swesensi Ab | Fet gas sensor device |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3000711B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2000-01-17 | エヌオーケー株式会社 | ガスセンサ |
| KR100984603B1 (ko) | 2000-12-11 | 2010-09-30 | 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 | 나노센서 |
| US8152991B2 (en) | 2005-10-27 | 2012-04-10 | Nanomix, Inc. | Ammonia nanosensors, and environmental control system |
| AU2003258969A1 (en) * | 2002-06-27 | 2004-01-19 | Nanosys Inc. | Planar nanowire based sensor elements, devices, systems and methods for using and making same |
| US7051945B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-05-30 | Nanosys, Inc | Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites |
| US7163659B2 (en) * | 2002-12-03 | 2007-01-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Free-standing nanowire sensor and method for detecting an analyte in a fluid |
| US7910064B2 (en) * | 2003-06-03 | 2011-03-22 | Nanosys, Inc. | Nanowire-based sensor configurations |
| JP2009505045A (ja) * | 2005-08-08 | 2009-02-05 | ミクロガン ゲーエムベーハー | 半導体センサ |
| US20070269924A1 (en) | 2006-05-18 | 2007-11-22 | Basf Aktiengesellschaft | Patterning nanowires on surfaces for fabricating nanoscale electronic devices |
| JP4928865B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-05-09 | 株式会社アツミテック | 水素ガス濃度センサ及び水素ガス濃度測定装置 |
| JP2010500559A (ja) * | 2006-08-11 | 2010-01-07 | エージェンシー フォー サイエンス,テクノロジー アンド リサーチ | ナノワイヤセンサ、ナノワイヤセンサアレイ、及び当該センサ及びセンサアレイを形成する方法 |
| US7846786B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-12-07 | Korea University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method of fabricating nano-wire array |
| US7437938B2 (en) * | 2007-03-21 | 2008-10-21 | Rosemount Inc. | Sensor with composite diaphragm containing carbon nanotubes or semiconducting nanowires |
| FR2924108B1 (fr) | 2007-11-28 | 2010-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration, sur un materiau dielectrique, de nanofils en materiaux semi-conducteur connectant deux electrodes |
| KR100906154B1 (ko) | 2007-12-05 | 2009-07-03 | 한국전자통신연구원 | 반도체 나노선 센서 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20090065124A (ko) * | 2007-12-17 | 2009-06-22 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 나노선을 이용한 바이오 센서 및 그 제조 방법 |
| IL189576A0 (en) * | 2008-02-18 | 2008-12-29 | Technion Res & Dev Foundation | Chemically sensitive field effect transistors for explosive detection |
| JP2009229341A (ja) | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Hiroshima Univ | バイオセンサーおよびその製造方法 |
| US7963148B2 (en) | 2008-09-03 | 2011-06-21 | National Formosa Univeristy | Gas sensor made of field effect transistor based on ZnO nanowires |
| US8169006B2 (en) | 2008-11-29 | 2012-05-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Bio-sensor chip for detecting target material |
| JP5371453B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2013-12-18 | ミツミ電機株式会社 | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| CN101847581A (zh) * | 2009-03-25 | 2010-09-29 | 中国科学院微电子研究所 | 顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法 |
| WO2011017077A2 (en) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Trustees Of Boston University | Nanochannel-based sensor system with controlled sensitivity |
| EP2434278A1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-28 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Apparatus for detecting one or more analytes comprising an elongated nano-structure and method for manufacturing said apparatus |
| WO2013009875A2 (en) * | 2011-07-12 | 2013-01-17 | University Of Pittsburgh----Of The Commonwealth System Of Higher Education | pH SENSOR SYSTEMS AND METHODS OF SENSING pH |
-
2013
- 2013-10-07 CN CN201380053956.1A patent/CN104737009B/zh active Active
- 2013-10-07 RU RU2015118169A patent/RU2638130C2/ru active
- 2013-10-07 EP EP13817722.5A patent/EP2909617A2/en not_active Withdrawn
- 2013-10-07 WO PCT/IB2013/059160 patent/WO2014060894A2/en not_active Ceased
- 2013-10-07 MX MX2015004671A patent/MX356580B/es active IP Right Grant
- 2013-10-07 JP JP2015536256A patent/JP6533465B2/ja active Active
- 2013-10-07 US US14/435,592 patent/US10126263B2/en active Active
- 2013-10-07 BR BR112015008202-5A patent/BR112015008202B1/pt active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014060894A2 (en) | 2014-04-24 |
| WO2014060894A3 (en) | 2014-07-24 |
| CN104737009A (zh) | 2015-06-24 |
| US20160003770A1 (en) | 2016-01-07 |
| CN104737009B (zh) | 2018-07-13 |
| EP2909617A2 (en) | 2015-08-26 |
| JP6533465B2 (ja) | 2019-06-19 |
| JP2015531491A (ja) | 2015-11-02 |
| MX356580B (es) | 2018-06-05 |
| BR112015008202B1 (pt) | 2021-02-09 |
| BR112015008202A2 (pt) | 2017-07-04 |
| US10126263B2 (en) | 2018-11-13 |
| RU2638130C2 (ru) | 2017-12-11 |
| MX2015004671A (es) | 2015-08-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2015118169A (ru) | Датчик для текучих сред с широким динамическим диапазоном на основе нанопроводной платформы | |
| JP2015531491A5 (ru) | ||
| Vieira et al. | Graphene field-effect transistor array with integrated electrolytic gates scaled to 200 mm | |
| US11008611B2 (en) | Double gate ion sensitive field effect transistor | |
| WO2014152717A3 (en) | On-body microsensor for biomonitoring | |
| DE602007012849D1 (de) | Biosensor mit nanodraht und herstellungsverfahren dafür | |
| RU2017101678A (ru) | Пробоотборник и биосенсор | |
| RU2650087C2 (ru) | Интегральная схема с матрицей сенсорных транзисторов, сенсорное устройство и способ измерения | |
| WO2014100027A3 (en) | System and method for production reservoir and well management using continuous chemical measurement | |
| WO2008040998A3 (en) | Systems and methods for determining a substantially hematocrit independent analyte concentration | |
| CN104838249A (zh) | 包括局部脱盐系统的生物传感器设备和方法 | |
| HK1213568A1 (zh) | 用於电化学分析的检测装置 | |
| US20200256826A1 (en) | Pulse-driven capacitive detection for field-effect transistors | |
| JP2016502644A5 (ru) | ||
| JP2017534064A5 (ru) | ||
| WO2015054663A3 (en) | Biomolecular interaction detection devices and methods | |
| RU2017109736A (ru) | Способы и системы обнаружения аналитов | |
| Cao et al. | Ionophore-containing siloprene membranes: direct comparison between conventional ion-selective electrodes and silicon nanowire-based field-effect transistors | |
| EP3570006A3 (en) | Humidity sensor and corrosion test method using the same | |
| US20140295573A1 (en) | Biosensor with dual gate structure and method for detecting concentration of target protein in a protein solution | |
| Kwon et al. | Drift-free pH detection with silicon nanowire field-effect transistors | |
| CN105353000B (zh) | 半导体器件及其检测方法 | |
| Nguyen et al. | Organic field-effect transistor with extended indium tin oxide gate structure for selective pH sensing | |
| CN103376283B (zh) | 一种离子液体中痕量h2o的检测方法 | |
| CN101652656B (zh) | 用于测量气态介质的湿度的湿度传感器和方法 |