[go: up one dir, main page]

RU2012114787A - LIGHT-RADIATING, PHOTOELECTRIC OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING THEM - Google Patents

LIGHT-RADIATING, PHOTOELECTRIC OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING THEM Download PDF

Info

Publication number
RU2012114787A
RU2012114787A RU2012114787/07A RU2012114787A RU2012114787A RU 2012114787 A RU2012114787 A RU 2012114787A RU 2012114787/07 A RU2012114787/07 A RU 2012114787/07A RU 2012114787 A RU2012114787 A RU 2012114787A RU 2012114787 A RU2012114787 A RU 2012114787A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diodes
conductors
conductive
polymer
substrate particles
Prior art date
Application number
RU2012114787/07A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Уилльям Джонстоун РЭЙ
Нил О. ШОТТОН
Ричард А. БЛАНЧАРД
Марк Аллен ЛЕВАНДОВСКИ
Кирк А. ФУЛЛЕР
Доналд Оделл ФРЕЙЗЕР
Марк Д. ЛОУЭНТАЛ
Original Assignee
Нтдегри Текнолоджиз Ворлдвайд Инк.
Юнайтед Стейтс Оф Америка Эз Репрезентед Бай Дзе Эдминистрейтор Оф Дзе Нэшнл Аэронотикс Энд Спейс Эдминистрейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/560,355 external-priority patent/US8456392B2/en
Priority claimed from US12/560,371 external-priority patent/US8133768B2/en
Application filed by Нтдегри Текнолоджиз Ворлдвайд Инк., Юнайтед Стейтс Оф Америка Эз Репрезентед Бай Дзе Эдминистрейтор Оф Дзе Нэшнл Аэронотикс Энд Спейс Эдминистрейшн filed Critical Нтдегри Текнолоджиз Ворлдвайд Инк.
Publication of RU2012114787A publication Critical patent/RU2012114787A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/147—Shapes of bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/14—Photovoltaic cells having only PN homojunction potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in arrays in or on a single semiconductor substrate, the photovoltaic cells having planar junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • H10F19/904—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells characterised by the shapes of the structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H10F19/902—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells
    • H10F19/906—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers for series or parallel connection of photovoltaic cells characterised by the materials of the structures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H10W90/00—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

1. Устройство, содержащее:основание, содержащее множество разнесенных каналов;множество первых проводников, соединенных с основанием, причем каждый первый проводник находится в соответствующем канале из множества разнесенных каналов;множество диодов, соединенных с множеством первых проводников;множество вторых проводников, соединенных с множеством диодов; имножество по существу сферических линз, имеющих по меньшей мере первый показатель преломления, причем множество по существу сферических линз, взвешенных в первом полимере, имеющем по меньшей мере второй, другой показатель преломления.2. Устройство по п.1, в котором множество диодов являются по существу сферическими, по существу тороидальными, по существу цилиндрическими, по существу гранеными, по существу прямоугольными, по существу плоскими или по существу эллиптическими.3. Устройство по п.1, в котором приблизительно от 15% до 55% поверхности каждого диода из по существу всего множества диодов имеет слой проникновения или область, имеющую первый основной носитель или легирующую добавку, и остальная диодная подложка имеет второй основной носитель или легирующую добавку.4. Устройство по п.1, в котором множество по существу сферических линз содержат боросиликатное стекло или полистирольный латекс.5. Устройство по п.1, в котором множество диодов являются по существу сферическими и в котором отношение среднего диаметра множества по существу сферических линз к среднему диаметру множества диодов составляет по существу приблизительно пять к одному (5:1).6. Устройство по п.1, в котором множество диодов являются по существу сферическими и в котором отношение средне1. A device comprising: a base containing a plurality of spaced channels; a plurality of first conductors connected to a base, each first conductor being in a corresponding channel of a plurality of spaced channels; a plurality of diodes connected to a plurality of first conductors; a plurality of second conductors connected to a plurality diodes; a plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index, and a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer having at least a second, different refractive index. The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, substantially toroidal, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially planar, or substantially elliptical. The device according to claim 1, in which approximately 15% to 55% of the surface of each diode from essentially the entire set of diodes has a penetration layer or region having a first main carrier or dopant, and the rest of the diode substrate has a second main carrier or dopant. four. The apparatus of claim 1, wherein the plurality of substantially spherical lenses comprise borosilicate glass or polystyrene latex. The device according to claim 1, wherein the plurality of diodes are substantially spherical and wherein the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is substantially approximately five to one (5: 1). The device of claim 1, wherein the plurality of diodes are substantially spherical and wherein the ratio is medium

Claims (90)

1. Устройство, содержащее:1. A device comprising: основание, содержащее множество разнесенных каналов;a base containing multiple spaced channels; множество первых проводников, соединенных с основанием, причем каждый первый проводник находится в соответствующем канале из множества разнесенных каналов;a plurality of first conductors connected to the base, each first conductor being in a corresponding channel of the plurality of spaced channels; множество диодов, соединенных с множеством первых проводников;a plurality of diodes connected to a plurality of first conductors; множество вторых проводников, соединенных с множеством диодов; иa plurality of second conductors connected to a plurality of diodes; and множество по существу сферических линз, имеющих по меньшей мере первый показатель преломления, причем множество по существу сферических линз, взвешенных в первом полимере, имеющем по меньшей мере второй, другой показатель преломления.a plurality of substantially spherical lenses having at least a first refractive index, and a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer having at least a second, different refractive index. 2. Устройство по п.1, в котором множество диодов являются по существу сферическими, по существу тороидальными, по существу цилиндрическими, по существу гранеными, по существу прямоугольными, по существу плоскими или по существу эллиптическими.2. The device according to claim 1, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, substantially toroidal, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially planar, or substantially elliptical. 3. Устройство по п.1, в котором приблизительно от 15% до 55% поверхности каждого диода из по существу всего множества диодов имеет слой проникновения или область, имеющую первый основной носитель или легирующую добавку, и остальная диодная подложка имеет второй основной носитель или легирующую добавку.3. The device according to claim 1, in which from about 15% to 55% of the surface of each diode from essentially the entire set of diodes has a penetration layer or region having a first main carrier or dopant, and the rest of the diode substrate has a second main carrier or dopant additive. 4. Устройство по п.1, в котором множество по существу сферических линз содержат боросиликатное стекло или полистирольный латекс.4. The device according to claim 1, in which many essentially spherical lenses contain borosilicate glass or polystyrene latex. 5. Устройство по п.1, в котором множество диодов являются по существу сферическими и в котором отношение среднего диаметра множества по существу сферических линз к среднему диаметру множества диодов составляет по существу приблизительно пять к одному (5:1).5. The device according to claim 1, in which the plurality of diodes are essentially spherical and in which the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is substantially approximately five to one (5: 1). 6. Устройство по п.1, в котором множество диодов являются по существу сферическими и в котором отношение среднего диаметра множества по существу сферических линз к среднему диаметру множества диодов составляет от приблизительно десяти к одному (10:1) до двух к одному (2:1).6. The device according to claim 1, in which the plurality of diodes are essentially spherical and in which the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is from about ten to one (10: 1) to two to one (2: one). 7. Устройство по п.6, в котором сравнительный размер или разнесение множества по существу сферических линз обеспечивают связь мод с множеством диодов.7. The device according to claim 6, in which the comparative size or spacing of a plurality of essentially spherical lenses provide mode coupling with a plurality of diodes. 8. Устройство по п.1, в котором средний диаметр или длина множества диодов больше, чем приблизительно 20 мкм и меньше, чем приблизительно 40 мкм.8. The device according to claim 1, in which the average diameter or length of the plurality of diodes is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 9. Устройство по п.1, в котором множество диодов представляют собой полупроводниковые светодиоды, органические светодиоды, инкапсуллированные органические светодиоды, полимерные светодиоды или фотоэлектрические диоды.9. The device according to claim 1, wherein the plurality of diodes are semiconductor LEDs, organic LEDs, encapsulated organic LEDs, polymer LEDs or photoelectric diodes. 10. Устройство по п.1, в котором множество диодов содержат нитрид галлия, арсенид галлия или кремний.10. The device according to claim 1, in which many diodes contain gallium nitride, gallium arsenide or silicon. 11. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:11. The device according to claim 1, additionally containing: множество третьих проводников, соединенных с множеством вторых проводников.a plurality of third conductors connected to a plurality of second conductors. 12. Устройство по п.1, в котором основание дополнительно содержит отражатель или рефрактор.12. The device according to claim 1, in which the base further comprises a reflector or refractor. 13. Устройство по п.1, в котором основание дополнительно содержит брэгговский отражатель или отражающее покрытие из пластмассы или полиэфира.13. The device according to claim 1, in which the base further comprises a Bragg reflector or a reflective coating of plastic or polyester. 14. Устройство по п.1, дополнительно содержащее множество проводящих сквозных межсоединений, вытягивающихся между первой стороной и второй стороной основания и соответственно соединенных на первой стороне с множеством первых проводников.14. The device according to claim 1, further comprising a plurality of conductive through-through interconnects extending between the first side and the second side of the base and respectively connected on the first side to the plurality of first conductors. 15. Устройство по п.14, в котором основание дополнительно содержит проводящую объединительную плату, соединенную с множеством проводящих сквозных межсоединений и соединенную или составляющую единое целое со второй стороной основания.15. The device according to 14, in which the base further comprises a conductive backplane connected to a plurality of conductive end-to-end interconnects and connected or integral with the second side of the base. 16. Устройство по п.14, в котором множество проводящих сквозных межсоединений содержит множество по существу беспорядочно распределенных, по существу сферических проводников.16. The device of claim 14, wherein the plurality of conductive through-wirings comprise a plurality of substantially randomly distributed, substantially spherical conductors. 17. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:17. The device according to claim 1, additionally containing: множество изоляторов, соответственно соединенных с каждым из множества диодов и содержащих множество неорганических диэлектрических частиц, взвешенных с фотоинициирующим составом во втором полимере или смоле.a plurality of insulators respectively connected to each of a plurality of diodes and containing a plurality of inorganic dielectric particles suspended with a photoinitiating composition in a second polymer or resin. 18. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:18. The device according to claim 1, additionally containing: множество изоляторов, соответственно соединенных с каждым из множества диодов и содержащих фотоинициирующий состав и второй полимер или смолу.a plurality of insulators respectively connected to each of the plurality of diodes and containing a photoinitiating composition and a second polymer or resin. 19. Устройство по п.1, в котором основание имеет по существу плоский общий формфактор с поверхностными элементами или без них и имеет толщину меньше приблизительно двух миллиметров.19. The device according to claim 1, in which the base has a substantially flat common form factor with or without surface elements and has a thickness of less than about two millimeters. 20. Устройство по п.1, в котором основание содержит по меньшей мере одно из следующего: бумагу, мелованную бумагу, бумагу с пластмассовым покрытием, тисненую бумагу, волокнистую бумагу, картон, офсетную бумагу, щит наружной рекламы, древесину, пластмассу, резину, ткань, стекло и/или керамику.20. The device according to claim 1, in which the base contains at least one of the following: paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fibrous paper, cardboard, offset paper, outdoor advertising billboard, wood, plastic, rubber, fabric, glass and / or ceramics. 21. Устройство по п.1, в котором множество разнесенных каналов по существу параллельны.21. The apparatus of claim 1, wherein the plurality of diversity channels are substantially parallel. 22. Устройство по п.1, в котором множество разнесенных каналов, по меньшей мере, частично сформированы в форме полусферы и расположены в матрице.22. The device according to claim 1, wherein the plurality of spaced channels are at least partially formed in the shape of a hemisphere and arranged in a matrix. 23. Устройство по п.1, в котором множество разнесенных каналов являются, по меньшей мере, частично параболическими.23. The device according to claim 1, in which many spaced channels are at least partially parabolic. 24. Устройство по п.23, в котором основание дополнительно содержит множество угловых ребер.24. The device according to item 23, in which the base further comprises a plurality of angular ribs. 25. Устройство по п.1, в котором множество разнесенных каналов дополнительно содержит множество сформированных как единое целое выступов или опор.25. The device according to claim 1, in which the plurality of spaced channels further comprises a plurality of protrusions or supports formed as a single unit. 26. Устройство по п.25, в котором множество первых проводников, соединенных с множеством сформированных как единое целое выступов или опор внутри множества разнесенных каналов и множества диодов, сплавлено или отожжено, или химически соединено с множеством первых проводников.26. The apparatus of claim 25, wherein the plurality of first conductors connected to the plurality of protrusions or supports inside the plurality of spaced channels and the plurality of diodes are fused or annealed, or chemically bonded to the plurality of first conductors. 27. Устройство по п.1, в котором множество первых проводников содержит отвержденные проводящие чернила или отвержденный проводящий полимер.27. The device according to claim 1, wherein the plurality of first conductors comprises a cured conductive ink or a cured conductive polymer. 28. Устройство по п.1, в котором множество первых проводников содержит по меньшей мере один из следующих типов проводников в отвержденной форме: серебряные проводящие чернила, медные проводящие чернила, золотые проводящие чернила, алюминиевые проводящие чернила, оловянные проводящие чернила, углеродистые проводящие чернила, полимеры в форме углеродных нанотрубок или проводящий полимер.28. The device according to claim 1, in which the plurality of first conductors contains at least one of the following types of conductors in cured form: silver conductive ink, copper conductive ink, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon conductive ink, polymers in the form of carbon nanotubes or a conductive polymer. 29. Устройство по п.1, в котором множество первых проводников по существу содержит напыленный, покрытый, осажденный из паровой фазы или электроосажденный металл, металлический сплав или комбинацию металлов.29. The device according to claim 1, in which the plurality of first conductors essentially comprises a sprayed, coated, vapor-deposited or electrodeposited metal, metal alloy or combination of metals. 30. Устройство по п.29, в котором металл, металлический сплав или комбинация металлов содержит по меньшей мере одно из следующего: алюминия, меди, серебра, никеля или золота.30. The device according to clause 29, in which the metal, metal alloy or combination of metals contains at least one of the following: aluminum, copper, silver, nickel or gold. 31. Устройство по п.1, в котором множество вторых проводников содержит оптически прозрачный проводник или проводящий состав, взвешенный в полимере, смоле или другой среде.31. The device according to claim 1, in which the set of second conductors contains an optically transparent conductor or conductive composition suspended in a polymer, resin or other medium. 32. Устройство по п.31, в котором множество вторых проводников содержит по меньшей мере один из следующих составов, взвешенных в полимере, смоле или другой среде: углеродных нанотрубок, оксида сурьмы и олова, оксида индия и олова или полиэтилендиокситиофена.32. The device according to p, in which the plurality of second conductors contains at least one of the following compositions suspended in a polymer, resin or other medium: carbon nanotubes, antimony oxide and tin, indium oxide and tin oxide or polyethylene dioxithiophene. 33. Устройство по п.1, в котором множество диодов соединено с или находится внутри множества первых проводников посредством примыкания.33. The device according to claim 1, in which the plurality of diodes are connected to or located inside the plurality of first conductors by means of contact. 34. Устройство по п.1, в котором множество диодов отожжено или сплавлено с или находится внутри множества первых проводников.34. The device according to claim 1, in which the plurality of diodes are annealed or fused with or located inside the plurality of first conductors. 35. Устройство по п.1, в котором множество диодов химически соединено с или находится внутри множества первых проводников.35. The device according to claim 1, in which the plurality of diodes are chemically connected to or located inside the plurality of first conductors. 36. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:36. The device according to claim 1, additionally containing: интерфейс для вставки в стандартизированный штепсельный соединитель.interface for insertion into a standardized plug connector. 37. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:37. The device according to claim 1, additionally containing: интерфейс, совместимый со стандартами E12, E14, E26, E27 или GU-10 осветительной техники.an interface compatible with the standards E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting technology. 38. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:38. The device according to claim 1, additionally containing: интерфейс для вставки в стандартный штепсельный соединитель резьбового типа.interface for insertion into a standard threaded type plug connector. 39. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:39. The device according to claim 1, additionally containing: интерфейс для вставки в стандартный штепсельный соединитель флуоресцентного типа.interface for insertion into a standard fluorescent type plug connector. 40. Способ производства электронного устройства, содержащий:40. A method of manufacturing an electronic device, comprising: формирование множества первых проводников, соединенных с основанием;the formation of many of the first conductors connected to the base; соединение множества частиц подложки с множеством первых проводников;connecting a plurality of substrate particles to a plurality of first conductors; после соединения с множеством первых проводников преобразование множества частиц подложки во множество диодов;after connecting to the plurality of first conductors, converting the plurality of substrate particles to the plurality of diodes; формирование множества вторых проводников, соединенных с множеством диодов; иthe formation of many second conductors connected to many diodes; and осаждение множества по существу сферических линз, взвешенных в первом полимере, причем множество по существу сферических линз имеют по меньшей мере первый показатель преломления, и первый полимер имеет по меньшей мере второй, другой показатель преломления.deposition of a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer, wherein the plurality of substantially spherical lenses have at least a first refractive index, and the first polymer has at least a second, different refractive index. 41. Способ по п.40, в котором множество диодов являются по существу сферическими, по существу тороидальными, по существу цилиндрическими, по существу гранеными, по существу прямоугольными, по существу плоскими или по существу эллиптическими.41. The method of claim 40, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, substantially toroidal, substantially cylindrical, substantially faceted, substantially rectangular, substantially planar, or substantially elliptical. 42. Способ по п.40, в котором этап осаждения дополнительно содержит:42. The method of claim 40, wherein the deposition step further comprises: печать множества по существу сферических линз, взвешенных в первом полимере, на множество диодов и множество вторых проводников.printing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer onto a plurality of diodes and a plurality of second conductors. 43. Способ по п.40, в котором множество диодов являются по существу сферическими, и в котором отношение среднего диаметра множества по существу сферических линз к среднему диаметру множества диодов составляет по существу приблизительно пять к одному (5:1).43. The method of claim 40, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, and wherein the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is substantially approximately five to one (5: 1). 44. Способ по п.40, в котором множество диодов являются по существу сферическими, и в котором отношение среднего диаметра множества по существу сферических линз к среднему диаметру множества диодов составляет от приблизительно десяти к одному (10:1) до двух к одному (2:1).44. The method of claim 40, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, and wherein the ratio of the average diameter of the plurality of substantially spherical lenses to the average diameter of the plurality of diodes is from about ten to one (10: 1) to two to one (2 :one). 45. Способ по п.40, в котором множество диодов являются по существу сферическими, и в котором сравнительный размер или интервал множества по существу сферических линз обеспечивают связь мод с множеством диодов.45. The method of claim 40, wherein the plurality of diodes are substantially spherical, and in which the comparative size or spacing of the plurality of substantially spherical lenses provides mode coupling to the plurality of diodes. 46. Способ по п.40, в котором средний диаметр или длина множества диодов больше приблизительно 20 мкм и меньше приблизительно 40 мкм.46. The method of claim 40, wherein the average diameter or length of the plurality of diodes is greater than about 20 microns and less than about 40 microns. 47. Способ по п.40, в котором множество диодов представляют собой полупроводниковые светодиоды, органические светодиоды, инкапсуллированные органические светодиоды, полимерные светодиоды или фотоэлектрические диоды.47. The method of claim 40, wherein the plurality of diodes are semiconductor LEDs, organic LEDs, encapsulated organic LEDs, polymer LEDs, or photoelectric diodes. 48. Способ по п.40, в котором этап осаждения множества по существу сферических линз, взвешенных в первом полимере, дополнительно содержит прикрепление предварительно изготовленного слоя к множеству диодов, причем предварительно изготовленный слой содержит множество по существу сферических линз, взвешенных в первом полимере.48. The method of claim 40, wherein the step of depositing a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer further comprises attaching a prefabricated layer to a plurality of diodes, the prefabricated layer comprising a plurality of substantially spherical lenses suspended in a first polymer. 49. Способ по п.40, в котором множество частиц подложки содержат нитрид галлия, арсенид галлия или кремний.49. The method of claim 40, wherein the plurality of substrate particles comprise gallium nitride, gallium arsenide, or silicon. 50. Способ по п.40, в котором этап формирования множества первых проводников дополнительно содержит:50. The method of claim 40, wherein the step of forming the plurality of first conductors further comprises: осаждение первой проводящей среды внутрь множества каналов основания.the deposition of the first conductive medium into the multiple channels of the base. 51. Способ по п.50, в котором первая проводящая среда содержит проводящие чернила или проводящий полимер.51. The method of claim 50, wherein the first conductive medium comprises conductive ink or a conductive polymer. 52. Способ по п.50, в котором первая проводящая среда содержит по меньшей мере одну из следующих сред: серебряные проводящие чернила, медные проводящие чернила, золотые проводящие чернила, алюминиевые проводящие чернила, оловянные проводящие чернила, углеродистые проводящие чернила, полимер в форме углеродной нанотрубки или проводящий полимер.52. The method of claim 50, wherein the first conductive medium comprises at least one of the following environments: silver conductive ink, copper conductive ink, gold conductive ink, aluminum conductive ink, tin conductive ink, carbon conductive ink, carbon-shaped polymer nanotubes or conductive polymer. 53. Способ по п.50, дополнительно содержащий:53. The method according to item 50, further comprising: частичную сушку первой проводящей среды.partial drying of the first conductive medium. 54. Способ по п.53, в котором этап соединения множества частиц подложки с множеством первых проводников дополнительно содержит:54. The method of claim 53, wherein the step of connecting the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors further comprises: осаждение внутри множества каналов множества частиц подложки, взвешенных в несущей среде; иdeposition within a plurality of channels of a plurality of substrate particles suspended in a carrier medium; and полное осушение первой проводящей среды.complete drainage of the first conductive medium. 55. Способ по п.50, в котором этап осаждения первой проводящей среды содержит напыление, покрытие, осаждение из паровой фазы или электроосаждение металла, металлического сплава или комбинации металлов.55. The method of claim 50, wherein the step of depositing the first conductive medium comprises sputtering, coating, vapor deposition, or electrodeposition of a metal, metal alloy, or combination of metals. 56. Способ по п.55, в котором металл, металлический сплав или комбинация металлов содержит по меньшей мере одно из следующего: алюминий, медь, серебро, никель или золото.56. The method of claim 55, wherein the metal, metal alloy, or combination of metals comprises at least one of the following: aluminum, copper, silver, nickel, or gold. 57. Способ по п.50, в котором этап соединения множества частиц подложки с множеством первых проводников дополнительно содержит:57. The method of claim 50, wherein the step of connecting the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors further comprises: осаждение внутри множества каналов множества частиц подложки, взвешенных в реакционноспособной несущей среде;deposition within a plurality of channels of a plurality of substrate particles suspended in a reactive carrier medium; удаление реакционноспособной несущей среды; иremoval of a reactive carrier medium; and осушение или повторное осушение первой проводящей среды.draining or re-draining the first conductive medium. 58. Способ по п.50, в котором этап соединения множества частиц подложки с множеством первых проводников дополнительно содержит:58. The method of claim 50, wherein the step of connecting the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors further comprises: осаждение внутри множества каналов множества частиц подложки, взвешенных в анизотропной проводящей среде;deposition within a plurality of channels of a plurality of substrate particles suspended in an anisotropic conductive medium; сжатие множества частиц подложки, взвешенных в анизотропной проводящей среде.compression of many substrate particles suspended in an anisotropic conductive medium. 59. Способ по п.50, в котором этап соединения множества частиц подложки с множеством первых проводников дополнительно содержит:59. The method of claim 50, wherein the step of connecting the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors further comprises: осаждение внутри множества каналов множества частиц подложки, взвешенных в летучей несущей среде; иdeposition within a plurality of channels of a plurality of substrate particles suspended in a volatile carrier medium; and испарение летучей несущей среды.evaporation of a volatile carrier medium. 60. Способ по п.50, в котором этап соединения множества частиц подложки с множеством первых проводников дополнительно содержит:60. The method of claim 50, wherein the step of connecting the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors further comprises: осаждение внутри множества каналов множества частиц подложки, взвешенных в несущей среде; иdeposition within a plurality of channels of a plurality of substrate particles suspended in a carrier medium; and отжиг или сплавление множества частиц подложки внутри множества каналов.annealing or fusing a plurality of substrate particles within a plurality of channels. 61. Способ по п.50, в котором множество каналов разнесены друг от друга и по существу параллельны.61. The method according to item 50, in which many channels are spaced from each other and essentially parallel. 62. Способ по п.50, в котором множество каналов, по меньшей мере, частично сформированы в форме полусферы и расположены в матрице.62. The method of claim 50, wherein the plurality of channels are at least partially formed in the shape of a hemisphere and arranged in a matrix. 63. Способ по п.50, в котором множество каналов разнесены друг от друга и являются, по меньшей мере, частично параболическими.63. The method of claim 50, wherein the plurality of channels are spaced from each other and are at least partially parabolic. 64. Способ по п.50, в котором основание дополнительно содержит множество угловых ребер.64. The method of claim 50, wherein the base further comprises a plurality of corner ribs. 65. Способ по п.50, в котором множество разнесенных каналов дополнительно содержит множество сформированных как единое целое выступов или опор.65. The method of claim 50, wherein the plurality of spaced channels further comprises a plurality of protrusions or supports formed as a single unit. 66. Способ по п.65, в котором множество первых проводников соединено с множеством сформированных как единое целое выступов или опор внутри множества разнесенных каналов и в котором этап соединения множества частиц подложки с множеством первых проводников содержит:66. The method of claim 65, wherein the plurality of first conductors are connected to the plurality of protrusions or supports formed within the plurality of spaced channels, and wherein the step of connecting the plurality of substrate particles to the plurality of first conductors comprises: осаждение внутри множества каналов множества частиц подложки, взвешенных в несущей среде; иdeposition within a plurality of channels of a plurality of substrate particles suspended in a carrier medium; and отжиг или сплавление, или химическое соединение множества частиц подложки с множеством первых проводников.annealing or fusion, or chemical bonding of a plurality of substrate particles to a plurality of first conductors. 67. Способ по п.40, в котором каждая частица подложки из множества частиц подложки содержит полупроводник, и в котором этап преобразования множества частиц подложки во множество диодов дополнительно содержит:67. The method of claim 40, wherein each substrate particle of the plurality of substrate particles comprises a semiconductor, and wherein the step of converting the plurality of substrate particles to the plurality of diodes further comprises: формирование p-n перехода в каждой частице подложки посредством осаждения материала легирующей добавки на множество частиц подложки и отжигания или сплавления материала легирующей добавки с множеством частиц подложки.forming a pn junction in each substrate particle by depositing a dopant material on a plurality of substrate particles and annealing or fusing the dopant material with a plurality of substrate particles. 68. Способ по п.67, в котором отжиг или сплавление представляют собой лазерный или тепловой отжиг или сплавление.68. The method according to p, in which the annealing or fusion are laser or thermal annealing or fusion. 69. Способ по п.67, в котором материал легирующей добавки представляет собой жидкость подложки или пленку.69. The method of claim 67, wherein the dopant material is a support fluid or a film. 70. Способ по п.67, в котором материал легирующей добавки представляет собой легирующий элемент или состав, взвешенный в носителе.70. The method according to p, in which the material of the dopant is an alloying element or composition suspended in a carrier. 71. Способ по п.67, в котором материал легирующей добавки осаждают на первом верхнем участке множества частиц подложки для формирования множества диодов и в котором приблизительно от 15% до 55% поверхности каждого диода из по существу всего множества диодов имеют слой проникновения или область, имеющую первый основной носитель или легирующую добавку, и остальная диодная подложка имеет второй основной носитель или легирующую добавку.71. The method according to clause 67, in which the dopant material is deposited on the first upper portion of the plurality of substrate particles to form a plurality of diodes and in which approximately 15% to 55% of the surface of each diode from essentially the entire plurality of diodes has a penetration layer or region, having a first primary carrier or dopant, and the rest of the diode substrate has a second primary carrier or dopant. 72. Способ по п.67, в котором полученное множество диодов представляют собой светодиоды или фотоэлектрические диоды.72. The method of claim 67, wherein the plurality of diodes obtained are LEDs or photoelectric diodes. 73. Способ по п.40, в котором множество частиц подложки содержат первый органический или полимерный состав, и в котором этап преобразования множества частиц подложки во множество диодов дополнительно содержит осаждение второго органического или полимерного состава на множество частиц подложки.73. The method of claim 40, wherein the plurality of substrate particles comprise a first organic or polymer composition, and wherein the step of converting the plurality of substrate particles to a plurality of diodes further comprises depositing a second organic or polymeric composition onto the plurality of substrate particles. 74. Способ по п.73, в котором второй органический или полимерный состав представляет собой светоизлучающий слой и в котором получаемое множество диодов представляют собой органические светодиоды или полимерные светодиоды.74. The method according to p, in which the second organic or polymer composition is a light-emitting layer and in which the resulting many diodes are organic LEDs or polymer LEDs. 75. Способ по п.40, дополнительно содержащий:75. The method of claim 40, further comprising: осаждение множества третьих проводников поверх или внутри множества вторых проводников.depositing a plurality of third conductors on top of or inside a plurality of second conductors. 76. Способ по п.40, дополнительно содержащий:76. The method of claim 40, further comprising: соединение отражателя или рефрактора с основанием.the connection of the reflector or refractor to the base. 77. Способ по п.40, в котором основание дополнительно содержит брэгговский отражатель или отражающее покрытие из пластмассы или полиэфира.77. The method according to p, in which the base further comprises a Bragg reflector or a reflective coating of plastic or polyester. 78. Способ по п.40, в котором основание дополнительно содержит множество проводящих сквозных межсоединений, вытягивающихся между первой стороной и второй стороной основания и, соответственно, соединенных на первой стороне с множеством первых проводников.78. The method according to p, in which the base further comprises a plurality of conductive through-through interconnects extending between the first side and the second side of the base and, respectively, connected to the first side with many of the first conductors. 79. Способ по п.78, в котором множество проводящих сквозных межсоединений содержит множество по существу беспорядочно распределенных по существу сферических проводников.79. The method of claim 78, wherein the plurality of conductive through-wirings comprise a plurality of substantially randomly distributed substantially spherical conductors. 80. Способ по п.79, в котором основание дополнительно содержит проводящую объединительную плату, соединенную с множеством проводящих сквозных межсоединений и соединенную или составляющую единое целое со второй стороной основания.80. The method of claim 79, wherein the base further comprises a conductive backplane connected to a plurality of conductive end-to-end interconnects and connected to or integral with the second side of the base. 81. Способ по п.40, дополнительно содержащий:81. The method of claim 40, further comprising: осаждение множества неорганических диэлектрических частиц, взвешенных с фотоинициирующим составом во втором полимере или смоле, для формирования множества изоляторов, соответственно соединенных с каждым из множества диодов.depositing a plurality of inorganic dielectric particles suspended with a photoinitiating composition in a second polymer or resin to form a plurality of insulators respectively connected to each of the plurality of diodes. 82. Способ по п.40, в котором основание содержит по меньшей мере одно из следующего: бумагу, мелованную бумагу, бумагу с пластмассовым покрытием, тисненую бумагу, волокнистую бумагу, картон, офсетную бумагу, щит наружной рекламы, древесину, пластмассу, резину, ткань, стекло и/или керамику.82. The method of claim 40, wherein the base comprises at least one of the following: paper, coated paper, plastic coated paper, embossed paper, fibrous paper, cardboard, offset paper, outdoor advertising board, wood, plastic, rubber, fabric, glass and / or ceramics. 83. Способ по п.40, в котором этап формирования множества вторых проводников дополнительно содержит:83. The method of claim 40, wherein the step of forming the plurality of second conductors further comprises: осаждение оптически прозрачного проводника или проводящего состава, взвешенного в полимере, смоле или другой среде.the deposition of an optically transparent conductor or conductive composition suspended in a polymer, resin or other medium. 84. Способ по п.83, в котором оптически прозрачный проводник или проводящий состав, взвешенный в полимере, смоле или другой среде, дополнительно содержит по меньшей мере одно из следующего: углеродные нанотрубки, оксид сурьмы и олова, оксид индия и олова или полиэтилендиокситиофен.84. The method according to p, in which the optically transparent conductor or conductive composition, suspended in a polymer, resin or other medium, further comprises at least one of the following: carbon nanotubes, antimony and tin oxide, indium and tin oxide or polyethylene dioxithiophene. 85. Способ по п.40, в котором этапы формирования, соединения и преобразования выполняют посредством или через процесс печати.85. The method of claim 40, wherein the steps of forming, connecting, and converting are performed by or through a printing process. 86. Способ по п.40, в котором множество по существу сферических линз содержит боросиликатное стекло или полистирольный латекс.86. The method of claim 40, wherein the plurality of substantially spherical lenses comprise borosilicate glass or polystyrene latex. 87. Способ по п.40, дополнительно содержащий:87. The method of claim 40, further comprising: прикрепление интерфейса для вставки в стандартизированный штепсельный соединитель.attaching an interface for insertion into a standardized plug connector. 88. Способ по п.87, в котором интерфейс совместим со стандартами E12, E14, E26, E27 или GU-10 осветительной техники.88. The method according to p, in which the interface is compatible with standards E12, E14, E26, E27 or GU-10 lighting technology. 89. Способ по п.87, в котором интерфейс совместим со стандартным гнездом освещения резьбового типа.89. The method of claim 87, wherein the interface is compatible with a standard threaded type lighting socket. 90. Способ по п.87, в котором интерфейс совместим со стандартным гнездом освещения флуоресцентного типа. 90. The method of claim 87, wherein the interface is compatible with a standard fluorescent-type lighting socket.
RU2012114787/07A 2009-09-15 2010-09-15 LIGHT-RADIATING, PHOTOELECTRIC OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING THEM RU2012114787A (en)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/560,355 US8456392B2 (en) 2007-05-31 2009-09-15 Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US12/560,334 2009-09-15
US12/560,340 US8384630B2 (en) 2007-05-31 2009-09-15 Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US12/560,371 2009-09-15
US12/560,340 2009-09-15
US12/560,364 2009-09-15
US12/560,355 2009-09-15
US12/560,334 US8395568B2 (en) 2007-05-31 2009-09-15 Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US12/560,364 US8456393B2 (en) 2007-05-31 2009-09-15 Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US12/560,371 US8133768B2 (en) 2007-05-31 2009-09-15 Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
PCT/US2010/048918 WO2011034908A1 (en) 2009-09-15 2010-09-15 Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012114787A true RU2012114787A (en) 2013-10-27

Family

ID=43758987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012114787/07A RU2012114787A (en) 2009-09-15 2010-09-15 LIGHT-RADIATING, PHOTOELECTRIC OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING THEM

Country Status (14)

Country Link
EP (1) EP2478290A4 (en)
JP (1) JP2013504861A (en)
KR (1) KR20120093880A (en)
CN (1) CN102695914B (en)
AU (1) AU2010295691B2 (en)
BR (1) BR112012008351A2 (en)
CA (1) CA2772919A1 (en)
IL (2) IL218611A (en)
MX (1) MX2012003279A (en)
RU (1) RU2012114787A (en)
SG (1) SG179078A1 (en)
TW (2) TWI528604B (en)
WO (1) WO2011034908A1 (en)
ZA (1) ZA201201893B (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2801791C1 (en) * 2022-12-14 2023-08-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Фотофизикс" Optical coating based on ito films with deposited carbon nanotubes

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL2724380T3 (en) 2011-06-23 2017-03-31 Big Solar Limited Method of making a structure comprising coating steps and corresponding device
US9396932B2 (en) * 2014-06-04 2016-07-19 Diftek Lasers, Inc. Method of fabricating crystalline island on substrate
KR102170089B1 (en) 2012-10-11 2020-11-04 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 Organic photosensitive devices with reflectors
GB201301683D0 (en) 2013-01-30 2013-03-13 Big Solar Ltd Method of creating non-conductive delineations with a selective coating technology on a structured surface
JP6024529B2 (en) * 2013-03-11 2016-11-16 株式会社豊田自動織機 Solar cell module and method for manufacturing solar cell module
US9525097B2 (en) 2013-03-15 2016-12-20 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Photovoltaic module having printed PV cells connected in series by printed conductors
CN105683872B (en) 2013-06-12 2020-05-12 罗茵尼公司 Keyboard backlighting with light generating source
US10319754B2 (en) 2014-06-04 2019-06-11 Diftek Lasers, Inc. Method of fabricating crystalline island on substrate
JP6231641B2 (en) * 2015-10-09 2017-11-15 ディフテック レーザーズ インコーポレイテッド Electronic device and method of manufacturing the same
CN108770368B (en) 2016-01-15 2022-04-12 罗茵尼公司 Apparatus and method for backlighting through a cover on an apparatus
GB2549132A (en) 2016-04-07 2017-10-11 Big Solar Ltd Aperture in a semiconductor
GB2549134B (en) 2016-04-07 2020-02-12 Power Roll Ltd Asymmetric groove
GB2549133B (en) 2016-04-07 2020-02-19 Power Roll Ltd Gap between semiconductors
KR20190011267A (en) * 2016-06-03 2019-02-01 코닝 인코포레이티드 Light extraction device and method for OLED display and OLED display using same
JP6857517B2 (en) * 2016-06-16 2021-04-14 ディフテック レーザーズ インコーポレイテッド How to make crystalline islands on a substrate
CN109743886B (en) * 2016-07-12 2022-11-22 动态太阳能系统公司 Room temperature printing method for producing a PV layer sequence and PV layer sequence obtained according to said method
CN107833525B (en) * 2016-09-15 2020-10-27 伊乐视有限公司 Systems and Methods for Fluid Assembly of Light Emitting Displays
GB201617276D0 (en) 2016-10-11 2016-11-23 Big Solar Limited Energy storage
US10600697B2 (en) * 2016-12-16 2020-03-24 Tesoro Scientific, Inc. Light emitting diode (LED) test apparatus and method of manufacture
DE102017112668A1 (en) * 2017-06-08 2018-12-13 Aixtron Se Method for depositing OLEDs
KR101961834B1 (en) * 2017-11-06 2019-03-26 전북대학교산학협력단 Method of fabricating a led display apparatus
CN108231969A (en) * 2017-12-30 2018-06-29 聚灿光电科技股份有限公司 LED epitaxial structure, LED chip and preparation method thereof
JP7054802B2 (en) * 2018-05-28 2022-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 How to mount display board and LED element
CN110277053B (en) * 2019-06-25 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 A display panel and its manufacturing method, driving method, and display device
CN110828517A (en) * 2019-11-08 2020-02-21 京东方科技集团股份有限公司 Display substrate, manufacturing method thereof and display device
KR102851770B1 (en) * 2020-03-03 2025-08-28 삼성디스플레이 주식회사 Display device and method of fabricating the same
KR102500233B1 (en) 2021-11-12 2023-02-16 (주)소프트피브이 Semiconductor packaging including photovoltaic particles having a core-shell structure
CN119692300B (en) * 2025-02-24 2025-05-16 合肥芯谷微电子股份有限公司 Broadband millimeter wave packaging method and packaging device of radio frequency MMIC PA chip

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL6510096A (en) * 1965-08-04 1967-02-06
US4919506A (en) * 1989-02-24 1990-04-24 General Electric Company Single mode optical fiber coupler
US7482764B2 (en) * 1997-08-26 2009-01-27 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. Light sources for illumination of liquids
JPH11202140A (en) * 1998-01-08 1999-07-30 Fujitsu Ltd Optical transmitting / receiving device and manufacturing method thereof
US6476886B2 (en) * 1999-02-15 2002-11-05 Rainbow Displays, Inc. Method for assembling a tiled, flat-panel microdisplay array
WO2001008228A1 (en) * 1999-07-26 2001-02-01 Labosphere Institute Bulk lens, light emitting body, lighting device and optical information system
JP2001210843A (en) * 1999-11-17 2001-08-03 Fuji Mach Mfg Co Ltd Photovoltaic panel and manufacturing method thereof
TW525213B (en) * 2000-02-16 2003-03-21 Hitachi Ltd Process monitoring methods in a plasma processing apparatus, monitoring units, and a sample processing method using the monitoring units
US20010048968A1 (en) * 2000-02-16 2001-12-06 Cox W. Royall Ink-jet printing of gradient-index microlenses
US6441298B1 (en) * 2000-08-15 2002-08-27 Nec Research Institute, Inc Surface-plasmon enhanced photovoltaic device
AT410266B (en) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh LIGHT SOURCE WITH A LIGHT-EMITTING ELEMENT
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
EP1511086A4 (en) * 2002-05-02 2007-02-28 Josuke Nakata LIGHT RECEIVER PANEL OR LIGHT EMITTING PANEL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP3993475B2 (en) * 2002-06-20 2007-10-17 ローム株式会社 LED chip mounting structure and image reading apparatus having the same
US6887736B2 (en) * 2002-06-24 2005-05-03 Cermet, Inc. Method of forming a p-type group II-VI semiconductor crystal layer on a substrate
TW560697U (en) * 2002-11-26 2003-11-01 Topson Technology Co Ltd Surface-mounting type light-emitting diode structure
JP2005175417A (en) * 2003-07-28 2005-06-30 Ricoh Co Ltd Light emitting element array, optical writing unit, and image forming apparatus
EP1673573A4 (en) * 2003-10-06 2016-01-13 Illumination Man Solutions Inc IMPROVED LIGHT SOURCE USING LIGHT EMITTING DIODES AND IMPROVED METHOD OF COLLECTING THE IRRADIANT ENERGY OF THESE LIGHT EMITTING DIODES
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US7538756B2 (en) * 2004-12-17 2009-05-26 Eastman Kodak Company Methods for making display
DE102007015233A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung LED lamp for e.g. motor vehicle light, has LED emitting visible light, and radiation-emitting semiconductor component emitting electromagnetic radiation with maximum intensity outside visible spectral region
US8889216B2 (en) * 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8013238B2 (en) * 2007-07-09 2011-09-06 Energy Related Devices, Inc. Micro concentrators elastically coupled with spherical photovoltaic cells

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2801791C1 (en) * 2022-12-14 2023-08-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Фотофизикс" Optical coating based on ito films with deposited carbon nanotubes

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013504861A (en) 2013-02-07
TWI539631B (en) 2016-06-21
IL218611A0 (en) 2012-05-31
CA2772919A1 (en) 2011-03-24
CN102695914A (en) 2012-09-26
TW201133959A (en) 2011-10-01
ZA201201893B (en) 2012-11-28
IL218611A (en) 2015-04-30
MX2012003279A (en) 2012-10-03
CN102695914B (en) 2015-12-09
AU2010295691B2 (en) 2013-10-17
BR112012008351A2 (en) 2019-09-24
SG179078A1 (en) 2012-04-27
KR20120093880A (en) 2012-08-23
IL218610A0 (en) 2012-05-31
EP2478290A4 (en) 2014-01-15
TWI528604B (en) 2016-04-01
WO2011034908A1 (en) 2011-03-24
IL218610A (en) 2014-04-30
EP2478290A1 (en) 2012-07-25
TW201133958A (en) 2011-10-01
AU2010295691A1 (en) 2012-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012114787A (en) LIGHT-RADIATING, PHOTOELECTRIC OR OTHER ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING THEM
US20220178527A1 (en) Light emitting apparatus
US10043957B2 (en) Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
US9865767B2 (en) Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8357553B2 (en) Light source with hybrid coating, device including light source with hybrid coating, and/or methods of making the same
US8753946B2 (en) Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
EP2625725B1 (en) Light source, device including light source
EP2625723B1 (en) LED device and method of making the same
KR20140018842A (en) Insulating glass (ig) or vacuum insulating glass (vig) unit including light source, and/or methods of making the same
US20160234890A1 (en) Wet processed electronic systems
TW201606981A (en) Light emitting diode package structure
TW200832744A (en) Light-emitting diode package and manufacturing method thereof
TW201037856A (en) Light emitting device having LED and flexible electrical wiring covered with plastic material
KR101926715B1 (en) Micro light emitting diode module and its manufacturing method
KR101926714B1 (en) Micro light emitting diode module and its manufacturing method
Horng et al. P-side up AlGaInP-based light emitting diodes with dot-patterned GaAs contact layers
CN203589074U (en) High-reliability flip LED light source and LED module light source
CN202633304U (en) Distributed high-voltage LED die set
TWM394576U (en) A light-emitting device having high light-emitting efficiency

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20130916