RU2010152679A - Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение - Google Patents
Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010152679A RU2010152679A RU2010152679/05A RU2010152679A RU2010152679A RU 2010152679 A RU2010152679 A RU 2010152679A RU 2010152679/05 A RU2010152679/05 A RU 2010152679/05A RU 2010152679 A RU2010152679 A RU 2010152679A RU 2010152679 A RU2010152679 A RU 2010152679A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- containing silicon
- halide
- halogen
- silicon
- thermal decomposition
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 38
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 37
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract 27
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims abstract 11
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims abstract 8
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims 2
- 238000005231 Edge Defined Film Fed Growth Methods 0.000 claims 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
1. Галогенидсодержащий кремний, полученный термическим разложением галогенированного полисилана и имеющий содержание галогенида от 1 ат.% до 50 ат.%. ! 2. Галогенидсодержащий кремний по п.1, отличающийся тем, что он присутствует в гранулированной форме. ! 3. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он имеет объемную плотность 0,2-1,5 г/см3. ! 4. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он имеет размер зерен 50-20000 мкм. ! 5. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он включает галогенсиланы (SinX2n+2 (X = галоген)) в полостях зерен галогенидсодержащего кремния. ! 6. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он включает галоген, химически прочно связанный с Si-атомами. ! 7. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит хлорид. ! 8. Способ получения галогенидсодержащего кремния по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что галогенированный полисилан термически разлагают при непрерывном добавлении в реактор. ! 9. Способ по п.8, отличающийся тем, что галогенированный полисилан вводят в реактор по каплям. ! 10. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что термическое разложение происходит в диапазоне температур 350°С-1200°С. ! 11. Способ по п.10, отличающийся тем, что температура разложения галогенированного полисилана составляет менее 400°С. ! 12. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что термическое разложение происходит при давлении на величину от 10-3 мбар до 300 мбар (0,1 Па-30 кПа) выше атмосферного давления. ! 13. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что в реакторе, используемом для термического разложения, поддерживают атмосферу инертного
Claims (23)
1. Галогенидсодержащий кремний, полученный термическим разложением галогенированного полисилана и имеющий содержание галогенида от 1 ат.% до 50 ат.%.
2. Галогенидсодержащий кремний по п.1, отличающийся тем, что он присутствует в гранулированной форме.
3. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он имеет объемную плотность 0,2-1,5 г/см3.
4. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он имеет размер зерен 50-20000 мкм.
5. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он включает галогенсиланы (SinX2n+2 (X = галоген)) в полостях зерен галогенидсодержащего кремния.
6. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он включает галоген, химически прочно связанный с Si-атомами.
7. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит хлорид.
8. Способ получения галогенидсодержащего кремния по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что галогенированный полисилан термически разлагают при непрерывном добавлении в реактор.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что галогенированный полисилан вводят в реактор по каплям.
10. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что термическое разложение происходит в диапазоне температур 350°С-1200°С.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что температура разложения галогенированного полисилана составляет менее 400°С.
12. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что термическое разложение происходит при давлении на величину от 10-3 мбар до 300 мбар (0,1 Па-30 кПа) выше атмосферного давления.
13. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что в реакторе, используемом для термического разложения, поддерживают атмосферу инертного газа, в частности атмосферу аргона.
14. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что содержание галогенида в полученном галогенидсодержащем кремнии регулируют с помощью дополнительной обработки указанного галогенидсодержащего кремния.
15. Способ получения очищенного кремния с использованием галогенидсодержащего кремния по любому из пп.1-7, включающий следующие стадии, на которых:
смешивают галогенидсодержащий кремний с очищаемым кремнием;
расплавляют смесь и тем самым возгоняют загрязняющие примеси.
16. Способ получения очищенного кремния с использованием галогенидсодержащего кремния по любому из п.п.1-7, включающий следующие стадии, на которых:
расплавляют очищаемый кремний;
вводят галогенидсодержащий кремний в расплав и тем самым возгоняют загрязняющие примеси.
17. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что используемый галогенидсодержащий кремний представляет собой галогенидсодержащий кремний, который содержит фракции галогенсилана, смешанные с фракциями кремния.
18. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что используемый галогенидсодержащий кремний представляет собой галогенидсодержащий кремний, который содержит галоген, химически связанный с Si-атомами.
19. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что используют гранулированный, в частности, высокодисперсный галогенидсодержащий кремний.
20. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что расплав пополняют галогенидсодержащим кремнием.
21. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что расплав гомогенизируют.
22. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что его используют в способах кристаллизации кремния, в частности методах литья слитков, методах Чохральского, EFG-способах, способах по технологии «string ribbon», RGS-методах.
23. Очищенный кремний, получаемый по способу по п.15 или 16.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008025264.6 | 2008-05-27 | ||
| DE102008025264A DE102008025264A1 (de) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Granulares Silicium |
| DE102008025263.8 | 2008-05-27 | ||
| DE102008025263.8A DE102008025263B4 (de) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Verfahren zum Aufreinigen von metallurgischem Silicium |
| PCT/DE2009/000728 WO2009143825A2 (de) | 2008-05-27 | 2009-05-27 | Halogenidhaltiges silicium, verfahren zur herstellung desselben und verwendung desselben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010152679A true RU2010152679A (ru) | 2012-07-10 |
| RU2500618C2 RU2500618C2 (ru) | 2013-12-10 |
Family
ID=41119354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010152679/05A RU2500618C2 (ru) | 2008-05-27 | 2009-05-27 | Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110305619A1 (ru) |
| EP (1) | EP2300368B1 (ru) |
| JP (1) | JP5878013B2 (ru) |
| KR (1) | KR101687420B1 (ru) |
| CN (1) | CN102099290A (ru) |
| AU (1) | AU2009253524B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0912174A2 (ru) |
| CA (1) | CA2726003C (ru) |
| IL (1) | IL209580A (ru) |
| MX (1) | MX2010013003A (ru) |
| MY (1) | MY157133A (ru) |
| RU (1) | RU2500618C2 (ru) |
| TW (1) | TW201010941A (ru) |
| WO (1) | WO2009143825A2 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008036143A1 (de) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
| DE102009056438B4 (de) | 2009-12-02 | 2013-05-16 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan |
| DE102009056731A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
| DE102014109275A1 (de) | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln, Nanopartikel und deren Verwendung |
| JP7068034B2 (ja) | 2018-05-18 | 2022-05-16 | 株式会社トクヤマ | シリコン微粒子及びその製造方法 |
| WO2020129499A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 株式会社トクヤマ | シリコン微粒子及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL90972C (ru) * | 1954-03-12 | |||
| US4374182A (en) * | 1980-07-07 | 1983-02-15 | Dow Corning Corporation | Preparation of silicon metal through polymer degradation |
| JPS62289224A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-16 | Rikagaku Kenkyusho | レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法 |
| JPS63225511A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-09-20 | Mitsubishi Metal Corp | 非晶質シリコン粉末の製造方法 |
| EP0264722A3 (en) * | 1986-10-09 | 1989-07-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for preparing amorphous silicon |
| DE3635064A1 (de) * | 1986-10-15 | 1988-04-21 | Bayer Ag | Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium |
| NO180532C (no) * | 1994-09-01 | 1997-05-07 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
| DE102005024041A1 (de) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | City Solar Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Halogensilanen |
| JP7055814B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2022-04-18 | プリシジョンバイオティクス・グループ・リミテッド | 呼吸器ウイルス感染症に対する免疫応答を有利に調節することができるビフィドバクテリウム・ロンガム |
-
2009
- 2009-05-27 BR BRPI0912174A patent/BRPI0912174A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-05-27 CA CA2726003A patent/CA2726003C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-27 MY MYPI2010005614A patent/MY157133A/en unknown
- 2009-05-27 KR KR1020107029324A patent/KR101687420B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-27 AU AU2009253524A patent/AU2009253524B2/en not_active Ceased
- 2009-05-27 JP JP2011510825A patent/JP5878013B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-27 TW TW098117635A patent/TW201010941A/zh unknown
- 2009-05-27 US US12/995,136 patent/US20110305619A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-27 CN CN2009801193418A patent/CN102099290A/zh active Pending
- 2009-05-27 RU RU2010152679/05A patent/RU2500618C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-05-27 WO PCT/DE2009/000728 patent/WO2009143825A2/de not_active Ceased
- 2009-05-27 EP EP09753541.3A patent/EP2300368B1/de not_active Not-in-force
- 2009-05-27 MX MX2010013003A patent/MX2010013003A/es active IP Right Grant
-
2010
- 2010-11-25 IL IL209580A patent/IL209580A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2009253524A1 (en) | 2009-12-03 |
| JP5878013B2 (ja) | 2016-03-08 |
| CN102099290A (zh) | 2011-06-15 |
| MX2010013003A (es) | 2011-09-28 |
| BRPI0912174A2 (pt) | 2015-10-06 |
| RU2500618C2 (ru) | 2013-12-10 |
| CA2726003A1 (en) | 2009-12-03 |
| EP2300368A2 (de) | 2011-03-30 |
| WO2009143825A3 (de) | 2010-04-08 |
| KR101687420B1 (ko) | 2016-12-20 |
| EP2300368B1 (de) | 2014-10-08 |
| JP2011520763A (ja) | 2011-07-21 |
| IL209580A (en) | 2015-02-26 |
| IL209580A0 (en) | 2011-01-31 |
| AU2009253524B2 (en) | 2015-01-15 |
| KR20110040783A (ko) | 2011-04-20 |
| CA2726003C (en) | 2017-02-21 |
| US20110305619A1 (en) | 2011-12-15 |
| MY157133A (en) | 2016-05-13 |
| WO2009143825A2 (de) | 2009-12-03 |
| TW201010941A (en) | 2010-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010152679A (ru) | Галогенидсодержащий кремний, способ его получения и его применение | |
| US9458294B2 (en) | Method for removing impurities from silicon | |
| RU2368568C2 (ru) | Способ получения кремния | |
| CN101412513A (zh) | 从无机硅烷中去除含杂质的金属 | |
| JPH03357B2 (ru) | ||
| FR2840926A1 (fr) | Utilisation d'un creuset comprenant du carbone pour la croissance de cristaux comprenant un halogenure de terre rare | |
| EP2354090A3 (en) | Method and apparatus for manufacturing trichlorosilane | |
| US8501140B2 (en) | Method and apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells | |
| RU2451635C2 (ru) | Способ получения высокочистого элементного кремния | |
| JP2011520763A5 (ru) | ||
| Pakuła et al. | Direct synthesis of silicon compounds—From the beginning to green chemistry revolution | |
| CN108193282A (zh) | 一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用 | |
| US9327987B2 (en) | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon | |
| CN113186590B (zh) | 一种厘米级三氧化钼单晶的制备方法 | |
| TW200619144A (en) | Method of purifying alkaline-earth and alkali-earth halides for crystal growth | |
| KR101544299B1 (ko) | 긴 기공 길이를 갖는 이산화규소 분말 | |
| JP2011529841A5 (ru) | ||
| US5211801A (en) | Method for manufacturing single-crystal silicon carbide | |
| Yang et al. | Effects of diazenedicarboxamide additive on the content of α-Si3N4 synthesized by combustion method | |
| KR102439298B1 (ko) | 올리고실란 및 올리고실란 화합물의 순도를 증가시키는 방법 | |
| Segatelli et al. | Study of crystallization and composition on silicon oxycarbide (SiOC) and silicon boron oxycarbide (SiBOC) ceramics obtained from alkoxysilanes precursors | |
| JP4297578B2 (ja) | 不透明石英ガラスの製造方法 | |
| KR20170068333A (ko) | 탄화규소 분말 및 이의 제조방법 | |
| JPH0329040B2 (ru) | ||
| JPS6335566B2 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170528 |