[go: up one dir, main page]

RU2010137002A - Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений - Google Patents

Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений Download PDF

Info

Publication number
RU2010137002A
RU2010137002A RU2010137002/05A RU2010137002A RU2010137002A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A RU 2010137002/05 A RU2010137002/05 A RU 2010137002/05A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor material
elements
generator
peltier module
thermoelectric generator
Prior art date
Application number
RU2010137002/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Франк ХААСС (DE)
Франк ХААСС
Original Assignee
Басф Се (De)
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се (De), Басф Се filed Critical Басф Се (De)
Publication of RU2010137002A publication Critical patent/RU2010137002A/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/002Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007Tellurides or selenides of metals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
    • H10W40/28
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40Electric properties
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10Process efficiency
    • Y02P20/129Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Полупроводниковый материал с р- или n-проводимостью, содержащий соединение общей формулы (I) ! , ! где параметры имеют следующие значения: ! 0,1≤а≤0,9 ! n≥1 с n числом химических элементов, отличающихся от Sn и Pb, ! в каждом случае независимо ! 1 часть на млн ≤х1…xn≤0,05 ! А1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Hf, Mn, Ag, Ge с n=2 или A1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Mn, Ag с n=1 ! X представляет собой F, Cl, Br или I ! 0≤p≤1 ! 0≤q≤1 ! 0≤r≤0,01 ! -0,01≤z≤0,01 ! при условии, что а+х1+…+xn<1 и сумма х1…xn равна от 0,0005 до 0,1. ! 2. Полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что p=q=r=0. ! 3. Способ изготовления полупроводникового материала по одному из п.п.1 или 2, отличающийся тем, что материал изготавливают реакционным размолом или сплавлением смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов. ! 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сплавление осуществляют в индукционной печи. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы: ! (1) сплавление смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов с получением по меньшей мере четырехкомпонентного или трехкомпонентного соединения; ! (2) размол материала, полученного на этапе (1); ! (3) прессование или экструзия полученного на этапе (2) материала с получением формованных изделий и ! (4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3); ! 6. Термоэлектрический генератор или модуль Пельтье, содержащий полупроводниковый материал по одному из пп.1 и 2. ! 7. Применение термоэлектрического генератора или модуля Пельтье по п.6 в качестве теплового насоса, для кондиционирования сидений, автомобилей и зданий, в холодильниках и сушилках

Claims (8)

  1. Полупроводниковый материал с р- или n-проводимостью, содержащий соединение общей формулы (I)
    Figure 00000001
    ,
    где параметры имеют следующие значения:
    0,1≤а≤0,9
    n≥1 с n числом химических элементов, отличающихся от Sn и Pb,
    в каждом случае независимо
    1 часть на млн ≤х1…xn≤0,05
    А1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Hf, Mn, Ag, Ge с n=2 или A1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Mn, Ag с n=1
    X представляет собой F, Cl, Br или I
    0≤p≤1
    0≤q≤1
    0≤r≤0,01
    -0,01≤z≤0,01
    при условии, что а+х1+…+xn<1 и сумма х1…xn равна от 0,0005 до 0,1.
  2. 2. Полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что p=q=r=0.
  3. 3. Способ изготовления полупроводникового материала по одному из п.п.1 или 2, отличающийся тем, что материал изготавливают реакционным размолом или сплавлением смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов.
  4. 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сплавление осуществляют в индукционной печи.
  5. 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы:
    (1) сплавление смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов с получением по меньшей мере четырехкомпонентного или трехкомпонентного соединения;
    (2) размол материала, полученного на этапе (1);
    (3) прессование или экструзия полученного на этапе (2) материала с получением формованных изделий и
    (4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3);
  6. 6. Термоэлектрический генератор или модуль Пельтье, содержащий полупроводниковый материал по одному из пп.1 и 2.
  7. 7. Применение термоэлектрического генератора или модуля Пельтье по п.6 в качестве теплового насоса, для кондиционирования сидений, автомобилей и зданий, в холодильниках и сушилках (бельевых), для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах разделения веществ, в качестве генератора для использования источников тепла или для охлаждения электронных компонентов.
  8. 8. Тепловой насос, охладитель, холодильник, сушилка (бельевая), генератор для использования источников тепла, генератор для преобразования тепловой энергии в электроэнергию, содержащий по меньшей мере один термоэлектрический генератор или модуль Пельтье по п.6.
RU2010137002/05A 2008-02-07 2009-02-05 Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений RU2010137002A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP08151149 2008-02-07
EP08151149.5 2008-02-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010137002A true RU2010137002A (ru) 2012-03-20

Family

ID=40822924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010137002/05A RU2010137002A (ru) 2008-02-07 2009-02-05 Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8772622B2 (ru)
EP (1) EP2250126A2 (ru)
JP (1) JP5468554B2 (ru)
KR (1) KR20110004362A (ru)
CN (1) CN101965313A (ru)
CA (1) CA2715040A1 (ru)
RU (1) RU2010137002A (ru)
TW (1) TW200950165A (ru)
WO (1) WO2009098248A2 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2413042C2 (ru) * 2006-03-16 2011-02-27 Басф Се Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения
WO2010108912A2 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Basf Se Selbstorganisierende thermoelektrische materialien
US8871175B2 (en) * 2010-10-01 2014-10-28 The Boeing Company Nanomaterial having tunable infrared absorption characteristics and associated method of manufacture
CN102496676B (zh) * 2011-11-18 2014-09-10 遵义师范学院 铌掺杂铋-锑系低温热电材料及其制备方法
KR102001062B1 (ko) 2012-01-16 2019-10-01 삼성전자주식회사 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전장치
KR101442018B1 (ko) * 2013-04-10 2014-09-24 국방과학연구소 알칼리 및 알칼리 토금속이 첨가된 화합물 및 이 화합물을 합성하여 제조되는 열전재료
KR101760834B1 (ko) 2015-10-07 2017-08-01 서울대학교산학협력단 칼코겐화합물 열전소재 및 이를 포함하는 열전소자
JP7148635B2 (ja) * 2018-12-04 2022-10-05 住友化学株式会社 化合物及び熱電変換材料
WO2020116388A1 (ja) * 2018-12-04 2020-06-11 住友化学株式会社 化合物及び熱電変換材料
CN111517292A (zh) * 2020-04-30 2020-08-11 西华大学 一种碲化锡基热电材料及其制备方法
TWI792310B (zh) * 2021-05-13 2023-02-11 國立中興大學 高效能熱電材料

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3880674A (en) * 1970-01-20 1975-04-29 Rockwell International Corp Thermoelectric elements and devices and process therefor
US4076572A (en) * 1973-07-05 1978-02-28 Hughes Aircraft Company Crystal growth and anneal of lead tin telluride by recrystallization from a heterogeneous system
US5439528A (en) * 1992-12-11 1995-08-08 Miller; Joel Laminated thermo element
CN1034252C (zh) * 1993-05-06 1997-03-12 莎莫波尼克株式会社 热电式冷却装置、其所用半导体制备方法及热电式冷冻机
JPH077186A (ja) * 1993-06-16 1995-01-10 Idemitsu Material Kk 熱電変換材料の製造法
US5448109B1 (en) * 1994-03-08 1997-10-07 Tellurex Corp Thermoelectric module
AU6783598A (en) 1997-03-31 1998-10-22 Research Triangle Institute Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same
DE19955788A1 (de) 1999-11-19 2001-05-23 Basf Ag Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren
JP2002026405A (ja) * 2000-07-03 2002-01-25 Sanyo Electric Co Ltd 熱電材料の製造方法、熱電材料及び熱電材料製造装置
US7179986B2 (en) * 2002-05-08 2007-02-20 Massachusetts Institute Of Technology Self-assembled quantum dot superlattice thermoelectric materials and devices
JP2007505028A (ja) * 2003-09-12 2007-03-08 ボード オブ トラスティース オペレイティング ミシガン ステイト ユニバーシティー 銀を含有する熱電気的な合成物
US7365265B2 (en) * 2004-06-14 2008-04-29 Delphi Technologies, Inc. Thermoelectric materials comprising nanoscale inclusions to enhance seebeck coefficient
JP4630012B2 (ja) 2004-06-30 2011-02-09 財団法人電力中央研究所 鉛・テルル系熱電材料および熱電素子
DE102005027680A1 (de) * 2005-06-15 2006-12-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung eines aus einem thermoelektrischen Trägermaterial mit thermischen Streuzentren bestehenden thermoelektrischen Werkstoffes und thermoelektrischer Werkstoff
RU2413042C2 (ru) * 2006-03-16 2011-02-27 Басф Се Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения
WO2007104603A2 (de) 2006-03-16 2007-09-20 Basf Se Blei-germanium-telluride fuer thermoelektrische anwendungen
KR100904588B1 (ko) * 2007-07-05 2009-06-25 삼성전자주식회사 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자
JP5027061B2 (ja) * 2008-06-16 2012-09-19 株式会社東海理化電機製作所 スイッチ装置
SG174144A1 (en) * 2009-02-25 2011-10-28 Basf Se Method for producing flexible metal contacts

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110004362A (ko) 2011-01-13
WO2009098248A3 (de) 2010-02-25
CN101965313A (zh) 2011-02-02
TW200950165A (en) 2009-12-01
JP2011514666A (ja) 2011-05-06
US8772622B2 (en) 2014-07-08
US20110012069A1 (en) 2011-01-20
JP5468554B2 (ja) 2014-04-09
EP2250126A2 (de) 2010-11-17
CA2715040A1 (en) 2009-08-13
WO2009098248A2 (de) 2009-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010137002A (ru) Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений
Sarbu et al. A comprehensive review of solar thermoelectric cooling systems
Shi et al. On the design of high‐efficiency thermoelectric clathrates through a systematic cross‐substitution of framework elements
Su et al. Multi‐scale microstructural thermoelectric materials: transport behavior, non‐equilibrium preparation, and applications
CN101946323B (zh) 新型热电转换材料及其制备方法,以及使用该新型热电转换材料的热电转换元件
Luo et al. Interdependent optimization strategies for material, module, and system designs in thermoelectric devices
CN1864278A (zh) 含银热电化合物
CN104247062B (zh) 热电装置和热电冷却模块的制造方法以及使用该热电冷却模块的设备
JP2008512001A (ja) 銀含有p型半導体
Talin et al. Metal–organic frameworks for thermoelectric energy-conversion applications
JP2009529799A (ja) 熱電用途用のドープ処理テルル化鉛
US20130299754A1 (en) Power factor enhanced thermoelectric material and method of producing same
JP2011514666A5 (ru)
CN105612625B (zh) 热电材料及其制造方法
JP6365950B2 (ja) 熱電材料及びその製造方法
CN104263986A (zh) 一种超快速制备高性能SnTe基热电材料的方法
Tesfaye et al. An overview of advanced chalcogenide thermoelectric materials and their applications
Rogl et al. Properties of HPT-processed large bulks of p-type skutterudite DD0. 7Fe3CoSb12 with ZT> 1.3
CN103924109B (zh) 一种自蔓延燃烧合成超快速制备高性能CoSb3基热电材料的方法
Ivanov et al. Progress in the Research on Promising High-Performance Thermoelectric Materials
CN101359713A (zh) 一种p型铕锌锑基热电材料及其制备方法
TWI546258B (zh) 熱電材料及其製法
KR101629509B1 (ko) 열전 재료 및 그 제조 방법
Maciá Thermoelectric figure of merit of AlPdRe icosahedral quasicrystals: Composition-dependent effects
KR101587784B1 (ko) 복합재를 이용한 열전 소재 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20130708