RU2008102963A - Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором - Google Patents
Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008102963A RU2008102963A RU2008102963/09A RU2008102963A RU2008102963A RU 2008102963 A RU2008102963 A RU 2008102963A RU 2008102963/09 A RU2008102963/09 A RU 2008102963/09A RU 2008102963 A RU2008102963 A RU 2008102963A RU 2008102963 A RU2008102963 A RU 2008102963A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor device
- floating gate
- floating
- gate
- exposure
- Prior art date
Links
- VJYFKVYYMZPMAB-UHFFFAOYSA-N ethoprophos Chemical compound CCCSP(=O)(OCC)SCCC VJYFKVYYMZPMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 85
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract 17
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/532—Control of the integration time by controlling global shutters in CMOS SSIS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
1. Схема для использования в датчике изображения, содержащая: ! полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток; ! фоточувствительное полупроводниковое устройство, размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения; ! схему управления пикселя, соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутые управляемые режимы включают в себя ! режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние, ! режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения. ! 2. Схема по п.1, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомян
Claims (28)
1. Схема для использования в датчике изображения, содержащая:
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток;
фоточувствительное полупроводниковое устройство, размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
схему управления пикселя, соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутые управляемые режимы включают в себя
режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние,
режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
2. Схема по п.1, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
3. Схема по п.1, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим чтения, в котором электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором детектируется в качестве индикатора заряда на упомянутом плавающем затворе.
4. Схема по п.2, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим чтения, в котором электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором детектируется в качестве индикатора заряда на упомянутом плавающем затворе.
5. Схема по п.1, в которой упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство представляет собой фотодиод с анодом и катодом.
6. Схема по п.4, в которой упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство представляет собой фотодиод с анодом и катодом.
7. Схема по п.6, в которой упомянутая схема управления пикселя содержит:
транзисторный переключатель, соединенный между упомянутым анодом и катодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый транзисторный переключатель имеет контакт управления для выполнения управления состоянием проводимости упомянутого транзисторного переключателя;
диод, соединенный, чтобы снимать, по меньшей мере, часть заряда с упомянутого плавающего затвора упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором в ответ на сигнал стирания.
8. Схема по п.6, в которой упомянутая схема управления пикселя содержит:
полевой транзистор, имеющий управляющий затвор, сток, соединенный с упомянутым катодом упомянутого фотодиода, и исток, соединенный с упомянутым анодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый исток упомянутого полевого транзистора и упомянутый анод упомянутого фотодиода сверх того соединены с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором;
диод, имеющий анод, который соединен с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства.
9. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме стирания упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором находятся в непроводящих состояниях, упомянутый фотодиод находится в состоянии исходного напряжения, а упомянутый плавающий затвор упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором разряжается через упомянутый диод.
10. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме экспозиции упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода повышается до уровня напряжения экспозиции, а напряжение на упомянутом стоке и истоке упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором является достаточным для заряда упомянутого плавающего затвора под влиянием уровней напряжения на упомянутом аноде упомянутого фотодиода.
11. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме сохранения данных упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода соответствует уровню напряжения сохранения, а цепь упомянутого истока упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором эффективным образом размыкается.
12. Схема по п.8, в которой в упомянутом режиме чтения на управляющем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором возбуждается предопределенное напряжения, а между упомянутым стоком и упомянутым истоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, являющийся показателем заряда, накопленного на упомянутом плавающем затворе в течение упомянутого режима экспозиции.
13. Монолитный датчик изображения, сформированный в подложке, который содержит множество пикселей, причем один или более из упомянутого множества пикселей содержат:
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, сформированное в упомянутой подложке, причем упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток;
фоточувствительное полупроводниковое устройство, сформированное в упомянутой подложке и размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
схему управления пикселя, сформированную в упомянутой подложке и соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутые управляемые режимы включают в себя
режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние,
режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
14. Монолитный датчик изображения по п.13, в котором упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
15. Монолитный датчик изображения по п.13, в котором упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим чтения, в котором электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором детектируется в качестве индикатора заряда на упомянутом плавающем затворе.
16. Датчик изображения, который содержит множество сформированных в монолитной подложке пикселей, причем один или более из упомянутого множества пикселей содержат:
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток;
фотодиод, размещенный для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
полевой транзистор, имеющий управляющий затвор, сток, соединенный с упомянутым катодом упомянутого фотодиода, и исток, соединенный с упомянутым анодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый исток упомянутого полевого транзистора и упомянутый анод упомянутого фотодиода сверх того соединены с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором;
диод, имеющий анод, который соединен с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором.
17. Датчик изображения по п.16, способный работать в режиме стирания, в котором упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором находятся в непроводящих состояниях, упомянутый фотодиод находится в состоянии исходного напряжения, а упомянутый плавающий затвор упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором разряжается через упомянутый диод.
18. Датчик изображения по п.16, способный работать в режиме экспозиции, в котором упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода повышается до уровня напряжения экспозиции, а напряжение на упомянутом стоке и истоке упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором является достаточным для заряда упомянутого плавающего затвора под влиянием напряжения на упомянутом аноде упомянутого фотодиода.
19. Датчик изображения по п.16, способный работать в режиме сохранения данных, в котором упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод находятся в непроводящих состояниях, напряжение на катоде упомянутого фотодиода понижается до уровня напряжения сохранения, а цепь упомянутого истока упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором эффективным образом размыкается.
20. Датчик изображения по п.18, способный работать в режиме чтения, в котором на упомянутом управляющем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором возбуждается предопределенное напряжение, а между упомянутым стоком и упомянутым истоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, который является показателем заряда, полученного на упомянутом плавающем затворе в течение упомянутого режима экспозиции.
21. Цифровая камера, содержащая:
датчик изображения, содержащий матрицу пикселей, причем один или более из упомянутых пикселей включают в себя
полупроводниковое устройство с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток,
фоточувствительное полупроводниковое устройство, размещенное для экспозиции электромагнитному излучению от изображения;
схему управления пикселя, соединенную, чтобы переводить упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство во множество управляемых режимов, причем упомянутое множество управляемых режимов включает в себя
режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с плавающего затвора, чтобы перевести полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние для экспозиции упомянутому электромагнитному излучению,
режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутого электромагнитному излучению от упомянутого изображения, и
режим чтения, в котором на упомянутом управляющем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором возбуждается предопределенное напряжение, а между упомянутым стоком и упомянутым истоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, который является показателем заряда, полученного на упомянутом плавающем затворе в течение упомянутого режима экспозиции;
схему считывания датчика изображения, соединенную, чтобы получать данные изображения из каждого из упомянутых пикселей в течение упомянутого режима чтения;
устройство захвата кадра, соединенное, чтобы упорядочивать данные изображения, полученные путем считывания упомянутого датчика изображения, в кадр изображения.
22. Цифровая камера по п.21, в которой упомянутые управляемые режимы сверх того включают в себя режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
23. Способ работы пикселя в датчике изображения, причем упомянутый пиксель состоит из полупроводникового устройства с плавающим затвором, которое содержит плавающий затвор, управляющий затвор, сток и исток, и фоточувствительного полупроводникового устройства, расположенного для экспозиции электромагнитному излучению от изображения, при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:
переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим стирания, в котором, по меньшей мере, часть электрического заряда удаляется с упомянутого плавающего затвора, чтобы перевести упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором в исходное состояние для экспозиции упомянутому электромагнитному излучению; и
переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим экспозиции, в котором упомянутый плавающий затвор заряжается, по меньшей мере, частично под влиянием напряжения на контакте упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства, причем упомянутое напряжение на упомянутом контакте соответствует экспозиции упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
24. Способ по п.23, который сверх того содержит этап, на котором переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим сохранения данных, в котором заряд на упомянутом плавающем затворе упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, полученный в течение упомянутого режима экспозиции, сохраняется на нем, несмотря на дальнейшую экспозицию упомянутого фоточувствительного полупроводникового устройства упомянутому электромагнитному излучению от упомянутого изображения.
25. Способ по п.23 сверх того содержащий этапы, на которых:
переводят упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором и фоточувствительное полупроводниковое устройство в режим чтения, в котором между упомянутым истоком и упомянутым стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором протекает электрический ток, который является показателем заряда на упомянутом плавающем затворе; и
воспринимают упомянутый электрический ток между упомянутым истоком и стоком упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором.
26. Способ по п.23, в котором упомянутое фоточувствительное полупроводниковое устройство является фотодиодом, который содержит анод и катод, и в котором упомянутый пиксель сверх того содержит полевой транзистор, имеющий управляющий затвор, сток, соединенный с упомянутым катодом упомянутого фотодиода, и исток, соединенный с упомянутым анодом упомянутого фотодиода, причем упомянутый исток упомянутого полевого транзистора и упомянутый анод упомянутого фотодиода сверх того соединены с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, причем пиксели сверх того содержат диод, имеющий анод, который соединен с упомянутым управляющим затвором упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором, причем этап переведения упомянутого пикселя в режим стирания содержит подэтапы, на которых:
переводят упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутое полупроводниковое устройство с плавающим затвором в непроводящие состояния;
переводят упомянутый фотодиод в состояние исходного напряжения и
по меньшей мере, частично разряжают упомянутый плавающий затвор упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором через упомянутый диод.
27. Способ по п.26, в котором этап перевода упомянутого пикселя в упомянутый режим экспозиции содержит подэтапы, на которых:
переводят упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод в непроводящие состояния;
возбуждают на упомянутом катоде упомянутого фотодиода уровень напряжения экспозиции и
повышают напряжение на упомянутом стоке и истоке упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором до напряжения, которое достаточно, чтобы зарядить упомянутый плавающий затвор под влиянием уровней напряжения на упомянутом аноде упомянутого фотодиода.
28. Способ по п.27, в котором этап перевода упомянутого пикселя в упомянутый режим сохранения данных содержит подэтапы, на которых:
переводят упомянутый переключатель полевого транзистора и упомянутый диод в непроводящие состояния, возбуждая на упомянутом катоде упомянутого фотодиода уровень напряжения сохранения, и
переводят цепь упомянутого истока упомянутого полупроводникового устройства с плавающим затвором в эффективно разомкнутое состояние.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/168,945 | 2005-06-28 | ||
| US11/168,945 US7508434B2 (en) | 2005-06-28 | 2005-06-28 | Image sensor architecture employing one or more floating gate devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008102963A true RU2008102963A (ru) | 2009-08-10 |
| RU2418383C2 RU2418383C2 (ru) | 2011-05-10 |
Family
ID=36972838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008102963/09A RU2418383C2 (ru) | 2005-06-28 | 2006-05-23 | Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7508434B2 (ru) |
| EP (1) | EP1908278B1 (ru) |
| JP (1) | JP4554560B2 (ru) |
| KR (1) | KR101235537B1 (ru) |
| CN (1) | CN101263708B (ru) |
| BR (1) | BRPI0612562A2 (ru) |
| CA (1) | CA2612194C (ru) |
| RU (1) | RU2418383C2 (ru) |
| TW (1) | TWI398162B (ru) |
| WO (1) | WO2007001688A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2488190C1 (ru) * | 2010-11-16 | 2013-07-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Твердотельный датчик изображения, способ его производства и система формирования изображения |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7652699B2 (en) * | 2005-08-30 | 2010-01-26 | Motorola, Inc. | Color image sensor with tunable color filter |
| US7884869B2 (en) * | 2007-04-30 | 2011-02-08 | Motorola Mobility, Inc. | Assignment of pixel element exposure times in digital camera modules and mobile communication devices |
| EP2380345B1 (en) * | 2009-01-16 | 2016-10-26 | Dual Aperture International Co. Ltd. | Improving the depth of field in an imaging system |
| KR101563770B1 (ko) * | 2009-02-18 | 2015-10-27 | 난징 유니버시티 | 복합 절연 게이트 ｍｏｓｆｅｔ 구조를 가진 광감지 디텍터 및 그것의 신호 출력방법 |
| US20140035069A1 (en) * | 2011-06-04 | 2014-02-06 | Avalanche Technology Inc. | Field effect transistor having a trough channel |
| CN102572323B (zh) * | 2011-12-28 | 2014-12-10 | 中国科学院上海高等研究院 | 图像传感器像素电路 |
| CN103024301B (zh) * | 2013-01-11 | 2015-10-28 | 清华大学 | 浮栅型图像传感器的成像方法 |
| US9420176B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-16 | Omnivision Technologies, Inc. | 360 degree multi-camera system |
| CN105578084B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-12-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种3t cmos像素单元结构及其信号采集方法 |
| CN110099231B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-12-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
| CN110233980B (zh) * | 2019-06-27 | 2021-11-02 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种有源像素图像传感器及图像处理方法、存储介质 |
| CN112701910A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-04-23 | 合肥科威尔电源系统股份有限公司 | 适用于半导体器件动态测试系统电流精准控制电路及方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06215593A (ja) | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Rohm Co Ltd | 光記憶装置 |
| US6166768A (en) * | 1994-01-28 | 2000-12-26 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor array with simple floating gate pixels |
| US5625210A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
| US5608243A (en) * | 1995-10-19 | 1997-03-04 | National Semiconductor Corporation | Single split-gate MOS transistor active pixel sensor cell with automatic anti-blooming and wide dynamic range |
| JP3559640B2 (ja) * | 1996-02-27 | 2004-09-02 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US6049483A (en) * | 1998-08-11 | 2000-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Nonvolatile memory device having program and/or erase voltage clamp |
| US6879340B1 (en) * | 1998-08-19 | 2005-04-12 | Micron Technology Inc. | CMOS imager with integrated non-volatile memory |
| JP2001085660A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその制御方法 |
| JP4040261B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2008-01-30 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| JP2003101005A (ja) | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Citizen Watch Co Ltd | 固体撮像装置 |
| US7372495B2 (en) * | 2002-08-23 | 2008-05-13 | Micron Technology, Inc. | CMOS aps with stacked avalanche multiplication layer and low voltage readout electronics |
| JP4183464B2 (ja) | 2002-09-20 | 2008-11-19 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| US6974943B2 (en) * | 2003-07-22 | 2005-12-13 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel cell using negative to positive voltage swing transfer transistor |
| US6972995B1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-12-06 | Eastman Kodak Company | Imaging cell with a non-volatile memory that provides a long integration period and method of operating the imaging cell |
-
2005
- 2005-06-28 US US11/168,945 patent/US7508434B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-05-23 CA CA2612194A patent/CA2612194C/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 RU RU2008102963/09A patent/RU2418383C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-05-23 EP EP06760263A patent/EP1908278B1/en not_active Not-in-force
- 2006-05-23 KR KR1020077030895A patent/KR101235537B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 WO PCT/US2006/019724 patent/WO2007001688A1/en not_active Ceased
- 2006-05-23 CN CN2006800234949A patent/CN101263708B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-23 BR BRPI0612562-0A patent/BRPI0612562A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2006-06-19 JP JP2006168874A patent/JP4554560B2/ja active Active
- 2006-06-28 TW TW095123359A patent/TWI398162B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2488190C1 (ru) * | 2010-11-16 | 2013-07-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Твердотельный датчик изображения, способ его производства и система формирования изображения |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060290798A1 (en) | 2006-12-28 |
| EP1908278A1 (en) | 2008-04-09 |
| TW200731787A (en) | 2007-08-16 |
| CN101263708B (zh) | 2011-12-28 |
| CA2612194C (en) | 2014-07-08 |
| US7508434B2 (en) | 2009-03-24 |
| EP1908278B1 (en) | 2013-03-27 |
| BRPI0612562A2 (pt) | 2010-11-23 |
| TWI398162B (zh) | 2013-06-01 |
| WO2007001688A1 (en) | 2007-01-04 |
| KR101235537B1 (ko) | 2013-02-21 |
| CA2612194A1 (en) | 2007-01-04 |
| KR20080038282A (ko) | 2008-05-06 |
| JP2007013953A (ja) | 2007-01-18 |
| CN101263708A (zh) | 2008-09-10 |
| RU2418383C2 (ru) | 2011-05-10 |
| JP4554560B2 (ja) | 2010-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008102963A (ru) | Архитектура датчика изображения с применением одного или более устройств с плавающим затвором | |
| KR102302596B1 (ko) | 이진 cmos 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치 | |
| JP6308018B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
| US7462834B2 (en) | Radiation image pickup apparatus | |
| US6522357B2 (en) | Method and apparatus for increasing retention time in image sensors having an electronic shutter | |
| RU2607732C2 (ru) | Устройство съемки изображений и система съемки изображений | |
| US11282878B2 (en) | Solid-state imaging device and camera system | |
| TWI335076B (en) | Physical quantity detecting device and imaging apparatus | |
| US11451730B2 (en) | Image sensor using a global shutter and method for controlling same | |
| US7675015B2 (en) | CMOS image sensor with boosted voltage signal and related method of operation | |
| TW200304326A (en) | Solid-state image pickup device defective pixel conversion method, defect correction method, and electronic information apparatus | |
| US8791400B2 (en) | Storing data in dummy pixels in an image sensor | |
| CN101248676A (zh) | 具有可调滤色镜的彩色图像传感器 | |
| US5864726A (en) | Device for controlling operation of electro-developing type camera | |
| US6972995B1 (en) | Imaging cell with a non-volatile memory that provides a long integration period and method of operating the imaging cell | |
| US20070152133A1 (en) | Image sensor array with ferroelectric elements and method therefor | |
| JP2021179396A (ja) | 放射線検出器 | |
| US20040234026A1 (en) | Mammographic image obtaining apparatus | |
| CN114945846A (zh) | 放射线检测器 | |
| JP2020039083A (ja) | 放射線検出器 | |
| US20220413167A1 (en) | Radiation detector and radiographic method using same | |
| JP2021179395A (ja) | 放射線検出器 | |
| JPH0321960A (ja) | 画像形成装置 | |
| JPH0322684A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20120626 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160524 |