[go: up one dir, main page]

RU2008122549A - Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель - Google Patents

Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2008122549A
RU2008122549A RU2008122549/28A RU2008122549A RU2008122549A RU 2008122549 A RU2008122549 A RU 2008122549A RU 2008122549/28 A RU2008122549/28 A RU 2008122549/28A RU 2008122549 A RU2008122549 A RU 2008122549A RU 2008122549 A RU2008122549 A RU 2008122549A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
radiation
heterostructure
diode laser
layer
active layer
Prior art date
Application number
RU2008122549/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2391756C2 (ru
Inventor
Василий Иванович Швейкин (RU)
Василий Иванович Швейкин
Виктор Арчилович Геловани (RU)
Виктор Арчилович Геловани
Алексей Николаевич Сонк (RU)
Алексей Николаевич Сонк
Игорь Петрович Ярема (RU)
Игорь Петрович Ярема
Original Assignee
Василий Иванович Швейкин (RU)
Василий Иванович Швейкин
Виктор Арчилович Геловани (RU)
Виктор Арчилович Геловани
Алексей Николаевич Сонк (RU)
Алексей Николаевич Сонк
Игорь Петрович Ярема (RU)
Игорь Петрович Ярема
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to RU2008122549/28A priority Critical patent/RU2391756C2/ru
Application filed by Василий Иванович Швейкин (RU), Василий Иванович Швейкин, Виктор Арчилович Геловани (RU), Виктор Арчилович Геловани, Алексей Николаевич Сонк (RU), Алексей Николаевич Сонк, Игорь Петрович Ярема (RU), Игорь Петрович Ярема filed Critical Василий Иванович Швейкин (RU)
Priority to US12/996,165 priority patent/US8238398B2/en
Priority to EP09758596A priority patent/EP2302747A1/en
Priority to CA2727159A priority patent/CA2727159A1/en
Priority to CN200980120976XA priority patent/CN102057545B/zh
Priority to KR1020117000254A priority patent/KR20110025817A/ko
Priority to PCT/RU2009/000278 priority patent/WO2009148360A1/ru
Priority to JP2011512407A priority patent/JP2011523209A/ja
Publication of RU2008122549A publication Critical patent/RU2008122549A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2391756C2 publication Critical patent/RU2391756C2/ru
Priority to IL209425A priority patent/IL209425A0/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0265—Intensity modulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287—Facet reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H01S5/1014—Tapered waveguide, e.g. spotsize converter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
    • H01S5/1017—Waveguide having a void for insertion of materials to change optical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1053—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction
    • H01S5/1064—Comprising an active region having a varying composition or cross-section in a specific direction varying width along the optical axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1. Диодный лазер, включающий гетероструктуру на основе полупроводниковых соединений, содержащую по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания, и размещенную между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем, по крайней мере с одной стороны от активного слоя, а также активную область с протекающим током при работе диодного лазера, оптические грани, отражатели, оптический резонатор, омический контакт, отличающийся тем, что гетероструктура дополнительно характеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно отношение nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты, кроме того, на определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя и далее вглубь гетероструктуры, со стороны вывода излучения на оптической грани имеется антиотражающее покрытие с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к нулю, и с той же стороны вывода излучения сформирован с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к единице, отражатель оптического резонатора, примыкающий к активному слою и к размещенным по обе стороны от активного слоя полупроводниковым слоям гетероструктуры, суммарная толщина которых находится по кр�

Claims (16)

1. Диодный лазер, включающий гетероструктуру на основе полупроводниковых соединений, содержащую по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания, и размещенную между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем, по крайней мере с одной стороны от активного слоя, а также активную область с протекающим током при работе диодного лазера, оптические грани, отражатели, оптический резонатор, омический контакт, отличающийся тем, что гетероструктура дополнительно характеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно отношение nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты, кроме того, на определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя и далее вглубь гетероструктуры, со стороны вывода излучения на оптической грани имеется антиотражающее покрытие с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к нулю, и с той же стороны вывода излучения сформирован с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к единице, отражатель оптического резонатора, примыкающий к активному слою и к размещенным по обе стороны от активного слоя полупроводниковым слоям гетероструктуры, суммарная толщина которых находится по крайней мере в интервале от (λ/4nэф) мкм до (4λ/nэф) мкм, где λ - длина волны лазерного излучения в свободном пространстве.
2. Диодный лазер по п.1, отличающийся тем, что дельта близка к нулю.
3. Диодный лазер по п.1, отличающийся тем, что упомянутый отражатель, сформированный со стороны вывода излучения, размещен от наружного слоя гетероструктуры до, примерно, слоя втекания, входящего в область втекания, расположенную со стороны подложки.
4. Диодный лазер по п.1, отличающийся тем, что со стороны вывода излучения антиотражающее покрытие имеется на оптической грани либо на всю толщину гетероструктуры, либо на части толщины гетероструктуры, оставшейся после нанесения отражающего покрытия.
5. Диодный лазер по п.1, отличающийся тем, что со стороны противоположной стороне вывода излучения высота отражателя оптического резонатора с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к единице, равна толщине гетероструктуры.
6. Диодный лазер по п.1, отличающийся тем, что указанные ограничительные области излучения размещены на определенном расстоянии от боковых сторон активной области с протекающим током, а показатели преломления ограничительных областей выбраны меньше эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры.
7. Диодный лазер по п.1, отличающийся тем, что указанные ограничительные области излучения размещены вплоть до ограничительного слоя гетероструктуры со стороны подложки.
8. Интегральный диодный лазер, изготовленный из одной и той же гетероструктуры на основе полупроводниковых соединений, содержащий по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания, и размещенную между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем, по крайней мере с одной стороны от активного слоя, а также по крайней мере два оптических резонатора и по крайней мере две активные области с протекающим током при работе интегрального диодного лазера, расположенные на одной оси оптические грани, отражатели, омический контакт, причем гетероструктура характеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно отношение
nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты, кроме того, на определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя и далее вглубь гетероструктуры, со стороны вывода излучения на оптической грани имеется антиотражающее покрытие с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к нулю, при этом по крайней мере каждый оптический резонатор ограничен отражателями, имеющими коэффициенты отражения лазерного излучения, близкими к единице, и примыкающими к активному слою и к размещенным по обе стороны от активного слоя полупроводниковым слоям гетероструктуры, суммарная толщина которых находится по крайней мере в интервале от (λ/4nэф) мкм до (4λ/nэф) мкм, где λ - длина волны лазерного излучения в свободном пространстве.
9. Интегральный диодный лазер по п.8, отличающийся тем, что со стороны вывода излучения по крайней мере одна активная область с протекающим током, по крайней мере часть ее, выполнена расширяемой под соответствующим углом.
10. Интегральный диодный лазер по п.9, отличающийся тем, что размещенная на стороне, противоположной стороне вывода излучения, начальная часть длины расширяемой активной области выполнена одинаковой по ширине с предшествующей активной областью в предшествующем диодном лазере.
11. Интегральный диодный лазер по п.9, отличающийся тем, что для указанной расширяемой активной области с протекающим током отражатель с высоким коэффициентом отражения лазерного излучения выполнен с шириной, примерно равной ширине начальной части расширяемой активной области.
12. Интегральный диодный лазер по п.8, отличающийся тем, что по крайней мере две активные области интегрального диодного лазера имеют автономные омические контакты.
13. Интегральный полупроводниковый оптический усилитель, включающий интегрально соединенные задающий диодный лазер и полупроводниковый усилительный элемент, размещенные по одной оси и изготовленные из одной и той же полупроводниковой гетероструктуры, содержащей по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, область, прозрачную для излучения, а также оптические грани, омические контакты, кроме того, в задающий диодный лазер включены активная область с протекающим током при его работе, ограничительные области излучения, расположенные с обеих боковых сторон указанной активной области, оптический резонатор и его отражатели, а в полупроводниковый усилительный элемент включена по крайней мере одна область усиления с протекающим током при его работе с просветляющим покрытием на выводной оптической грани, отличающийся тем, что гетероструктура дополнительно характеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно отношение
nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты, область, прозрачная для излучения, являющаяся областью втекания, имеет по крайней мере слой втекания и размещена между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем, по крайней мере с одной стороны от активного слоя, кроме того, на определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током задающего диодного лазера размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя и далее вглубь гетероструктуры, оптический резонатор задающего диодного лазера ограничен отражателями, имеющими коэффициент отражения лазерного излучения, близким к единице, при этом отражатель задающего диодного лазера, граничащий с активной областью усиления полупроводникового усилительного элемента, выполнен примыкающим к активному слою и к расположенным по обе стороны от активного слоя полупроводниковым слоям гетероструктуры, суммарная толщина которых находится по крайней мере в интервале от (λ/4nэф) мкм до (4λ/nэф) мкм, где λ - длина волны лазерного излучения в свободном пространстве, и просветляющее покрытие на выводной оптической грани полупроводникового усилительного элемента выполнено с коэффициентом отражения, близким к нулю.
14. Интегральный полупроводниковый оптический усилитель по п.13, отличающийся тем, что по крайней мере одна область усиления с протекающим током выполнена расширяемой под соответствующим углом.
15. Интегральный полупроводниковый оптический усилитель по п.14, отличающийся тем, что начальная часть длины расширяемой области усиления с протекающим током выполнена одинаковой по ширине с предшествующей активной областью задающего диодного лазера.
16. Интегральный полупроводниковый оптический усилитель по п.13, отличающийся тем, что упомянутая активная область и упомянутая область усиления имеют автономные омические контакты.
RU2008122549/28A 2008-06-06 2008-06-06 Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель RU2391756C2 (ru)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008122549/28A RU2391756C2 (ru) 2008-06-06 2008-06-06 Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
EP09758596A EP2302747A1 (en) 2008-06-06 2009-06-03 Diode laser, integral diode laser and an integral semiconductor optical amplifier
CA2727159A CA2727159A1 (en) 2008-06-06 2009-06-03 Diode laser, integrated diode laser, and integrated semiconductor optical amplifier
CN200980120976XA CN102057545B (zh) 2008-06-06 2009-06-03 二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器
US12/996,165 US8238398B2 (en) 2008-06-06 2009-06-03 Diode laser, integral diode laser, and an integral semiconductor optical amplifier
KR1020117000254A KR20110025817A (ko) 2008-06-06 2009-06-03 다이오드 레이저, 집적 다이오드 레이저, 및 집적 반도체 광학 증폭기
PCT/RU2009/000278 WO2009148360A1 (ru) 2008-06-06 2009-06-03 Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
JP2011512407A JP2011523209A (ja) 2008-06-06 2009-06-03 ダイオードレーザ、複合ダイオードレーザ、および複合半導体光増幅器
IL209425A IL209425A0 (en) 2008-06-06 2010-11-18 Diode laser, integrated diode laser, and integrated semiconductor optical amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008122549/28A RU2391756C2 (ru) 2008-06-06 2008-06-06 Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008122549A true RU2008122549A (ru) 2009-12-20
RU2391756C2 RU2391756C2 (ru) 2010-06-10

Family

ID=41398306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008122549/28A RU2391756C2 (ru) 2008-06-06 2008-06-06 Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8238398B2 (ru)
EP (1) EP2302747A1 (ru)
JP (1) JP2011523209A (ru)
KR (1) KR20110025817A (ru)
CN (1) CN102057545B (ru)
CA (1) CA2727159A1 (ru)
IL (1) IL209425A0 (ru)
RU (1) RU2391756C2 (ru)
WO (1) WO2009148360A1 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2549553C2 (ru) * 2013-07-30 2015-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "Новолюм" Инжекционный лазер
RU2557359C2 (ru) * 2013-10-09 2015-07-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Лазер-тиристор
JP6352068B2 (ja) 2014-06-20 2018-07-04 日本オクラロ株式会社 光送受信機
CN105098595A (zh) * 2015-09-23 2015-11-25 中国科学院半导体研究所 一种集成半导体激光器的制备方法
CN109560465A (zh) * 2017-09-26 2019-04-02 北京万集科技股份有限公司 一种1x1型单片集成式半导体主振荡放大器
WO2021228755A1 (de) * 2020-05-12 2021-11-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE102020118405A1 (de) * 2020-07-13 2022-01-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zu dessen herstellung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4063189A (en) 1976-04-08 1977-12-13 Xerox Corporation Leaky wave diode laser
DE19619533A1 (de) * 1996-05-15 1997-11-20 Sel Alcatel Ag Monolithisch integriertes optisches Halbleiterbauelement
RU2109381C1 (ru) 1996-08-19 1998-04-20 Швейкин Василий Иванович Интегральный полупроводниковый лазер-усилитель
RU2134007C1 (ru) 1998-03-12 1999-07-27 Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" Полупроводниковый оптический усилитель
TW557618B (en) * 2001-05-31 2003-10-11 Nichia Corp Semiconductor laser device
RU2197048C1 (ru) * 2002-02-18 2003-01-20 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
RU2278455C1 (ru) * 2004-11-17 2006-06-20 Василий Иванович Швейкин Гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель
DE102006061532A1 (de) * 2006-09-28 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kantenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren monolithisch integrierten Laserdioden

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110025817A (ko) 2011-03-11
CA2727159A1 (en) 2009-12-10
CN102057545A (zh) 2011-05-11
CN102057545B (zh) 2013-08-28
US20110150021A1 (en) 2011-06-23
WO2009148360A1 (ru) 2009-12-10
US8238398B2 (en) 2012-08-07
JP2011523209A (ja) 2011-08-04
RU2391756C2 (ru) 2010-06-10
IL209425A0 (en) 2011-01-31
EP2302747A1 (en) 2011-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109428262B (zh) 面发光量子级联激光器
RU2008122549A (ru) Диодный лазер, интегральный диодный лазер и интегральный полупроводниковый оптический усилитель
CN102132466B (zh) 基于半导体二极管激光器的场耦合阵列、线阵和堆栈提供高功率高亮度激光的光电系统
US3996528A (en) Folded cavity injection laser
EP1780849A4 (en) SURFACE-EMITTING LASER DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
NL8105386A (nl) Superluminescente, licht-emitterende diode met een rendementskoppeling met een optische golfgeleider.
CN103715607B (zh) 一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件
CA3094046A1 (en) Surface-emitting laser array, detection device, and laser device
JP2005502207A5 (ru)
KR100827120B1 (ko) 수직 단면 발광 레이저 및 그 제조 방법
US7203409B2 (en) Superluminescent diodes having high output power and reduced internal reflections
US7889776B2 (en) High-power semiconductor laser
JP6192173B2 (ja) 導波路の後方反射の抑制
US7639720B2 (en) Two-dimensional photonic crystal surface emitting laser
CN104393485B (zh) 激光器阵列相干器及其制备方法
US20130208748A1 (en) Laser diode with high efficiency
RU2419934C2 (ru) Диодный источник многолучевого когерентного лазерного излучения (варианты)
JP2008521245A5 (ru)
RU2443044C1 (ru) Инжекционный лазер
RU2300835C2 (ru) Инжекционный лазер
US7778289B2 (en) Optically pumped surface-emitting semiconductor laser and optical projection apparatus having a semiconductor laser such as this
JP3595677B2 (ja) 光アイソレータ、分布帰還型レーザ及び光集積素子
US9099840B2 (en) Distributed feedback (DFB) laser with slab waveguide
RU2535649C1 (ru) Полупроводниковый лазер
CN1797877A (zh) 半导体激光装置和使用该半导体激光装置的光拾波装置

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20130807

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180607