RU2011144620A

RU2011144620A - Композиции для нанесения металлического покрытия, содержащая подавляющий агент, для беспустотного заполнения субмикронных элементов поверхности

Info

Publication number: RU2011144620A
Application number: RU2011144620/02A
Authority: RU
Inventors: Корнелиа РЕГЕР-ГЕПФЕРТ; Роман Бенедикт РЭТЕР; Шарлотте ЭМНЕТ; Александра ХААГ; Дитер Майер
Original assignee: Басф Се
Priority date: 2009-04-07
Filing date: 2010-03-25
Publication date: 2013-05-20
Also published as: EP2417283B1; WO2010115717A1; US20120024711A1; TW201042095A; CN102365396A; JP5702359B2; MY158203A; CN102365396B; RU2529607C2; TWI489011B; JP2012522897A; IL215018A0; US20210317582A1; IL215018B; EP2417283A1; SG174264A1; KR20120089564A; KR101720365B1

Abstract

1. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, где способ содержит:а) контакт электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы Iгде каждый радикал Rнезависимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер,каждый радикал Rнезависимо выбирается из Rили алкила,Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z), где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена,n представляет собой целое число, больше или равное 0,m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10,- содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%,с подложкой, иb) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента поверхности субмикронного размера.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что Х и Y имеют независимые значения, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С4 алкилена.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подавляющий агент получают из аминных соединений, выбранных из метиламина, этиламина, пропиламина, изопропиламина, н-бутиламина, трет-бутиламина, гексиламина, диметиламина, диэтиламина, циклопентиламина, циклогекси�

Claims

1. Способ электролитического осаждения меди на подложку, содержащую элементы поверхности субмикрометрового размера, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее, где способ содержит:

а) контакт электролитической ванны для осаждения меди, содержащей источник ионов меди, один или более ускоряющих агентов и один или более подавляющих агентов, выбранных из соединений формулы I

где каждый радикал R¹ независимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер,

каждый радикал R² независимо выбирается из R¹ или алкила,

Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z)_m, где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена,

n представляет собой целое число, больше или равное 0,

m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10,

- содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и С3-С4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%,

с подложкой, и

b) создание плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для заполнения медью элемента поверхности субмикронного размера.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что Х и Y имеют независимые значения, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С4 алкилена.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подавляющий агент получают из аминных соединений, выбранных из метиламина, этиламина, пропиламина, изопропиламина, н-бутиламина, трет-бутиламина, гексиламина, диметиламина, диэтиламина, циклопентиламина, циклогексиламина, этаноламина, диэтаноламина, триэтаноламина, этилендиамина, 1,3-диаминопропана, 1,4-диаминобутана, 1,5-ди-аминопентана, 1,6-диаминогексана, неопентандиамина, изофорондиамина, 4,9-диоксадекан-1,12-диамина, 4,7,10-триокситриде-кан-1,13-диамина, триэтиленгликоля диамина, диэтилентриамина, (3-(2-аминоэтил)аминопропиламина, 3,3'-иминоди(пропиламина), N,N-бис(3-аминопропил)метиламина, бис(3-диметиламинопро-пил)амина, триэтилентетрамина и N,N'-бис(3-аминопропил)этилен-диамина.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что С3-С4 алкиленоксид выбирается из пропиленоксида.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что молекулярная масса (M_w) подавляющего агента составляет 6000 г/моль или более.

6. Способ по п.5, отличающийся тем, что молекулярная масса (M_w) подавляющего агента составляет от 7000 до 19000 г/моль.

7. Способ по п.5, отличающаяся тем, что молекулярная масса (M_w) подавляющего агента составляет от 9000 до 18000 г/моль.

8. Способ по п.1, отличающийся тем, что подавляющий агент получают из аминного соединения, содержащего по меньшей мере три активные аминогруппы.

9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что электролитическая ванна для осаждения меди, кроме того, содержит один или более выравнивающих агентов.

10. Способ по п.1, отличающийся тем, что элементы поверхности имеют коэффициент пропорциональности 4 или более.