[go: up one dir, main page]

RU2011140310A - Высокочастотная волоноводная структура - Google Patents

Высокочастотная волоноводная структура Download PDF

Info

Publication number
RU2011140310A
RU2011140310A RU2011140310/07A RU2011140310A RU2011140310A RU 2011140310 A RU2011140310 A RU 2011140310A RU 2011140310/07 A RU2011140310/07 A RU 2011140310/07A RU 2011140310 A RU2011140310 A RU 2011140310A RU 2011140310 A RU2011140310 A RU 2011140310A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
conductive lines
conductive
waveguide structure
line
frequency waveguide
Prior art date
Application number
RU2011140310/07A
Other languages
English (en)
Inventor
Марион МАТТЕРС-КАММЕРЕР
Лоренцо ТРИПОДИ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Publication of RU2011140310A publication Critical patent/RU2011140310A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

1. Высокочастотная волноводная структура, содержащая:подложку (10);первую и вторую проводящие линии (11, 12), размещенные в первом слое (A) на подложке (10); итретью проводящую линию (13), размещенную в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), причем высота (h) каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) больше, чем ширина (w) каждой линии из первой и второй проводящих линий (11, 12).2. Высокочастотная волноводная структура по п. 1, в которой третья проводящая линия (13) располагается во втором слое (B, C) выше или ниже первого слоя (A).3. Высокочастотная волноводная структура по любому из предшествующих пунктов, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образуют первый волновод для моды щелевой линии, и при этом третья проводящая линия (13) вместе с первой и второй проводящими линиями (11, 12) образуют второй волновод для моды планарного волновода или моды копланарного волновода.4. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой связь между первой и второй проводящими линиями (11, 12) сильнее, чем связь между первой или второй проводящими линиями (11, 12) по отношению к подложке (10).5. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии в основном ограничено в промежутке между первой и второй проводящими линиями (11, 12).6. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии является, по существу, нулевым в плоскости G симметрии первой и второй проводящих линий (11, 12).7. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой высокочастотная волноводная структура интегрирована в КМОП/БиКМОП устройство.8. Вы�

Claims (15)

1. Высокочастотная волноводная структура, содержащая:
подложку (10);
первую и вторую проводящие линии (11, 12), размещенные в первом слое (A) на подложке (10); и
третью проводящую линию (13), размещенную в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), причем высота (h) каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) больше, чем ширина (w) каждой линии из первой и второй проводящих линий (11, 12).
2. Высокочастотная волноводная структура по п. 1, в которой третья проводящая линия (13) располагается во втором слое (B, C) выше или ниже первого слоя (A).
3. Высокочастотная волноводная структура по любому из предшествующих пунктов, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образуют первый волновод для моды щелевой линии, и при этом третья проводящая линия (13) вместе с первой и второй проводящими линиями (11, 12) образуют второй волновод для моды планарного волновода или моды копланарного волновода.
4. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой связь между первой и второй проводящими линиями (11, 12) сильнее, чем связь между первой или второй проводящими линиями (11, 12) по отношению к подложке (10).
5. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии в основном ограничено в промежутке между первой и второй проводящими линиями (11, 12).
6. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии является, по существу, нулевым в плоскости G симметрии первой и второй проводящих линий (11, 12).
7. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой высокочастотная волноводная структура интегрирована в КМОП/БиКМОП устройство.
8. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образованы структурированным толстым металлическим слоем.
9. Структура диодного моста, соединяемая с высокочастотной волноводной структурой по любому из предшествующих пунктов, содержащая:
первую структуру (21) внутренних соединений между первой проводящей линией (11) и третьей проводящей линией (13), содержащую первый диод (23), соединенный своим катодом с третьей проводящей линией (13), и первый конденсатор (25), соединенный последовательно; и
вторую структуру (22) внутренних соединений между второй проводящей линией (12) и третьей проводящей линией (13), содержащей второй диод (24), соединенный своим анодом с третьей проводящей линией (13), и второй конденсатор (26), соединенный последовательно.
10. Структура диодного моста по п.9, в которой первый и второй конденсаторы (25, 26) расположены на двух промежуточных металлических слоях под первой и второй проводящими линиями (11, 12), соответственно.
11. Структура диодного моста по п. 9 или 10, в которой первый и второй диоды (23, 24) расположены в подложке (10) под первой и второй проводящими линиями (11, 12), соответственно.
12. Система формирования изображения/спектроскопии для анализа образца с использованием электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне, содержащая:
передатчик для осуществления передачи электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне на образец;
приемник (45), содержащий высокочастотный генератор (30) и структуру диодного моста (20) по любому из пп. 9-11, для приема электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне от образца.
13. Система формирования изображения/спектроскопии по п. 12, в которой высокочастотный генератор (30) содержит нелинейную линию (32) передачи, чтобы генерировать сигнал с очень широким спектральным составом.
14. Система формирования изображения/спектроскопии по п. 12 или 13, в которой высокочастотный генератор (30) соединен с высокочастотной волноводной структурой (15) по любому из пп. 1-8.
15. Способ изготовления высокочастотной волноводной структуры, содержащий этапы:
обеспечения подложки (10);
обеспечения диэлектрического материала (14) на подложке (10);
обеспечения толстого металлического слоя в первом слое (A) на диэлектрическом материале (14),
обработки первой и второй проводящих линий (11, 12) путем структурирования толстого металлического слоя, причем высота каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) превышает ширину каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12); и
обработки третьей проводящей линии (13), размещенной в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), до или после обработки первой и второй проводящих линий (11, 12).
RU2011140310/07A 2011-09-16 2011-10-04 Высокочастотная волоноводная структура RU2011140310A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161535410P 2011-09-16 2011-09-16
US61/535,410 2011-09-16

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2011140310A true RU2011140310A (ru) 2013-04-10

Family

ID=47880129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011140310/07A RU2011140310A (ru) 2011-09-16 2011-10-04 Высокочастотная волоноводная структура

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20130069743A1 (ru)
RU (1) RU2011140310A (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11316275B2 (en) 2017-01-19 2022-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Electromagnetic wave radiator
US10601140B2 (en) 2017-01-19 2020-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Electromagnetic wave radiator

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5544268A (en) * 1994-09-09 1996-08-06 Deacon Research Display panel with electrically-controlled waveguide-routing
JP3241019B2 (ja) * 1999-03-15 2001-12-25 日本電気株式会社 コプレーナ線路
US7103245B2 (en) * 2000-07-10 2006-09-05 Massachusetts Institute Of Technology High density integrated optical chip
US6631225B2 (en) * 2000-07-10 2003-10-07 Massachusetts Institute Of Technology Mode coupler between low index difference waveguide and high index difference waveguide
US6839491B2 (en) * 2000-12-21 2005-01-04 Xponent Photonics Inc Multi-layer dispersion-engineered waveguides and resonators
US6816518B2 (en) * 2001-03-20 2004-11-09 Cyoptics (Israel) Ltd. Wavelength tunable high repetition rate optical pulse generator
US7011932B2 (en) * 2001-05-01 2006-03-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Polymer waveguide fabrication process
US7177515B2 (en) * 2002-03-20 2007-02-13 The Regents Of The University Of Colorado Surface plasmon devices
US6810058B2 (en) * 2002-04-23 2004-10-26 Adc Telecommunications, Inc. Semiconductor laser with gain waveguide layer providing transversal and longitudinal mode stability
US6870987B2 (en) * 2002-08-20 2005-03-22 Lnl Technologies, Inc. Embedded mode converter
US7076135B2 (en) * 2002-09-20 2006-07-11 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical module and manufacturing method therefor
US20040145026A1 (en) * 2003-01-29 2004-07-29 Chi-Kuang Sun Photonic transmitter
WO2004113957A2 (en) * 2003-06-16 2004-12-29 The Regents Of The University Of California Apparatus for optical measurements on low-index non-solid materials based on arrow waveguides
WO2005017588A1 (en) * 2003-08-19 2005-02-24 Ignis Technologies As Integrated optics spot size converter and manufacturing method
US7359593B2 (en) * 2003-10-09 2008-04-15 Infinera Corporation Integrated optical mode shape transformer and method of fabrication
US20070147766A1 (en) * 2003-11-12 2007-06-28 Mattsson Kent E Low loss silicon oxynitride optical waveguide, a method of its manufacture and an optical device
DK1706767T3 (da) * 2003-12-29 2019-07-22 Google Llc Optokobleranordning
US20050242287A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Hosain Hakimi Optical terahertz generator / receiver
JP3913253B2 (ja) * 2004-07-30 2007-05-09 キヤノン株式会社 光半導体装置およびその製造方法
US7151380B2 (en) * 2004-08-06 2006-12-19 Voith Paper Patent Gmbh Microwave water weight sensor and process
US7519257B2 (en) * 2004-11-24 2009-04-14 Cornell Research Foundation, Inc. Waveguide structure for guiding light in low-index material
US7391949B2 (en) * 2005-09-27 2008-06-24 The Regents Of The University Of California Low loss hollow core optical waveguide
US7798817B2 (en) * 2005-11-04 2010-09-21 Georgia Tech Research Corporation Integrated circuit interconnects with coaxial conductors
US20070101927A1 (en) * 2005-11-10 2007-05-10 Honeywell International Inc. Silicon based optical waveguide structures and methods of manufacture
KR100731544B1 (ko) * 2006-04-13 2007-06-22 한국전자통신연구원 다층배선 코플래너 웨이브가이드
WO2008105888A2 (en) * 2006-05-31 2008-09-04 Georgia Tech Research Corporation Integrated sensing probes, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof
US7949031B2 (en) * 2006-06-16 2011-05-24 Pbc Lasers Gmbh Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semicondutor diode lasers
GB0620955D0 (en) * 2006-10-20 2006-11-29 Speakman Stuart P Methods and apparatus for the manufacture of microstructures
US7565046B2 (en) * 2006-12-13 2009-07-21 Massachusetts Institute Of Technology Mode transformers for low index high confinement waveguides
US7659513B2 (en) * 2006-12-20 2010-02-09 Virgin Islands Microsystems, Inc. Low terahertz source and detector
US20110168891A1 (en) * 2007-05-07 2011-07-14 Tera-X, Llc Systems, methods and devices for improved imaging and sensation of objects
JP4975000B2 (ja) * 2007-12-07 2012-07-11 キヤノン株式会社 電磁波発生素子、電磁波集積素子、及び電磁波検出装置
WO2009106140A1 (en) * 2008-02-29 2009-09-03 Pirelli & C. S.P.A. Optical mode transformer, in particular for coupling an optical fiber and a high-index contrast waveguide
CA2719342C (en) * 2008-02-29 2016-04-26 Pgt Photonics S.P.A Optical mode transformer, in particular for coupling an optical fiber and a high-index contrast waveguide
US8203127B2 (en) * 2008-05-06 2012-06-19 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Army Terahertz radiation device using polar semiconductor materials and method of generating terahertz radiation
US8031991B2 (en) * 2008-05-28 2011-10-04 Lightwire Inc. Low index, large mode field diameter optical coupler
ATE510240T1 (de) * 2008-07-15 2011-06-15 Univ Danmarks Tekniske Volloptische steuerung von thz-strahlung in wellenleitern mit parallelen platten
JP5419411B2 (ja) * 2008-10-08 2014-02-19 キヤノン株式会社 テラヘルツ波発生素子
FR2951321B1 (fr) * 2009-10-08 2012-03-16 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur comprenant un guide d'ondes electro-magnetiques
WO2011098943A1 (en) * 2010-02-15 2011-08-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Device for analyzing a sample using radiation in the terahertz frequency range
US9040919B2 (en) * 2010-10-25 2015-05-26 Thomas E. Darcie Photomixer-waveguide coupling tapers
US20130154773A1 (en) * 2011-12-15 2013-06-20 Infineon Technologies Ag Waveguide
US9285554B2 (en) * 2012-02-10 2016-03-15 International Business Machines Corporation Through-substrate optical coupling to photonics chips

Also Published As

Publication number Publication date
US20130069743A1 (en) 2013-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Grzyb et al. Real-time video rate imaging with a 1k-pixel THz CMOS focal plane array
Liu et al. A Multichannel THz Detector Using Integrated Bow‐Tie Antennas
WO2015175047A3 (en) Optically detected magnetic resonance imaging with an electromagnetic field resonator
MY174515A (en) Optical receiver and transceiver using the same
Takhedmit et al. A 2.45-GHz low cost and efficient rectenna
Gu et al. Analysis and experiment on the modulation sensitivity of Doppler radar vibration measurement
CN109473757A (zh) 一种宽频传输线芯片
Maestrojuan et al. USE of COC substrates for millimeter‐wave devices
RU2011140310A (ru) Высокочастотная волоноводная структура
CN205786306U (zh) 太赫兹近场探测器及其光电导天线
Dahlbäck et al. Compact 340 GHz homodyne transceiver modules for FMWC imaging radar arrays
Hao et al. Coherent wideband microwave channelizer based on dual optical frequency combs
CN103872461A (zh) 一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管太赫兹探测器天线
CN104467976A (zh) 一种可同时生成两种倍频因子毫米波信号的装置
CN204289675U (zh) 全频段覆盖太赫兹频段的耦合传输装置
CN207132907U (zh) 太赫兹波探测器
Yang et al. Research progress on terahertz communication technology
Shang et al. A− 78dBm sensitivity super-regenerative receiver at 96 GHz with quench-controlled metamaterial oscillator in 65nm CMOS
CN105305034B (zh) 带人工磁导体结构的高增益太赫兹天线
CN103943964A (zh) 一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管环形太赫兹探测器天线
Ahmed et al. Design of rectifying circuit and harmonic suppression antenna for RF energy harvesting
CN112289791B (zh) 用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件
Lisauskas et al. Terahertz detection and coherent imaging from 0.2 to 4.3 THz with silicon CMOS field-effect transistors
RU2496123C1 (ru) Маркер - субгармонический параметрический рассеиватель
KR20100073015A (ko) 광전도 안테나에 실리콘 볼렌즈가 일체화된 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20160328