[go: up one dir, main page]

RU2013158135A - Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора - Google Patents

Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора Download PDF

Info

Publication number
RU2013158135A
RU2013158135A RU2013158135/05A RU2013158135A RU2013158135A RU 2013158135 A RU2013158135 A RU 2013158135A RU 2013158135/05 A RU2013158135/05 A RU 2013158135/05A RU 2013158135 A RU2013158135 A RU 2013158135A RU 2013158135 A RU2013158135 A RU 2013158135A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
sio
group
formula
positive number
semiconductor device
Prior art date
Application number
RU2013158135/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Кикуо МОТИЗУКИ
Акира ТАКАГИ
Original Assignee
МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ДЖЭПЭН ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ДЖЭПЭН ЭлЭлСи filed Critical МОМЕНТИВ ПЕРФОРМАНС МАТИРИАЛЗ ДЖЭПЭН ЭлЭлСи
Publication of RU2013158135A publication Critical patent/RU2013158135A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/852Encapsulations
    • H10H20/854Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00Use of organic ingredients
    • C08K5/56Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04Polysiloxanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/10Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
    • H10W74/40
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/12Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04Polysiloxanes
    • C08G77/20Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/80Siloxanes having aromatic substituents, e.g. phenyl side groups

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

1. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора, включающая:(A) 100 мас.ч. полиорганосилоксана, содержащего одну или несколько алкенильных групп, в среднем, на молекулу, полученного взаимодействием (a1) 60-99 мас.ч. органосилоксана, содержащего, по меньшей мере, трифункциональное силоксановое звено, представленное формулой: RSiO, где Rозначает алкильную группу или арильную группу и не принимающее участие в реакции гидросилилирования, с (а2) от 40 до 1 мас.ч. органосилоксана, содержащего бифункциональное силоксановое звено, представленное формулой: R SiOгде Rозначает алкенильную группу, алкильную группу или арильную группу и, по меньшей мере, одна из групп в молекуле означает алкенильную группу, и/или монофункциональное силоксановое звено, представленное формулой: R SiO/, где Rимеет вышеуказанное значение;(B) некоторое количество полиорганогидросилоксана, содержащего два или несколько атомов водорода, связанных с атомами кремния, на молекулу и имеющего вязкость при 25°С от 1 до 1000 мПа·с, так что количество атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляет от 0,5 до 3,0 моль на моль алкенильных групп, связанных с атомами кремния в компоненте (А); и(C) каталитическое количество катализатора на основе платины,где снижение в динамическом модуле упругости соответствующего отвержденного продукта при температуре от 25°Сдо 50°С составляет 40% или более.2. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора по п. 1, где снижение в динамическом модуле упругости отвержденного продукта силиконовой композиции для герметизации полупроводникового прибора при температуре от 25°С до 50°С составляет 70% ил�

Claims (6)

1. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора, включающая:
(A) 100 мас.ч. полиорганосилоксана, содержащего одну или несколько алкенильных групп, в среднем, на молекулу, полученного взаимодействием (a1) 60-99 мас.ч. органосилоксана, содержащего, по меньшей мере, трифункциональное силоксановое звено, представленное формулой: R1SiO3/2, где R1 означает алкильную группу или арильную группу и не принимающее участие в реакции гидросилилирования, с (а2) от 40 до 1 мас.ч. органосилоксана, содержащего бифункциональное силоксановое звено, представленное формулой: R22SiO2/2, где R2 означает алкенильную группу, алкильную группу или арильную группу и, по меньшей мере, одна из групп в молекуле означает алкенильную группу, и/или монофункциональное силоксановое звено, представленное формулой: R23SiO1/2, где R2 имеет вышеуказанное значение;
(B) некоторое количество полиорганогидросилоксана, содержащего два или несколько атомов водорода, связанных с атомами кремния, на молекулу и имеющего вязкость при 25°С от 1 до 1000 мПа·с, так что количество атомов водорода, связанных с атомами кремния, составляет от 0,5 до 3,0 моль на моль алкенильных групп, связанных с атомами кремния в компоненте (А); и
(C) каталитическое количество катализатора на основе платины,
где снижение в динамическом модуле упругости соответствующего отвержденного продукта при температуре от 25°С
до 50°С составляет 40% или более.
2. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора по п. 1, где снижение в динамическом модуле упругости отвержденного продукта силиконовой композиции для герметизации полупроводникового прибора при температуре от 25°С до 50°С составляет 70% или более.
3. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора по п. 1, где сухой остаток компонента (А) после нагревания при 150°С в течение 1 ч составляет 97 мас.% или более.
4. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора по п. 1, где 20-70 мол.% всех органических групп, связанных с атомами кремния в компоненте (a1), являются фенильными группами.
5. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора по п. 1, где полиорганосилоксан, являющийся компонентом (А), представляет собой полимер, полученный взаимодействием первого органосилоксана, представленного формулой среднего звена:
(R1SiO3/2)a(R12SiO2/2)b(R1SiO(3-n)/2Yn)с(R12SiO(2-m)/2Ym)d, второго органосилоксана, представленного формулой: (R23SiO1/2)2(R22SiO2/2)e, и третьего органосилоксана, представленного формулой: (R22SiO2/2)f, в массовом соотношении (%) g:h:i,
где R1 означает алкильную группу или арильную группу, R2 означает алкенильную группу, алкильную группу или арильную группу, Y означает алкоксигруппу или гидроксильную группу, n равно 1 или 2, m равно 1, а означает положительное число, b означает положительное число, с равно 0 или означает положительное число и d равно 0 или означает положительное число, указанные числа удовлетворяют условиям a+b+c+d=l,0, 0,2<(а+с)/(a+b+c+d)<0,8, 0,2<(b+d)/(a+b+c+d)<0,8, 0≤с/(a+b+c+d)<0,15, 0≤d/(a+b+c+d)<0,15, е равно 0 или означает положительное число и f означает положительное число, где числа удовлетворяют условию 0≤е≤100, 3≤f≤20,
g, h и i означают числа, удовлетворяющие условию 60≤g≤99, 0≤h≤20, 0≤i≤20 и g+h+i=100.
6. Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора по п. 5, где полиорганосилоксан, являющийся компонентом (А), получают, подвергая на стадии (2) линейный органосилоксан (II), содержащий алкенильную группу, и/или циклический органосилоксан (III), содержащий алкенильную группу, блочной полимеризации или привитой полимеризации и равновесной реакции с полиорганосилоксаном (I), полученным на следующей стадии (1):
стадия (1) полимеризации, в присутствии основного катализатора, полиорганосилоксана, полученного гидролизом или частичным гидролизом, в кислотных условиях, силанового соединения, представленного формулой: R1SiX3 и R12SiX2, где R1 означает алкильную группу или арильную группу, X означает группу галогенов, алкоксигруппу или гидроксильную группу, с получением полиорганосилоксана (I), представленного формулой среднего звена:
(R1SiO3/2)a(R12SiO2/2)b(R1SiO(3-n)/2Yn)с(R12SiO(2-m)/2Ym)d, где Y означает алкоксигруппу или гидроксильную группу, n равно 1 или 2, m равно 1, а означает положительное число, b означает положительное число, с равно 0 или означает положительное число и d равно 0 или означает положительное число, указанные числа удовлетворяют условиям a+b+c+d=l,0, 0,2<(а+с)/(a+b+c+d)<0,8, 0,2<(b+d)/(a+b+c+d)<0,8, 0≤с/(a+b+c+d)<0,15, 0≤d/(a+b+c+d)<0,15; и
стадия (2), на которой линейный полиорганосилоксан (II), содержащий алкенильную группу, представленный формулой: (R23SiO1/2)2 (R22SiO2/2)e, где R2 означает алкенильную группу, алкильную группу или арильную группу и е равно 0 или означает положительное число, удовлетворяющее условию 0≤е≤100, и/или циклический полиорганосилоксан, содержащий алкенильную группу, представленный формулой: (R22SiO)f, где R2 имеет вышеуказанные значения и f означает положительное число, удовлетворяющее условию 3≤f≤20, подвергают блочной полимеризации или привитой полимеризации и равновесной реакции, в присутствии основного катализатора, с полиорганосилоксаном (I).
RU2013158135/05A 2011-05-31 2011-11-10 Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора RU2013158135A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011003053 2011-05-31
JPPCT/JP2011/003053 2011-05-31
PCT/JP2011/006287 WO2012164636A1 (ja) 2011-05-31 2011-11-10 半導体封止用シリコーン組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013158135A true RU2013158135A (ru) 2015-07-10

Family

ID=47258525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013158135/05A RU2013158135A (ru) 2011-05-31 2011-11-10 Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20140088232A1 (ru)
EP (1) EP2716717B1 (ru)
KR (1) KR101851423B1 (ru)
CN (1) CN103562321B (ru)
RU (1) RU2013158135A (ru)
TW (1) TWI544665B (ru)
WO (1) WO2012164636A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI521032B (zh) * 2012-06-28 2016-02-11 羅門哈斯公司 濕性膠
WO2014017889A1 (ko) * 2012-07-27 2014-01-30 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
KR101560042B1 (ko) * 2012-07-27 2015-10-15 주식회사 엘지화학 경화성 조성물
JP6196522B2 (ja) * 2013-10-18 2017-09-13 株式会社松風 光透過性を有する硬化性シリコーン組成物及びそれを用いた光硬化性樹脂成型物の作製方法
US10090219B2 (en) 2014-01-28 2018-10-02 Lg Chem, Ltd. Cured product
CN105199397B (zh) * 2014-06-17 2018-05-08 广州慧谷化学有限公司 一种可固化的有机聚硅氧烷组合物及半导体器件
EP3159369B1 (en) * 2014-06-20 2024-10-30 Dow Toray Co., Ltd. Silicone exhibiting hot-melt properties, and curable hot-melt composition
JP5956698B1 (ja) * 2014-12-18 2016-07-27 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 成形用ポリオルガノシロキサン組成物、光学用部材、光源用レンズまたはカバー、および成形方法
WO2016151205A1 (fr) * 2015-03-24 2016-09-29 Bluestar Silicones France Sas Procede de preparation d'une resine silicone stable au stockage
KR101579710B1 (ko) * 2015-11-12 2015-12-22 동우 화인켐 주식회사 광학적층체 및 이를 포함하는 화상표시장치
KR102745785B1 (ko) * 2016-01-08 2024-12-24 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 경화성 실리콘 수지 조성물 및 그의 경화물, 및 광 반도체 장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004359756A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Led用封止剤組成物
JP4530147B2 (ja) * 2004-08-25 2010-08-25 信越化学工業株式会社 一液型オルガノポリシロキサンゲル組成物
JP5392805B2 (ja) 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
JP5420141B2 (ja) * 2006-03-01 2014-02-19 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーンレジン組成物および硬化物
TWI434890B (zh) * 2007-04-06 2014-04-21 Shinetsu Chemical Co 加成可硬化聚矽氧樹脂組成物及使用彼之聚矽氧鏡片
JP5060165B2 (ja) * 2007-05-08 2012-10-31 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 低透湿性ポリオルガノシロキサン組成物
JP5149022B2 (ja) * 2008-01-25 2013-02-20 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
JP5972511B2 (ja) 2008-03-31 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物およびその硬化物
CN102639643B (zh) 2010-03-31 2013-06-12 积水化学工业株式会社 光半导体装置用密封剂及光半导体装置
JP5693063B2 (ja) * 2010-07-01 2015-04-01 積水化学工業株式会社 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置
JP5652387B2 (ja) * 2011-12-22 2015-01-14 信越化学工業株式会社 高信頼性硬化性シリコーン樹脂組成物及びそれを使用した光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2716717A1 (en) 2014-04-09
CN103562321B (zh) 2016-01-20
TW201248938A (en) 2012-12-01
KR20140052990A (ko) 2014-05-07
TWI544665B (zh) 2016-08-01
EP2716717A4 (en) 2015-02-18
WO2012164636A1 (ja) 2012-12-06
US20150270460A1 (en) 2015-09-24
US9564562B2 (en) 2017-02-07
KR101851423B1 (ko) 2018-04-23
EP2716717B1 (en) 2016-04-06
US20140088232A1 (en) 2014-03-27
CN103562321A (zh) 2014-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013158135A (ru) Силиконовая композиция для герметизации полупроводникового прибора
CN106103594B (zh) 有机硅凝胶组合物
EP2194099B1 (en) Addition-curable silicone composition that produces cured product having high refractive index, and optical element encapsulating material formed from the compostion
JP4851710B2 (ja) 付加架橋性シリコーン樹脂組成物、これからなる成形体および前記組成物の使用
CN103224709A (zh) 固化型有机聚硅氧烷组合物、光学元件密封材料及光学元件
KR20110004373A (ko) 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 이의 경화물
US9862869B2 (en) Siloxane mixtures
KR101614637B1 (ko) 열에 안정화된 실리콘 혼합물
TW201843215A (zh) 矽氫化可固化聚矽氧樹脂
JP2010265374A (ja) イソシアヌル環含有末端ハイドロジェンポリシロキサン
JP2014084417A5 (ru)
CN103619958B (zh) 用于led封装的可固化的硅树脂
JP2011116745A (ja) イソシアヌル環含有末端ビニルポリシロキサン
US10316148B2 (en) Organopolysiloxane, production method thereof, and curable silicone composition
JP2014118520A (ja) 付加硬化型シリコーン組成物及び光学素子
TWI794401B (zh) 可室溫固化有機聚矽氧烷組成物及電氣/電子設備
JP5996858B2 (ja) オルガノポリシロキサン系組成物を用いたイメージセンサー
JP7004936B2 (ja) シリコーンゲル組成物及びその硬化物並びにパワーモジュール
KR102435198B1 (ko) 가교성 오르가노실록산 조성물
JP2013103953A (ja) オルガノポリシロキサン組成物及びその硬化物
JP7001025B2 (ja) 分子鎖末端にシクロシロキサン構造を有するオルガノポリシロキサンの製造方法
JP6225888B2 (ja) オルガノポリシロキサン化合物及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20151117