[go: up one dir, main page]

RU2014111796A - Структуры, изготовленные с использованием нанотехнологии, для пористых электрохимических конденсаторов - Google Patents

Структуры, изготовленные с использованием нанотехнологии, для пористых электрохимических конденсаторов Download PDF

Info

Publication number
RU2014111796A
RU2014111796A RU2014111796/07A RU2014111796A RU2014111796A RU 2014111796 A RU2014111796 A RU 2014111796A RU 2014111796/07 A RU2014111796/07 A RU 2014111796/07A RU 2014111796 A RU2014111796 A RU 2014111796A RU 2014111796 A RU2014111796 A RU 2014111796A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrically conductive
porous structure
storage device
energy storage
main
Prior art date
Application number
RU2014111796/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2588036C2 (ru
Inventor
Дональд С. ГАРДНЕР
Чарльз У. ХОЛЬЦВАРТ
Вэй ЦЗИНЬ
Original Assignee
Интел Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интел Корпорейшн filed Critical Интел Корпорейшн
Publication of RU2014111796A publication Critical patent/RU2014111796A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2588036C2 publication Critical patent/RU2588036C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/14—Etching locally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32—Carbon-based
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/50—Electrodes characterised by their material specially adapted for lithium-ion capacitors, e.g. for lithium-doping or for intercalation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/52—Separators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0438—Processes of manufacture in general by electrochemical processing
    • H01M4/044—Activating, forming or electrochemical attack of the supporting material
    • H01M4/0442—Anodisation, Oxidation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/133—Electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H01M4/1393—Processes of manufacture of electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/76—Containers for holding the active material, e.g. tubes, capsules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H01M4/80—Porous plates, e.g. sintered carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/021—Physical characteristics, e.g. porosity, surface area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/134—Electrodes based on metals, Si or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H10D1/711—Electrodes having non-planar surfaces, e.g. formed by texturisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)

Abstract

1. Устройство для хранения энергии, содержащее:пористую структуру, содержащую множество главных каналов внутри электропроводящей структуры;при этом каждый из главных каналов имеет отверстие в главной поверхности соответствующей пористой структуры, и каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру под острым углом к главной поверхности.2. Устройство для хранения энергии по п. 1, в котором каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления плоскости кристалла, ориентированного под острым углом к главной поверхности.3. Устройство для хранения энергии по п. 1, дополнительно содержащее боковые каналы, проходящие от боковой поверхности каждого из главных каналов в электропроводящую структуру.4. Устройство для хранения энергии по п. 1, в котором:главная поверхность является поверхностью (1011), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности;главная поверхность является поверхностью (322), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности;главная поверхность является поверхностью (111), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <113> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности; илиглавная поверхность является поверхностью (5512), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности.5. Устройство для хранения энергии по п. 1,

Claims (30)

1. Устройство для хранения энергии, содержащее:
пористую структуру, содержащую множество главных каналов внутри электропроводящей структуры;
при этом каждый из главных каналов имеет отверстие в главной поверхности соответствующей пористой структуры, и каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру под острым углом к главной поверхности.
2. Устройство для хранения энергии по п. 1, в котором каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления плоскости кристалла, ориентированного под острым углом к главной поверхности.
3. Устройство для хранения энергии по п. 1, дополнительно содержащее боковые каналы, проходящие от боковой поверхности каждого из главных каналов в электропроводящую структуру.
4. Устройство для хранения энергии по п. 1, в котором:
главная поверхность является поверхностью (1011), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности;
главная поверхность является поверхностью (322), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности;
главная поверхность является поверхностью (111), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <113> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности; или
главная поверхность является поверхностью (5512), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности.
5. Устройство для хранения энергии по п. 1, дополнительно содержащее вторую пористую структуру во второй электропроводящей структуре и разделитель между пористой структурой и второй пористой структурой.
6. Устройство для хранения энергии по п. 5, в котором вторая пористая структура содержит множество вторых главных каналов, и каждый из вторых главных каналов имеет второе отверстие во второй главной поверхности второй пористой структуры, а также каждый из вторых главных каналов проходит во вторую электропроводящую структуру под вторым острым углом ко второй главной поверхности; и
в котором главная поверхность и вторая главная поверхность параллельны друг другу и формируются вдоль той же самой кристаллографической плоскости.
7. Устройство для хранения энергии, содержащее:
пористую структуру внутри электропроводящей структуры, при этом пористая структура содержит матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений в главной поверхности пористой структуры; и
множество главных каналов, проходящих в электропроводящую структуру для каждой из V-образных канавок или пирамидальных углублений, при этом каждый главный канал имеет отверстие в соответствующей V-образной канавке или пирамидальном углублении.
8. Устройство для хранения энергии по п. 7, дополнительно содержащее вторую пористую структуру внутри второй электропроводящей структуры и разделитель между пористой структурой и второй пористой структурой, при этом разделитель проходит в матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений.
9. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура содержит легированный литием углерод.
10. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура содержит наноалмазную углеродную пленку.
11. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура проходит в матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений.
12. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая электропроводящая структура является материалом, выбранным из следующей группы: углерод, материал на основе углерода и псевдоемкостной материал.
13. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура содержит вторую матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений во второй главной поверхности второй пористой структуры; и
- вторую матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений, проходящую во вторую электропроводящую структуру, при этом каждый главный канал имеет отверстие в соответствующей V-образной канавке или пирамидальном углублении, а вторая пористая структура проходит в V-образную канавку или пирамидальные углубления пористой структуры.
14. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором разделитель полностью заполняет матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений.
15. Устройство для хранения энергии по п. 1 или 7, в котором устройство для хранения энергии встраивается внутрь электронного устройства, при этом устройство для хранения энергии взаимодействует с микропроцессором.
16. Устройство для хранения энергии по п. 1 или 7, в котором каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру с боковыми стенками, включающими в себя первичную форму поверхности и вторичную форму поверхности, наложенную на первичную форму поверхности.
17. Устройство для хранения энергии по п. 16, в котором первичная форма поверхности является линейно конусообразной.
18. Устройство для хранения энергии по п. 17, в котором вторичная форма поверхности является синусоидальной.
19. Устройство для хранения энергии по п. 16, в котором каждый из главных каналов включает в себя чередующиеся области с резервуаром и соединительные области.
20. Способ формирования пористого электрода, содержащий;
погружение электропроводящей подложки в ванну для электрохимического травления; и
приложение тока травления к электропроводящей подложке;
при этом приложение тока травления характеризуется:
изменением тока травления нелинейным образом, чтобы создавать пористую структуру, содержащую множество главных каналов в электропроводящей подложке, где каждый из главных каналов имеет отверстие на главной поверхности пористой структуры; или
наложением вторичного изменения тока травления на первичное изменение тока травления.
21. Способ по п. 20, в котором изменяющийся нелинейным образом ток травления содержит изменение тока травления в чередующихся узлах относительно более высокого и более низкого тока.
22. Способ по п. 21, в котором изменяющийся нелинейным образом ток травления содержит постоянно уменьшающийся ток травления.
23. Способ по п. 20, в котором первичное изменение тока травления является нелинейным изменением тока травления, а вторичное изменение тока травления является линейным дополнением синусоидальной функции.
24. Способ по п. 23, в котором нелинейное изменение тока травления аппроксимировано полиномом второго или третьего порядка.
25. Способ по п. 20, в котором ванна для электрохимического травления содержит концентрацию фтористоводородной кислоты (HF): алкоголь в соотношении 2:1 или с большей концентрацией HF.
26. Способ по п. 20, дополнительно содержащий поддерживание ванны для электрохимического травления приблизительно при комнатной или меньшей температуре во время приложения тока травления.
27. Способ формирования устройства для хранения энергии, содержащий:
электрохимическое травление электропроводящей подложки для высвобождения пористой структуры из этой электропроводящей подложки; и
соединение пористой структуры с разделительным слоем и второй пористой структурой.
28. Способ по п. 27, в котором соединение содержит отложение разделительного слоя на пористой структуре.
29. Способ по п. 28, в котором соединение содержит укладывание в стопку пористой структуры на разделительный слой или укладывание в стопку разделительного слоя на пористую структуру.
30. Способ по п. 27, дополнительно содержащий электрохимическое травление второй электропроводящей подложки для высвобождения второй пористой структуры из второй электропроводящей подложки.
RU2014111796/07A 2012-09-28 2013-06-24 Структуры, изготовленные с использованием нанотехнологии, для пористых электрохимических конденсаторов RU2588036C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/631,579 2012-09-28
US13/631,579 US9206523B2 (en) 2012-09-28 2012-09-28 Nanomachined structures for porous electrochemical capacitors
PCT/US2013/047404 WO2014051772A1 (en) 2012-09-28 2013-06-24 Nanomachined structures for porous electrochemical capacitors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014111796A true RU2014111796A (ru) 2015-10-10
RU2588036C2 RU2588036C2 (ru) 2016-06-27

Family

ID=

Also Published As

Publication number Publication date
TWI506655B (zh) 2015-11-01
CN104584159A (zh) 2015-04-29
WO2014051772A1 (en) 2014-04-03
TW201423789A (zh) 2014-06-16
US9206523B2 (en) 2015-12-08
US20160064152A1 (en) 2016-03-03
KR101567374B1 (ko) 2015-11-10
KR20140073537A (ko) 2014-06-16
KR20150064238A (ko) 2015-06-10
US20140093782A1 (en) 2014-04-03
CN104584159B (zh) 2019-07-09
BR112015004095A2 (pt) 2017-07-04
EP2751816A1 (en) 2014-07-09
JP2014533894A (ja) 2014-12-15
EP2751816A4 (en) 2015-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012118840A3 (en) Manufacturing of high capacity prismatic lithium-ion alloy anodes
TWI506655B (zh) 用於多孔性電化學電容器的奈米加工結構
US20130003261A1 (en) Lithium plate, method for lithiation of electrode and energy storage device
US20180013166A1 (en) Three-dimensional batteries and methods of manufacturing the same
RU2011152902A (ru) Батареи с электродами в виде покрытия, нанесенного прямо на нанопористые сепараторы
KR101891063B1 (ko) 전기 이중층 커패시터
JP2016526756A (ja) エネルギー蓄積デバイス用の堅牢な多孔質電極
US10014517B2 (en) Three dimensional batteries and methods of manufacturing the same
RU2011140844A (ru) Батарея с твердым электролитом и способ ее изготовления
EP1617497A4 (en) NEGATIVE ELECTRODE FOR A WATER-FREE ELECTROLYTE SECONDARY BATTERY, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND WATER-FREE ELECTROLYTE SECONDARY BACTERIA
WO2012038887A3 (en) Lithium accumulator
JP2009043718A5 (ru)
JP2012519367A (ja) 多孔質電極を有するエネルギー蓄積デバイス
JP2015149463A (ja) アルミニウムエッチング箔およびアルミニウムエッチング箔を集電体に用いた電極、これを用いた蓄電デバイス
KR20130065290A (ko) 배터리 팩
JP2015527704A5 (ru)
CN105074969A (zh) 非水电解质二次电池用负极及非水电解质二次电池
JP6344027B2 (ja) 蓄電装置及び蓄電装置の製造方法
KR101645475B1 (ko) 전해액 젖음성이 향상된 전극조립체
WO2019017375A1 (ja) ハイブリッドキャパシタ
US11283105B2 (en) Battery having high battery capacity
RU171277U1 (ru) Высокомощный литий-ионный аккумулятор
KR101410803B1 (ko) 불연속 전극, 이를 이용한 전지 및 이를 제조하는 방법
KR20150062110A (ko) 납-산 전지
JP2018147884A5 (ru)