[go: up one dir, main page]

RU2012104288A - Способ изготовления мультипереходных и многоэлектродных фотогальванических элементов - Google Patents

Способ изготовления мультипереходных и многоэлектродных фотогальванических элементов Download PDF

Info

Publication number
RU2012104288A
RU2012104288A RU2012104288/28A RU2012104288A RU2012104288A RU 2012104288 A RU2012104288 A RU 2012104288A RU 2012104288/28 A RU2012104288/28 A RU 2012104288/28A RU 2012104288 A RU2012104288 A RU 2012104288A RU 2012104288 A RU2012104288 A RU 2012104288A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photovoltaic cell
photovoltaic
holes
current
cells
Prior art date
Application number
RU2012104288/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2529659C2 (ru
Inventor
Марк ВЕРМЕЕРШ
Лоик ФРАНК
Original Assignee
Тоталь С.А.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тоталь С.А. filed Critical Тоталь С.А.
Publication of RU2012104288A publication Critical patent/RU2012104288A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2529659C2 publication Critical patent/RU2529659C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20—Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H02S20/23—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings specially adapted for roof structures
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00—Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20—Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22—Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H02S20/26—Building materials integrated with PV modules, e.g. façade elements
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S40/00—Components or accessories in combination with PV modules, not provided for in groups H02S10/00 - H02S30/00
    • H02S40/30—Electrical components
    • H02S40/34—Electrical components comprising specially adapted electrical connection means to be structurally associated with the PV module, e.g. junction boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/16—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers
    • H10F10/161—Photovoltaic cells having only PN heterojunction potential barriers comprising multiple PN heterojunctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
    • H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/40—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising photovoltaic cells in a mechanically stacked configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • H10F77/937—Busbar structures for modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • H10F77/939—Output lead wires or elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Фотогальваническое устройство, содержащее:набор по меньшей мере из двух фотогальванических элементов (160, 260),промежуточный листовой материал (300), расположенный между каждым фотогальваническим элементом, при этом каждый фотогальванический элемент содержит:два токовых вывода (185, 185'),по меньшей мере один фотогальванический переход (150, 250),токосъемные шины (180, 180') исоединительные полосы (190, 190'), проходящие от токосъемных шин до токовых выводов,при этом все токовые выводы расположены на одной стороне фотогальванического устройства.2. Устройство по п.1, в котором устройство имеет форму параллелепипеда и токовые выводы расположены с одной из боковых сторон параллелепипеда, при этом токовые выводы смещены относительно друг друга.3. Устройство по п.1, в котором устройство имеет форму параллелепипеда и токовые выводы расположены с нижней или верхней стороны параллелепипеда.4. Устройство по п.3, в котором токовые выводы находятся на одной линии, предпочтительно вблизи боковой стороны устройства.5. Устройство по п.1, в котором токовые выводы являются проводными.6. Устройство по п.1, в котором токовые выводы являются контактами (500, 500') на концах соединительных полос (190, 190').7. Устройство по любому из пп.1, 3-5, содержащее n фотогальванических элементов, при этом n превышает или равно 2, при этом устройство содержит:передний фотогальванический элемент,по меньшей мере один промежуточный фотогальванический элемент (1<i<n), если n строго превышает 2, изадний фотогальванический элемент n,при этом каждый промежуточный фотогальванический элемент i содержит 2(i-1) отверстий (351, 352) для прохождения удлинителей (195, 195'), отходящих от фотогальваниче�

Claims (26)

1. Фотогальваническое устройство, содержащее:
набор по меньшей мере из двух фотогальванических элементов (160, 260),
промежуточный листовой материал (300), расположенный между каждым фотогальваническим элементом, при этом каждый фотогальванический элемент содержит:
два токовых вывода (185, 185'),
по меньшей мере один фотогальванический переход (150, 250),
токосъемные шины (180, 180') и
соединительные полосы (190, 190'), проходящие от токосъемных шин до токовых выводов,
при этом все токовые выводы расположены на одной стороне фотогальванического устройства.
2. Устройство по п.1, в котором устройство имеет форму параллелепипеда и токовые выводы расположены с одной из боковых сторон параллелепипеда, при этом токовые выводы смещены относительно друг друга.
3. Устройство по п.1, в котором устройство имеет форму параллелепипеда и токовые выводы расположены с нижней или верхней стороны параллелепипеда.
4. Устройство по п.3, в котором токовые выводы находятся на одной линии, предпочтительно вблизи боковой стороны устройства.
5. Устройство по п.1, в котором токовые выводы являются проводными.
6. Устройство по п.1, в котором токовые выводы являются контактами (500, 500') на концах соединительных полос (190, 190').
7. Устройство по любому из пп.1, 3-5, содержащее n фотогальванических элементов, при этом n превышает или равно 2, при этом устройство содержит:
передний фотогальванический элемент,
по меньшей мере один промежуточный фотогальванический элемент (1<i<n), если n строго превышает 2, и
задний фотогальванический элемент n,
при этом каждый промежуточный фотогальванический элемент i содержит 2(i-1) отверстий (351, 352) для прохождения удлинителей (195, 195'), отходящих от фотогальванических элементов 1-(i-1) и, в случае необходимости, два отверстия (350, 353) для прохождения токовых выводов фотогальванического элемента i, при этом задний фотогальванический элемент n содержит 2(n-1) отверстий (371-376) для прохождения удлинителей, отходящих от фото гальванических элементов 1-(n-1) и, в случае необходимости, два отверстия (370, 373) для прохождения токовых выводов фотогальванического элемента n.
8. Устройство по любому из пп.3, 4 и 6, содержащее n фотогальванических элементов, где n превышает или равно 2, при этом устройство содержит:
передний фотогальванический элемент,
по меньшей мере один промежуточный фотогальванический элемент (1<i<n), если n строго превышает 2, и
задний фотогальванический элемент n,
при этом каждый промежуточный фотогальванический элемент i содержит 2(i-1) отверстий (351, 352), выполненных с возможностью совмещения контактов фотогальванических элементов 1-(i-1) с фишками соединительной коробки, и, в случае необходимости, два отверстия (350, 353), выполненных с возможностью совмещения контактов фотогальванического элемента i с фишками соединительной коробки,
при этом задний фотогальванический элемент n содержит 2(n-1) отверстий (371-376), выполненных с возможностью совмещения контактов фотогальванических элементов 1-(n-1) с фишками соединительной коробки, и, в случае необходимости, два дополнительных отверстия (370, 377), выполненных с возможностью совмещения контактов фотогальванического элемента n с фишками соединительной коробки.
9. Устройство по п.1, в котором задний фотогальванический элемент содержит слой (230) из светоотражающего материала.
10. Устройство по п.9, характеризующееся тем, что выполнено с возможностью использования в качестве компонента крыши, покрытия здания или непрозрачного фасада здания.
11. Устройство по п.1, в котором задний фотогальванический элемент не содержит слоя из светоотражающего материала.
12. Устройство по п.11, характеризующееся тем, что выполнено с возможностью использования в качестве компонента окна здания.
13. Устройство по п.1, в котором материал фотогальванического перехода выбран из группы, в которую входят: микрокристаллический кремний; полиморфный кремний; аморфный кремний; группа теллурида кадмия CdTe, связанная с буферным слоем из сульфида кадмия CdS; группа халькопиритов CuIn1-xGax(Se,S)2, где х составляет от 0 до 1, связанная с буферным слоем из сульфида кадмия CdS или из сульфида индия In2S3; группа гидрогенизированных аморфных сплавов кремния и германия SixGei-x; группа органических материалов на основе поли(3-гексилтиофена) и метил[6,6]-фенил-С61-бутирата; или их смесь.
14. Устройство по п.1, в котором с каждой стороны перехода находятся два электрода, содержащие прозрачный проводящий оксид (ТСО).
15. Устройство по п.1, в котором токовые выводы сгруппированы в соединительной коробке, образуя первую группу, состоящую из положительных токовых выводов, и вторую группу, состоящую из отрицательных токовых выводов.
16. Устройство по п.1, в котором токовые выводы сгруппированы в пары, состоящие из положительного электрода и отрицательного электрода, при этом каждая пара помещена в соединительную коробку или все пары помещены в одну соединительную коробку.
17. Фотогальваническая система, содержащая,
множество устройство, каждое из которых содержит:
набор по меньшей мере из двух фотогальванических элементов,
промежуточный листовой материал, расположенный между каждым фотогальваническим элементом, при этом каждый фотогальванический элемент содержит:
два токовых вывода,
по меньшей мере один фотогальванический переход,
токосъемные шины и
соединительные полосы (190 190'), проходящие от токосъемных шин до токовых выводов,
причем все токовые выводы расположены на одной стороне фотогальванического устройства; и
по меньшей мере одну соединительную коробку, выполненную с возможностью принимать два токовых вывода.
18. Фотогальваническая система по п.17, содержащая единственную соединительную коробку.
19. Фотогальваническая система, содержащая:
устройство по п.16 и n соединительных коробок.
20. Способ изготовления фотогальванического устройства по п.1, включающий прокатку фотогальванических элементов (160, 260) и промежуточных листовых материалов (300).
21. Способ по п.20, в котором выполняют упаковку:
переднего фотогальванического элемента, промежуточного листового материала с отверстиями, причем отверстия находятся напротив токовых выводов переднего фотогальванического элемента, на который наносят промежуточный листовой материал,
по меньшей мере одного промежуточного фотогальванического элемента i, причем каждый промежуточный фотогальванический элемент i содержит 2(i-1) отверстий (351, 352) для прохождения удлинителей (195, 195'), отходящих от фотогальванических элементов 1-(i-1), и, в случае необходимости, два отверстия (350, 353) для прохождения токовых выводов фотогальванического элемента i,
промежуточного листового материала с отверстиями, причем отверстия находятся напротив токовых выводов фотогальванического элемента i, на который наносят промежуточный листовой материал,
заднего фотогальванического элемента n, содержащего 2(n-1) отверстий (371-376) для прохождения удлинителей, отходящих от фото гальванических элементов 1-(n-1), и, в случае необходимости, два отверстия (370, 377) для прохождения токовых выводов фотогальванического элемента n;
пропускают удлинители и токовые выводы в отверстия, и
прокатывают упаковку, при этом прокатку выполняют в виде последовательных операций после нанесения каждого элемента или каждого промежуточного материала или выполняют в одном этапе после сборки элементов и промежуточных материалов.
22. Способ по п.20, в котором выполняют упаковку:
переднего фотогальванического элемента,
промежуточного листового материала с отверстиями, причем отверстия находятся напротив токовых выводов переднего фотогальванического элемента, на который наносят промежуточный листовой материал,
по меньшей мере одного промежуточного фотогальванического элемента i, содержащего 2(i-1) отверстий (351, 352), выполненных таким образом, чтобы контакты фотогальванических элементов 1-(i-1) совмещались с фишками соединительной коробки, и, в случае необходимости, два отверстия (350, 353), выполненных таким образом, чтобы контакты фотогальванического элемента i совмещались с фишками соединительной коробки,
промежуточного листового материала с отверстиями, причем отверстия находятся напротив токовых выводов фотогальванического элемента i, на который наносят промежуточный листовой материал,
заднего фотогальванического элемента n, содержащего 2(n-1) отверстий (371-376), выполненных таким образом, чтобы контакты фотогальванических элементов 1-(i-1) совмещались с фишками соединительной коробки, и, в случае необходимости, два дополнительных отверстия (370, 377), выполненных таким образом, чтобы контакты фотогальванического элемента n совмещались с фишками соединительной коробки;
прокатывают упаковку, причем прокатку выполняют в виде последовательных операций после нанесения каждого элемента или каждого промежуточного материала или выполняют на одном этапе после сборки элементов и промежуточных материалов.
23. Способ по п.22, в котором соединительные полосы (190, 190') содержат на конце контакт (500, 500').
24. Способ по п.20, в котором токовые выводы являются проводными и закреплены на одной из боковых поверхностей устройства снаружи фотогальванических элементов.
25. Способ по п.20, в котором фотогальванические элементы содержат токовые выводы (500), расположенные на боковой стороне фотогальванических элементов или расположенные в гнезде (600), выходящем на боковую сторону фотогальванических элементов.
26. Способ по п.20, в котором выполняют упаковку:
переднего фотогальванического элемента, содержащего два удлинителя,
промежуточного листового материала без отверстий,
по меньшей мере одного промежуточного фотогальванического элемента i, причем каждый промежуточный фотогальванический элемент i содержит 2 удлинителя, смещенных относительно 2(i-1) удлинителей фотогальванических элементов 1-(i-1),
промежуточного листового материала без отверстий,
заднего фотогальванического элемента n, содержащего 2 удлинителя, смещенных относительно 2(n-1) удлинителей фотогальванических элементов 1-(n-1);
при этом все удлинители выступают с одной стороны фотогальванического устройства;
прокатывают упаковку, при этом прокатку выполняют в виде последовательных операций после нанесения каждого элемента или каждого промежуточного материала или выполняют на одном этапе после сборки элементов и промежуточных материалов.
RU2012104288/28A 2009-07-08 2010-07-07 Способ изготовления мультипереходных и многоэлектродных фотогальванических элементов RU2529659C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FRFR09/03376 2009-07-08
FR0903376A FR2947955B1 (fr) 2009-07-08 2009-07-08 Procede de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-electrodes
PCT/IB2010/053107 WO2011004329A1 (fr) 2009-07-08 2010-07-07 Procédé de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-électrodes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012104288A true RU2012104288A (ru) 2013-08-20
RU2529659C2 RU2529659C2 (ru) 2014-09-27

Family

ID=41581103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012104288/28A RU2529659C2 (ru) 2009-07-08 2010-07-07 Способ изготовления мультипереходных и многоэлектродных фотогальванических элементов

Country Status (12)

Country Link
US (2) US8859885B2 (ru)
EP (1) EP2452369B1 (ru)
JP (2) JP2012533171A (ru)
KR (1) KR101703829B1 (ru)
CN (1) CN102576770B (ru)
AU (1) AU2010269853B2 (ru)
BR (1) BR112012000504B1 (ru)
CA (1) CA2767550A1 (ru)
FR (1) FR2947955B1 (ru)
RU (1) RU2529659C2 (ru)
WO (1) WO2011004329A1 (ru)
ZA (1) ZA201200002B (ru)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2947955B1 (fr) 2009-07-08 2014-07-04 Total Sa Procede de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-electrodes
US8462518B2 (en) * 2009-10-12 2013-06-11 Solarbridge Technologies, Inc. Power inverter docking system for photovoltaic modules
KR101208272B1 (ko) * 2011-02-24 2012-12-10 한양대학교 산학협력단 양면 구조를 가지는 태양전지 및 이의 제조방법
US8969711B1 (en) * 2011-04-07 2015-03-03 Magnolia Solar, Inc. Solar cell employing nanocrystalline superlattice material and amorphous structure and method of constructing the same
US20140004648A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 International Business Machines Corporation Transparent conductive electrode for three dimensional photovoltaic device
GB2522408A (en) 2014-01-14 2015-07-29 Ibm Monolithically integrated thin-film device with a solar cell, an integrated battery and a controller
US11670726B2 (en) * 2014-02-18 2023-06-06 Robert E. Sandstrom Method for improving photovoltaic cell efficiency
KR101707716B1 (ko) * 2014-10-22 2017-02-17 양지혁 이중 층 구조의 태양광 모듈 및 이의 제조방법
US10439084B2 (en) * 2015-06-02 2019-10-08 International Business Machines Corporation Energy harvesting device with prefabricated thin film energy absorption sheets and roll-to-sheet and roll-to-roll fabrication thereof
CN105405906A (zh) * 2015-12-15 2016-03-16 上海正硅实业发展有限公司 一种双面发电光伏组件
WO2019003892A1 (ja) * 2017-06-30 2019-01-03 京セラ株式会社 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
KR102120299B1 (ko) * 2018-07-23 2020-06-08 (주)소프트피브이 고효율 다층 태양 전지 모듈
US12211656B2 (en) * 2020-08-21 2025-01-28 Maxeon Solar Pte. Ltd. Photovoltaic structure and method of fabrication
CN118525377A (zh) * 2021-11-10 2024-08-20 第一阳光公司 用于串联光伏器件的材料和方法
JPWO2023181733A1 (ru) * 2022-03-25 2023-09-28

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5015A (en) * 1847-03-13 Mode of producing reciprocating and latkral motions
GB1473108A (ru) * 1973-09-14 1977-05-11
JPS58215081A (ja) * 1982-06-08 1983-12-14 Mitsui Toatsu Chem Inc アモルフアスシリコン太陽電池
US4461922A (en) 1983-02-14 1984-07-24 Atlantic Richfield Company Solar cell module
JPH073875B2 (ja) * 1986-07-15 1995-01-18 三洋電機株式会社 光起電力装置
JPS6380582A (ja) * 1986-09-24 1988-04-11 Nec Corp 積層型圧電素子
JPH01146373A (ja) * 1987-12-02 1989-06-08 Sumitomo Electric Ind Ltd ４端子型薄膜太陽電池
US4830038A (en) * 1988-01-20 1989-05-16 Atlantic Richfield Company Photovoltaic module
AU8872891A (en) * 1990-10-15 1992-05-20 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
FR2690278A1 (fr) * 1992-04-15 1993-10-22 Picogiga Sa Composant photovoltaïque multispectral à empilement de cellules, et procédé de réalisation.
JP3326207B2 (ja) * 1992-08-18 2002-09-17 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
RU2079352C1 (ru) * 1995-04-24 1997-05-20 Борис Борисович Булгаков Смеситель
JP3673635B2 (ja) * 1998-01-20 2005-07-20 キヤノン株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法およびその施工方法および太陽電池発電システム
JP2000068542A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Sharp Corp 集積型薄膜太陽電池モジュール
JP3146203B1 (ja) * 1999-09-06 2001-03-12 鐘淵化学工業株式会社 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法
JP3717372B2 (ja) * 2000-05-15 2005-11-16 シャープ株式会社 太陽電池モジュール
JP2002083946A (ja) * 2000-09-07 2002-03-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> イメージセンサ
US6566159B2 (en) 2000-10-04 2003-05-20 Kaneka Corporation Method of manufacturing tandem thin-film solar cell
JP2003133572A (ja) * 2001-10-23 2003-05-09 Sharp Corp 太陽電池モジュール、太陽電池ストリングおよび太陽電池アレイ
FR2837625B1 (fr) * 2002-03-19 2004-09-17 Commissariat Energie Atomique Dispositif photovoltaique multi-jonctions a cellules independantes sans effet d'ombrage et procede de realisation d'un tel dispositif
AU2002305659A1 (en) * 2002-05-21 2003-12-12 Midwest Research Institute Low-bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices
US20050056312A1 (en) * 2003-03-14 2005-03-17 Young David L. Bifacial structure for tandem solar cells
DE10326547A1 (de) 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Tandemsolarzelle mit einer gemeinsamen organischen Elektrode
US20050150542A1 (en) * 2004-01-13 2005-07-14 Arun Madan Stable Three-Terminal and Four-Terminal Solar Cells and Solar Cell Panels Using Thin-Film Silicon Technology
US8115093B2 (en) * 2005-02-15 2012-02-14 General Electric Company Layer-to-layer interconnects for photoelectric devices and methods of fabricating the same
RU2308122C1 (ru) * 2006-06-05 2007-10-10 Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук Каскадный солнечный элемент
JP2007335760A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Fujifilm Corp 光電変換膜、並びに、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子
US20080023059A1 (en) 2006-07-25 2008-01-31 Basol Bulent M Tandem solar cell structures and methods of manufacturing same
CN1945952A (zh) * 2006-10-23 2007-04-11 深圳市拓日电子科技有限公司 整体式双结非晶硅太阳能电池幕墙及其制造方法和应用
WO2008059593A1 (fr) * 2006-11-17 2008-05-22 Kyosemi Corporation Dispositif de cellule solaire superposée
KR20080069448A (ko) * 2007-01-23 2008-07-28 엘지전자 주식회사 측면결정화 공정을 이용한 고효율 광기전력 변환소자 모듈및 그의 제조방법
US20100116330A1 (en) * 2007-01-31 2010-05-13 Tetsuyoshi Inoue Solar cell module, solar cell wiring member, and method of manufacturing solar cell module
WO2008121293A2 (en) * 2007-03-29 2008-10-09 Baldwin Daniel F Solar module manufacturing processes
US8039740B2 (en) * 2007-06-20 2011-10-18 Rosestreet Labs Energy, Inc. Single P-N junction tandem photovoltaic device
WO2009006230A2 (en) * 2007-06-30 2009-01-08 Solannex, Inc. Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules
JP5286046B2 (ja) * 2007-11-30 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の製造方法
US8835748B2 (en) * 2009-01-06 2014-09-16 Sunlight Photonics Inc. Multi-junction PV module
FR2947955B1 (fr) 2009-07-08 2014-07-04 Total Sa Procede de fabrication de cellules photovoltaiques multi-jonctions et multi-electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
FR2947955B1 (fr) 2014-07-04
KR101703829B1 (ko) 2017-02-07
CN102576770B (zh) 2016-01-20
CA2767550A1 (en) 2011-01-13
WO2011004329A1 (fr) 2011-01-13
US20120097215A1 (en) 2012-04-26
AU2010269853A1 (en) 2012-02-09
RU2529659C2 (ru) 2014-09-27
BR112012000504A8 (pt) 2017-10-03
EP2452369A1 (fr) 2012-05-16
ZA201200002B (en) 2012-08-29
US8859885B2 (en) 2014-10-14
EP2452369B1 (fr) 2020-11-04
US20150059830A1 (en) 2015-03-05
JP2015092642A (ja) 2015-05-14
KR20120047894A (ko) 2012-05-14
AU2010269853B2 (en) 2015-07-09
US9735302B2 (en) 2017-08-15
BR112012000504A2 (pt) 2016-02-16
JP2012533171A (ja) 2012-12-20
BR112012000504B1 (pt) 2020-06-23
FR2947955A1 (fr) 2011-01-14
CN102576770A (zh) 2012-07-11
JP6122049B2 (ja) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012104288A (ru) Способ изготовления мультипереходных и многоэлектродных фотогальванических элементов
Hacke et al. Characterization of multicrystalline silicon modules with system bias voltage applied in damp heat
CN110313072B (zh) 部分半透明光伏模块以及用于制造的方法
Komatsu et al. Multistage performance deterioration in n-type crystalline silicon photovoltaic modules undergoing potential-induced degradation
JP5901773B2 (ja) 直列接続部を含む薄膜ソーラーモジュール、及び、複数の薄膜ソーラーセルを直列接続する方法
WO2003001602A3 (en) Manufacturing a solar cell foil connected in series via a temporary substrate
JP2009531871A (ja) 光起電力モジュールを製造するための技術
WO2011053006A3 (en) Thin film solar cell module
KR101266103B1 (ko) 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US20220102659A1 (en) Photovoltaic module
WO2016068711A3 (en) Back side contacted wafer-based solar cells with in-situ doped crystallized silicon oxide regions
MY164543A (en) Solar cell and solar-cell module
TW201445754A (zh) 太陽能電池及其製造方法
CN101552305A (zh) 薄膜光伏电池及其制造方法以及薄膜光电模块
WO2013020111A1 (en) Photovoltaic module fabrication with thin single crystal epitaxial silicon devices
EP3442037A1 (en) Method for manufacturing multijunction photoelectric conversion device
JP2020509596A (ja) こけら板状ソーラーモジュールを製造する方法
CN103633157B (zh) 太阳能电池及太阳能电池组件
EP2423979A2 (en) Intra-laminate disk layer for thin film photovoltaic devices and their methods of manufacture
JP2012243996A (ja) 薄膜シリコン系太陽電池モジュール
CN102460730A (zh) 光电器件和生产方法
CN102208457A (zh) 太阳能电池
CN103465385A (zh) 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法
CN106784079A (zh) 双面异质结电池模块及其制作方法
US20160027932A1 (en) Solar Cells Having a Novel Bus Bar Structure

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant