[go: up one dir, main page]

RU2011104357A - Способ достижения высокой избирательности во входных rf-каскадах приемника - Google Patents

Способ достижения высокой избирательности во входных rf-каскадах приемника Download PDF

Info

Publication number
RU2011104357A
RU2011104357A RU2011104357/08A RU2011104357A RU2011104357A RU 2011104357 A RU2011104357 A RU 2011104357A RU 2011104357/08 A RU2011104357/08 A RU 2011104357/08A RU 2011104357 A RU2011104357 A RU 2011104357A RU 2011104357 A RU2011104357 A RU 2011104357A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
terminal
active
negative
interelectrode conductivity
output
Prior art date
Application number
RU2011104357/08A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2490784C2 (ru
Inventor
Ануп САВЛА (US)
Ануп САВЛА
Роджер БРОКЕНБРАФ (US)
Роджер БРОКЕНБРАФ
Original Assignee
Квэлкомм Инкорпорейтед (US)
Квэлкомм Инкорпорейтед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Квэлкомм Инкорпорейтед (US), Квэлкомм Инкорпорейтед filed Critical Квэлкомм Инкорпорейтед (US)
Publication of RU2011104357A publication Critical patent/RU2011104357A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2490784C2 publication Critical patent/RU2490784C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H03F3/45188—Non-folded cascode stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/191—Tuned amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45644—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a cross coupling circuit, e.g. comprising two cross-coupled transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45704—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more parallel resonance circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)

Abstract

1. Устройство, содержащее усилитель, при этом усилитель содержит: ! выходной каскад, сформированный из положительной выходной клеммы, предоставляющей положительное выходное напряжение, и отрицательной выходной клеммы, предоставляющей отрицательное выходное напряжение; ! нагрузочный резонансный контур, соединенный параллельно с выходным каскадом и сконфигурированный для фильтрации сигналов, принимаемых в усилителе; и ! блок отрицательного сопротивления, соединенный параллельно с выходным каскадом и нагрузочным резонансным контуром. ! 2. Устройство по п.1, в котором блок отрицательного сопротивления является схемой с отрицательной активной межэлектродной проводимостью, сконфигурированной для предоставления отрицательного сопротивления на основе режима смещения одного или более активных устройств, включенных в схему. ! 3. Устройство по п.1, в котором блок отрицательного сопротивления содержит: ! первое устройство с активной межэлектродной проводимостью с первой клеммой, соединенной с положительной выходной клеммой выходного каскада, и второй клеммой, соединенной с отрицательной выходной клеммой выходного каскада; и ! второе устройство с активной межэлектродной проводимостью с первой клеммой, соединенной с отрицательной выходной клеммой выходного каскада, и второй клеммой, соединенной с положительной выходной клеммой выходного каскада. ! 4. Устройство по п.3, в котором блок отрицательного сопротивления дополнительно содержит: ! источник напряжения настройки, соединенный с третьей клеммой первого устройства с активной межэлектродной проводимостью и соединенный с третьей клеммой второго устройств

Claims (27)

1. Устройство, содержащее усилитель, при этом усилитель содержит:
выходной каскад, сформированный из положительной выходной клеммы, предоставляющей положительное выходное напряжение, и отрицательной выходной клеммы, предоставляющей отрицательное выходное напряжение;
нагрузочный резонансный контур, соединенный параллельно с выходным каскадом и сконфигурированный для фильтрации сигналов, принимаемых в усилителе; и
блок отрицательного сопротивления, соединенный параллельно с выходным каскадом и нагрузочным резонансным контуром.
2. Устройство по п.1, в котором блок отрицательного сопротивления является схемой с отрицательной активной межэлектродной проводимостью, сконфигурированной для предоставления отрицательного сопротивления на основе режима смещения одного или более активных устройств, включенных в схему.
3. Устройство по п.1, в котором блок отрицательного сопротивления содержит:
первое устройство с активной межэлектродной проводимостью с первой клеммой, соединенной с положительной выходной клеммой выходного каскада, и второй клеммой, соединенной с отрицательной выходной клеммой выходного каскада; и
второе устройство с активной межэлектродной проводимостью с первой клеммой, соединенной с отрицательной выходной клеммой выходного каскада, и второй клеммой, соединенной с положительной выходной клеммой выходного каскада.
4. Устройство по п.3, в котором блок отрицательного сопротивления дополнительно содержит:
источник напряжения настройки, соединенный с третьей клеммой первого устройства с активной межэлектродной проводимостью и соединенный с третьей клеммой второго устройства с активной межэлектродной проводимостью, источник напряжения настройки сконфигурирован для предоставления напряжения смещения к первому и второму устройствам с активной межэлектродной проводимостью.
5. Устройство по п.3, в котором блок отрицательного сопротивления дополнительно содержит:
источник тока настройки, соединенный с третьей клеммой первого устройства с активной межэлектродной проводимостью и соединенный с третьей клеммой второго устройства с активной межэлектродной проводимостью, источник тока настройки сконфигурирован для предоставления тока смещения к первому и второму устройствам с активной межэлектродной проводимостью.
6. Устройство по п.5, в котором источник тока настройки является токовым зеркалом, принимающим внешний ток настройки и предоставляющим ток зеркала.
7. Устройство по п.5, в котором третьи клеммы первого и второго устройств с активной межэлектродной проводимостью каждая резистивным образом соединена с источником тока настройки для предоставления желаемого смещения первого и второго устройств с активной межэлектродной проводимостью.
8. Устройство по п.3, в котором
вторые клеммы первого и второго устройств с активной межэлектродной проводимостью емкостным образом соединены с отрицательной выходной клеммой выходного каскада и положительной выходной клеммой выходного каскада соответственно и
вторые клеммы первого и второго устройств с активной межэлектродной проводимостью каждая резистивным образом соединена с источником тока настройки.
9. Устройство по п.8, в котором
вторые клеммы первого и второго устройств с активной межэлектродной проводимостью емкостным образом соединены с землей и
третьи клеммы первого и второго устройств с активной межэлектродной проводимостью соединены с землей.
10. Устройство по п.8, в котором блок отрицательного сопротивления дополнительно содержит:
третье устройство с активной межэлектродной проводимостью с первой клеммой, соединенной с третьей клеммой первого устройства с активной межэлектродной проводимостью, второй клеммой, емкостным образом соединенной с третьей клеммой второго устройства с активной межэлектродной проводимостью, и третьей клеммой, соединенной с первым источником тока настройки;
четвертое устройство с активной межэлектродной проводимостью с первой клеммой, соединенной с третьей клеммой второго устройства с активной межэлектродной проводимостью, второй клеммой, емкостным образом соединенной с третьей клеммой первого устройства с активной межэлектродной проводимостью, и третьей клеммой, соединенной со вторым источником тока настройки; и
резистор, соединенный с третьими клеммами третьего и четвертого устройств с активной межэлектродной проводимостью.
11. Устройство по п.3, в котором устройства с активной межэлектродной проводимостью являются n-канальными МОП-транзисторами, которые включают в себя первую клемму в качестве истока транзистора, вторую клемму в качестве затвора транзистора и третью клемму в качестве стока транзистора.
12. Устройство по п.1, в котором блок отрицательного сопротивления содержит:
первое и второе токовые зеркала, соединенные друг с другом, причем первое токовое зеркало соединено с положительной выходной клеммой выходного каскада на одной клемме и соответственно соединено с отрицательной выходной клеммой выходного каскада на другой клемме.
13. Устройство по п.1, в котором блок отрицательного сопротивления предоставляет отрицательное сопротивление в диапазоне от -1000 до -5000 Ом включительно.
14. Устройство по п.1, в котором нагрузочный резонансный контур сформирован из нагрузочной катушки индуктивности и нагрузочного конденсатора.
15. Устройство по п.1. дополнительно содержащее:
пару каскодных устройств, соединенных с выходным каскадом и сконфигурированных для буферизации тока в усилителе.
16. Устройство по п.1, причем усилитель дополнительно содержит:
каскад с активной межэлектродной проводимостью, сконфигурированный для приема входного напряжения; и
источник тока, сконфигурированный для предоставления тока в каскад с активной межэлектродной проводимостью.
17. Устройство по п.1, причем устройство является малошумящим усилителем (LNA).
18. Устройство по п.1, причем устройство является беспроводным приемником.
19. Устройство по п.1, причем устройство является приемником GPS.
20. Способ усиления сигнала, способ содержит этапы, на которых:
принимают входной сигнал во входном каскаде;
предоставляют выходной сигнал, включающий в себя положительное выходное напряжение на положительной выходной клемме и отрицательное выходное напряжение на отрицательной выходной клемме, в ответ на входной сигнал;
фильтруют входной сигнал на положительной и отрицательной выходных клеммах и
предоставляют отрицательное сопротивление между положительной и отрицательной выходными клеммами.
21. Способ по п.20, в котором этап предоставления отрицательного сопротивления содержит этап, на котором:
пропускают ток через одно или более активных устройств, причем отрицательное сопротивление основано на активной межэлектродной проводимости одного или более активных устройств.
22. Способ по п.21, в котором этап предоставления отрицательного сопротивления дополнительно содержит этап, на котором:
смещают одно или более активных устройств, чтобы установить активную межэлектродную проводимость на желаемое значение.
23. Способ по п.20, в котором предоставляемое отрицательное сопротивление находится в диапазоне от -1000 до -5000 Ом включительно.
24. Усилитель, содержащий:
средство для приема входного сигнала;
средство для предоставления выходного сигнала, включающего в себя положительное выходное напряжение на положительной выходной клемме и отрицательное выходное напряжение на отрицательной выходной клемме, в ответ на входной сигнал;
средство для фильтрации входного сигнала на положительной и отрицательной выходных клеммах и
средство для предоставления отрицательного сопротивления между положительной и отрицательной выходными клеммами.
25. Усилитель по п.24, в котором средство для предоставления отрицательного сопротивления содержит:
средство с активной межэлектродной проводимостью для пропускания тока, причем отрицательное сопротивление основано на активной межэлектродной проводимости средства с активной межэлектродной проводимостью.
26. Усилитель по п.25, в котором средство для предоставления отрицательного сопротивления дополнительно содержит:
средство для смещения средства с активной межэлектродной проводимостью, чтобы установить активную межэлектродную проводимость на желаемое значение.
27. Усилитель по п.24, в котором предоставляемое отрицательное сопротивление находится в диапазоне от -1000 до -5000 Ом включительно.
RU2011104357/08A 2008-07-08 2009-07-08 Способ достижения высокой избирательности во входных rf каскадах приемника RU2490784C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/169,559 2008-07-08
US12/169,559 US8098101B2 (en) 2008-07-08 2008-07-08 Method of achieving high selectivity in receiver RF front-ends
PCT/US2009/049976 WO2010006079A2 (en) 2008-07-08 2009-07-08 Method of achieving high selectivity in receiver rf front-ends

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011104357A true RU2011104357A (ru) 2012-08-20
RU2490784C2 RU2490784C2 (ru) 2013-08-20

Family

ID=41119340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011104357/08A RU2490784C2 (ru) 2008-07-08 2009-07-08 Способ достижения высокой избирательности во входных rf каскадах приемника

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8098101B2 (ru)
EP (1) EP2313971B1 (ru)
JP (1) JP5384630B2 (ru)
KR (1) KR101184243B1 (ru)
CN (1) CN102084589B (ru)
BR (1) BRPI0915575A2 (ru)
CA (1) CA2728901C (ru)
RU (1) RU2490784C2 (ru)
TW (1) TWI442695B (ru)
WO (1) WO2010006079A2 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8301105B2 (en) * 2009-08-13 2012-10-30 Texas Instruments Incorporated Receiver front end
US8526907B2 (en) * 2011-11-30 2013-09-03 St-Ericsson Sa Power consumption reduction technique for integrated wireless radio receiver front-ends
US8548410B2 (en) 2011-11-30 2013-10-01 St-Ericsson Sa RF front-end for intra-band carrier aggregation
US8918070B2 (en) 2012-05-04 2014-12-23 Analog Devices, Inc. Frequency tuning for LC circuits
US8766712B2 (en) * 2012-05-04 2014-07-01 Analog Devices, Inc. Quality factor tuning for LC circuits
US9401680B2 (en) * 2014-01-17 2016-07-26 Qualcomm Incorporated Temperature dependent amplifier biasing
US9553573B2 (en) 2014-05-21 2017-01-24 Qualcomm Incorporated Differential mode bandwidth extension technique with common mode compensation
EP3142249A1 (en) * 2015-09-14 2017-03-15 Nokia Technologies Oy Method and apparatus for amplifying signals
US10199997B2 (en) * 2016-06-09 2019-02-05 Qualcomm Incorporated Source-degenerated amplification stage with rail-to-rail output swing
EP3918709B1 (en) * 2019-01-30 2025-10-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Tuning range enhancement by negative resistance
WO2023184415A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 华为技术有限公司 一种具有滤波功能的跨阻放大器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3986152A (en) 1975-06-16 1976-10-12 General Electric Company Negative impedance network
ZA817769B (en) 1980-11-27 1982-10-27 Int Computers Ltd Current controlled negative resistance element
US4518930A (en) 1982-07-30 1985-05-21 Rockwell International Corporation Negative resistance circuit for VCO
DE4338873C1 (de) * 1993-11-13 1995-06-08 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur Taktrückgewinnung
EP2113782B1 (en) * 1995-10-09 2011-12-07 Snaptrack, Inc. GPS mobile unit having a reduced power state
US6985035B1 (en) 1998-11-12 2006-01-10 Broadcom Corporation System and method for linearizing a CMOS differential pair
US6150881A (en) * 1999-05-25 2000-11-21 Motorola, Inc. Amplifier circuit with amplitude and phase correction and method of operation
JP4147371B2 (ja) * 2000-03-03 2008-09-10 ミツミ電機株式会社 Ｇｐｓ受信機用低雑音増幅回路
US6366074B1 (en) * 2000-03-24 2002-04-02 Agere Systems Guardian Corp Unidirectionality in electronic circuits through feedback
US6750727B1 (en) * 2000-05-17 2004-06-15 Marvell International, Ltd. Low phase noise MOS LC oscillator
US7710199B2 (en) 2000-09-12 2010-05-04 Black Sand Technologies, Inc. Method and apparatus for stabilizing RF power amplifiers
RU2178235C1 (ru) * 2000-09-29 2002-01-10 Олексенко Виктор Викторович Малошумящий широкополосный усилитель тока олексенко-колесникова
US20040113127A1 (en) * 2002-12-17 2004-06-17 Min Gary Yonggang Resistor compositions having a substantially neutral temperature coefficient of resistance and methods and compositions relating thereto
JP4045959B2 (ja) * 2003-01-20 2008-02-13 日本電気株式会社 利得可変電圧・電流変換回路とこれを用いたフィルタ回路
EP1496609A1 (en) * 2003-07-07 2005-01-12 Dialog Semiconductor GmbH Enhanced architectures of voltage-controlled oscillators with single inductors (VCO-1L)
US7202740B2 (en) * 2005-01-05 2007-04-10 Broadcom Corporation Gain boosting for tuned differential LC circuits
US7259625B2 (en) * 2005-04-05 2007-08-21 International Business Machines Corporation High Q monolithic inductors for use in differential circuits
US7415286B2 (en) * 2005-04-08 2008-08-19 Broadcom Corporation Gain boosting for local oscillation distribution circuitry
US7885629B2 (en) 2006-08-03 2011-02-08 Broadcom Corporation Circuit with Q-enhancement cell having programmable bias current slope
US9413315B2 (en) 2006-08-31 2016-08-09 Texas Instruments Incorporated Low noise amplifier with embedded filter and related wireless communication unit
US8237509B2 (en) * 2007-02-23 2012-08-07 Qualcomm, Incorporated Amplifier with integrated filter

Also Published As

Publication number Publication date
EP2313971B1 (en) 2018-12-19
RU2490784C2 (ru) 2013-08-20
CN102084589B (zh) 2013-11-20
KR101184243B1 (ko) 2012-09-21
TWI442695B (zh) 2014-06-21
US20100007424A1 (en) 2010-01-14
CA2728901C (en) 2014-02-04
WO2010006079A3 (en) 2010-03-04
JP5384630B2 (ja) 2014-01-08
JP2011527864A (ja) 2011-11-04
BRPI0915575A2 (pt) 2018-02-06
CN102084589A (zh) 2011-06-01
KR20110039333A (ko) 2011-04-15
EP2313971A2 (en) 2011-04-27
TW201008110A (en) 2010-02-16
CA2728901A1 (en) 2010-01-14
US8098101B2 (en) 2012-01-17
WO2010006079A2 (en) 2010-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011104357A (ru) Способ достижения высокой избирательности во входных rf-каскадах приемника
CN103222188B (zh) 具有阻抗增加电路的低噪声放大器
US7714657B2 (en) Low noise amplifier gain controlled scheme
CN110311630A (zh) 用于旁路低噪声放大器的系统和方法
US9184716B2 (en) Low noise amplifier and receiver
US9219447B2 (en) Wideband bias circuits and methods
US7482871B2 (en) CMOS amplifier of filter for ultra wideband application and method of the same
CN107005202B (zh) 互补共栅和共源放大器中的增益控制
JP2009290411A (ja) 低雑音受信装置
US20100195547A1 (en) Power detecor for multi-band network access
US9337775B1 (en) System and method for a low noise amplifier module
JP2014027501A (ja) 可変利得増幅器および可変利得増幅器を備えた無線通信機器
CN108023556B (zh) 改进的射频低噪声放大器负载电路
KR100988181B1 (ko) Ｒｆ 하향변환 믹서용 공통-게이트 공통-소스트랜스컨덕턴스 스테이지
US6509798B2 (en) Variable gain amplifier
US20200220503A1 (en) Low noise amplifier and semiconductor device
US9602069B2 (en) Programmable impedance network in an amplifier
US11063562B2 (en) Programmable filter in an amplifier
US11437965B2 (en) Variable gain amplifier and wireless communication device
US20070268072A1 (en) Low return loss resistive feedback amplifier
JP2007221663A (ja) 放送信号受信装置
JP2013172161A (ja) 放送信号受信装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20120823

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20120823

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190709