RU2008136843A - Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем - Google Patents
Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008136843A RU2008136843A RU2008136843/15A RU2008136843A RU2008136843A RU 2008136843 A RU2008136843 A RU 2008136843A RU 2008136843/15 A RU2008136843/15 A RU 2008136843/15A RU 2008136843 A RU2008136843 A RU 2008136843A RU 2008136843 A RU2008136843 A RU 2008136843A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zone
- gas
- pressure
- inner zone
- silicon
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 17
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims abstract 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims abstract 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims 3
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01M—CATCHING, TRAPPING OR SCARING OF ANIMALS; APPARATUS FOR THE DESTRUCTION OF NOXIOUS ANIMALS OR NOXIOUS PLANTS
- A01M1/00—Stationary means for catching or killing insects
- A01M1/14—Catching by adhesive surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01M—CATCHING, TRAPPING OR SCARING OF ANIMALS; APPARATUS FOR THE DESTRUCTION OF NOXIOUS ANIMALS OR NOXIOUS PLANTS
- A01M1/00—Stationary means for catching or killing insects
- A01M1/02—Stationary means for catching or killing insects with devices or substances, e.g. food, pheronones attracting the insects
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01M—CATCHING, TRAPPING OR SCARING OF ANIMALS; APPARATUS FOR THE DESTRUCTION OF NOXIOUS ANIMALS OR NOXIOUS PLANTS
- A01M2200/00—Kind of animal
- A01M2200/01—Insects
- A01M2200/012—Flying insects
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pest Control & Pesticides (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Insects & Arthropods (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Zoology (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ производства поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, при котором: ! обеспечивают реактор с псевдоожиженным слоем, в котором реакционная труба расположена внутри корпуса реактора так, что корпус охватывает ее, тем самым внутреннее пространство корпуса реактора разделяется на внутреннюю зону, образованную внутри реакционной трубы и внешнюю зону, образованную между корпусом реактора и реакционной трубой, при этом формируют слой частиц кремния и осаждение кремния происходит во внутренней зоне, и поддерживают разность давлений между внутренней и внешней зонами в пределе 1 бар. ! 2. Способ по п.1, при котором дополнительно вводят псевдоожижающий газ в слой частиц кремния, вводят реакционный газ, содержащий атомы кремния в слой частиц кремния, вводят инертный газ во внешнюю зону, чем обеспечивается поддержание во внешней зоне, по существу, инертной атмосферы, нагревают слой частиц кремния, выводят из реактора с псевдоожиженным слоем частицы поликристаллического кремния, полученные во внутренней зоне, выводят из реактора с псевдоожиженным слоем отходящий газ. ! 3. Способ по п.2, при котором реакционный газ представляет собой газ, содержащий атомы кремния и выбранный из группы, состоящей из моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния и их смеси. ! 4. Способ по п.3, при котором реакционный газ дополнительно содержит, по меньшей мере, один газ, выбранный из группы, состоящей из водорода, азота, аргона, гелия, хлористого водорода и их смеси. ! 5. Способ по п.2, при котором псевдоожижающий газ представляет собой газ, выбранный из группы, состоящей из водорода, азот
Claims (15)
1. Способ производства поликристаллического кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем, при котором:
обеспечивают реактор с псевдоожиженным слоем, в котором реакционная труба расположена внутри корпуса реактора так, что корпус охватывает ее, тем самым внутреннее пространство корпуса реактора разделяется на внутреннюю зону, образованную внутри реакционной трубы и внешнюю зону, образованную между корпусом реактора и реакционной трубой, при этом формируют слой частиц кремния и осаждение кремния происходит во внутренней зоне, и поддерживают разность давлений между внутренней и внешней зонами в пределе 1 бар.
2. Способ по п.1, при котором дополнительно вводят псевдоожижающий газ в слой частиц кремния, вводят реакционный газ, содержащий атомы кремния в слой частиц кремния, вводят инертный газ во внешнюю зону, чем обеспечивается поддержание во внешней зоне, по существу, инертной атмосферы, нагревают слой частиц кремния, выводят из реактора с псевдоожиженным слоем частицы поликристаллического кремния, полученные во внутренней зоне, выводят из реактора с псевдоожиженным слоем отходящий газ.
3. Способ по п.2, при котором реакционный газ представляет собой газ, содержащий атомы кремния и выбранный из группы, состоящей из моносилана, дихлорсилана, трихлорсилана, тетрахлорида кремния и их смеси.
4. Способ по п.3, при котором реакционный газ дополнительно содержит, по меньшей мере, один газ, выбранный из группы, состоящей из водорода, азота, аргона, гелия, хлористого водорода и их смеси.
5. Способ по п.2, при котором псевдоожижающий газ представляет собой газ, выбранный из группы, состоящей из водорода, азота, аргона, гелия, хлористого водорода, тетрахлорида кремния и их смеси.
6. Способ по п.2, при котором инертный газ содержит, по меньшей мере, один газ, выбранный из группы, состоящей из водорода, азота, аргона и гелия.
7. Способ по п.1, при котором давление во внешней зоне или давление во внутренней зоне поддерживают в диапазоне от 1 до 15 бар.
8. Способ по п.1, при котором давление во внешней зоне регулируют в диапазоне между максимальной и минимальной величиной давления, измеряемого во внутренней зоне.
9. Способ по п.1, при котором разность давлений между внешней зоной (Ро) и внутренней зоной (Pi) поддерживают удовлетворяющим условию 0 бар ≤ (Pi-Po) ≤ 1 бар, при этом устройство регулирования внутреннего давления, которое измеряет и/или регулирует давлением во внутренней зоне пространственно соединено с внутренней зоной.
10. Способ по п.1, при котором разность давлений между внешней зоной (Ро) и внутренней зоной (Pi) поддерживают удовлетворяющим условию 0 бар ≤ (Po-Pi) ≤ 1 бар, при этом устройство регулирования внутреннего давления, которое измеряет и/или регулирует давление во внутренней зоне пространственно соединено с верхней частью внутренней зоны, давление в которой ниже, чем давлением во внутренней или нижней части псевдоожиженного слоя частиц поликристаллического кремния.
11. Способ по п.1, при котором давление во внутренней зоне и/или внешней зоне определяют на основании анализа газа, присутствующего или выводимого из внутренней зоны и/или внешней зоны при помощи элемента для анализа газа.
12. Способ по п.2, при котором дополнительно формируют насадочный слой насадочного материала, который не псевдоожижается потоком псевдоожижающего газа, и формируется в нижней части слоя частиц кремния с высотой слоя насадки, находящимся ниже места, где вводится реакционный газ в слой частиц кремния.
13. Способ по п.9, при котором давление во внутренней зоне и/или внешней зоне определяют на основании анализа газа, присутствующего или выводимого из внутренней зоны и/или внешней зоны.
14. Способ по п.10, при котором давление во внутренней зоне и/или внешней зоне определяют на основании анализа газа, присутствующего или выводимого из внутренней зоны и/или внешней зоны.
15. Способ по п.1, при котором дополнительно измеряют и/или регулируют давление во внутренней зоне и измеряют и/или регулируют давление во внешней зоне.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060013973A KR100661284B1 (ko) | 2006-02-14 | 2006-02-14 | 유동층 반응기를 이용한 다결정실리콘 제조 방법 |
| KR10-2006-0013973 | 2006-02-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008136843A true RU2008136843A (ru) | 2010-03-20 |
| RU2397953C2 RU2397953C2 (ru) | 2010-08-27 |
Family
ID=37815541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008136843/15A RU2397953C2 (ru) | 2006-02-14 | 2007-02-14 | Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7771687B2 (ru) |
| EP (1) | EP1986956B1 (ru) |
| JP (1) | JP4910003B2 (ru) |
| KR (1) | KR100661284B1 (ru) |
| CN (1) | CN101384510B (ru) |
| ES (1) | ES2429568T3 (ru) |
| RU (1) | RU2397953C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007094607A1 (ru) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100756310B1 (ko) * | 2006-02-07 | 2007-09-07 | 한국화학연구원 | 입자형 다결정실리콘 제조용 고압 유동층반응기 |
| KR100783667B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2007-12-07 | 한국화학연구원 | 입자형 다결정 실리콘의 제조방법 및 제조장치 |
| DE102007021003A1 (de) * | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von polykristallinem hochreinen Siliciumgranulat |
| EP2303448B1 (en) * | 2008-06-30 | 2012-10-31 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Fluidized bed reactor systems and methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls |
| CN103787336B (zh) * | 2008-09-16 | 2016-09-14 | 储晞 | 生产高纯颗粒硅的方法 |
| DE102009043947B4 (de) | 2009-09-04 | 2011-07-07 | G+R Technology Group AG, 93128 | Anlage zur Herstellung von polykristallinem Silizium mit Vorrichtung zum Ausleiten gasförmiger Messproben |
| CN102713001B (zh) | 2009-11-18 | 2014-03-05 | 瑞科硅公司 | 流化床反应器 |
| EP2519343A1 (en) * | 2009-12-29 | 2012-11-07 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls using peripheral silicon tetrachloride |
| JP2011219286A (ja) * | 2010-04-06 | 2011-11-04 | Koji Tomita | シリコン及び炭化珪素の製造方法及び製造装置 |
| KR101329030B1 (ko) * | 2010-10-01 | 2013-11-13 | 주식회사 실리콘밸류 | 유동층 반응기 |
| US8449848B2 (en) | 2010-10-22 | 2013-05-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems |
| US20120100061A1 (en) | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Production of Polycrystalline Silicon in Substantially Closed-loop Processes |
| US9156705B2 (en) | 2010-12-23 | 2015-10-13 | Sunedison, Inc. | Production of polycrystalline silicon by the thermal decomposition of dichlorosilane in a fluidized bed reactor |
| US8849584B2 (en) | 2010-12-29 | 2014-09-30 | Sunedison, Inc. | Systems and methods for particle size determination and control in a fluidized bed reactor for use with thermally decomposable silicon-containing gas |
| US8452547B2 (en) | 2010-12-29 | 2013-05-28 | Memc Electronic Materials, Inc. | Systems and methods for particle size determination and control in a fluidized bed reactor |
| KR101329032B1 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-11-14 | 주식회사 실리콘밸류 | 다결정 실리콘 제조장치 및 이를 이용한 다결정 실리콘의 제조방법 |
| TW201304864A (zh) * | 2011-06-10 | 2013-02-01 | Rec Silicon Inc | 高純度矽塗佈顆粒之製造 |
| NO20231206A1 (no) | 2011-09-30 | 2014-04-23 | Corner Star Ltd | Produksjon av polykrystallinsk silisium ved termisk nedbrytning av silan i en hvirvelsjiktreaktor |
| CN103842069B (zh) | 2011-09-30 | 2016-10-05 | Memc电子材料有限公司 | 通过使硅烷在流化床反应器中热分解而制备多晶硅 |
| US9587993B2 (en) | 2012-11-06 | 2017-03-07 | Rec Silicon Inc | Probe assembly for a fluid bed reactor |
| US9212421B2 (en) | 2013-07-10 | 2015-12-15 | Rec Silicon Inc | Method and apparatus to reduce contamination of particles in a fluidized bed reactor |
| KR101450532B1 (ko) | 2013-01-15 | 2014-10-14 | 주식회사 실리콘밸류 | 다결정 실리콘 제조장치 |
| CN103172381B (zh) * | 2013-04-08 | 2014-03-26 | 无锡中彩科技有限公司 | 冷壁流化床的制备方法及其应用 |
| CN107364869A (zh) * | 2013-04-16 | 2017-11-21 | 江苏中能硅业科技发展有限公司 | 流化床反应器及其用于制备高纯粒状多晶硅的方法 |
| CN103449442B (zh) * | 2013-09-03 | 2015-03-18 | 浙江精功新材料技术有限公司 | 一种流化床多晶硅颗粒的制备系统及利用该系统制备多晶硅的工艺 |
| US9585199B2 (en) * | 2013-10-30 | 2017-02-28 | Atomic Energy Council—Institute of Nuclear Energy Research | Hybrid heating apparatus applicable to the moving granular bed filter |
| CN103673607B (zh) * | 2013-12-04 | 2015-12-09 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种可视化加热炉 |
| JP6256073B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2018-01-10 | 日立化成株式会社 | 反応管及び触媒担持方法 |
| US9238211B1 (en) | 2014-08-15 | 2016-01-19 | Rec Silicon Inc | Segmented silicon carbide liner |
| US9446367B2 (en) | 2014-08-15 | 2016-09-20 | Rec Silicon Inc | Joint design for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor |
| US9662628B2 (en) | 2014-08-15 | 2017-05-30 | Rec Silicon Inc | Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor |
| DE102015224099A1 (de) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | Wacker Chemie Ag | Wirbelschichtreaktor und Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Siliciumgranulat |
| WO2017100564A1 (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Sunedison, Inc. | Reactor systems having multiple pressure balancers |
| WO2017100404A1 (en) * | 2015-12-11 | 2017-06-15 | Sunedison, Inc. | Reactor systems having external pressure balancer |
| KR101987129B1 (ko) * | 2016-09-19 | 2019-06-10 | 한화케미칼 주식회사 | 3염화 실란 합성용 유동층 반응기 |
| WO2020198703A1 (en) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Rec Silicon Inc | Pressure-based control of fluidized bed reactor |
| EP3878546A1 (de) | 2020-03-13 | 2021-09-15 | Linde GmbH | Reaktor und verfahren zur durchführung einer chemischen reaktion |
| EP3900817A1 (de) * | 2020-04-23 | 2021-10-27 | Linde GmbH | Reaktor und verfahren zur durchführung einer chemischen reaktion |
| EP3900818A1 (de) * | 2020-04-23 | 2021-10-27 | Linde GmbH | Reaktor und verfahren zur durchführung einer chemischen reaktion |
| CN114225849A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-03-25 | 亚洲硅业(青海)股份有限公司 | 一种硅颗粒生产装置及方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2356487A1 (de) * | 1973-11-12 | 1975-05-22 | Rheinstahl Ag | Lanze fuer einen wirbelschichtofen |
| DE2704975C2 (de) * | 1977-02-07 | 1982-12-23 | Wacker-Chemie GmbH, 8000 München | Wärmeaustauschvorrichtung für Wirbelbettreaktoren zur Durchführung von Gas/Feststoff-Reaktionen, insbesondere zur Herstellung von Siliciumhalogenverbindungen mittels Silicium-enthaltender Kontaktmassen |
| US4737348A (en) * | 1982-06-22 | 1988-04-12 | Harry Levin | Apparatus for making molten silicon |
| KR880000618B1 (ko) * | 1985-12-28 | 1988-04-18 | 재단법인 한국화학연구소 | 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| DE3839705A1 (de) * | 1987-11-25 | 1989-06-08 | Union Carbide Corp | Beheizter wirbelschichtreaktor |
| US5165908A (en) * | 1988-03-31 | 1992-11-24 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Annular heated fluidized bed reactor |
| CA1332782C (en) * | 1988-03-31 | 1994-11-01 | Richard Andrew Van Slooten | Annular heated fluidized bed reactor |
| JPH0694367B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1994-11-24 | 大阪チタニウム製造株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| JPH0692617A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-04-05 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 種シリコン粒子の製造方法及び顆粒状多結晶シリコンの製造方法 |
| JPH06127918A (ja) * | 1992-10-15 | 1994-05-10 | Tonen Chem Corp | 多結晶シリコンの製造方法 |
| US5382412A (en) * | 1992-10-16 | 1995-01-17 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Fluidized bed reactor heated by microwaves |
| KR960014593B1 (ko) * | 1994-04-19 | 1996-10-16 | 재단법인 한국화학연구소 | 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| US5798137A (en) * | 1995-06-07 | 1998-08-25 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Method for silicon deposition |
| EP0832312B1 (en) | 1995-06-07 | 2003-01-08 | Advanced Silicon Materials LLC | Method and apparatus for silicon deposition in a fluidized-bed reactor |
| JP3215310B2 (ja) * | 1995-12-18 | 2001-10-02 | 海洋建設株式会社 | 貝殻充填人工魚礁 |
| DE19948395A1 (de) | 1999-10-06 | 2001-05-03 | Wacker Chemie Gmbh | Strahlungsbeheizter Fliessbettreaktor |
| KR100411180B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-12-18 | 한국화학연구원 | 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치 |
| US20070178028A1 (en) * | 2004-02-23 | 2007-08-02 | Eiichi Fukasawa | Apparatus for production of metal chloride |
-
2006
- 2006-02-14 KR KR1020060013973A patent/KR100661284B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-14 JP JP2008555148A patent/JP4910003B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-14 RU RU2008136843/15A patent/RU2397953C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-02-14 ES ES07708931T patent/ES2429568T3/es active Active
- 2007-02-14 WO PCT/KR2007/000781 patent/WO2007094607A1/en not_active Ceased
- 2007-02-14 US US12/160,145 patent/US7771687B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-14 EP EP07708931.6A patent/EP1986956B1/en not_active Not-in-force
- 2007-02-14 CN CN2007800054832A patent/CN101384510B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009526734A (ja) | 2009-07-23 |
| WO2007094607A8 (en) | 2008-07-24 |
| ES2429568T3 (es) | 2013-11-15 |
| RU2397953C2 (ru) | 2010-08-27 |
| CN101384510A (zh) | 2009-03-11 |
| JP4910003B2 (ja) | 2012-04-04 |
| US7771687B2 (en) | 2010-08-10 |
| EP1986956A1 (en) | 2008-11-05 |
| CN101384510B (zh) | 2012-08-29 |
| EP1986956B1 (en) | 2013-08-14 |
| KR100661284B1 (ko) | 2006-12-27 |
| US20090004090A1 (en) | 2009-01-01 |
| EP1986956A4 (en) | 2012-10-10 |
| WO2007094607A1 (en) | 2007-08-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008136843A (ru) | Способ производства гранулированного поликристаллического кремния в реакторе с псевдоожиженным слоем | |
| US8017024B2 (en) | Method for continual preparation of polycrystalline silicon using a fluidized bed reactor | |
| US8168123B2 (en) | Fluidized bed reactor for production of high purity silicon | |
| CA2729980C (en) | Silicon production with a fluidized bed reactor utilizing tetrachlorosilane to reduce wall deposition | |
| US20110129402A1 (en) | Method of producing trichlorosilane (TCS) rich product stably from hydrogenation of silicon tetra chloride (STC) in fluidized gas phase reactor (FBR) and the structure of the reactor | |
| CA2778829C (en) | Process for producing polysilicon | |
| KR101818685B1 (ko) | 과립형 폴리실리콘의 제조를 위한 유동상 반응기 및 방법 | |
| Wang et al. | Recycling of SiCl4 in the manufacture of granular polysilicon in a fluidized bed reactor | |
| KR20130118238A (ko) | 과립형 다결정 실리콘 및 이의 제법 | |
| KR20120023678A (ko) | 고순도 폴리실리콘의 제조를 위한 방법 및 장치 | |
| KR20130124896A (ko) | 다결정 실리콘 로드 및 그의 제조 방법 | |
| US11643330B2 (en) | Method for producing chlorosilanes | |
| KR20040025590A (ko) | 컵 반응기에서 기체상 물질의 열분해에 의한 고체의침착방법 | |
| US20120148728A1 (en) | Methods and apparatus for the production of high purity silicon | |
| US20160068399A1 (en) | Methods for separating halosilanes | |
| CA3006924C (en) | Method for depositing an in situ coating onto thermally and chemically loaded components of a fluidized bed reactor for producing high-purity polysilicon | |
| Wang et al. | Manufacture of Granular Polysilicon from Trichlorosilane in a Fluidized‐Bed Reactor | |
| US10632438B2 (en) | Fluidized bed reactor and process for producing polycrystalline silicon granules | |
| MY206228A (en) | Process for producing trichlorosilane with structure-optimised silicon particles | |
| TWI811740B (zh) | 製造多晶矽顆粒的方法 | |
| Orthner et al. | Synthesis of ultrafine silicon nitride powders | |
| KR20160123655A (ko) | 입자형 폴리실리콘 제조용 유동층 반응기 | |
| JPS57140308A (en) | Manufacture of granular silicon |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200215 |