RU2010137002A - Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений - Google Patents
Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010137002A RU2010137002A RU2010137002/05A RU2010137002A RU2010137002A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A RU 2010137002/05 A RU2010137002/05 A RU 2010137002/05A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- elements
- generator
- peltier module
- thermoelectric generator
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- H10W40/28—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Полупроводниковый материал с р- или n-проводимостью, содержащий соединение общей формулы (I) ! , ! где параметры имеют следующие значения: ! 0,1≤а≤0,9 ! n≥1 с n числом химических элементов, отличающихся от Sn и Pb, ! в каждом случае независимо ! 1 часть на млн ≤х1…xn≤0,05 ! А1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Hf, Mn, Ag, Ge с n=2 или A1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Mn, Ag с n=1 ! X представляет собой F, Cl, Br или I ! 0≤p≤1 ! 0≤q≤1 ! 0≤r≤0,01 ! -0,01≤z≤0,01 ! при условии, что а+х1+…+xn<1 и сумма х1…xn равна от 0,0005 до 0,1. ! 2. Полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что p=q=r=0. ! 3. Способ изготовления полупроводникового материала по одному из п.п.1 или 2, отличающийся тем, что материал изготавливают реакционным размолом или сплавлением смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов. ! 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сплавление осуществляют в индукционной печи. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы: ! (1) сплавление смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов с получением по меньшей мере четырехкомпонентного или трехкомпонентного соединения; ! (2) размол материала, полученного на этапе (1); ! (3) прессование или экструзия полученного на этапе (2) материала с получением формованных изделий и ! (4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3); ! 6. Термоэлектрический генератор или модуль Пельтье, содержащий полупроводниковый материал по одному из пп.1 и 2. ! 7. Применение термоэлектрического генератора или модуля Пельтье по п.6 в качестве теплового насоса, для кондиционирования сидений, автомобилей и зданий, в холодильниках и сушилках
Claims (8)
- Полупроводниковый материал с р- или n-проводимостью, содержащий соединение общей формулы (I)где параметры имеют следующие значения:0,1≤а≤0,9n≥1 с n числом химических элементов, отличающихся от Sn и Pb,в каждом случае независимо1 часть на млн ≤х1…xn≤0,05А1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Hf, Mn, Ag, Ge с n=2 или A1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Mn, Ag с n=1X представляет собой F, Cl, Br или I0≤p≤10≤q≤10≤r≤0,01-0,01≤z≤0,01при условии, что а+х1+…+xn<1 и сумма х1…xn равна от 0,0005 до 0,1.
- 2. Полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что p=q=r=0.
- 3. Способ изготовления полупроводникового материала по одному из п.п.1 или 2, отличающийся тем, что материал изготавливают реакционным размолом или сплавлением смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов.
- 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сплавление осуществляют в индукционной печи.
- 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы:(1) сплавление смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов с получением по меньшей мере четырехкомпонентного или трехкомпонентного соединения;(2) размол материала, полученного на этапе (1);(3) прессование или экструзия полученного на этапе (2) материала с получением формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3);
- 6. Термоэлектрический генератор или модуль Пельтье, содержащий полупроводниковый материал по одному из пп.1 и 2.
- 7. Применение термоэлектрического генератора или модуля Пельтье по п.6 в качестве теплового насоса, для кондиционирования сидений, автомобилей и зданий, в холодильниках и сушилках (бельевых), для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах разделения веществ, в качестве генератора для использования источников тепла или для охлаждения электронных компонентов.
- 8. Тепловой насос, охладитель, холодильник, сушилка (бельевая), генератор для использования источников тепла, генератор для преобразования тепловой энергии в электроэнергию, содержащий по меньшей мере один термоэлектрический генератор или модуль Пельтье по п.6.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP08151149 | 2008-02-07 | ||
| EP08151149.5 | 2008-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010137002A true RU2010137002A (ru) | 2012-03-20 |
Family
ID=40822924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010137002/05A RU2010137002A (ru) | 2008-02-07 | 2009-02-05 | Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8772622B2 (ru) |
| EP (1) | EP2250126A2 (ru) |
| JP (1) | JP5468554B2 (ru) |
| KR (1) | KR20110004362A (ru) |
| CN (1) | CN101965313A (ru) |
| CA (1) | CA2715040A1 (ru) |
| RU (1) | RU2010137002A (ru) |
| TW (1) | TW200950165A (ru) |
| WO (1) | WO2009098248A2 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2413042C2 (ru) * | 2006-03-16 | 2011-02-27 | Басф Се | Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения |
| WO2010108912A2 (de) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Basf Se | Selbstorganisierende thermoelektrische materialien |
| US8871175B2 (en) * | 2010-10-01 | 2014-10-28 | The Boeing Company | Nanomaterial having tunable infrared absorption characteristics and associated method of manufacture |
| CN102496676B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-09-10 | 遵义师范学院 | 铌掺杂铋-锑系低温热电材料及其制备方法 |
| KR102001062B1 (ko) | 2012-01-16 | 2019-10-01 | 삼성전자주식회사 | 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전장치 |
| KR101442018B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2014-09-24 | 국방과학연구소 | 알칼리 및 알칼리 토금속이 첨가된 화합물 및 이 화합물을 합성하여 제조되는 열전재료 |
| KR101760834B1 (ko) | 2015-10-07 | 2017-08-01 | 서울대학교산학협력단 | 칼코겐화합물 열전소재 및 이를 포함하는 열전소자 |
| JP7148635B2 (ja) * | 2018-12-04 | 2022-10-05 | 住友化学株式会社 | 化合物及び熱電変換材料 |
| WO2020116388A1 (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 住友化学株式会社 | 化合物及び熱電変換材料 |
| CN111517292A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-11 | 西华大学 | 一种碲化锡基热电材料及其制备方法 |
| TWI792310B (zh) * | 2021-05-13 | 2023-02-11 | 國立中興大學 | 高效能熱電材料 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3880674A (en) * | 1970-01-20 | 1975-04-29 | Rockwell International Corp | Thermoelectric elements and devices and process therefor |
| US4076572A (en) * | 1973-07-05 | 1978-02-28 | Hughes Aircraft Company | Crystal growth and anneal of lead tin telluride by recrystallization from a heterogeneous system |
| US5439528A (en) * | 1992-12-11 | 1995-08-08 | Miller; Joel | Laminated thermo element |
| CN1034252C (zh) * | 1993-05-06 | 1997-03-12 | 莎莫波尼克株式会社 | 热电式冷却装置、其所用半导体制备方法及热电式冷冻机 |
| JPH077186A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Idemitsu Material Kk | 熱電変換材料の製造法 |
| US5448109B1 (en) * | 1994-03-08 | 1997-10-07 | Tellurex Corp | Thermoelectric module |
| AU6783598A (en) | 1997-03-31 | 1998-10-22 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
| DE19955788A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
| JP2002026405A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 熱電材料の製造方法、熱電材料及び熱電材料製造装置 |
| US7179986B2 (en) * | 2002-05-08 | 2007-02-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Self-assembled quantum dot superlattice thermoelectric materials and devices |
| JP2007505028A (ja) * | 2003-09-12 | 2007-03-08 | ボード オブ トラスティース オペレイティング ミシガン ステイト ユニバーシティー | 銀を含有する熱電気的な合成物 |
| US7365265B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-04-29 | Delphi Technologies, Inc. | Thermoelectric materials comprising nanoscale inclusions to enhance seebeck coefficient |
| JP4630012B2 (ja) | 2004-06-30 | 2011-02-09 | 財団法人電力中央研究所 | 鉛・テルル系熱電材料および熱電素子 |
| DE102005027680A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines aus einem thermoelektrischen Trägermaterial mit thermischen Streuzentren bestehenden thermoelektrischen Werkstoffes und thermoelektrischer Werkstoff |
| RU2413042C2 (ru) * | 2006-03-16 | 2011-02-27 | Басф Се | Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения |
| WO2007104603A2 (de) | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Basf Se | Blei-germanium-telluride fuer thermoelektrische anwendungen |
| KR100904588B1 (ko) * | 2007-07-05 | 2009-06-25 | 삼성전자주식회사 | 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자 |
| JP5027061B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-09-19 | 株式会社東海理化電機製作所 | スイッチ装置 |
| SG174144A1 (en) * | 2009-02-25 | 2011-10-28 | Basf Se | Method for producing flexible metal contacts |
-
2009
- 2009-02-05 KR KR1020107019118A patent/KR20110004362A/ko not_active Ceased
- 2009-02-05 WO PCT/EP2009/051298 patent/WO2009098248A2/de not_active Ceased
- 2009-02-05 US US12/866,552 patent/US8772622B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-05 JP JP2010545461A patent/JP5468554B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-05 RU RU2010137002/05A patent/RU2010137002A/ru not_active Application Discontinuation
- 2009-02-05 CA CA2715040A patent/CA2715040A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-05 EP EP09708165A patent/EP2250126A2/de not_active Withdrawn
- 2009-02-05 CN CN2009801080848A patent/CN101965313A/zh active Pending
- 2009-02-06 TW TW098103903A patent/TW200950165A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110004362A (ko) | 2011-01-13 |
| WO2009098248A3 (de) | 2010-02-25 |
| CN101965313A (zh) | 2011-02-02 |
| TW200950165A (en) | 2009-12-01 |
| JP2011514666A (ja) | 2011-05-06 |
| US8772622B2 (en) | 2014-07-08 |
| US20110012069A1 (en) | 2011-01-20 |
| JP5468554B2 (ja) | 2014-04-09 |
| EP2250126A2 (de) | 2010-11-17 |
| CA2715040A1 (en) | 2009-08-13 |
| WO2009098248A2 (de) | 2009-08-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010137002A (ru) | Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений | |
| Sarbu et al. | A comprehensive review of solar thermoelectric cooling systems | |
| Shi et al. | On the design of high‐efficiency thermoelectric clathrates through a systematic cross‐substitution of framework elements | |
| Su et al. | Multi‐scale microstructural thermoelectric materials: transport behavior, non‐equilibrium preparation, and applications | |
| CN101946323B (zh) | 新型热电转换材料及其制备方法,以及使用该新型热电转换材料的热电转换元件 | |
| Luo et al. | Interdependent optimization strategies for material, module, and system designs in thermoelectric devices | |
| CN1864278A (zh) | 含银热电化合物 | |
| CN104247062B (zh) | 热电装置和热电冷却模块的制造方法以及使用该热电冷却模块的设备 | |
| JP2008512001A (ja) | 銀含有p型半導体 | |
| Talin et al. | Metal–organic frameworks for thermoelectric energy-conversion applications | |
| JP2009529799A (ja) | 熱電用途用のドープ処理テルル化鉛 | |
| US20130299754A1 (en) | Power factor enhanced thermoelectric material and method of producing same | |
| JP2011514666A5 (ru) | ||
| CN105612625B (zh) | 热电材料及其制造方法 | |
| JP6365950B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| CN104263986A (zh) | 一种超快速制备高性能SnTe基热电材料的方法 | |
| Tesfaye et al. | An overview of advanced chalcogenide thermoelectric materials and their applications | |
| Rogl et al. | Properties of HPT-processed large bulks of p-type skutterudite DD0. 7Fe3CoSb12 with ZT> 1.3 | |
| CN103924109B (zh) | 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的方法 | |
| Ivanov et al. | Progress in the Research on Promising High-Performance Thermoelectric Materials | |
| CN101359713A (zh) | 一种p型铕锌锑基热电材料及其制备方法 | |
| TWI546258B (zh) | 熱電材料及其製法 | |
| KR101629509B1 (ko) | 열전 재료 및 그 제조 방법 | |
| Maciá | Thermoelectric figure of merit of AlPdRe icosahedral quasicrystals: Composition-dependent effects | |
| KR101587784B1 (ko) | 복합재를 이용한 열전 소재 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20130708 |