[go: up one dir, main page]

RU2014150553A - Устройство модуляции и компоновка источника питания - Google Patents

Устройство модуляции и компоновка источника питания Download PDF

Info

Publication number
RU2014150553A
RU2014150553A RU2014150553A RU2014150553A RU2014150553A RU 2014150553 A RU2014150553 A RU 2014150553A RU 2014150553 A RU2014150553 A RU 2014150553A RU 2014150553 A RU2014150553 A RU 2014150553A RU 2014150553 A RU2014150553 A RU 2014150553A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
beams
elementary
action
modulation device
deflectors
Prior art date
Application number
RU2014150553A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2650672C2 (ru
Inventor
ДЕ ПЕТ Тенис ВАН
БУР Хендрик ДЕН
Original Assignee
МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В. filed Critical МЭППЕР ЛИТОГРАФИ АйПи Б.В.
Publication of RU2014150553A publication Critical patent/RU2014150553A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2650672C2 publication Critical patent/RU2650672C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
    • H01J37/243—Beam current control or regulation circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/026—Shields
    • H01J2237/0264—Shields magnetic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04—Means for controlling the discharge
    • H01J2237/043—Beam blanking
    • H01J2237/0435—Multi-aperture
    • H01J2237/0437—Semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
    • H01J2237/2485—Electric or electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
    • H01J2237/31754—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using electron beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. Устройство модуляции для использования в системе (100) литографии пучком заряженных частиц, выполненной с возможностью генерирования элементарных пучков (123) заряженных частиц, причем устройство модуляции выполнено для модуляции элементарных пучков заряженных частиц в соответствии с данными рисунка и содержит:- пластинчатый корпус (106);- решетку дефлекторов (30) элементарных пучков, размещенных на пластинчатом корпусе (106) для отклонения элементарных пучков;- множество выводов (202-205) источника питания для подачи по меньшей мере двух различных напряжений;- множество схем (40, 41) управления, размещенных на пластинчатом корпусе (106) для приема данных рисунка и подачи соответствующих сигналов управления в дефлекторы (30) элементарных пучков, причем питание схем (40, 41) управления выполняется с помощью множества выводов (202-205) источника питания; ипроводящую пластину (201), выполненную с возможностью подачи электрической мощности на один или более выводов (202-205) источника питания,причем корпус устройства модуляции разделен на удлиненную зону (51) действия пучков и удлиненную зону (52) отсутствия действия пучков, расположенную рядом с зоной (51) действия пучков таким образом, чтобы длинный край зоны (51) действия пучков граничил с длинным краем смежной зоны (52) отсутствия действия пучков,причем дефлекторы элементарных пучков размещены в зоне (51) действия пучков,причем схемы (40, 41) управления расположены в зоне (52) отсутствия действия пучков для подачи сигналов управления на дефлекторы (30) элементарных пучков; ипричем проводящая пластина (201) подсоединена к одному или более выводам источника питания в зоне (52) отсутствия действия пучков, причем проводящая пластина (201) содержит множество тонких проводя

Claims (17)

1. Устройство модуляции для использования в системе (100) литографии пучком заряженных частиц, выполненной с возможностью генерирования элементарных пучков (123) заряженных частиц, причем устройство модуляции выполнено для модуляции элементарных пучков заряженных частиц в соответствии с данными рисунка и содержит:
- пластинчатый корпус (106);
- решетку дефлекторов (30) элементарных пучков, размещенных на пластинчатом корпусе (106) для отклонения элементарных пучков;
- множество выводов (202-205) источника питания для подачи по меньшей мере двух различных напряжений;
- множество схем (40, 41) управления, размещенных на пластинчатом корпусе (106) для приема данных рисунка и подачи соответствующих сигналов управления в дефлекторы (30) элементарных пучков, причем питание схем (40, 41) управления выполняется с помощью множества выводов (202-205) источника питания; и
проводящую пластину (201), выполненную с возможностью подачи электрической мощности на один или более выводов (202-205) источника питания,
причем корпус устройства модуляции разделен на удлиненную зону (51) действия пучков и удлиненную зону (52) отсутствия действия пучков, расположенную рядом с зоной (51) действия пучков таким образом, чтобы длинный край зоны (51) действия пучков граничил с длинным краем смежной зоны (52) отсутствия действия пучков,
причем дефлекторы элементарных пучков размещены в зоне (51) действия пучков,
причем схемы (40, 41) управления расположены в зоне (52) отсутствия действия пучков для подачи сигналов управления на дефлекторы (30) элементарных пучков; и
причем проводящая пластина (201) подсоединена к одному или более выводам источника питания в зоне (52) отсутствия действия пучков, причем проводящая пластина (201) содержит множество тонких проводящих пластинок.
2. Устройство модуляции по п. 1, содержащее множество проводящих пластин (201), выполненных с возможностью подачи электрической мощности на выводы (202-205) источника питания;
причем корпус устройства модуляции разделен на множество удлиненных зон (51) действия пучков и множество удлиненных зон (52) отсутствия действия пучков, расположенных рядом с зонами действия пучков таким образом, чтобы длинный край каждой зоны действия пучков граничил с длинным краем смежной зоны отсутствия действия пучков;
причем дефлекторы элементарных пучков размещены в группах, причем каждая группа дефлекторов элементарных пучков, расположена в одной из зон действия пучков;
причем схемы управления расположены в зонах отсутствия действия пучков для подачи сигналов управления на дефлекторы (30) элементарных пучков, причем каждая схема управления расположена в одной из зон отсутствия действия пучков, смежной с одной из зон действия пучков, содержащих один или более дефлекторов элементарных пучков, принимающих сигналы управления из схемы управления; и
причем проводящие пластины (201) подсоединены к схемам управления в зонах отсутствия действия пучков, причем каждая проводящая пластина (201) содержит множество тонких проводящих пластинок (202-205), причем множество проводящих пластин (201) образует часть компоновки источника питания.
3. Устройство модуляции по п. 1, в котором каждая тонкая проводящая пластинка (202-205) выполнена для подсоединения к соответствующему одному из упомянутых выводов (202-205) источника питания.
4. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3, в котором каждая из проводящих пластинок одной из проводящих пластин (201) имеет лицевую поверхность, завершающуюся на одном или нескольких краях, и пластинки размещены их лицевыми поверхностями по существу параллельно друг другу, причем предпочтительно лицевая поверхность каждой проводящей пластинки одной из проводящих пластин по существу равны по площади.
5. Устройство модуляции по одному из пп. 1-3, в котором каждая проводящая пластинка одной из проводящих пластин имеет по существу одинаковое удельное сопротивление по отношению к другим проводящим пластинкам проводящей пластины.
6. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3, в котором каждая проводящая пластинка одной из проводящих пластин имеет по существу одинаковое удельное сопротивление в каждом положении на всей своей протяженности по отношению к другим проводящим пластинкам проводящей пластины.
7. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3, в котором по меньшей мере один край каждой проводящей пластинки адаптирован для подсоединения к источнику питания, и по меньшей мере один другой край каждой пластинки адаптирован для подсоединения к множеству схем управления.
8. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3, в котором схемы управления распределены вдоль по существу всей длины длинного края зоны отсутствия действия пучков, которая граничит с длинным краем смежной зоны действия пучков, причем соединения между одной из проводящих пластин и схемами управления в зоне отсутствия действия пучков распределены вдоль по существу всей длины длинного края зоны отсутствия действия пучков, которая граничит с длинным краем смежной зоны действия пучков.
9. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3, в котором соединения между проводящими пластинами и схемами управления выполнены через множество электропроводящих контактных выводов или паяных соединений на поверхности корпуса устройства модуляции, причем предпочтительно проводящие пластины содержат первый участок с лицевой поверхностью, параллельной поверхности корпуса, где расположены контактные выводы, и бóльший второй участок по существу перпендикулярный поверхности корпуса.
10. Устройство модуляции по п. 9, в котором первое множество проводящих контактных выводов или паяных соединений соединено с первой из проводящих пластинок проводящей пластины, и второе множество проводящих контактных выводов соединено со второй из проводящих пластинок проводящей пластины.
11. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3 или 10, в котором по меньшей мере одна из проводящих пластин содержит множество проводящих пластинок, выполненных с возможностью проводить прямой электрический ток из источника питания в схемы управления и дефлекторы элементарных пучков, и по меньшей мере одну проводящую пластинку, выполненную с возможностью проводить обратный электрический ток из схем управления и дефлекторов элементарных пучков в источник питания, причем прямой электрический ток по существу равен обратному электрическому току.
12. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3 или 10, в котором схемы управления содержат множество светочувствительных элементов, выполненных с возможностью приема модулированных оптических сигналов, несущих в себе данные рисунка и преобразования оптических сигналов в электрические сигналы управления для управления дефлекторами элементарных пучков, и при этом проводящие линии из пластинок до светочувствительных элементов и обратные линии являются по существу перпендикулярными к лицевой поверхности пластинок.
13. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3 или 10, в котором зоны действия пучков имеют длину и ширину, причем длина по меньшей мере в пять раз больше ширины, предпочтительно по меньшей мере в десять раз больше ширины.
14. Устройство модуляции по любому одному из пп. 1-3 или 10, в котором схемы управления содержат множество светочувствительных элементов, выполненных с возможностью приема модулированных оптических сигналов, несущих в себе данные рисунка, и преобразования оптических сигналов в электрические сигналы управления для управления дефлекторами элементарных пучков причем предпочтительно схемы управления дополнительно содержат множество демультиплексоров, причем каждый демультиплексор выполнен с возможностью приема сигнала управления из соответствующего одного из светочувствительных элементов, и демультиплексирования сигнала управления для генерирования множества сигналов управления для управления множеством дефлекторов элементарных пучков.
15. Система (100) литографии пучком заряженных частиц, содержащая:
генератор (101, 102, 103, 105) пучков, предназначенный для генерирования множества элементарных пучков (123) заряженных частиц;
устройство модуляции по любому одному из предыдущих п.п.; и
проекционную систему (110), предназначенную для проецирования модулированных элементарных пучков на облучаемую мишень (130);
причем каждая зона действия пучков устройства модуляции расположена на пути одной из групп элементарных пучков, и каждая зона отсутствия действия пучков расположена за пределами пути элементарных пучков.
16. Компоновка источника питания для использования в системе литографии пучками заряженных частиц, содержащая: устройство модуляции, предназначенное для модуляции элементарных пучков заряженных частиц в соответствии с данными рисунка и содержащее:
- пластинчатый корпус (106);
- решетку дефлекторов (30) элементарных пучков, размещенных на пластинчатом корпусе (106) для отклонения элементарных пучков;
- множество выводов (202-205) источника питания для подачи по меньшей мере двух различных напряжений; и
- множество схем (40, 41) управления, размещенных на пластинчатом корпусе (106) для приема данных рисунка и подачи соответствующих сигналов управления в дефлекторы (30) элементарных пучков, причем питание на схемы (40, 41) управления подается с помощью множества выводов (202-205) источника питания,
причем компоновка источника питания содержит:
- по меньшей мере один входной вывод для приема по меньшей мере одного входного напряжения;
- по меньшей мере два выходных вывода для подачи по меньшей мере двух различных выходных напряжений;
- по меньшей мере один преобразователь (312) постоянного тока в постоянный, подсоединенный между по меньшей мере одним входным выводом и по меньшей мере двумя выходными выводами, причем по меньшей мере один преобразователь (312) постоянного тока в постоянный выполнен для преобразования по меньшей мере одного входного напряжения в по меньшей мере два различных выходных напряжения, и
- проводящую пластину (201), подсоединенную к упомянутым по меньшей мере двум выходных выводам, причем проводящая пластина (201) выполнена для подсоединения к выводам (202-205) источника питания устройства модуляции для подачи электрической мощности на устройство модуляции, при этом проводящая пластина (201) содержит множество тонких проводящих пластинок (202-205),предпочтительно содержит множество проводящих пластин (201), выполненных с возможностью подачи электрической мощности на выводы (202-205) источника питания, причем каждая проводящая пластина (201) содержит множество тонких проводящих пластинок (202 -205),
причем каждая тонкая проводящая пластинка (202-205) выполнена для подсоединения к соответствующему одному из упомянутых выводов (202-205) источника питания.
17. Устройство модуляции для использования в системе (100) литографии пучками заряженных частиц, выполненной с возможностью генерирования множества групп элементарных пучков (123) заряженных частиц, причем устройство модуляции предназначено для модуляции элементарных пучков заряженных частиц в соответствии с данными рисунка и содержит пластинчатый корпус (106), решетку дефлекторов (30) элементарных пучков, выполненных для отклонения элементарных пучков, множество схем (40, 41) управления, выполненных с возможностью приема данных рисунка и подачи соответствующих сигналов управления в дефлекторы элементарных пучков, и множество проводящих пластин (201), выполненных с возможностью подачи электрической мощности на схемы управления и дефлекторы элементарных пучков;
причем корпус устройства модуляции разделен на множество удлиненных зон (51) действия пучков и множество удлиненных зон (52) отсутствия действия пучков, расположенных рядом с зонами действия пучков таким образом, чтобы длинный край каждой зоны действия пучков граничил с длинным краем смежной зоны отсутствия действия пучков;
причем дефлекторы элементарных пучков размещены в группах, причем каждая группа дефлекторов элементарных пучков расположена в одной из зон действия пучков;
причем схемы управления расположены в зонах отсутствия действия пучков, причем каждая схема управления расположена в одной из зон отсутствия действия пучков, смежных с одной из зон действия пучков, содержащих один или более дефлекторов элементарных пучков, принимающих сигналы управления из схемы управления; и
причем проводящие пластины соединены со схемами управления в зонах отсутствия действия пучков, причем каждая из проводящих пластин содержит множество тонких проводящих пластинок (202-205).
RU2014150553A 2012-05-14 2013-05-08 Устройство модуляции и компоновка источника питания RU2650672C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261646835P 2012-05-14 2012-05-14
US61/646,835 2012-05-14
US201261737188P 2012-12-14 2012-12-14
US61/737,188 2012-12-14
PCT/EP2013/059604 WO2013171117A1 (en) 2012-05-14 2013-05-08 Modulation device and power supply arrangement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014150553A true RU2014150553A (ru) 2016-07-10
RU2650672C2 RU2650672C2 (ru) 2018-04-17

Family

ID=48430750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014150553A RU2650672C2 (ru) 2012-05-14 2013-05-08 Устройство модуляции и компоновка источника питания

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9455122B2 (ru)
JP (1) JP6174128B2 (ru)
KR (1) KR101989486B1 (ru)
CN (1) CN104428868B (ru)
NL (3) NL2010759C2 (ru)
RU (1) RU2650672C2 (ru)
TW (1) TWI592765B (ru)
WO (1) WO2013171117A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6633986B2 (ja) * 2016-07-20 2020-01-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
EP3667696A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-17 ASML Netherlands B.V. Stage apparatus suitable for electron beam inspection apparatus
KR102662670B1 (ko) 2019-04-06 2024-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 전압 발생기가 내장된 mems 이미지 형성 요소
US20220293382A1 (en) 2021-03-12 2022-09-15 Qorvo Us, Inc. Mems switch with beam contact portion continuously extending between input and output terminal electrodes

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3612743A (en) 1970-10-13 1971-10-12 Nasa Shielded flat cable
US5412218A (en) * 1993-02-26 1995-05-02 Etec Systems, Inc. Differential virtual ground beam blanker
US6025947A (en) 1996-05-02 2000-02-15 Fujitsu Limited Controller which controls a variable optical attenuator to control the power level of a wavelength-multiplexed optical signal when the number of channels are varied
JP2001112147A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Yazaki Corp フラット回路体装置
US6563124B2 (en) * 2001-03-21 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Electron beam apparatus having traversing circuit boards
JP3748214B2 (ja) * 2001-03-29 2006-02-22 株式会社東芝 電子ビーム描画装置
CN100524026C (zh) 2002-10-25 2009-08-05 迈普尔平版印刷Ip有限公司 光刻系统
KR101119890B1 (ko) 2002-10-30 2012-03-13 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 전자 빔 노출 시스템
JP2004282038A (ja) * 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置
JP4484868B2 (ja) 2003-03-10 2010-06-16 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 複数の小ビームを発生させるための装置
ATE358885T1 (de) 2003-05-28 2007-04-15 Mapper Lithography Ip Bv Beamlet-belichtungssystem mit geladenen teilchen
JP4664293B2 (ja) 2003-07-30 2011-04-06 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 変調器回路
US7709815B2 (en) 2005-09-16 2010-05-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system and projection method
JP2007287544A (ja) 2006-04-19 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 信号伝送ケーブルの製造方法および信号伝送ケーブル
US8445869B2 (en) 2008-04-15 2013-05-21 Mapper Lithography Ip B.V. Projection lens arrangement
CN102017052B (zh) 2008-02-26 2013-09-04 迈普尔平版印刷Ip有限公司 投影透镜装置
CN102017053B (zh) 2008-02-26 2014-04-02 迈普尔平版印刷Ip有限公司 投影透镜装置
CN102067271B (zh) 2008-04-15 2014-05-21 迈普尔平版印刷Ip有限公司 子束阻断器装置
US8258484B2 (en) * 2008-04-15 2012-09-04 Mapper Lithography Ip B.V. Beamlet blanker arrangement
ITGE20080036A1 (it) 2008-04-30 2009-11-01 Dott Ing Mario Cozzani Srl Metodo per il controllo della posizione di un attuatore elettromeccanico per valvole di compressori alternativi.
US8502176B2 (en) 2008-05-23 2013-08-06 Mapper Lithography Ip B.V. Imaging system
NL2005584C2 (en) 2009-10-26 2014-09-04 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle multi-beamlet lithography system with modulation device.
JP5988537B2 (ja) * 2010-06-10 2016-09-07 株式会社ニコン 荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法
TWI550679B (zh) * 2010-10-26 2016-09-21 瑪波微影Ｉｐ公司 調整裝置和使用其之帶電粒子多重小射束微影系統
JP5679774B2 (ja) * 2010-11-09 2015-03-04 キヤノン株式会社 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法
WO2012062934A1 (en) * 2010-11-13 2012-05-18 Mapper Lithography Ip B.V. Charged particle beam modulator
JP5660871B2 (ja) * 2010-11-29 2015-01-28 富士フイルム株式会社 放射線画像検出装置および放射線の照射開始検出方法
CN201937061U (zh) 2011-01-30 2011-08-17 浙江冠华电气有限公司 一种叠层母排
JP2015070213A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 キヤノン株式会社 描画装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
NL2015196A (en) 2016-07-08
NL2015195B1 (en) 2016-10-14
JP6174128B2 (ja) 2017-08-02
TWI592765B (zh) 2017-07-21
JP2015516689A (ja) 2015-06-11
US9455122B2 (en) 2016-09-27
WO2013171117A1 (en) 2013-11-21
TW201351066A (zh) 2013-12-16
CN104428868A (zh) 2015-03-18
KR101989486B1 (ko) 2019-06-14
US20150136994A1 (en) 2015-05-21
KR20150010991A (ko) 2015-01-29
NL2010759A (en) 2013-11-18
NL2015196B1 (en) 2016-09-05
RU2650672C2 (ru) 2018-04-17
NL2015195A (en) 2016-04-12
CN104428868B (zh) 2017-06-06
NL2010759C2 (en) 2015-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014150553A (ru) Устройство модуляции и компоновка источника питания
CA3086621C (en) Stator unit and stator module
US11552524B2 (en) Stator module
CN100349350C (zh) N个用电设备中有m个用电设备被同时供电的结构配置
JP2011518442A5 (ru)
KR20110004436A (ko) 광전도성 와이드 밴드갭 반도체를 가변 저항기로 사용하여 전기 신호를 변조시키는 방법 및 시스템
JP6031532B2 (ja) 電圧交番パルスの出力に用いられるデバイス及び方法
KR20130093646A (ko) 변조 디바이스 및 이를 사용하는 하전 입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템
JP2015516689A5 (ru)
CN106716745B (zh) 用于调制激光脉冲的装置和方法
CN118100383A (zh) 功率分配装置和充电桩
US20140265939A1 (en) Dual Polarity Transmission Line
KR970066721A (ko) 하전입자빔에 의한 대상물상의 패턴노광방법 및 장치
CN115211019A (zh) 飞跨电容开关单元系统
Toscani et al. CHARM facility remotely controlled platform at CERN: A new fault-tolerant redundant architecture
CN119030296A (zh) 基于光电导开关的可编程高压电源
DK1387443T3 (da) Omformersystem
KR20200045774A (ko) 배터리 재사용을 위한 부스터 키트
RU2720479C1 (ru) Базовый модуль солнечной батареи
SU957370A1 (ru) Устройство дл сеточного управлени высоковольтным электронным вентилем
WO2021121660A8 (en) Power converter system
Villani et al. Serial Powering of Silicon Strip Modules for the ATLAS Tracker Upgrade
CN117480440A (zh) 微型二极管灯板和发光装置
ATE185646T1 (de) Vorrichtung für die emission von elektronenstrahlen und von elektromagnetischen strahlungen mit breiter spektraler verteilung
RU2018133958A (ru) Устройство подведения тока к модулям видеоэкрана