RU2010118421A - Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками - Google Patents
Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010118421A RU2010118421A RU2010118421/28A RU2010118421A RU2010118421A RU 2010118421 A RU2010118421 A RU 2010118421A RU 2010118421/28 A RU2010118421/28 A RU 2010118421/28A RU 2010118421 A RU2010118421 A RU 2010118421A RU 2010118421 A RU2010118421 A RU 2010118421A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductor
- photovoltaic
- interferometric
- front side
- forming
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract 18
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract 14
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- DBKNIEBLJMAJHX-UHFFFAOYSA-N [As]#B Chemical compound [As]#B DBKNIEBLJMAJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
- G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
- H10F77/311—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells
- H10F77/315—Coatings for devices having potential barriers for photovoltaic cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
1. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее ! фотогальванический активный слой, ! проводник, расположенный на передней стороне фотогальванического активного слоя, и ! интерферометрическую маску, подвергнутую операции по формированию рисунка, так чтобы покрывать переднюю сторону проводника. ! 2. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что цвет или свет, отраженный от передней стороны интерферометрической маски, по существу, согласован с цветом фотогальванического активного слоя, видимым на соседних с проводником участках. ! 3. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что от передней ее стороны отражается мало видимого падающего света или он вообще не отражается, так что интерферометрическая маска выглядит черной под нормальным углом обзора. ! 4. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что ее отражательная способность составляет менее 10%. ! 5. Устройство по п.1, в котором проводник содержит шину, соединяющую электроды для соединения фотогальванических элементов с образованием матрицы. ! 6. Устройство по п.1, в котором проводник содержит электрод, находящийся в электрическом контакте с фотогальваническим активным слоем. ! 7. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит поглотитель, расположенный над оптическим резонатором над проводником. ! 8. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит воздушный зазор, сформированный опорами, отделяющими поглотитель от проводника. ! 9. Устройство по п.8, в к�
Claims (50)
1. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее
фотогальванический активный слой,
проводник, расположенный на передней стороне фотогальванического активного слоя, и
интерферометрическую маску, подвергнутую операции по формированию рисунка, так чтобы покрывать переднюю сторону проводника.
2. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что цвет или свет, отраженный от передней стороны интерферометрической маски, по существу, согласован с цветом фотогальванического активного слоя, видимым на соседних с проводником участках.
3. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что от передней ее стороны отражается мало видимого падающего света или он вообще не отражается, так что интерферометрическая маска выглядит черной под нормальным углом обзора.
4. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что ее отражательная способность составляет менее 10%.
5. Устройство по п.1, в котором проводник содержит шину, соединяющую электроды для соединения фотогальванических элементов с образованием матрицы.
6. Устройство по п.1, в котором проводник содержит электрод, находящийся в электрическом контакте с фотогальваническим активным слоем.
7. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит поглотитель, расположенный над оптическим резонатором над проводником.
8. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит воздушный зазор, сформированный опорами, отделяющими поглотитель от проводника.
9. Устройство по п.8, в котором высота воздушного зазора находится в диапазоне между приблизительно 450 Ǻ и 1600 Ǻ.
10. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит слой диэлектрического материала.
11. Устройство по п.10, в котором толщина диэлектрического материала находится в диапазоне между приблизительно 300 Ǻ и 1000 Ǻ.
12. Устройство по п.10, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления между 1 и 3.
13. Устройство по п.10, в котором диэлектрический слой является поверхностным слоем, проходящим по всему фотогальваническому устройству.
14. Устройство по п.7, дополнительно содержащее пассивирующий слой, расположенный над поглотителем.
15. Устройство по п.14, в котором пассивирующий слой содержит диоксид кремния.
16. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой выбран из группы, содержащей монокристаллический кремний, аморфный кремний, германий, III-V полупроводник, медный селенид индия галлия, теллурид кадмия, арсенид галлия, нитрид индия, нитрид галлия, арсенид бора, нитрид индия галлия и последовательность многопереходных фотогальванических материалов.
17. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой содержит тонкопленочный фотогальванический материал.
18. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала содержит аморфный кремний.
19. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала сформирована над задней стороной прозрачной подложки, над интерферометрической маской и над проводником.
20. Устройство по п.19, в котором проводник находится в электрическом контакте с фотогальваническим материалом через прозрачный проводящий оксид.
21. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала сформирована над задней стороной прозрачной подложки и над проводником, а интерферометрическая маска сформирована и подвергнута операции по формированию рисунка над передней стороной прозрачной подложки.
22. Устройство по п.21, в котором интерферометрическая маска содержит активное устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее отражатель, расположенный на передней стороне прозрачной подложки.
23. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой содержит интерферометрически улучшенное фотогальваническое устройство.
24. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит активное устройство на основе микроэлектромеханических систем.
25. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее
фотогальванический материал,
проводник, расположенный перед фотогальваническим материалом, и
оптическую интерферометрическую маску, расположенную перед фотогальваническим материалом и проводником и содержащую отражающую поверхность, расположенную перед фотогальваническим материалом, оптический резонатор, расположенный перед отражающей поверхностью, и поглотитель, расположенный перед оптическим резонатором,
при этом видимый цвет по всей передней стороне фотогальванического устройства, включая участки фотогальванического материала и металлического проводника, является, по существу, однородным.
26. Устройство по п.25, в котором оптический резонатор содержит совокупность по меньшей мере из двух следующих элементов: воздушный зазор, прозрачный проводящий слой и прозрачный диэлектрический слой.
27. Устройство по п.25, в котором оптическая интерферометрическая маска выполнена так, что немного падающего видимого света отражается или он вообще не отражается, так что фотогальваническое устройство выглядит черным.
28. Устройство по п.27, в котором оптическая интерферометрическая маска подвергнута операции по формированию рисунка для покрытия металлического проводника и экспонирования участков фотогальванического материала.
29. Устройство по п.25, в котором по меньшей мере один слой оптической интерферометрической маски и проводника сформирован методом трафаретной печати.
30. Устройство по п.25, в котором проводник является прозрачным.
31. Устройство по п.25, в котором отражающая поверхность образована проводником.
32. Фотогальваническое устройство, содержащее средства выработки электрического тока из падающего света на стороне указанного устройства, на которую падает свет, средства проводки выработанного электрического тока и средства интерферометрической маскировки указанного устройства для проводки от стороны фотогальванического устройства, на которую падает освещение.
33. Устройство по п.32, в котором средства выработки электрического тока содержат полупроводниковый фотогальванический активный материал.
34. Устройство по п.32, в котором средства проводки содержат отражающий передний электрод, подвергнутый операции по формированию рисунка и находящийся в электрическом контакте со средствами выработки электрического тока.
35. Устройство по п.32, в котором средства интерферометрической маскировки содержат стопу, включающую оптический резонатор и поглотитель, расположенный над средствами проводки и выполненный с возможностью интерферометрического снижения отражательной способности средств проводки.
36. Способ изготовления фотогальванического устройства, согласно которому оснащают фотогальванический генератор фотогальваническим активным слоем, передним проводником, подвергнутым операции по формированию рисунка, и задним проводником, формируют над передней стороной фотогальванического генератора слои и подвергают по меньшей мере один из этих слоев операции по формированию рисунка для образования интерферометрического модулятора, покрывающего указанный передний проводник.
37. Способ по п.36, в котором при формировании слоев формируют поглотитель и оптический резонатор, выполненный с возможностью отражения видимого света, по существу, согласуясь с видимым спектром, отраженным открытыми участками фотогальванического активного слоя.
38. Способ по п.37, в котором интерферометрический модулятор выполняют таким образом, чтобы с передней стороны выглядеть черным.
39. Способ по п.37, в котором при формировании интерферометрического резонатора формируют поглотитель и диэлектрический слой.
40. Способ по п.39, в котором при формировании рисунка формируют рельеф поглотителя и диэлектрического слоя.
41. Способ по п.39, в котором при формировании рисунка формируют рельеф поглотителя, чтобы следовать рисунку указанного переднего проводника и оставить диэлектрический слой в качестве поверхностного слоя.
42. Способ по п.36, в котором при формировании рисунка формируют интерферометрический модулятор одинаковой протяженности с передним проводником.
43. Способ по п.42, в котором при оснащении фотогальванического устройства формируют рисунок переднего проводника одновременно с формированием рисунка по меньшей мере одного из слоев.
44. Способ по п.36, в котором при формировании слоев и формировании на них рисунка производят трафаретную печать по рисунку, который повторяет передний проводник, подвергнутый операции по формированию рисунка.
45. Способ по п.37, в котором при формировании оптического резонатора формируют воздушный зазор и разделители.
46. Способ изготовления фотогальванического устройства, имеющего переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, включающий формирование над передней стороной фотогальванического устройства интерферометрического модулятора, выполненного таким образом, чтобы выглядеть черным.
47. Способ по п.46, в котором фотогальваническое устройство содержит передний отражающий проводник, а при формировании интерферометрического модулятора формируют поглотитель, оптический резонатор и проводник, которые подвергнуты операции по формированию рисунка так, чтобы следовать рисунку отражающего проводника.
48. Способ по п.47, в котором при формировании подвергнутого формированию рисунка поглотителя и оптического резонатора используют трафаретную печать.
49. Способ по п.47, в котором фотогальваническое устройство формируют на прозрачной подложке, имеющей противоположные стороны, так, что передний отражающий проводник и интерферометрический модулятор оказываются сформированы на противоположных сторонах прозрачной подложки.
50. Способ по п.46, в котором фотогальваническое устройство содержит передний отражающий проводник, а при формировании интерферометрического модулятора формируют поглотитель, оптический резонатор и проводник, причем поглотитель подвергают операции по формированию рисунка так, чтобы следовать рисунку отражающего проводника.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US219807P | 2007-11-07 | 2007-11-07 | |
| US61/002,198 | 2007-11-07 | ||
| US11/950,392 US20090293955A1 (en) | 2007-11-07 | 2007-12-04 | Photovoltaics with interferometric masks |
| US11/950,392 | 2007-12-04 | ||
| EP08153689.8 | 2008-03-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010118421A true RU2010118421A (ru) | 2011-12-20 |
Family
ID=40365326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010118421/28A RU2010118421A (ru) | 2007-11-07 | 2008-10-27 | Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20090293955A1 (ru) |
| EP (1) | EP2058863A3 (ru) |
| JP (2) | JP2011503875A (ru) |
| KR (2) | KR20100093070A (ru) |
| CN (1) | CN101849290B (ru) |
| BR (1) | BRPI0819248A2 (ru) |
| CA (1) | CA2703702A1 (ru) |
| RU (1) | RU2010118421A (ru) |
| TW (2) | TW201403847A (ru) |
| WO (1) | WO2009061632A2 (ru) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6674562B1 (en) | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US7907319B2 (en) * | 1995-11-06 | 2011-03-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with optical compensation |
| WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
| TWI289708B (en) | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
| US7342705B2 (en) | 2004-02-03 | 2008-03-11 | Idc, Llc | Spatial light modulator with integrated optical compensation structure |
| US7855824B2 (en) * | 2004-03-06 | 2010-12-21 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and system for color optimization in a display |
| US8362987B2 (en) | 2004-09-27 | 2013-01-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
| US7372613B2 (en) | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7807488B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-10-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display element having filter material diffused in a substrate of the display element |
| US7944599B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7898521B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Device and method for wavelength filtering |
| US7561323B2 (en) | 2004-09-27 | 2009-07-14 | Idc, Llc | Optical films for directing light towards active areas of displays |
| US7928928B2 (en) | 2004-09-27 | 2011-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Apparatus and method for reducing perceived color shift |
| US7710632B2 (en) | 2004-09-27 | 2010-05-04 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device having an array of spatial light modulators with integrated color filters |
| US7916980B2 (en) | 2006-01-13 | 2011-03-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interconnect structure for MEMS device |
| US7603001B2 (en) | 2006-02-17 | 2009-10-13 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing back-lighting in an interferometric modulator display device |
| US8004743B2 (en) | 2006-04-21 | 2011-08-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and apparatus for providing brightness control in an interferometric modulator (IMOD) display |
| US7527998B2 (en) | 2006-06-30 | 2009-05-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control |
| EP1943551A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light guide |
| EP2141408A3 (en) | 2006-10-06 | 2010-03-31 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Optical loss structure integrated in an illumination apparatus of a display |
| US20090078316A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Qualcomm Incorporated | Interferometric photovoltaic cell |
| US8058549B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks |
| WO2009052326A2 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display with integrated photovoltaics |
| US8941631B2 (en) | 2007-11-16 | 2015-01-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Simultaneous light collection and illumination on an active display |
| US8068710B2 (en) | 2007-12-07 | 2011-11-29 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Decoupled holographic film and diffuser |
| EP2232569A2 (en) | 2007-12-17 | 2010-09-29 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Photovoltaics with interferometric back side masks |
| US8164821B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-04-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer |
| US7944604B2 (en) | 2008-03-07 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric modulator in transmission mode |
| US7612933B2 (en) | 2008-03-27 | 2009-11-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with spacing layer |
| US8023167B2 (en) | 2008-06-25 | 2011-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Backlight displays |
| US8358266B2 (en) | 2008-09-02 | 2013-01-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Light turning device with prismatic light turning features |
| US20100096006A1 (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell |
| US8270056B2 (en) | 2009-03-23 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with openings between sub-pixels and method of making same |
| WO2010138763A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Illumination devices and methods of fabrication thereof |
| US8270062B2 (en) | 2009-09-17 | 2012-09-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display device with at least one movable stop element |
| US8488228B2 (en) | 2009-09-28 | 2013-07-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric display with interferometric reflector |
| US20110169724A1 (en) * | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Interferometric pixel with patterned mechanical layer |
| KR20130100232A (ko) | 2010-04-09 | 2013-09-10 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법 |
| US8848294B2 (en) | 2010-05-20 | 2014-09-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and structure capable of changing color saturation |
| WO2012024238A1 (en) | 2010-08-17 | 2012-02-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Actuation and calibration of a charge neutral electrode in an interferometric display device |
| US9057872B2 (en) | 2010-08-31 | 2015-06-16 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Dielectric enhanced mirror for IMOD display |
| KR101426821B1 (ko) * | 2010-11-03 | 2014-08-06 | 한국전자통신연구원 | 단일접합 ＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）박막 태양전지 및 그 제조방법 |
| US8088990B1 (en) | 2011-05-27 | 2012-01-03 | Auria Solar Co., Ltd. | Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel |
| US9134527B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-09-15 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8963159B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-02-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Pixel via and methods of forming the same |
| US8659816B2 (en) | 2011-04-25 | 2014-02-25 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Mechanical layer and methods of making the same |
| US8736939B2 (en) | 2011-11-04 | 2014-05-27 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device |
| WO2014035528A2 (en) * | 2012-06-15 | 2014-03-06 | Tufts University | Paint-on approach for fabrication of electrically active structures |
| JP2014067925A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Toshiba Corp | 太陽電池モジュール |
| US9496448B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-15 | Sandia Corporation | Customized color patterning of photovoltaic cells |
| JP2016004916A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
| JP6496898B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-04-10 | アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| LT3361514T (lt) | 2017-02-13 | 2022-01-10 | Norbert Kreft | Fotoelektrinio modulio sienelė ir fotoelektrinis modulis |
| FR3071358B1 (fr) * | 2017-09-15 | 2019-09-13 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a homojonction |
| EP3599318B1 (de) * | 2018-07-27 | 2021-11-10 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Fassadenelemente mit strukturierter deckplatte und optischer interferenzschicht |
| EP3795924A1 (de) * | 2019-09-20 | 2021-03-24 | (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. | Verfahren zum bearbeiten einer transparenten deckplatte und deckplatte |
| KR102894136B1 (ko) * | 2020-03-06 | 2025-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN111987187A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-11-24 | 苏州太阳井新能源有限公司 | 一种用于光伏电池上的掩膜及其制备方法 |
Family Cites Families (125)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3076861A (en) * | 1959-06-30 | 1963-02-05 | Space Technology Lab Inc | Electromagnetic radiation converter |
| US3247392A (en) * | 1961-05-17 | 1966-04-19 | Optical Coating Laboratory Inc | Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared |
| US3653970A (en) * | 1969-04-30 | 1972-04-04 | Nasa | Method of coating solar cell with borosilicate glass and resultant product |
| US3780424A (en) * | 1970-10-26 | 1973-12-25 | Nasa | Method of making silicon solar cell array |
| JPS5353491Y2 (ru) * | 1973-03-27 | 1978-12-21 | ||
| DE3109653A1 (de) * | 1980-03-31 | 1982-01-28 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena | "resonanzabsorber" |
| US4400577A (en) * | 1981-07-16 | 1983-08-23 | Spear Reginald G | Thin solar cells |
| US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
| US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
| US4496788A (en) * | 1982-12-29 | 1985-01-29 | Osaka Transformer Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| US4498953A (en) * | 1983-07-27 | 1985-02-12 | At&T Bell Laboratories | Etching techniques |
| JPH02503713A (ja) * | 1987-06-04 | 1990-11-01 | ルコツ バルター | 光学的な変調及び測定方法 |
| GB2227965B (en) * | 1988-10-12 | 1993-02-10 | Rolls Royce Plc | Apparatus for drilling a shaped hole in a workpiece |
| US4982184A (en) * | 1989-01-03 | 1991-01-01 | General Electric Company | Electrocrystallochromic display and element |
| US5083857A (en) * | 1990-06-29 | 1992-01-28 | Texas Instruments Incorporated | Multi-level deformable mirror device |
| US5181968A (en) * | 1991-06-24 | 1993-01-26 | United Solar Systems Corporation | Photovoltaic device having an improved collector grid |
| TW245772B (ru) * | 1992-05-19 | 1995-04-21 | Akzo Nv | |
| US5818095A (en) * | 1992-08-11 | 1998-10-06 | Texas Instruments Incorporated | High-yield spatial light modulator with light blocking layer |
| US7830587B2 (en) * | 1993-03-17 | 2010-11-09 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light with semiconductor substrate |
| US6674562B1 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-06 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| US5782995A (en) * | 1993-11-05 | 1998-07-21 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar battery device and method of fabricating the same |
| US6040937A (en) * | 1994-05-05 | 2000-03-21 | Etalon, Inc. | Interferometric modulation |
| US7826120B2 (en) * | 1994-05-05 | 2010-11-02 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for multi-color interferometric modulation |
| US6710908B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-03-23 | Iridigm Display Corporation | Controlling micro-electro-mechanical cavities |
| US6680792B2 (en) * | 1994-05-05 | 2004-01-20 | Iridigm Display Corporation | Interferometric modulation of radiation |
| JPH08153700A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 導電性被膜の異方性エッチング方法 |
| US5886688A (en) * | 1995-06-02 | 1999-03-23 | National Semiconductor Corporation | Integrated solar panel and liquid crystal display for portable computer or the like |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| US6046840A (en) * | 1995-06-19 | 2000-04-04 | Reflectivity, Inc. | Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements |
| JPH09127551A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 半導体装置およびアクティブマトリクス基板 |
| US5726805A (en) * | 1996-06-25 | 1998-03-10 | Sandia Corporation | Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making |
| US5720827A (en) * | 1996-07-19 | 1998-02-24 | University Of Florida | Design for the fabrication of high efficiency solar cells |
| US5710656A (en) * | 1996-07-30 | 1998-01-20 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane |
| GB9619781D0 (en) * | 1996-09-23 | 1996-11-06 | Secr Defence | Multi layer interference coatings |
| US6028689A (en) * | 1997-01-24 | 2000-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Multi-motion micromirror |
| US5870221A (en) * | 1997-07-25 | 1999-02-09 | Lucent Technologies, Inc. | Micromechanical modulator having enhanced performance |
| US5867302A (en) * | 1997-08-07 | 1999-02-02 | Sandia Corporation | Bistable microelectromechanical actuator |
| US6031653A (en) * | 1997-08-28 | 2000-02-29 | California Institute Of Technology | Low-cost thin-metal-film interference filters |
| US6021007A (en) * | 1997-10-18 | 2000-02-01 | Murtha; R. Michael | Side-collecting lightguide |
| WO1999049522A1 (fr) * | 1998-03-25 | 1999-09-30 | Tdk Corporation | Module solaire |
| US8928967B2 (en) * | 1998-04-08 | 2015-01-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for modulating light |
| JP3754841B2 (ja) * | 1998-06-11 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
| WO2001003205A1 (en) * | 1999-07-02 | 2001-01-11 | Digirad Corporation | Indirect back surface contact to semiconductor devices |
| US6335235B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device |
| WO2003007049A1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
| US6351329B1 (en) * | 1999-10-08 | 2002-02-26 | Lucent Technologies Inc. | Optical attenuator |
| US6518944B1 (en) * | 1999-10-25 | 2003-02-11 | Kent Displays, Inc. | Combined cholesteric liquid crystal display and solar cell assembly device |
| JP4548404B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2010-09-22 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| US6519073B1 (en) * | 2000-01-10 | 2003-02-11 | Lucent Technologies Inc. | Micromechanical modulator and methods for fabricating the same |
| US6698295B1 (en) * | 2000-03-31 | 2004-03-02 | Shipley Company, L.L.C. | Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer |
| JP2001338770A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示装置及びその製造方法 |
| JP2001345458A (ja) * | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Kyocera Corp | 太陽電池 |
| US6614576B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-09-02 | Texas Instruments Incorporated | Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices |
| JP4526223B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2010-08-18 | シャープ株式会社 | 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JP3740444B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体 |
| JP4032216B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置 |
| US6594059B2 (en) * | 2001-07-16 | 2003-07-15 | Axsun Technologies, Inc. | Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof |
| US6661562B2 (en) * | 2001-08-17 | 2003-12-09 | Lucent Technologies Inc. | Optical modulator and method of manufacture thereof |
| US20030053078A1 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Mark Missey | Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators |
| US6791735B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-09-14 | The Regents Of The University Of California | Differentially-driven MEMS spatial light modulator |
| US6965468B2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-11-15 | Reflectivity, Inc | Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array |
| JP3801099B2 (ja) * | 2002-06-04 | 2006-07-26 | 株式会社デンソー | チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置 |
| US6822798B2 (en) * | 2002-08-09 | 2004-11-23 | Optron Systems, Inc. | Tunable optical filter |
| CN100483176C (zh) * | 2002-09-19 | 2009-04-29 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 可切换光学元件 |
| AU2003275239A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Miasole | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
| US7370185B2 (en) * | 2003-04-30 | 2008-05-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers |
| US6844959B2 (en) * | 2002-11-26 | 2005-01-18 | Reflectivity, Inc | Spatial light modulators with light absorbing areas |
| TWI289708B (en) * | 2002-12-25 | 2007-11-11 | Qualcomm Mems Technologies Inc | Optical interference type color display |
| US7447891B2 (en) * | 2003-04-30 | 2008-11-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator with concentric control-electrode structure |
| TW570896B (en) * | 2003-05-26 | 2004-01-11 | Prime View Int Co Ltd | A method for fabricating an interference display cell |
| TW591716B (en) * | 2003-05-26 | 2004-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a structure release and manufacturing the same |
| TWI223855B (en) * | 2003-06-09 | 2004-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices |
| DE10329917B4 (de) * | 2003-07-02 | 2005-12-22 | Schott Ag | Beschichtetes Abdeckglas für Photovoltaik-Module |
| US6862127B1 (en) * | 2003-11-01 | 2005-03-01 | Fusao Ishii | High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same |
| JP3786106B2 (ja) * | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
| TWI251712B (en) * | 2003-08-15 | 2006-03-21 | Prime View Int Corp Ltd | Interference display plate |
| TW200506479A (en) * | 2003-08-15 | 2005-02-16 | Prime View Int Co Ltd | Color changeable pixel for an interference display |
| TWI231865B (en) * | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
| JP3979982B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 干渉性変調器および表示装置 |
| TWI232333B (en) * | 2003-09-03 | 2005-05-11 | Prime View Int Co Ltd | Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof |
| US6982820B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-01-03 | Prime View International Co., Ltd. | Color changeable pixel |
| US7476327B2 (en) * | 2004-05-04 | 2009-01-13 | Idc, Llc | Method of manufacture for microelectromechanical devices |
| TWI233916B (en) * | 2004-07-09 | 2005-06-11 | Prime View Int Co Ltd | A structure of a micro electro mechanical system |
| TWI270722B (en) * | 2004-07-23 | 2007-01-11 | Au Optronics Corp | Dual-side display panel |
| KR101313117B1 (ko) * | 2004-07-29 | 2013-09-30 | 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. | 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법 |
| US7372348B2 (en) * | 2004-08-20 | 2008-05-13 | Palo Alto Research Center Incorporated | Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing |
| US8008736B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-08-30 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device |
| US7750886B2 (en) * | 2004-09-27 | 2010-07-06 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Methods and devices for lighting displays |
| US7321456B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-01-22 | Idc, Llc | Method and device for corner interferometric modulation |
| US8102407B2 (en) * | 2004-09-27 | 2012-01-24 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
| US7911428B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-03-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Method and device for manipulating color in a display |
| US7893919B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-02-22 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Display region architectures |
| US7304784B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-12-04 | Idc, Llc | Reflective display device having viewable display on both sides |
| US7184202B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Idc, Llc | Method and system for packaging a MEMS device |
| US7372613B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-05-13 | Idc, Llc | Method and device for multistate interferometric light modulation |
| US7327510B2 (en) * | 2004-09-27 | 2008-02-05 | Idc, Llc | Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator |
| US7289259B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-10-30 | Idc, Llc | Conductive bus structure for interferometric modulator array |
| US7944599B2 (en) * | 2004-09-27 | 2011-05-17 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function |
| US7302157B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-11-27 | Idc, Llc | System and method for multi-level brightness in interferometric modulation |
| US7130104B2 (en) * | 2004-09-27 | 2006-10-31 | Idc, Llc | Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator |
| US20080068697A1 (en) * | 2004-10-29 | 2008-03-20 | Haluzak Charles C | Micro-Displays and Their Manufacture |
| KR100647672B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 내열성 투명 전극, 이의 제조방법 및 이를 구비한염료감응 태양 전지 |
| US7184195B2 (en) * | 2005-06-15 | 2007-02-27 | Miradia Inc. | Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator |
| US20070193621A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-08-23 | Konarka Technologies, Inc. | Photovoltaic cells |
| TWI274905B (en) * | 2006-03-16 | 2007-03-01 | Wintek Corp | Color filter |
| JP5051123B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-10-17 | 富士通株式会社 | 可動素子 |
| US7477440B1 (en) * | 2006-04-06 | 2009-01-13 | Miradia Inc. | Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same |
| US7649671B2 (en) * | 2006-06-01 | 2010-01-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release |
| US7321457B2 (en) * | 2006-06-01 | 2008-01-22 | Qualcomm Incorporated | Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts |
| US7593189B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-09-22 | Seagate Technology Llc | Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress |
| TWI331231B (en) * | 2006-08-04 | 2010-10-01 | Au Optronics Corp | Color filter and frbricating method thereof |
| US20080105298A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-08 | Guardian Industries Corp. | Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same |
| US20080223436A1 (en) * | 2007-03-15 | 2008-09-18 | Guardian Industries Corp. | Back reflector for use in photovoltaic device |
| US7643202B2 (en) * | 2007-05-09 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror |
| US20080286542A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Richard Allen Hayes | Decorative safety glass |
| US7643199B2 (en) * | 2007-06-19 | 2010-01-05 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays |
| JP2010538306A (ja) * | 2007-07-31 | 2010-12-09 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 干渉変調器の色ずれを高めるためのデバイス |
| KR101362890B1 (ko) * | 2007-08-28 | 2014-02-17 | 주성엔지니어링(주) | 마이크로 웨이브를 이용하는 박막태양전지의 제조방법 및이를 위한 박막 증착 장치 |
| US20090078316A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Qualcomm Incorporated | Interferometric photovoltaic cell |
| EP2232569A2 (en) * | 2007-12-17 | 2010-09-29 | QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. | Photovoltaics with interferometric back side masks |
| US8666207B2 (en) * | 2009-11-13 | 2014-03-04 | The Trustees Of Dartmouth College | System and method for coupling a multi-mode optical fiber to a single mode optical fiber |
| KR101262455B1 (ko) * | 2010-09-10 | 2013-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양광 발전장치 및 이의 제조방법 |
| US10236460B2 (en) * | 2011-07-22 | 2019-03-19 | University Of Florida Research Foundation, Incorporated | Photovoltaic cell enhancement through UVO treatment |
| KR20130020184A (ko) * | 2011-08-19 | 2013-02-27 | 한국전자통신연구원 | 염료 감응 태양 전지 및 전해질의 제조 방법 |
| JP5325349B1 (ja) * | 2011-11-22 | 2013-10-23 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
-
2007
- 2007-12-04 US US11/950,392 patent/US20090293955A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-03-31 EP EP08153689A patent/EP2058863A3/en not_active Withdrawn
- 2008-10-27 CA CA2703702A patent/CA2703702A1/en not_active Abandoned
- 2008-10-27 CN CN2008801150456A patent/CN101849290B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-27 KR KR1020107011934A patent/KR20100093070A/ko not_active Withdrawn
- 2008-10-27 KR KR1020137025331A patent/KR20130112964A/ko not_active Ceased
- 2008-10-27 JP JP2010533159A patent/JP2011503875A/ja active Pending
- 2008-10-27 RU RU2010118421/28A patent/RU2010118421A/ru unknown
- 2008-10-27 BR BRPI0819248A patent/BRPI0819248A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2008-10-27 WO PCT/US2008/081373 patent/WO2009061632A2/en not_active Ceased
- 2008-11-07 TW TW102135611A patent/TW201403847A/zh unknown
- 2008-11-07 TW TW097143248A patent/TW200926429A/zh unknown
-
2011
- 2011-10-27 US US13/282,809 patent/US20120042931A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-10-17 JP JP2013216147A patent/JP2014013942A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090293955A1 (en) | 2009-12-03 |
| KR20130112964A (ko) | 2013-10-14 |
| TW201403847A (zh) | 2014-01-16 |
| WO2009061632A2 (en) | 2009-05-14 |
| US20120042931A1 (en) | 2012-02-23 |
| TW200926429A (en) | 2009-06-16 |
| WO2009061632A3 (en) | 2009-09-03 |
| BRPI0819248A2 (pt) | 2015-10-27 |
| EP2058863A3 (en) | 2009-08-19 |
| JP2011503875A (ja) | 2011-01-27 |
| CN101849290B (zh) | 2012-11-21 |
| CA2703702A1 (en) | 2009-05-14 |
| CN101849290A (zh) | 2010-09-29 |
| KR20100093070A (ko) | 2010-08-24 |
| EP2058863A2 (en) | 2009-05-13 |
| JP2014013942A (ja) | 2014-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010118421A (ru) | Фотогальваническое устройство с интерферометрическими масками | |
| CN101897036B (zh) | 具有干涉式带掩模的光伏装置 | |
| CN1219330C (zh) | 彩色太阳能电池单元 | |
| KR20080111113A (ko) | 자기-정렬 프로세스를 이용한 박막 광전지 상호접속부들을 형성하기 위한 방법 | |
| Steenhoff et al. | Paper I: Ultrathin Resonant-Cavity-Enhanced Solar Cells with Amorphous Germanium Absorbers | |
| JP2016519442A (ja) | 半透明薄層光起電力モノセル | |
| JP5640948B2 (ja) | 太陽電池 | |
| US20120298168A1 (en) | Thin-film photovoltaic cell having an etchant-resistant electrode and an integrated bypass diode and a panel incorporating the same | |
| US10580918B2 (en) | Decorative dual-function photovoltaic devices generating angle insensitive transmissive or reflective colors | |
| Al‐Ghzaiwat et al. | Toward Efficient Radial Junction Silicon Nanowire‐Based Solar Mini‐Modules | |
| WO2015071708A1 (en) | Photovoltaic device and method of manufacturing same | |
| CN104662673A (zh) | 光电转换元件以及光电转换元件的制造方法 | |
| CN104011876B (zh) | 太阳能电池装置及其制造方法 | |
| US20140360551A1 (en) | Photoelectric module and method of manufacturing the same | |
| TWI532205B (zh) | 一種背表面具有分散式接觸電極之矽晶太陽能電池之製造方法及其元件 | |
| JP2001267613A (ja) | 集積型薄膜太陽電池とその製造方法 | |
| Deckman et al. | Fabrication of optically enhanced thin film a‐SiH x solar cells | |
| KR102419215B1 (ko) | 박막 태양광 모듈을 제조하는 방법 | |
| Hoffmann et al. | Spectrally selective intermediate reflectors for tandem thin-film silicon solar cells | |
| Ling et al. | Development of a conductive distributed Bragg reflector for heterojunction solar cells using n-doped microcrystalline silicon and aluminum-doped zinc oxide films | |
| Liu et al. | Enhancing light‐trapping properties of amorphous Si thin‐film solar cells containing high‐reflective silver conductors fabricated using a nonvacuum process | |
| TWI447926B (zh) | 一種於太陽能電池裝置內形成透明光捕捉結構的方法 | |
| Lin et al. | Enhanced efficiency of silicon-based solar cell by surface plasmon resonance effects over device electrode | |
| Flood et al. | Optical characterization of selectively transparent and conducting photonic crystals for use in thin crystalline silicon photovoltaics | |
| HK1144468A (en) | Photovoltaics with interferometric masks |