[go: up one dir, main page]

RU2010129938A - Способ и устройство для удаления с несущей подложки обратимо монтируемой полупроводниковой пластины со сформированными приборами - Google Patents

Способ и устройство для удаления с несущей подложки обратимо монтируемой полупроводниковой пластины со сформированными приборами Download PDF

Info

Publication number
RU2010129938A
RU2010129938A RU2010129938/28A RU2010129938A RU2010129938A RU 2010129938 A RU2010129938 A RU 2010129938A RU 2010129938/28 A RU2010129938/28 A RU 2010129938/28A RU 2010129938 A RU2010129938 A RU 2010129938A RU 2010129938 A RU2010129938 A RU 2010129938A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
side wall
plate
annular retainer
contact
Prior art date
Application number
RU2010129938/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Джереми В. МАККАТЧЕОН (US)
Джереми В. МАККАТЧЕОН
Роберт Д. БРАУН (US)
Роберт Д. БРАУН
Original Assignee
Брюэр Сайенс Инк. (Us)
Брюэр Сайенс Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Брюэр Сайенс Инк. (Us), Брюэр Сайенс Инк. filed Critical Брюэр Сайенс Инк. (Us)
Publication of RU2010129938A publication Critical patent/RU2010129938A/ru

Links

Classifications

    • H10P10/128
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • B24B37/345Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/005Feeding or manipulating devices specially adapted to grinding machines
    • H10P52/403
    • H10P72/04
    • H10P72/0428
    • H10P72/74
    • H10P72/7448
    • H10P72/7606
    • H10P90/00
    • H10P72/7412
    • H10P72/7422
    • H10P72/744
    • H10P72/7442
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/918Delaminating processes adapted for specified product, e.g. delaminating medical specimen slide
    • Y10S156/93Semiconductive product delaminating, e.g. delaminating emiconductive wafer from underlayer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/934Apparatus having delaminating means adapted for delaminating a specified article
    • Y10S156/941Means for delaminating semiconductive product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
    • Y10T156/1168Gripping and pulling work apart during delaminating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1978Delaminating bending means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19Delaminating means
    • Y10T156/1978Delaminating bending means
    • Y10T156/1989Corner edge bending delaminating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

1. Кольцевой фиксатор для разделения соединенных подложек, где упомянутый кольцевой фиксатор имеет плоский корпус, главным образом, круглой формы и центральное отверстие, при этом упомянутый корпус содержит: ! круговую внутреннюю боковую стенку; ! круговую наружную боковую стенку; ! верхнюю поверхность, проходящую между внутренней боковой стенкой и наружной боковой стенкой; ! соприкасающуюся с пластиной поверхность, проходящую наружу от внутренней боковой стенки, причем упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в месте корпуса, которое находится на расстоянии от наружной боковой стенки; и ! проходящий внутрь круговой выступ, который имеет наклон внутрь от упомянутого места и на удалении от соприкасающейся с пластиной поверхности, ! при этом упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность и кольцевой выступ совместно образуют принимающую подложку выемку. ! 2. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором упомянутый корпус является кольцевым фиксатором с одной прорезью, имеющим два свободных конца. ! 3. Кольцевой фиксатор по п.1, упомянутый круговой выступ, заканчивается на свободном конце и имеет скошенную упорную поверхность, проходящую между свободным краем и местом, где соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в корпусе. !4. Кольцевой фиксатор по п.3, в котором упомянутая выемка имеет угол (θ), измеренный от соприкасающейся с пластиной поверхности до упорной поверхности ориентирующего выступа и составляющий от приблизительно 10° до приблизительно 90°. ! 5. Кольцевой фиксатор по п.3, в котором свободный конец кольцевого выступа не проходит внутрь за плоскость, определенную вну

Claims (50)

1. Кольцевой фиксатор для разделения соединенных подложек, где упомянутый кольцевой фиксатор имеет плоский корпус, главным образом, круглой формы и центральное отверстие, при этом упомянутый корпус содержит:
круговую внутреннюю боковую стенку;
круговую наружную боковую стенку;
верхнюю поверхность, проходящую между внутренней боковой стенкой и наружной боковой стенкой;
соприкасающуюся с пластиной поверхность, проходящую наружу от внутренней боковой стенки, причем упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в месте корпуса, которое находится на расстоянии от наружной боковой стенки; и
проходящий внутрь круговой выступ, который имеет наклон внутрь от упомянутого места и на удалении от соприкасающейся с пластиной поверхности,
при этом упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность и кольцевой выступ совместно образуют принимающую подложку выемку.
2. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором упомянутый корпус является кольцевым фиксатором с одной прорезью, имеющим два свободных конца.
3. Кольцевой фиксатор по п.1, упомянутый круговой выступ, заканчивается на свободном конце и имеет скошенную упорную поверхность, проходящую между свободным краем и местом, где соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в корпусе.
4. Кольцевой фиксатор по п.3, в котором упомянутая выемка имеет угол (θ), измеренный от соприкасающейся с пластиной поверхности до упорной поверхности ориентирующего выступа и составляющий от приблизительно 10° до приблизительно 90°.
5. Кольцевой фиксатор по п.3, в котором свободный конец кольцевого выступа не проходит внутрь за плоскость, определенную внутренней боковой стенкой, так что кольцевой выступ отклоняется наружу от внутренней боковой стенки.
6. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором упомянутый корпус включает множество частей, где каждая часть является унитарно сформированной.
7. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором упомянутый корпус сформирован из материала, выбранного из группы, состоящей из металлов, керамики, полимеров, композиционных материалов и их сочетаний.
8. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором упомянутый корпус имеет ширину “W”, измеренную от внутренней боковой стенки до наружной боковой стенки и составляющую от приблизительно 0,1 до приблизительно 50 мм.
9. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором внутренняя боковая стенка имеет толщину “t” от приблизительно 0,1 мм до приблизительно 15 мм.
10. Кольцевой фиксатор по п.1, в котором наружная боковая стенка имеет толщину “T” от приблизительно 0,1 мм до приблизительно 16 мм.
11.Комбинация:
фиксатора, имеющего плоский корпус, по существу, круглой формы, причем упомянутый корпус, включающий круговую принимающую пластину выемку; и
планарной подложки, имеющей удаленный край, определяющий периферию упомянутой подложки, причем по меньшей мере часть упомянутой периферии помещена в упомянутой принимающей пластину выемке.
12. Комбинация по п.11, в которой упомянутый фиксатор, кроме того, включает:
центральное отверстие;
круговую внутреннюю боковую стенку;
круговую наружную боковую стенку;
верхнюю поверхность, проходящую между внутренней боковой стенкой и наружной боковой стенкой;
соприкасающуюся с пластиной поверхность, проходящую снаружи от внутренней боковой стенки и заканчивающуюся в таком месте корпуса, которое находится на расстоянии от наружной боковой стенки; и
проходящий внутрь круговой выступ, который имеет наклон внутрь от упомянутого места и находится на удалении от соприкасающейся с пластиной поверхности,
при этом упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность и круговой выступ совместно образуют принимающую подложку выемку.
13. Комбинация по п.12, в которой упомянутая подложка, кроме того, включает фронтальную поверхность и заднюю поверхность, причем упомянутая фронтальная поверхность имеет центральный участок и периферический участок.
14. Комбинация по п.13, в которой упомянутый круговой уступ заканчивается в свободном конце, причем упомянутый круговой выступ имеет наклонную упорную поверхность, проходящую между свободным краем выступа и местом, где соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в корпусе, при этом обратная поверхность упомянутой подложки соприкасается с соприкасающейся с пластиной поверхностью корпуса, и удаленный край и периферический участок подложки соприкасаются с упорной поверхностью и свободным краем выступа.
15. Комбинация по п.12, в которой упомянутая подложка включает материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, стекла и керамики.
16. Способ временного соединения, включающий:
обеспечение пакета пластин, содержащего
первую подложку, имеющую тыльную поверхность и поверхность устройства, причем упомянутая поверхность устройства имеет центральный участок и периферический участок;
вторую подложку, присоединенную к упомянутой первой подложке, причем упомянутая вторая подложка имеет несущую поверхность, обратную поверхность и удаленный край, определяющий периферию второй подложки, и упомянутая несущая поверхность имеет периферический участок и центральный участок; и
разделение упомянутых первой и второй подложек, используя удаление слоя с приложением усилия к части периферии упомянутой второй подложки, заставляющего упомянутую вторую подложку сгибаться под углом от пакета, тем самым разделяя упомянутые первую подложку и вторую подложку.
17. Способ по п.16, в котором упомянутый пакет, кроме того, включает промежуточный слой между упомянутым первой подложкой и упомянутой второй подложкой.
18. Способ по п.17, в котором упомянутый промежуточный слой связан с упомянутой поверхностью устройства и с упомянутым периферическим участком упомянутой несущей поверхности, при этом упомянутый промежуточный слой и упомянутый центральный участок упомянутой несущей поверхности включают поверхность соединения с пониженным сцеплением между ними.
19. Способ по п. 18, в котором упомянутая поверхность соединения с пониженным сцеплением включает модифицирование поверхности упомянутого центрального участка упомянутой несущей поверхности.
20. Способ по п.18, в котором упомянутая поверхность соединения включает второй слой между упомянутым промежуточным слоем и упомянутым центральным участком упомянутой несущей поверхности.
21. Способ по п.20, в котором упомянутый второй слой выбирают из группы, состоящей из слоя с низкой прочностью сцепления и полимерного слоя.
22. Способ по п.17, в котором упомянутый промежуточный слой включает заполнитель, прилегающий к упомянутым центральным участкам и краевое соединение, прилегающее к упомянутым периферическим участкам.
23. Способ по п.17, в котором упомянутый промежуточный слой включает равномерный связующий слой.
24. Способ по п.17, дополнительно включающий механическое или химическое разрушение упомянутого промежуточного слоя, прилегающего к упомянутым периферийным участкам, для удаления по меньшей мере части упомянутого промежуточного слоя перед упомянутым разделением.
25. Способ по п.17, в котором упомянутая несущая поверхность включает модифицирование поверхности по рисунку, при этом упомянутый промежуточный слой связан с упомянутой поверхностью устройства и немодифицированными частями упомянутой несущей поверхности, причем упомянутый промежуточный слой и упомянутые части модифицированной поверхности упомянутой несущей поверхности включают поверхность соединения с пониженным сцеплением между ними.
26. Способ по п.16, в котором упомянутая поверхность устройства включает матрицу устройств, выбранных из группы, состоящей из интегральных схем; MEMS, микросенсоров; силовых полупроводниковых приборов, светодиодов, фотонных схем, планок-шифраторов, встроенных пассивных устройств и микроустройств, изготовленных на или из кремния, кремния-германия, арсенида галлия и нитрида галлия.
27. Способ по п.16, в котором упомянутая поверхность устройства включает по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из столбиковых выводов припоя, металлических контактных выводов, металлических столбиковых выводов, и структур, образованных из материала, выбранного из группы, состоящей из кремния, поликремния, диоксида кремния, кремния (окси) нитрида, металла, диэлектрика с низким k, нитридов металла и силицидов металла.
28. Способ по п.16, в котором упомянутая вторая подложка включает материал, выбранный из группы, состоящей из кремния, сапфира, кварца, металла, стекла и керамики.
29. Способ по п.16, дополнительно включающий подвергание упомянутого пакета пластин обработке, выбранной из группы, состоящей из шлифования, химико-механического полирования, травления, осаждения металла и диэлектрика, формирования рельефа, пассивирования, отжига и их комбинаций перед разделением упомянутых первой и упомянутой второй подложек.
30. Способ по п.16, в котором упомянутое разделение осуществляют с использованием кольцевого фиксатора, имеющего плоский корпус, по существу, круглой формы, определяющий периферию упомянутого кольцевого фиксатора, и центральное отверстие, при этом упомянутый кольцевой фиксатор закреплен вокруг периферии второй подложки, и упомянутое усилие прикладывают только к части периферии упомянутого кольцевого фиксатора, тем самым поднимая соответствующую часть периферии второй подложки от пакета пластин при упомянутом удалении слоя.
31. Способ по п.30, в котором упомянутый корпус включает:
круговую внутреннюю боковую стенку;
круговую наружную боковую стенку;
верхнюю поверхность, проходящую между внутренней боковой стенкой и наружной боковой стенкой;
соприкасающуюся с пластиной поверхность, проходящую наружу от внутренней боковой стенки, причем упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в таком месте корпуса, которое размещено на расстоянии от наружной боковой стенки; и
проходящий внутрь круговой выступ, который имеет наклон внутрь от упомянутого места и находится на удалении от соприкасающейся с пластиной поверхностью,
при этом упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность и круговой выступ совместно образуют принимающую пластину выемку, и по меньшей мере часть периферии упомянутой второй подложки помещена в упомянутой выемке.
32. Способ по п.31, в котором упомянутый корпус выполнен в виде разрезанного кольцевого фиксатора, имеющего два свободных конца.
33. Способ по п.32, в котором упомянутый кольцевой фиксатор закрепляют вокруг периферии упомянутой второй подложки посредством:
перемещения упомянутых свободных концов друг от друга, увеличивая тем самым центральное отверстие упомянутого корпуса;
размещения упомянутого кольцевого фиксатора вокруг периферии второй подложки; и
приближения упомянутых свободных концов навстречу друг другу для того, чтобы, сжимая, захватить вторую подложку, перед упомянутым разделением,
при этом круговой выступ упомянутого кольцевого фиксатора заканчивается на свободном конце и имеет наклонную упорную поверхность, проходящую между свободным концом и местом, где соприкасающаяся с пластиной поверхность заканчивается в корпусе, причем задняя поверхность упомянутой второй подложки соединяется с соприкасающейся с пластиной поверхностью корпуса, и удаленный конец и периферический участок второй подложки соединяются с помощью упора и свободного края выступа.
34. Способ по п.33, в котором упомянутый кольцевой фиксатор захватывает по меньшей мере 1° периферии упомянутой второй подложки.
35. Способ по п.31, в котором упомянутый кольцевой фиксатор не контактирует с упомянутой первой подложкой.
36. Способ по п.16, в котором первую подложку упомянутого пакета пластин прикрепляют к держателю перед разделением с упомянутой подложкой.
37. Способ по п.36, в котором упомянутая первая подложка прикреплена к упомянутому держателю посредством электростатической силы, вакуумной силы, магнитной силы, механической силы, физического зажима или слоя клеевой пленки между упомянутым держателем и упомянутой первой подложкой.
38. Способ по п.36, в котором упомянутый держатель перемещают в направлении от второй подложки в процессе упомянутого разделения.
39. Способ по п.16, в котором упомянутое разделение осуществляют с использованием гибкого держателя, имеющего периферию, при этом упомянутая вторая подложка прикреплена к гибкому держателю, и упомянутое усилие прикладывают только к части периферии упомянутого гибкого держателя, поднимая тем самым соответствующую часть периферии упомянутой второй подложки от пакета пластин при упомянутом отделении слоя.
40. Способ по п.16, в котором упомянутое разделение осуществляют с использованием адгезионной пленки, имеющей периферию, при этом упомянутая вторая подложка прикреплена к упомянутой адгезивной пленке, и упомянутое усилие прикладывают только к части упомянутой адгезивной пленки, поднимая тем самым соответствующую часть периферии упомянутой второй подложки от пакета пластин при упомянутом отделении слоя.
41. Способ формирования временно соединенной структуры кремниевых пластин, при этом упомянутый способ включает:
предоставление первой подложки, имеющей фронтальную и тыльную поверхности;
формирование связующего слоя на упомянутой фронтальной поверхности упомянутой первой подложки;
предоставление второй подложки, имеющей фронтальную и тыльную поверхности, причем упомянутая фронтальная поверхность имеет участок модифицированной поверхности, участок немодифицированной поверхности и опциональную маску, прилегающую к участку немодифицированной поверхности; и
контактирование упомянутой фронтальной поверхности упомянутой второй подложки с упомянутым связующим слоем на упомянутой первой подложке, формируя тем самым упомянутую временно соединенную структуру, причем упомянутый связующий слой и упомянутый участок с модифицированной поверхностью упомянутой второй подложки включают поверхность соединения с пониженным сцеплением между ними.
42. Способ по п.41, в котором упомянутый участок модифицированной поверхности включает рельеф.
43. Способ по п. 42, в котором упомянутый рельеф выбирают из группы, состоящей из решеток, линий и форм.
44. Способ по п.41, в котором упомянутая фронтальная поверхность имеет периферический участок и центральный участок, причем упомянутый центральный участок включает упомянутый участок модифицированной поверхности, и упомянутая маска расположена рядом с упомянутым периферическим участком.
45. Способ по п.44, в котором упомянутый участок модифицированной поверхности включает рельеф.
46. Способ по п. 44, в котором упомянутое предоставление упомянутой второй подложки включает:
формирование маски на упомянутом периферическом участке;
осаждение композиции, модифицирующей поверхность, на упомянутом центральном участке для получения на выходе упомянутого центрального участка с модифицированной поверхностью; и
опционально, удаление упомянутой маски, освобождая тем самым упомянутый периферический участок.
47. Способ по п.41, в котором присутствует упомянутая маска, при этом упомянутый связующий слой соединен с упомянутой маской.
48. Способ по п.41, в котором упомянутое контактирование осуществляют под воздействием нагрева и давления, при этом упомянутую маску отливают в упомянутый связующий слой для создания однородного связующего слоя.
49. Способ по п.41, в котором упомянутая маска не присутствует, и упомянутый связующий слой соединен с упомянутым немодифицированным участком упомянутой второй подложки.
50. Зажим дискообразной формы для разделения соединенных подложек, причем упомянутый зажим имеет сплошной плоский корпус, по существу, круглой формы, и упомянутый корпус включает:
круговую наружную боковую стенку, определяющую наружный диаметр упомянутого корпуса;
верхнюю поверхность, проходящую на весь диаметр между упомянутой наружной боковой стенкой;
соприкасающуюся с пластиной поверхность, проходящую между местом в корпусе, которое расположено на расстоянии от наружной боковой стенки; и
проходящий внутрь круговой выступ, который имеет наклон внутрь от упомянутого места и находится на удалении от соприкасающейся с пластиной поверхности,
при этом упомянутая соприкасающаяся с пластиной поверхность и круговой выступ совместно образуют принимающую пластину выемку.
RU2010129938/28A 2010-06-21 2010-07-16 Способ и устройство для удаления с несущей подложки обратимо монтируемой полупроводниковой пластины со сформированными приборами RU2010129938A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/819,680 US8852391B2 (en) 2010-06-21 2010-06-21 Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate
US12/819,680 2010-06-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010129938A true RU2010129938A (ru) 2012-01-27

Family

ID=42937080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010129938/28A RU2010129938A (ru) 2010-06-21 2010-07-16 Способ и устройство для удаления с несущей подложки обратимо монтируемой полупроводниковой пластины со сформированными приборами

Country Status (13)

Country Link
US (1) US8852391B2 (ru)
EP (2) EP2398040B1 (ru)
JP (2) JP5111573B2 (ru)
KR (1) KR101239282B1 (ru)
CN (1) CN102290367B (ru)
AT (3) AT510068B1 (ru)
CA (1) CA2709626A1 (ru)
DE (1) DE102010027703B4 (ru)
IL (1) IL207044A (ru)
RU (1) RU2010129938A (ru)
SG (1) SG177039A1 (ru)
TW (1) TWI495030B (ru)
WO (1) WO2011162778A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217976U1 (ru) * 2023-02-14 2023-04-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Многофункциональное устройство для соединения полупроводниковых пластин

Families Citing this family (144)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8120168B2 (en) * 2006-03-21 2012-02-21 Promerus Llc Methods and materials useful for chip stacking, chip and wafer bonding
DE202009018064U1 (de) * 2008-01-24 2010-12-02 Brewer Science, Inc. Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US8950459B2 (en) 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
FR2957190B1 (fr) * 2010-03-02 2012-04-27 Soitec Silicon On Insulator Procede de realisation d'une structure multicouche avec detourage par effets thermomecaniques.
CN102812546B (zh) * 2010-03-31 2015-08-26 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 制造双面装备有芯片的晶片的方法
US9263314B2 (en) 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
WO2012112937A2 (en) 2011-02-18 2012-08-23 Applied Materials, Inc. Method and system for wafer level singulation
US8679945B2 (en) * 2011-03-04 2014-03-25 Texas Instruments Incorporated Backgrind process for integrated circuit wafers
KR20150108428A (ko) * 2011-04-11 2015-09-25 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 가요성의 캐리어 마운트 및 캐리어 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법
JP2013008915A (ja) * 2011-06-27 2013-01-10 Toshiba Corp 基板加工方法及び基板加工装置
US9827757B2 (en) 2011-07-07 2017-11-28 Brewer Science Inc. Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces
US8940104B2 (en) 2011-08-02 2015-01-27 Brewer Science Inc. Cleaning composition for temporary wafer bonding materials
JP5762213B2 (ja) * 2011-08-15 2015-08-12 株式会社ディスコ 板状物の研削方法
JP5421967B2 (ja) * 2011-09-07 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP5962395B2 (ja) * 2011-09-28 2016-08-03 Jsr株式会社 基材の仮固定方法、半導体装置および仮固定用組成物
DE102011114559B4 (de) * 2011-09-30 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement umfassend eine Haftschicht, Verfahren zur Herstellung einer Haftschicht in einem optoelektronischen Bauelement und Verwendung eines Klebstoffes zur Bildung von Haftschichten in optoelektronischen Bauelementen
JP2015505164A (ja) * 2011-12-22 2015-02-16 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 可撓性の基板保持装置、第1の基板を剥離する装置及び方法
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
DE102012101237A1 (de) 2012-02-16 2013-08-22 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zum temporären Verbinden eines Produktsubstrats mit einem Trägersubstrat
KR101223633B1 (ko) * 2012-02-20 2013-01-17 코스텍시스템(주) 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 처리방법
US20150047783A1 (en) * 2012-03-19 2015-02-19 Ev Group E. Thallner Gmbh Pressure transfer plate for pressure transfer of a bonding pressure
US9127126B2 (en) 2012-04-30 2015-09-08 Brewer Science Inc. Development of high-viscosity bonding layer through in-situ polymer chain extension
JP5770677B2 (ja) 2012-05-08 2015-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US8845854B2 (en) * 2012-07-13 2014-09-30 Applied Materials, Inc. Laser, plasma etch, and backside grind process for wafer dicing
CN103035580B (zh) * 2012-07-24 2015-06-03 上海华虹宏力半导体制造有限公司 应用于薄硅片的临时键合和解离工艺方法
JP5639280B2 (ja) * 2012-08-10 2014-12-10 積水化学工業株式会社 ウエハの処理方法
KR102007042B1 (ko) * 2012-09-19 2019-08-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 박리 장치
JP5870000B2 (ja) * 2012-09-19 2016-02-24 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP6076856B2 (ja) * 2013-08-09 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5875962B2 (ja) * 2012-09-19 2016-03-02 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
JP5975528B2 (ja) * 2012-10-11 2016-08-23 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
US9269623B2 (en) 2012-10-25 2016-02-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Ephemeral bonding
US10714378B2 (en) 2012-11-15 2020-07-14 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device package and manufacturing method thereof
US9136159B2 (en) * 2012-11-15 2015-09-15 Amkor Technology, Inc. Method and system for a semiconductor for device package with a die-to-packaging substrate first bond
US9040349B2 (en) 2012-11-15 2015-05-26 Amkor Technology, Inc. Method and system for a semiconductor device package with a die to interposer wafer first bond
DE102012111167A1 (de) * 2012-11-20 2014-05-22 Aixtron Se Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger
JP6088230B2 (ja) * 2012-12-05 2017-03-01 東京応化工業株式会社 積層体の形成方法
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
DE102013100563A1 (de) * 2013-01-21 2014-07-24 Ev Group E. Thallner Gmbh Aufnahmeeinrichtung zur Handhabung strukturierter Substrate
KR102077248B1 (ko) 2013-01-25 2020-02-13 삼성전자주식회사 기판 가공 방법
WO2014137801A1 (en) * 2013-03-03 2014-09-12 John Moore Temporary adhesive with tunable adhesion force sufficient for processing thin solid materials
JP5610328B1 (ja) * 2013-03-14 2014-10-22 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP5921473B2 (ja) * 2013-03-21 2016-05-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP6214182B2 (ja) * 2013-03-25 2017-10-18 東京応化工業株式会社 基板の処理方法
US9399827B2 (en) * 2013-04-29 2016-07-26 Applied Materials, Inc. Microelectronic substrate electro processing system
KR102082271B1 (ko) * 2013-05-24 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 캐리어기판 분리 시스템 및 분리 방법
CN103280423A (zh) * 2013-05-29 2013-09-04 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种机械式拆键合工艺及系统
JP2015013337A (ja) * 2013-07-04 2015-01-22 リンテック株式会社 搬送方法及び搬送装置
US20150129017A1 (en) * 2013-07-08 2015-05-14 Solexel, Inc. Thin film solar cell lamination stack for high volume manufacturing
US8962449B1 (en) * 2013-07-30 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for processing semiconductor devices
US10103048B2 (en) 2013-08-28 2018-10-16 Brewer Science, Inc. Dual-layer bonding material process for temporary bonding of microelectronic substrates to carrier substrates
CN103426808B (zh) * 2013-09-05 2016-04-13 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 用于临时键合的载片结构以及键合与拆键合方法
US10510576B2 (en) * 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
US9315696B2 (en) 2013-10-31 2016-04-19 Dow Global Technologies Llc Ephemeral bonding
KR101482461B1 (ko) 2013-12-20 2015-01-13 주식회사 포스코 에지 품질이 우수한 오스테나이트계 스테인리스 박판의 제조방법
CN106068551B (zh) * 2014-01-07 2019-12-17 布鲁尔科技公司 用于暂时性晶片粘结方法的环状烯烃聚合物组合物和聚硅氧烷剥离层
US9865490B2 (en) * 2014-01-07 2018-01-09 Brewer Science Inc. Cyclic olefin polymer compositions and polysiloxane release layers for use in temporary wafer bonding processes
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034644A2 (en) * 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2015156891A2 (en) 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
WO2015113591A1 (de) * 2014-01-28 2015-08-06 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats
CN106165074B (zh) * 2014-03-19 2020-05-12 三星电子株式会社 制造半导体装置的方法
DE102014205885B3 (de) * 2014-03-28 2015-03-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden von Substraten und anschließendem Lösen der stoffschlüssigen Verbindung, Verbundsystem und dessen Verwendung
JP2017518954A (ja) 2014-04-09 2017-07-13 コーニング インコーポレイテッド デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法
TWI521082B (zh) * 2014-04-15 2016-02-11 友達光電股份有限公司 操作裝置及其操作方法
US9379069B2 (en) * 2014-04-25 2016-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor arrangement comprising transmission line surrounded by magnetic layer
DE102014106100A1 (de) 2014-04-30 2015-11-05 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Vergleichmäßigen eines Substratstapels
JP6216727B2 (ja) * 2014-05-08 2017-10-18 東京応化工業株式会社 支持体分離方法
JP2017518638A (ja) 2014-05-13 2017-07-06 アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・フォー・アンド・オン・ビハーフ・オブ・アリゾナ・ステイト・ユニバーシティArizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University 電子デバイスを提供する方法およびその電子デバイス
JP6344971B2 (ja) * 2014-05-16 2018-06-20 株式会社ディスコ サポートプレート、サポートプレートの形成方法及びウェーハの加工方法
JP6297924B2 (ja) * 2014-05-29 2018-03-20 リンテック株式会社 接着剤層除去装置および接着剤層除去方法
US10147630B2 (en) * 2014-06-11 2018-12-04 John Cleaon Moore Sectional porous carrier forming a temporary impervious support
US9716023B2 (en) * 2014-07-15 2017-07-25 Micron Technology, Inc. Methods for temporarily bonding a device wafer to a carrier wafer, and related assemblies
US10978334B2 (en) * 2014-09-02 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Sealing structure for workpiece to substrate bonding in a processing chamber
DE102014116276A1 (de) * 2014-11-07 2016-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Epitaxie-Wafer, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Epitaxie-Wafers und eines Bauelements
JP6375554B2 (ja) * 2014-11-12 2018-08-22 Agc株式会社 基板の剥離装置及び剥離方法
CN104485294A (zh) * 2014-12-12 2015-04-01 浙江中纳晶微电子科技有限公司 一种晶圆临时键合及分离方法
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
DE102015100863B4 (de) 2015-01-21 2022-03-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Handhabung eines Produktsubstrats und ein verklebtes Substratsystem
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
CN105990123B (zh) * 2015-02-27 2019-05-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆减薄方法
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
EP3297824A1 (en) 2015-05-19 2018-03-28 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
JP6546783B2 (ja) * 2015-05-21 2019-07-17 東京応化工業株式会社 積層体の製造方法及び支持体分離方法
KR102524620B1 (ko) 2015-06-26 2023-04-21 코닝 인코포레이티드 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들
JP6873986B2 (ja) 2015-10-30 2021-05-19 コーニング インコーポレイテッド 第2基板に接合された第1基板を加工する方法
US10050012B2 (en) * 2015-11-25 2018-08-14 International Business Machines Corporation Method for semiconductor die removal rework
CN105690974B (zh) * 2016-01-21 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性薄膜贴合与剥离方法、柔性基板制备方法、衬底基板
TW201737766A (zh) * 2016-01-21 2017-10-16 康寧公司 處理基板的方法
JP6305447B2 (ja) * 2016-01-28 2018-04-04 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー キャリア基板を外すための屈曲可能なキャリア台、デバイス、および方法
KR102493462B1 (ko) 2016-02-11 2023-01-30 삼성전자 주식회사 반도체 칩 적층을 위한 장치
DE102016106351A1 (de) * 2016-04-07 2017-10-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate
KR102389537B1 (ko) 2016-07-29 2022-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) * 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
DE102016114949B4 (de) 2016-08-11 2023-08-24 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
TWI892429B (zh) 2016-08-30 2025-08-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI821867B (zh) 2016-08-31 2023-11-11 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
US20180068843A1 (en) * 2016-09-07 2018-03-08 Raytheon Company Wafer stacking to form a multi-wafer-bonded structure
RU2645151C1 (ru) * 2016-10-31 2018-02-16 Акционерное общество "Авиаавтоматика" имени В.В. Тарасова" Способ изготовления микроэлектронного узла
DE102016222063A1 (de) 2016-11-10 2018-05-17 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
WO2018093653A1 (en) * 2016-11-15 2018-05-24 Corning Incorporated Apparatus and method for processing the apparatus
JP6469070B2 (ja) * 2016-12-21 2019-02-13 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 第1の基板を第2の基板から剥離する方法および可撓性の基板保持装置の使用
CN108242393B (zh) * 2016-12-23 2021-04-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制造方法
DE102017205635A1 (de) 2017-04-03 2018-10-04 3D-Micromac Ag Verfahren und Fertigungssystem zur Herstellung mikroelektronischer Komponenten mit Schichtaufbau
US9825000B1 (en) * 2017-04-24 2017-11-21 International Test Solutions, Inc. Semiconductor wire bonding machine cleaning device and method
WO2019036710A1 (en) 2017-08-18 2019-02-21 Corning Incorporated TEMPORARY BINDING USING POLYCATIONIC POLYMERS
US10300649B2 (en) 2017-08-29 2019-05-28 Raytheon Company Enhancing die flatness
US10384434B2 (en) 2017-08-31 2019-08-20 Industrial Technology Research Institute Separating device and separating method
FR3074608B1 (fr) 2017-12-05 2019-12-06 Soitec Procede de preparation d'un residu de substrat donneur, substrat obtenu a l'issu de ce procede, et utilisation d'un tel susbtrat
CN111615567B (zh) 2017-12-15 2023-04-14 康宁股份有限公司 用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法
US10446431B2 (en) * 2017-12-27 2019-10-15 Micron Technology, Inc. Temporary carrier debond initiation, and associated systems and methods
US11101158B1 (en) * 2018-08-08 2021-08-24 United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa Wafer-scale membrane release laminates, devices and processes
JP7187112B2 (ja) * 2018-08-13 2022-12-12 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7317482B2 (ja) * 2018-10-16 2023-07-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US11024501B2 (en) * 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
JP7229787B2 (ja) * 2019-01-18 2023-02-28 東洋紡株式会社 固定部材、フレキシブル電子デバイスの製造方法、積層体及び印刷装置
JP7146354B2 (ja) * 2019-01-22 2022-10-04 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
US11222864B2 (en) * 2019-01-28 2022-01-11 Amerasia International Technology Semiconductor wafer processing arrangement employing an adhesive sheet and method for processing a semiconductor wafer
US10847569B2 (en) 2019-02-26 2020-11-24 Raytheon Company Wafer level shim processing
CN112233987B (zh) * 2019-07-15 2022-11-01 矽磐微电子(重庆)有限公司 芯片封装结构的制作方法
JP7262903B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
JP7262904B2 (ja) * 2019-08-26 2023-04-24 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
KR102298227B1 (ko) * 2019-08-30 2021-09-06 주식회사 엘트린 디본딩 장치.
FR3103313B1 (fr) * 2019-11-14 2021-11-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de démontage d’un empilement d’au moins trois substrats
US11189518B2 (en) * 2019-11-15 2021-11-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of processing a semiconductor wafer
US11894245B2 (en) * 2020-04-29 2024-02-06 Semiconductor Components Industries, Llc Non-planar semiconductor packaging systems and related methods
JP7511980B2 (ja) * 2020-07-21 2024-07-08 株式会社ディスコ キャリア板の除去方法
CN112071781B (zh) * 2020-09-11 2024-12-27 北京华卓精科科技股份有限公司 一种解键合装置及方法
US11587795B2 (en) * 2020-09-28 2023-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Planarization apparatus including superstrate chuck with bendable periphery
CA3194224A1 (en) * 2020-10-06 2022-04-14 Francis Zaato Techniques for fabricating and separating flexible microelectronics devices from rigid substrates
CN114220733B (zh) * 2021-12-06 2025-01-10 浙江光特科技有限公司 一种晶圆的处理方法
CN114937615B (zh) * 2022-05-31 2024-12-24 浙江禾芯集成电路有限公司 一种超薄片级晶圆的封装结构的实现方法
CN115458445A (zh) * 2022-09-29 2022-12-09 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种拆键合装置及方法
TWI869824B (zh) * 2023-04-19 2025-01-11 力晶積成電子製造股份有限公司 晶圓的處理方法
US20240359329A1 (en) * 2023-04-26 2024-10-31 Asmpt Singapore Pte. Ltd. Picking an electronic component from a reusable adhesive tape
EP4637278A1 (en) * 2024-04-16 2025-10-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Method of dismantling electronic stack

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3970494A (en) 1975-04-18 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Method for adhering one surface to another
US4474942A (en) 1982-06-28 1984-10-02 Takeda Chemical Industries, Ltd. Cross-linked polyesteramide from bis(2-oxazoline)
GB8320270D0 (en) 1983-07-27 1983-09-01 Raychem Ltd Polymer composition
US4558114A (en) 1985-01-23 1985-12-10 Ashland Oil, Inc. Polymers derived from polyisocyanates, bicyclic amide acetals and oxazolines
US4710542A (en) 1986-05-16 1987-12-01 American Cyanamid Company Alkylcarbamylmethylated amino-triazine crosslinking agents and curable compositions containing the same
US4855170A (en) 1986-08-21 1989-08-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive tape construction incorporating resilient polymeric microspheres
NL8902683A (nl) 1989-10-31 1991-05-16 Stamicarbon Meerkomponentensysteem op basis van een oxazoline en een fosfor bevattende verbinding.
US5043250A (en) 1990-07-17 1991-08-27 Eastman Kodak Company Radiation-sensitive composition containing a poly (N-acyl-alkyleneimine) and use thereof in lithographic printing plates
US5195729A (en) 1991-05-17 1993-03-23 National Semiconductor Corporation Wafer carrier
JPH0645436A (ja) 1992-07-22 1994-02-18 Nec Corp 半導体基板の貼付方法
JPH074794A (ja) 1993-03-30 1995-01-10 Toshiba Corp 空気調和装置
JP3656254B2 (ja) 1994-02-28 2005-06-08 三菱住友シリコン株式会社 接着ウエーハの剥離方法及び剥離装置
US5654226A (en) 1994-09-07 1997-08-05 Harris Corporation Wafer bonding for power devices
JPH08139154A (ja) * 1994-11-10 1996-05-31 Fujitsu Ltd ウェハハンドリング方法及び装置
US6342434B1 (en) 1995-12-04 2002-01-29 Hitachi, Ltd. Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier
JPH09263500A (ja) 1996-01-22 1997-10-07 Komatsu Electron Metals Co Ltd 貼り合わせsoiウェーハの剥がし治具
DE19628393A1 (de) 1996-07-13 1998-01-15 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zum Schutz des Rands eines Wafers vor einer ätzenden Flüssigkeit und Verfahren zur Montage der Vorrichtung
US6054363A (en) 1996-11-15 2000-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor article
EP0849788B1 (en) 1996-12-18 2004-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing semiconductor article by making use of a substrate having a porous semiconductor layer
CA2278736A1 (en) 1997-01-30 1998-08-06 Mitsui Chemicals, Incorporated Hot melt adhesive composition
EP1029346A4 (en) 1997-08-22 2006-01-18 Vertical Circuits Inc VERTICAL CONNECTION PROCESS FOR SILICON SEGMENTS WITH THERMAL-LEADING EPOXY COMPONENTS
US6110999A (en) 1998-03-06 2000-08-29 Denovus Llc Reusable adhesive composition and method of making the same
KR100304197B1 (ko) 1998-03-30 2001-11-30 윤종용 소이제조방법
JP2000061936A (ja) * 1998-08-24 2000-02-29 Fujisawa Sangyo Kk シリコンウェ−ハの保持具
KR100509059B1 (ko) 1998-09-12 2005-11-22 엘지전자 주식회사 플렉시블인쇄회로기판의제조방법및그방법으로생산한플렉시블인쇄회로기판
FR2783970B1 (fr) 1998-09-25 2000-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif autorisant le traitement d'un substrat dans une machine prevue pour traiter de plus grands substrats et systeme de montage d'un substrat dans ce dispositif
FR2785217B1 (fr) 1998-10-30 2001-01-19 Soitec Silicon On Insulator Procede et dispositif pour separer en deux tranches une plaque de materiau notamment semi-conducteur
ATE389237T1 (de) 1998-12-02 2008-03-15 Newport Corp Armgreiforgan für probehalteroboter
JP2000208252A (ja) 1999-01-14 2000-07-28 Tdk Corp 有機el素子
FR2796491B1 (fr) * 1999-07-12 2001-08-31 Commissariat Energie Atomique Procede de decollement de deux elements et dispositif pour sa mise en oeuvre
US6350664B1 (en) 1999-09-02 2002-02-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20020137859A1 (en) 2000-04-13 2002-09-26 Kiyohiko Yokota Process for producing alpha-olefin/aromatic vinyl copolymer
US20030168158A1 (en) 2000-08-22 2003-09-11 Takeyoshi Kato Method of film laminating
US6491083B2 (en) * 2001-02-06 2002-12-10 Anadigics, Inc. Wafer demount receptacle for separation of thinned wafer from mounting carrier
JP2002237516A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Seiko Epson Corp ウェハ保護ケース
US20020115263A1 (en) 2001-02-16 2002-08-22 Worth Thomas Michael Method and related apparatus of processing a substrate
US6660330B2 (en) 2001-04-10 2003-12-09 International Business Machines Corporation Method for depositing metal films onto substrate surfaces utilizing a chamfered ring support
FR2823596B1 (fr) 2001-04-13 2004-08-20 Commissariat Energie Atomique Substrat ou structure demontable et procede de realisation
DE10121115A1 (de) 2001-04-28 2002-10-31 Leica Microsystems Haltevorrichtung für Wafer
US6543808B1 (en) 2001-07-05 2003-04-08 Translucent Technologies, Llc Direct thermal printable pull tabs
DE10137375A1 (de) 2001-07-31 2003-02-27 Infineon Technologies Ag Verwendung von Polybenzoxazolen (PBO) zum Kleben
EP1295926A1 (en) 2001-09-19 2003-03-26 ExxonMobil Chemical Patents Inc. Components for adhesive compositions and process for manufacture
JP2003124167A (ja) * 2001-10-10 2003-04-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd ウエハ支持部材及びこれを用いる両頭研削装置
JP3957506B2 (ja) 2001-12-26 2007-08-15 Necエレクトロニクス株式会社 基板表面保護シート貼り付け装置および貼り付け方法
KR20050006120A (ko) 2002-05-13 2005-01-15 제이에스알 가부시끼가이샤 고체의 일시적 고정을 위한 조성물 및 방법
US7378332B2 (en) 2002-05-20 2008-05-27 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Laminated substrate, method of manufacturing the substrate, and wafer outer periphery pressing jigs used for the method
JP4565804B2 (ja) 2002-06-03 2010-10-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 被研削基材を含む積層体、その製造方法並びに積層体を用いた極薄基材の製造方法及びそのための装置
JP2004079613A (ja) * 2002-08-12 2004-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハ移し替え装置
JP4074794B2 (ja) 2002-08-30 2008-04-09 ソタジャパン有限会社 ゲルマニウム合金−シリカ複合体を用いた装身具
US7608336B2 (en) 2002-11-28 2009-10-27 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Flame-retardant epoxy resin composition and cured product obtained therefrom
JP4593068B2 (ja) 2002-11-29 2010-12-08 古河電気工業株式会社 半導体ウエハー固定用粘着テープ
US7187162B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Tools and methods for disuniting semiconductor wafers
US6869894B2 (en) 2002-12-20 2005-03-22 General Chemical Corporation Spin-on adhesive for temporary wafer coating and mounting to support wafer thinning and backside processing
JP4514409B2 (ja) 2003-02-20 2010-07-28 日東電工株式会社 半導体ウエハの仮固定方法及び電子部品、回路基板
JP4171898B2 (ja) 2003-04-25 2008-10-29 信越化学工業株式会社 ダイシング・ダイボンド用接着テープ
DE10320375B3 (de) 2003-05-07 2004-12-16 Süss Micro Tec Laboratory Equipment GmbH Verfahren zum temporären Fixieren zweier flächiger Werksücke
EP1624484B1 (en) * 2003-05-13 2012-03-28 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Wafer demounting method, wafer demounting device, and wafer demounting and transferring machine
JP4170839B2 (ja) 2003-07-11 2008-10-22 日東電工株式会社 積層シート
DE10334576B4 (de) 2003-07-28 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse
JP4462997B2 (ja) * 2003-09-26 2010-05-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP4447280B2 (ja) 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
US7084201B2 (en) 2003-11-14 2006-08-01 Wall-Guard Corporation Of Ohio Non-flammable waterproofing composition
KR20060126674A (ko) 2003-11-27 2006-12-08 제이에스알 가부시끼가이샤 핫멜트형 접착제 조성물
JP2006135272A (ja) 2003-12-01 2006-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板のサポートプレート及びサポートプレートの剥離方法
US20050150597A1 (en) * 2004-01-09 2005-07-14 Silicon Genesis Corporation Apparatus and method for controlled cleaving
US7279063B2 (en) 2004-01-16 2007-10-09 Eastman Kodak Company Method of making an OLED display device with enhanced optical and mechanical properties
JP2005203661A (ja) * 2004-01-19 2005-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄板材の測定方法および測定装置
KR100696287B1 (ko) 2004-01-28 2007-03-19 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 반도체 웨이퍼의 보호방법
RU2273075C2 (ru) 2004-01-28 2006-03-27 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ") Устройство для обработки полупроводниковых пластин
DE102004007060B3 (de) 2004-02-13 2005-07-07 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Vorrichtung und Verfahren zum Verbinden von Wafern
FR2866983B1 (fr) 2004-03-01 2006-05-26 Soitec Silicon On Insulator Realisation d'une entite en materiau semiconducteur sur substrat
JP2005268690A (ja) 2004-03-22 2005-09-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層回路基板の製造方法
US7226812B2 (en) 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Wafer support and release in wafer processing
DE102004018249B3 (de) 2004-04-15 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger
JP2006032506A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体ウェハの剥離方法および剥離装置
KR101033551B1 (ko) * 2004-09-11 2011-05-11 삼성전자주식회사 액정 표시 기판 반송용 지그 및 이를 이용한 액정 표시장치의 제조 방법
JP2006186023A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Nec Electronics Corp ウェハ把持具およびウェハ移載装置
JP4539368B2 (ja) 2005-02-24 2010-09-08 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
WO2006093639A1 (en) 2005-03-01 2006-09-08 Dow Corning Corporation Temporary wafer bonding method for semiconductor processing
JP4721828B2 (ja) 2005-08-31 2011-07-13 東京応化工業株式会社 サポートプレートの剥離方法
US7545042B2 (en) 2005-12-22 2009-06-09 Princo Corp. Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure
DE102006000687B4 (de) * 2006-01-03 2010-09-09 Thallner, Erich, Dipl.-Ing. Kombination aus einem Träger und einem Wafer, Vorrichtung zum Trennen der Kombination und Verfahren zur Handhabung eines Trägers und eines Wafers
US8268449B2 (en) 2006-02-06 2012-09-18 Brewer Science Inc. Thermal- and chemical-resistant acid protection coating material and spin-on thermoplastic adhesive
JP4682883B2 (ja) 2006-03-10 2011-05-11 株式会社豊田自動織機 貼り合わせ基板の分断方法
US20070267972A1 (en) 2006-05-22 2007-11-22 Menegus Harry E Method for forming a temporary hermetic seal for an OLED display device
US20070274871A1 (en) 2006-05-23 2007-11-29 Genetix Limited Well plate
US20080213079A1 (en) 2006-07-06 2008-09-04 Richard Herter Apparatus and Method for Separating and Transporting Substrates
JP2008021929A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレート、搬送装置、剥離装置及び剥離方法
US7713835B2 (en) 2006-10-06 2010-05-11 Brewer Science Inc. Thermally decomposable spin-on bonding compositions for temporary wafer bonding
US20080200011A1 (en) 2006-10-06 2008-08-21 Pillalamarri Sunil K High-temperature, spin-on, bonding compositions for temporary wafer bonding using sliding approach
JP2008171934A (ja) 2007-01-10 2008-07-24 Lintec Corp 脆質部材の保護構造および脆質部材の処理方法
JP4125776B1 (ja) 2007-01-31 2008-07-30 信越エンジニアリング株式会社 粘着チャック装置
JP4729003B2 (ja) * 2007-06-08 2011-07-20 リンテック株式会社 脆質部材の処理方法
FR2920912B1 (fr) * 2007-09-12 2010-08-27 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Procede de fabrication d'une structure par transfert de couche
US20090162183A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Peter Davison Full-contact ring for a large wafer
JP2009154407A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tdk Corp 剥離装置、剥離方法および情報記録媒体製造方法
DE202009018064U1 (de) 2008-01-24 2010-12-02 Brewer Science, Inc. Gegenstände beim reversiblen Anbringen eines Vorrichtungswafers an einem Trägersubstrat
JP5399648B2 (ja) * 2008-03-31 2014-01-29 リンテック株式会社 接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの処理方法
JP2010010207A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
JP2010135682A (ja) * 2008-12-08 2010-06-17 Sumco Corp 貼り合わせシリコンウェーハの製造方法および製造装置
JP5440106B2 (ja) * 2009-11-06 2014-03-12 株式会社ニコン 基板貼り合せ装置および積層半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217976U1 (ru) * 2023-02-14 2023-04-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Многофункциональное устройство для соединения полупроводниковых пластин
RU2808605C1 (ru) * 2023-06-07 2023-11-30 Общество с ограниченной ответственностью "ДИЗАЙН-ЦЕНТР ОРБИТА" Способ временного бондинга для формирования тонких пластин

Also Published As

Publication number Publication date
EP2398040A1 (en) 2011-12-21
AT14714U1 (de) 2016-04-15
TWI495030B (zh) 2015-08-01
US20110308739A1 (en) 2011-12-22
DE102010027703B4 (de) 2014-10-16
KR101239282B1 (ko) 2013-03-07
IL207044A (en) 2016-06-30
SG177039A1 (en) 2012-01-30
EP2398041B1 (en) 2018-10-31
AT16223U1 (de) 2019-04-15
JP2012212939A (ja) 2012-11-01
WO2011162778A1 (en) 2011-12-29
IL207044A0 (en) 2010-12-30
KR20110139072A (ko) 2011-12-28
EP2398041A1 (en) 2011-12-21
JP5848205B2 (ja) 2016-01-27
JP5111573B2 (ja) 2013-01-09
DE102010027703A1 (de) 2011-12-22
CN102290367A (zh) 2011-12-21
JP2012004522A (ja) 2012-01-05
US8852391B2 (en) 2014-10-07
EP2398040B1 (en) 2015-05-13
AT510068A2 (de) 2012-01-15
TW201201304A (en) 2012-01-01
CA2709626A1 (en) 2011-12-21
CN102290367B (zh) 2015-06-24
AT510068A3 (de) 2014-11-15
AT510068B1 (de) 2019-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010129938A (ru) Способ и устройство для удаления с несущей подложки обратимо монтируемой полупроводниковой пластины со сформированными приборами
TWI809092B (zh) 用於簡化的輔具晶圓的dbi至矽接合
TW202333198A (zh) 接合薄基板的方法
US11097306B2 (en) Support for bonding a workpiece and method thereof
TWI257651B (en) Peeling device for chip detachment
US9355881B2 (en) Semiconductor device including a dielectric material
US8748885B2 (en) Soft material wafer bonding and method of bonding
CN103988282A (zh) 对临时键合的半导体晶片去键合
CN101657890A (zh) 带粘接剂芯片的制造方法
CN105340070B (zh) 用于接合金属接触表面的方法
TWI622472B (zh) 用於機器人的端效器、用於將基板保持於端效器上的方法、及處理系統
CN1883033A (zh) 在大批量制造中的背研磨期间保护薄半导体晶片
CN102751207B (zh) 一种晶圆临时键合方法
JP2009117688A5 (ru)
US10607962B2 (en) Method for manufacturing semiconductor chips
TWI354325B (ru)
CN105197881A (zh) 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法
TW201503279A (zh) 用於處理基材之方法與托架
CN113013064A (zh) 一种基于硅基载板的化合物半导体晶圆制造工艺
CN102963865B (zh) 一种硅硅键合表面沾污的处理方法
CN102569153A (zh) 工件夹具
CN105280541A (zh) 一种用于超薄半导体圆片的临时键合方法及去键合方法
US12463174B2 (en) Method for bonding chips to a substrate by direct bonding
KR102365285B1 (ko) 제품 기판을 코팅하기 위한 방법 및 장치
JP2003086540A (ja) 半導体装置の製造方法及びその製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20120305