[go: up one dir, main page]

RU2009138038A - Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве - Google Patents

Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве Download PDF

Info

Publication number
RU2009138038A
RU2009138038A RU2009138038/28A RU2009138038A RU2009138038A RU 2009138038 A RU2009138038 A RU 2009138038A RU 2009138038/28 A RU2009138038/28 A RU 2009138038/28A RU 2009138038 A RU2009138038 A RU 2009138038A RU 2009138038 A RU2009138038 A RU 2009138038A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photovoltaic device
glass substrate
semiconductor film
troughs
conductive
Prior art date
Application number
RU2009138038/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Виллем Ден БОЕР (US)
Виллем Ден БОЕР
Йивей ЛУ (US)
Йивей ЛУ
Original Assignee
Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Гардиан Индастриз Корп.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Гардиан Индастриз Корп. (Us), Гардиан Индастриз Корп. filed Critical Гардиан Индастриз Корп. (Us)
Publication of RU2009138038A publication Critical patent/RU2009138038A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • H10F19/807—Double-glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H10F77/251—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее ! переднюю стеклянную подложку и заднюю стеклянную подложку; ! электропроводящий и по существу прозрачный передний электрод; ! активную полупроводниковую пленку, расположенную так, чтобы передний электрод находился между по меньшей мере полупроводниковой пленкой и передней стеклянной подложкой; ! проводящий задний контакт; ! тыльный отражатель, образованный на текстурированной поверхности задней стеклянной подложки, в котором тыльный отражатель имеет текстурированную отражающую поверхность и расположен между по меньшей мере задней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; и ! электроизолирующий полимер, включающий адгезивный слой, ламинирующий по меньшей мере тыльный отражатель и заднюю стеклянную подложку с передней стеклянной подложкой, с по меньшей мере передним электродом, полупроводниковой пленкой и проводящим задним контактом между ними. ! 2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором тыльный отражатель электрически изолирован от заднего контакта посредством по меньшей мере полимера, включающего адгезивный слой. ! 3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором проводящий задний контакт содержит прозрачный проводящий оксид. ! 4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полимер, включающий адгезивный слой, содержит ПВБ и/или ЭВА. ! 5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором текстурированная отражающая поверхность тыльного отражателя содержит пики, впадины и наклонные участки, соединяющие пики и впадины, и причем главные поверхности по меньшей мере некоторых наклонных участков образуют угол α по меньшей мере примерно 25 граду

Claims (24)

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее
переднюю стеклянную подложку и заднюю стеклянную подложку;
электропроводящий и по существу прозрачный передний электрод;
активную полупроводниковую пленку, расположенную так, чтобы передний электрод находился между по меньшей мере полупроводниковой пленкой и передней стеклянной подложкой;
проводящий задний контакт;
тыльный отражатель, образованный на текстурированной поверхности задней стеклянной подложки, в котором тыльный отражатель имеет текстурированную отражающую поверхность и расположен между по меньшей мере задней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; и
электроизолирующий полимер, включающий адгезивный слой, ламинирующий по меньшей мере тыльный отражатель и заднюю стеклянную подложку с передней стеклянной подложкой, с по меньшей мере передним электродом, полупроводниковой пленкой и проводящим задним контактом между ними.
2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором тыльный отражатель электрически изолирован от заднего контакта посредством по меньшей мере полимера, включающего адгезивный слой.
3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором проводящий задний контакт содержит прозрачный проводящий оксид.
4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полимер, включающий адгезивный слой, содержит ПВБ и/или ЭВА.
5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором текстурированная отражающая поверхность тыльного отражателя содержит пики, впадины и наклонные участки, соединяющие пики и впадины, и причем главные поверхности по меньшей мере некоторых наклонных участков образуют угол α по меньшей мере примерно 25 градусов с плоскостью и/или задней поверхностью задней стеклянной подложки.
6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вид поперечного сечения текстурированной отражающей поверхности тыльного отражателя содержит пики, впадины и наклонные участки, соединяющие пики и впадины, и причем главные поверхности по меньшей мере некоторых наклонных участков образует угол α примерно 25-35° с плоскостью и/или задней поверхностью задней стеклянной подложки.
7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вид поперечного сечения текстурированной отражающей поверхности тыльного отражателя содержит пики, впадины и наклонные участки, соединяющие пики и впадины, и причем главные поверхности по меньшей мере некоторых наклонных участков образуют угол α примерно 25-30° с плоскостью и/или задней поверхностью задней стеклянной подложки.
8. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором рисунок текстурированной отражающей поверхности тыльного отражателя имеет периодичность примерно от 100 мкм до 1 мм.
9. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полупроводниковая пленка включает в себя один или более слоев, содержащих аморфный кремний.
10. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полимер, включающий адгезивный слой, имеет показатель преломления (n) примерно от 1,9 до 2,1, а задний контакт содержит прозрачный проводящий оксид.
11. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором по существу прозрачный передний электрод содержит в направлении от передней стеклянной подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый, по существу прозрачный, проводящий, по существу, металлический слой, отражающий инфракрасное (ИК) излучение, содержащий серебро и/или золото, и первую прозрачную проводящую оксидную (TCO) пленку, расположенную между по меньшей мере ИК-отражающим слоем и полупроводниковой пленкой.
12. Фотоэлектрическое устройство по п.11, в котором первая TCO-пленка содержит одно или более из: оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
13. Фотоэлектрическое устройство по п.11, в котором по существу прозрачный передний электрод дополнительно содержит второй, по существу прозрачный, проводящий, по существу металлический отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и причем первая пленка из прозрачного проводящего оксида (TCO) находится между по меньшей мере указанными первым и вторым ИК-отражающими слоями.
14. Фотоэлектрическое устройство по п.13, в котором и первый, и второй ИК-отражающий слой содержит серебро.
15. Фотоэлектрическое устройство по п.13, в котором передний электрод дополнительно содержит вторую TCO-пленку, которая находится между по меньшей мере вторым ИК-отражающим слоем и полупроводниковой пленкой.
16. Фотоэлектрическое устройство по п.11, дополнительно содержащее диэлектрический слой, имеющий показатель преломления примерно от 1,6 до 2,0, расположенный между передней стеклянной подложкой и передним электродом.
17. Фотоэлектрическое устройство по п.11, в котором первый ИК-отражающий слой имеет толщину примерно от 3 до 12 нм, а первая TCO-пленка - примерно от 40 до 130 нм.
18. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором передняя стеклянная подложка и передний электрод вместе имеют пропускание по меньшей мере примерно 80% в по меньшей мере основной части диапазона длин волн примерно 450-600 нм.
19. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором передняя стеклянная подложка и передний электрод вместе имеют коэффициент отражения ИК-излучения по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере основной части ИК-диапазона длин волн примерно 1400-2300 нм.
20. Фотоэлектрическое устройство, содержащее
переднюю подложку и заднюю подложку;
электропроводящий и по существу прозрачный передний электрод;
активную полупроводниковую пленку, расположенную так, чтобы передний электрод находился между по меньшей мере полупроводниковой пленкой и передней подложкой;
тыльный отражатель, образованный на текстурированной поверхности задней подложки, причем тыльный отражатель имеет текстурированную отражающую поверхность и находится между по меньшей мере задней подложкой и полупроводниковой пленкой; и
в котором тыльный отражатель ламинирован с по меньшей мере полупроводниковой пленкой и электрически изолирован от нее.
21. Фотоэлектрическое устройство по п.20, в котором тыльный отражатель электроизолирован от заднего контакта фотоэлектрического устройства посредством по меньшей мере одного полимера, включающего адгезивный слой, который имеет показатель преломления (n) примерно от 1,9 до 2,1.
22. Фотоэлектрическое устройство по п.20, в котором текстурированная отражающая поверхность тыльного отражателя содержит вершины, впадины и наклонные участки, соединяющие пики и впадины, и причем главные поверхности по меньшей мере некоторых наклонных участков образуют угол α по меньшей мере примерно 25° с плоскостью и/или задней поверхностью задней подложки.
23. Фотоэлектрическое устройство по п.20, в котором видимое поперечное сечение текстурированной отражающей поверхности тыльного отражателя содержит пики, впадины и наклонные участки, соединяющие пики и впадины, и причем главные поверхности по меньшей мере некоторых наклонных участков образуют угол α примерно 25-35° с плоскостью и/или задней поверхностью задней подложки.
24. Фотоэлектрическое устройство по п.20, в котором рисунок текстурированной отражающей поверхности тыльного отражателя имеет периодичность примерно от 100 мкм до 1 мм.
RU2009138038/28A 2007-03-15 2008-02-14 Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве RU2009138038A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/724,326 US20080223436A1 (en) 2007-03-15 2007-03-15 Back reflector for use in photovoltaic device
US11/724,326 2007-03-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009138038A true RU2009138038A (ru) 2011-04-20

Family

ID=39735305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009138038/28A RU2009138038A (ru) 2007-03-15 2008-02-14 Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080223436A1 (ru)
EP (1) EP2122693A2 (ru)
BR (1) BRPI0808924A2 (ru)
RU (1) RU2009138038A (ru)
WO (1) WO2008115326A2 (ru)

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US20080302414A1 (en) * 2006-11-02 2008-12-11 Den Boer Willem Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080308146A1 (en) * 2007-06-14 2008-12-18 Guardian Industries Corp. Front electrode including pyrolytic transparent conductive coating on textured glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
CN101431115B (zh) * 2007-11-07 2011-05-18 E.I.内穆尔杜邦公司 太阳能电池板及其制造方法
US20090293955A1 (en) * 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20110284061A1 (en) * 2008-03-21 2011-11-24 Fyzikalni Ustav Av Cr, V.V.I. Photovoltaic cell and methods for producing a photovoltaic cell
US8501522B2 (en) * 2008-05-30 2013-08-06 Gtat Corporation Intermetal stack for use in a photovoltaic cell
US7915522B2 (en) 2008-05-30 2011-03-29 Twin Creeks Technologies, Inc. Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making
US20100323471A1 (en) * 2008-08-21 2010-12-23 Applied Materials, Inc. Selective Etch of Laser Scribed Solar Cell Substrate
US20100078064A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Thinsilicion Corporation Monolithically-integrated solar module
US8022291B2 (en) * 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
WO2010046180A2 (en) * 2008-10-22 2010-04-29 Applied Materials Inc. - A Corporation Of The State Of Delaware Semiconductor device and method of producing a semiconductor device
EP2180527A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-28 Applied Materials, Inc. Semiconductor device and method of producing a semiconductor device
US20100096012A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Applied Materials, Inc. Semiconductor device and method of producing a semiconductor device
EP2357673A1 (en) * 2008-11-19 2011-08-17 Toppan Printing Co., Ltd. Light reusing sheet and solar battery module
US20100139753A1 (en) * 2008-12-05 2010-06-10 Applied Materials, Inc. Semiconductor device and method of producing a semiconductor device
TWI377685B (en) * 2008-12-08 2012-11-21 Pvnext Corp Photovoltaic cell structure and manufacturing method thereof
EP2380207A4 (en) * 2009-01-22 2012-07-11 Du Pont POLY (VINYL BUTYRAL) -APPLICATION FUEL WITH CHELATINES FOR SOLAR CELL MODULES
EP2403003B1 (en) 2009-02-26 2018-10-03 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film compound solar cell
US20100263721A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Electronics And Telecommunications Research Institute Transparent solar cell
US20100282314A1 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 Thinsilicion Corporation Photovoltaic cells and methods to enhance light trapping in semiconductor layer stacks
DE102009021051A1 (de) * 2009-05-07 2010-11-11 Inventux Technologies Ag Solarzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2010127844A2 (de) * 2009-05-07 2010-11-11 Inventux Technologies Ag Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
US20100313942A1 (en) * 2009-06-10 2010-12-16 Thinsilicion Corporation Photovoltaic module and method of manufacturing a photovoltaic module having multiple semiconductor layer stacks
US20110017266A1 (en) * 2009-07-24 2011-01-27 Farrell James F Thin film photovoltaic module having a lamination layer for enhanced reflection and photovoltaic output
WO2011014777A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable encapsulants for photovoltaic cells
KR20110014913A (ko) * 2009-08-06 2011-02-14 삼성전자주식회사 태양 전지 모듈 및 그 제조 방법
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
WO2011046664A2 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Applied Materials, Inc. A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells
US8896077B2 (en) * 2009-10-23 2014-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Optoelectronic semiconductor device and method of fabrication
US8895844B2 (en) * 2009-10-23 2014-11-25 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cell comprising a plasmonic back reflector and method therefor
JPWO2011065571A1 (ja) * 2009-11-30 2013-04-18 京セラ株式会社 光電変換モジュールおよびその製造方法ならびに発電装置
US8212250B2 (en) 2009-12-10 2012-07-03 Leonard Forbes Backside texturing by cusps to improve IR response of silicon solar cells and photodetectors
US8120027B2 (en) * 2009-12-10 2012-02-21 Leonard Forbes Backside nanoscale texturing to improve IR response of silicon solar cells and photodetectors
TWI514608B (zh) * 2010-01-14 2015-12-21 Dow Global Technologies Llc 具曝露式導電柵格之防溼光伏打裝置
WO2011100085A2 (en) * 2010-02-09 2011-08-18 Dow Global Technologies Inc. Moisture resistant photovoltaic devices with improved adhesion of barrier film
CN101924152A (zh) * 2010-03-02 2010-12-22 新奥光伏能源有限公司 一种薄膜太阳能电池及其制作方法
US8999857B2 (en) 2010-04-02 2015-04-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method for forming a nano-textured substrate
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
US8083362B2 (en) * 2010-04-29 2011-12-27 Skyline Solar, Inc. Thin film reflective coating pinning arrangement
US20110272010A1 (en) * 2010-05-10 2011-11-10 International Business Machines Corporation High work function metal interfacial films for improving fill factor in solar cells
WO2011160017A2 (en) * 2010-06-17 2011-12-22 University Of Florida Research Foundation, Inc. Enhanced thin film solar cell performance using textured rear reflectors
US20120146172A1 (en) 2010-06-18 2012-06-14 Sionyx, Inc. High Speed Photosensitive Devices and Associated Methods
US8404302B2 (en) * 2010-07-14 2013-03-26 Sharp Laboratories Of America, Inc. Solution process for fabricating a textured transparent conductive oxide (TCO)
US8609980B2 (en) 2010-07-30 2013-12-17 E I Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable ionomeric encapsulants for photovoltaic cells
WO2012046326A1 (ja) * 2010-10-07 2012-04-12 グエラテクノロジー株式会社 太陽電池
US8592248B2 (en) * 2010-11-17 2013-11-26 E I Du Pont De Nemours And Company Etching method for use with thin-film photovoltaic panel
US20120122271A1 (en) * 2010-11-17 2012-05-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Etching method to increase light transmission in thin-film photovoltaic panels
BE1019826A3 (fr) * 2011-02-17 2013-01-08 Agc Glass Europe Substrat verrier transparent conducteur pour cellule photovoltaique.
US20120024362A1 (en) * 2011-05-31 2012-02-02 Primestar Solar, Inc. Refractive index matching of thin film layers for photovoltaic devices and methods of their manufacture
US10043934B2 (en) * 2011-06-08 2018-08-07 International Business Machines Corporation Silicon-containing heterojunction photovoltaic element and device
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
EP2543644A3 (en) * 2011-07-06 2017-12-20 Changzhou Almaden Co., Ltd. Physical tempered glass, solar cover plate, solar backsheet and solar panel
EP2732402A2 (en) 2011-07-13 2014-05-21 Sionyx, Inc. Biometric imaging devices and associated methods
KR20130042207A (ko) * 2011-10-18 2013-04-26 엘지이노텍 주식회사 태양전지모듈 및 이의 제조방법
CN103178137B (zh) * 2011-12-22 2016-04-13 清华大学 太阳能电池组
JP2013179174A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Mitsubishi Materials Corp 太陽電池用複合膜、およびその製造方法
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
JP6065419B2 (ja) * 2012-06-13 2017-01-25 三菱マテリアル株式会社 薄膜太陽電池用積層体、及びこれを用いる薄膜太陽電池の製造方法
TWI855290B (zh) * 2012-07-16 2024-09-11 美商唯亞威方案公司 光學濾波器及感測器系統
JP6537973B2 (ja) 2012-12-19 2019-07-03 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 架橋性酸コポリマー組成物およびガラスラミネートでのその使用
KR20150130303A (ko) 2013-02-15 2015-11-23 사이오닉스, 아이엔씨. 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서
US20140311573A1 (en) 2013-03-12 2014-10-23 Ppg Industries Ohio, Inc. Solar Cell With Selectively Doped Conductive Oxide Layer And Method Of Making The Same
US9939251B2 (en) 2013-03-15 2018-04-10 Sionyx, Llc Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
JP6086779B2 (ja) * 2013-03-26 2017-03-01 リンテック株式会社 太陽電池モジュール
CN104134705A (zh) * 2013-05-03 2014-11-05 常州亚玛顿股份有限公司 高效率太阳能电池模块
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
WO2015171575A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Encapsulant composition comprising a copolymer of ethylene, vinyl acetate and a third comonomer
CN104178742B (zh) * 2014-08-05 2016-08-24 江苏大学 一种嵌入型金属/透明导电薄膜的制备方法
KR101646371B1 (ko) * 2014-11-03 2016-08-05 현대자동차주식회사 윈도우용 태양전지
US10930803B2 (en) * 2015-07-29 2021-02-23 Stephen J. Fonash Solar cell reflector / back electrode structure
US10991839B2 (en) * 2015-07-29 2021-04-27 Stephen J. Fonash Solar cell metal-less reflector / back electrode structure
FR3047439B1 (fr) * 2016-02-08 2018-03-23 Saint-Gobain Glass France Verre feuillete decoratif
KR101821393B1 (ko) * 2016-06-14 2018-01-23 엘지전자 주식회사 태양전지 모듈
US10153726B2 (en) 2016-09-19 2018-12-11 Binay Jha Non-concentrated photovoltaic and concentrated solar thermal hybrid devices and methods for solar energy collection
US10937915B2 (en) * 2016-10-28 2021-03-02 Tesla, Inc. Obscuring, color matching, and camouflaging solar panels
US11888444B2 (en) * 2017-11-28 2024-01-30 Sunovate Pty Ltd Solar panels and harvesting of solar derived energy
US20210115239A1 (en) 2018-03-08 2021-04-22 Performance Materials Na, Inc. Photovoltaic module and encapsulant composition having improved resistance to potential induced degradation
KR102498522B1 (ko) * 2018-03-15 2023-02-10 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 화합물 반도체 태양전지 및 이의 제조 방법
US11489488B2 (en) 2018-04-13 2022-11-01 Nextracker Llc Light management systems for optimizing performance of bifacial solar module
CN110824599B (zh) 2018-08-14 2021-09-03 白金科技股份有限公司 一种红外带通滤波器

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61241983A (ja) * 1985-04-18 1986-10-28 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
US5101260A (en) * 1989-05-01 1992-03-31 Energy Conversion Devices, Inc. Multilayer light scattering photovoltaic back reflector and method of making same
US5296045A (en) * 1992-09-04 1994-03-22 United Solar Systems Corporation Composite back reflector for photovoltaic device
FR2711276B1 (fr) * 1993-10-11 1995-12-01 Neuchatel Universite Cellule photovoltaïque et procédé de fabrication d'une telle cellule.
JP3651932B2 (ja) * 1994-08-24 2005-05-25 キヤノン株式会社 光起電力素子用裏面反射層及びその形成方法並びに光起電力素子及びその製造方法
US5569332A (en) * 1995-08-07 1996-10-29 United Solar Systems Corporation Optically enhanced photovoltaic back reflector
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
JPH1168131A (ja) * 1997-08-25 1999-03-09 Citizen Watch Co Ltd 太陽電池の製造方法
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
US6521883B2 (en) * 2000-07-18 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
AUPR174800A0 (en) * 2000-11-29 2000-12-21 Australian National University, The Semiconductor processing
US20020117199A1 (en) * 2001-02-06 2002-08-29 Oswald Robert S. Process for producing photovoltaic devices
US6660930B1 (en) * 2002-06-12 2003-12-09 Rwe Schott Solar, Inc. Solar cell modules with improved backskin
WO2004102677A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Asahi Glass Company, Limited 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US20070107773A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Palo Alto Research Center Incorporated Bifacial cell with extruded gridline metallization
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008115326A3 (en) 2008-12-18
US20080223436A1 (en) 2008-09-18
WO2008115326A2 (en) 2008-09-25
BRPI0808924A2 (pt) 2014-08-19
EP2122693A2 (en) 2009-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009138038A (ru) Тыльный отражатель для применения в фотоэлектрическом устройстве
RU2009120693A (ru) Передний электрод для применения в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления
RU2009143666A (ru) Фронтальный электрод с прозрачным электропроводящим покрытием на структурированной стеклянной подложке для использования в фотоэлектрическом приборе и способ его изготовления
JP5620479B2 (ja) 積層ガラス板およびその使用
US8133747B2 (en) Textured rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS solar cell
CN111615752B (zh) 太阳能电池模块
JP4404753B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN103270604B (zh) 太阳能电池和太阳能电池模块
WO2009099509A3 (en) Transparent front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
JPH02202068A (ja) 光透過性導電性積層体膜
WO2010033310A3 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
RU2009110482A (ru) Лицевой контакт с промежуточным слоем (слоями) смежными с ним для использования в фотоэлектрических устройствах и способ его производства
WO2009064331A3 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20120097213A1 (en) Bifacial photovoltaic module with reflective elements and method of making same
JP2011507307A5 (ru)
RU2527323C2 (ru) Электролюминесцентное устройство
TW201108468A (en) Light emitting device
JP2014107504A (ja) 光起電力装置
JPWO2017154384A1 (ja) 太陽電池モジュール
CN103151369A (zh) 一种像素结构及其制作方法
JP2008305945A (ja) 薄膜太陽電池用基板とその製造方法および薄膜太陽電池の製造方法
JP2010287715A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN118201430B (zh) 显示面板和显示装置
JP2002299663A (ja) シースルー型薄膜太陽電池モジュール
TW200603437A (en) Semiconductor light emitting device, manufacturing method thereof and semiconductor light emitting apparatus