[go: up one dir, main page]

RU2012134784A - Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру - Google Patents

Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру Download PDF

Info

Publication number
RU2012134784A
RU2012134784A RU2012134784/28A RU2012134784A RU2012134784A RU 2012134784 A RU2012134784 A RU 2012134784A RU 2012134784/28 A RU2012134784/28 A RU 2012134784/28A RU 2012134784 A RU2012134784 A RU 2012134784A RU 2012134784 A RU2012134784 A RU 2012134784A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
layer
refractive index
semiconductor structure
windows
Prior art date
Application number
RU2012134784/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2559305C2 (ru
Inventor
Орельен Дж.Ф. ДЭВИД
Майкл Р. КРЕЙМС
Мелвин Б. МАКЛОРИН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В., ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2012134784A publication Critical patent/RU2012134784A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2559305C2 publication Critical patent/RU2559305C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/817—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/018—Bonding of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/817—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H10H20/818—Bodies characterised by the crystal structures or orientations, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light-emitting regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/872—Periodic patterns for optical field-shaping, e.g. photonic bandgap structures

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

1. Устройство, содержащее:подложку, содержащуюоснову; изатравочный слой, связанный с основой; иполупроводниковую структуру, выращенную поверх затравочного слоя, причем полупроводниковая структура содержит светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;при этом вариация показателя преломления в направлении, перпендикулярном направлению роста полупроводниковой структуры, находится между основой и светоизлучающим слоем.2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее неполупроводниковый слой, расположенный между затравочным слоем и полупроводниковой структурой, причемв неполупроводниковом слое сформирован рисунок, чтобы образовать множество окон; иполупроводниковая структура выращена таким образом, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое.3. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:неполупроводниковый слой, расположенный между затравочным слоем и полупроводниковой структурой, при этом, в неполупроводниковом слое сформирован рисунок, чтобы образовать множество окон; ипустоты, расположенные в полупроводниковой структуре поверх участков неполупроводникового слоя, расположенных между окнами.4. Устройство по п.1, в которомвариация показателя преломления содержит участки связующего слоя, разделенные зазорами; ивариация показателя преломления находится между основой и затравочным слоем.5. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и находятся в непосредственном контакте с затравочным слоем.6. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и находятся в непосредственном контакте с основой.7. Устройство по п.4, в котором зазоры запо�

Claims (15)

1. Устройство, содержащее:
подложку, содержащую
основу; и
затравочный слой, связанный с основой; и
полупроводниковую структуру, выращенную поверх затравочного слоя, причем полупроводниковая структура содержит светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;
при этом вариация показателя преломления в направлении, перпендикулярном направлению роста полупроводниковой структуры, находится между основой и светоизлучающим слоем.
2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее неполупроводниковый слой, расположенный между затравочным слоем и полупроводниковой структурой, причем
в неполупроводниковом слое сформирован рисунок, чтобы образовать множество окон; и
полупроводниковая структура выращена таким образом, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое.
3. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:
неполупроводниковый слой, расположенный между затравочным слоем и полупроводниковой структурой, при этом, в неполупроводниковом слое сформирован рисунок, чтобы образовать множество окон; и
пустоты, расположенные в полупроводниковой структуре поверх участков неполупроводникового слоя, расположенных между окнами.
4. Устройство по п.1, в котором
вариация показателя преломления содержит участки связующего слоя, разделенные зазорами; и
вариация показателя преломления находится между основой и затравочным слоем.
5. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и находятся в непосредственном контакте с затравочным слоем.
6. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и находятся в непосредственном контакте с основой.
7. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и разнесены с затравочным слоем и с основой.
8. Устройство по п.1, в котором вариация показателя преломления содержит множество окон, сформированных в поверхности затравочного слоя, противоположной полупроводниковой структуре, и заполненных материалом, обладающим показателем преломления меньше чем 2.
9. Устройство по п.1, в котором вариация показателя преломления содержит множество пустот, расположенных на границе раздела между полупроводниковой структурой и затравочным слоем.
10. Устройство по п.1, в котором:
вариация показателя преломления содержит множество областей первого материала, имеющего первый показатель преломления, разделенных множеством областей второго материала, имеющего второй показатель преломления; и
каждая из областей первого вещества и каждая из областей второго вещества имеет боковую протяженность в направлении вариации показателя преломления между 100 нм и 10 мкм.
11. Устройство по п.1, в котором вариация показателя преломления имеет высоту между 100 нм и 10 мкм.
12. Способ, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают подложку, содержащую
основу; и
затравочный слой, связанный с основой, и
выращивают на подложке полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;
причем вариация показателя преломления в направлении, перпендикулярном направлению роста полупроводниковой структуры, расположена между основой и светоизлучающим слоем.
13. Способ по п.12, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют основу после выращивания полупроводниковой структуры.
14. Способ по п.12, дополнительно содержащий формирование вариации показателя преломления:
формированием неполупроводникового слоя на затравочном слое;
формированием рисунка неполупроводникового слоя, чтобы образовать множество окон; и
выращиванием полупроводниковой структуры так, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое.
15. Способ по п.12, дополнительно содержащий изменение показателя преломления:
формированием неполупроводникового слоя на затравочном слое;
формированием рисунка неполупроводникового слоя, чтобы образовать множество окон; и
выращиванием полупроводниковой структуры так, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое, а пустоты сформируют поверх участков неполупроводникового слоя, расположенных между окнами.
RU2012134784/28A 2010-01-15 2010-12-29 Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру RU2559305C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/688,209 2010-01-15
US12/688,209 US8203153B2 (en) 2010-01-15 2010-01-15 III-V light emitting device including a light extracting structure
PCT/IB2010/056112 WO2011086441A1 (en) 2010-01-15 2010-12-29 Iii-v light emitting device including a light extracting structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012134784A true RU2012134784A (ru) 2014-02-20
RU2559305C2 RU2559305C2 (ru) 2015-08-10

Family

ID=43990472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012134784/28A RU2559305C2 (ru) 2010-01-15 2010-12-29 Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8203153B2 (ru)
EP (1) EP2524401B1 (ru)
JP (2) JP5916625B2 (ru)
KR (2) KR102071163B1 (ru)
CN (2) CN102696121B (ru)
RU (1) RU2559305C2 (ru)
TW (3) TWI580069B (ru)
WO (1) WO2011086441A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8154052B2 (en) * 2010-05-06 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device grown on wavelength converting substrate
TWI408732B (zh) * 2010-12-23 2013-09-11 國立中興大學 The epitaxial structure with easy removal of the sacrificial layer and its manufacturing method
US8481353B2 (en) * 2011-04-14 2013-07-09 Opto Tech Corporation Method of separating nitride films from the growth substrates by selective photo-enhanced wet oxidation
WO2012155535A1 (zh) * 2011-05-19 2012-11-22 晶能光电（江西）有限公司 氮化镓基薄膜芯片的生产制造方法
JP5885436B2 (ja) * 2011-09-06 2016-03-15 ローム株式会社 発光素子および発光素子パッケージ
US8946052B2 (en) * 2012-09-26 2015-02-03 Sandia Corporation Processes for multi-layer devices utilizing layer transfer
KR20140090346A (ko) * 2013-01-07 2014-07-17 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
TWI666789B (zh) * 2018-03-13 2019-07-21 國立交通大學 紫外光發光二極體的製造方法
FR3088478B1 (fr) * 2018-11-08 2020-10-30 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication collective d'une pluralite de structures semi-conductrices
CN111864019B (zh) * 2020-07-10 2021-11-30 武汉大学 一种具有嵌入式散射层的倒装发光二极管及其制备方法
CN113874768B (zh) * 2021-07-16 2024-09-17 福建晶安光电有限公司 偏振元件、发光二极管以及发光装置
CN113903836B (zh) * 2021-09-07 2022-11-22 厦门三安光电有限公司 倒装发光二极管和发光装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2681472B1 (fr) * 1991-09-18 1993-10-29 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films minces de materiau semiconducteur.
US6348096B1 (en) * 1997-03-13 2002-02-19 Nec Corporation Method for manufacturing group III-V compound semiconductors
JP3139445B2 (ja) * 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体膜
JP2006013476A (ja) * 1997-09-01 2006-01-12 Sumitomo Chemical Co Ltd ３−５族化合物半導体とその製造方法および半導体素子
FR2817394B1 (fr) * 2000-11-27 2003-10-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede
JP3988018B2 (ja) * 2001-01-18 2007-10-10 ソニー株式会社 結晶膜、結晶基板および半導体装置
JP4173445B2 (ja) * 2001-09-13 2008-10-29 学校法人 名城大学 窒化物半導体基板、その製造方法、およびそれを用いた半導体発光素子
JP2003188413A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体素子
JP2004055864A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板の製造方法および半導体素子用基板ならびに半導体素子
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
KR20050077902A (ko) * 2004-01-29 2005-08-04 엘지전자 주식회사 질화물 반도체 박막의 성장 방법
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
KR100616596B1 (ko) * 2004-07-09 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자 및 제조방법
US7633097B2 (en) * 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
TWI253771B (en) * 2005-07-25 2006-04-21 Formosa Epitaxy Inc Light emitting diode structure
US8334155B2 (en) * 2005-09-27 2012-12-18 Philips Lumileds Lighting Company Llc Substrate for growing a III-V light emitting device
KR100780233B1 (ko) * 2006-05-15 2007-11-27 삼성전기주식회사 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
JP2008117922A (ja) * 2006-11-02 2008-05-22 Yamaguchi Univ 半導体発光素子及びその製造方法
KR100896583B1 (ko) * 2007-02-16 2009-05-07 삼성전기주식회사 표면 플라즈몬 공명을 이용한 반도체 발광 소자 제조방법
CN101257068A (zh) * 2007-03-02 2008-09-03 甘志银 提高大功率发光二极管光提取效率的方法
KR101338698B1 (ko) * 2007-04-16 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR100902512B1 (ko) * 2007-05-17 2009-06-15 삼성코닝정밀유리 주식회사 실리콘 기판 상에 ＧａＮ 단결정의 성장 방법, ＧａＮ기반의 발광소자의 제조방법 및 ＧａＮ 기반의 발광소자
JP4254899B1 (ja) * 2008-02-13 2009-04-15 トヨタ自動車株式会社 ハイブリッド自動車およびその制御方法
RU2369942C1 (ru) * 2008-02-21 2009-10-10 Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд. Светоизлучающий прибор на основе нитридного полупроводника
JP5597933B2 (ja) * 2009-05-01 2014-10-01 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体層貼り合わせ基板およびその製造方法
US8207539B2 (en) * 2009-06-09 2012-06-26 Epistar Corporation Light-emitting device having a thinned structure and the manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP6307547B2 (ja) 2018-04-04
RU2559305C2 (ru) 2015-08-10
TWI580069B (zh) 2017-04-21
KR102071163B1 (ko) 2020-01-29
EP2524401B1 (en) 2015-04-01
US20120241798A1 (en) 2012-09-27
TW201133932A (en) 2011-10-01
CN105405944A (zh) 2016-03-16
JP2016167607A (ja) 2016-09-15
EP2524401A1 (en) 2012-11-21
US8334543B2 (en) 2012-12-18
KR20120118035A (ko) 2012-10-25
JP5916625B2 (ja) 2016-05-11
CN105405944B (zh) 2019-06-21
TW201721904A (zh) 2017-06-16
KR101874593B1 (ko) 2018-07-05
CN102696121B (zh) 2016-02-03
WO2011086441A1 (en) 2011-07-21
CN102696121A (zh) 2012-09-26
TWI654777B (zh) 2019-03-21
US8203153B2 (en) 2012-06-19
JP2013517620A (ja) 2013-05-16
US20110175112A1 (en) 2011-07-21
TW201611332A (zh) 2016-03-16
TWI523265B (zh) 2016-02-21
KR20180077329A (ko) 2018-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012134784A (ru) Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру
US8278125B2 (en) Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
TWI464899B (zh) A method for manufacturing a semiconductor element
CN104576872B (zh) 一种半导体发光二极管芯片及其制作方法
US20130187179A1 (en) Light emitting diode with improved directionality
KR101622308B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
RU2011116095A (ru) Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках
JP2011049600A5 (ru)
EP2365538A3 (en) Light emitting diode and fabrication method thereof
RU2013144315A (ru) Полупроводниковые устройства и способы изготовления
JP2009164593A5 (ru)
US9202967B2 (en) Method for producing a thin-film semiconductor body and thin-film semiconductor body
CN110265516B (zh) 一种深紫外led芯片及其制备方法
CN203787451U (zh) 一种化合物半导体元件
CN215496767U (zh) 图形化衬底结构及led器件
CN102214743A (zh) 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
TWI462331B (zh) 發光二極體晶片及其製造方法
CN104425661A (zh) 发光二极管及其制造方法
TWI456791B (zh) 半導體發光晶片及其製造方法
KR20140008012A (ko) 질화물 반도체층과 성장 기판 분리 방법
CN102117873A (zh) 提高发光二极管发光效率的方法及其外延结构
CN106601876A (zh) 一种led芯片结构及其制作方法
KR100593941B1 (ko) 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법
CN103426978B (zh) Led芯片的制造方法
KR101315754B1 (ko) 반도체 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner