[go: up one dir, main page]

RU2007113175A - Сверхпрочные монокристаллы cvc-алмаза и их трехмерный рост - Google Patents

Сверхпрочные монокристаллы cvc-алмаза и их трехмерный рост Download PDF

Info

Publication number
RU2007113175A
RU2007113175A RU2007113175/15A RU2007113175A RU2007113175A RU 2007113175 A RU2007113175 A RU 2007113175A RU 2007113175/15 A RU2007113175/15 A RU 2007113175/15A RU 2007113175 A RU2007113175 A RU 2007113175A RU 2007113175 A RU2007113175 A RU 2007113175A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
single crystal
growing
mpa
cutting edge
Prior art date
Application number
RU2007113175/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2389833C2 (ru
Inventor
Расселл Дж. ХЕМЛИ (US)
Расселл Дж. ХЕМЛИ
Хо-кванг МАО (US)
Хо-Кванг Мао
Чжи-Шию ЯНЬ (US)
Чжи-Шию ЯНЬ
Original Assignee
Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us)
Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us), Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон filed Critical Карнеги Инститьюшн Оф Вашингтон (Us)
Publication of RU2007113175A publication Critical patent/RU2007113175A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2389833C2 publication Critical patent/RU2389833C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/277—Diamond only using other elements in the gas phase besides carbon and hydrogen; using other elements besides carbon, hydrogen and oxygen in case of use of combustion torches; using other elements besides carbon, hydrogen and inert gas in case of use of plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/279—Diamond only control of diamond crystallography
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B28/12—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state
    • C30B28/14—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure directly from the gas state by chemical reaction of reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

1. Монокристалл алмаза, выращенный с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы, который имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м.2. Монокристалл алмаза по п.1, прочность которого равна, по меньшей мере, примерно 35 МПа м.3. Монокристалл алмаза по п.2, прочность которого равна, по меньшей мере, примерно 40 МПа м.4. Монокристалл алмаза по п.1, твердость которого изменяется от примерно 100 до примерно 160 ГПа.5. Способ выращивания сверхпрочного монокристалла алмаза включающий в себяi) размещение кристаллического зародыша алмаза в теплопоглощающем держателе, сделанном из вещества, обладающего высокой точкой плавления и высокой теплопроводностью, чтобы минимизировать температурные градиенты в направлении от края до края поверхности роста алмаза;ii) управление температурой поверхности роста алмаза так, чтобы температура растущих кристаллов алмаза находилась в диапазоне примерно 1050-1200°C; иiii) выращивание монокристалла алмаза с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы на поверхности роста алмаза в камере осаждения, в которой атмосфера характеризуется соотношением азота к метану примерно 4% N/CH,iv) проведение отжига монокристалла алмаза таким образом, что отожженный монокристалл алмаза имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м.6. Способ по п.5, в котором стадия iv) включает отжиг монокристалла алмаза при давлениях свыше от примерно 5 до примерно 7 ГПа и температурах от примерно 2000°C до примерно 2700°C так, что твердость составляет от примерно 100 до примерно 160 ГПа.7. Способ по п.5, в котором монокристалл алмаза до отжига по существу

Claims (27)

1. Монокристалл алмаза, выращенный с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы, который имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м1/2.
2. Монокристалл алмаза по п.1, прочность которого равна, по меньшей мере, примерно 35 МПа м1/2.
3. Монокристалл алмаза по п.2, прочность которого равна, по меньшей мере, примерно 40 МПа м1/2.
4. Монокристалл алмаза по п.1, твердость которого изменяется от примерно 100 до примерно 160 ГПа.
5. Способ выращивания сверхпрочного монокристалла алмаза включающий в себя
i) размещение кристаллического зародыша алмаза в теплопоглощающем держателе, сделанном из вещества, обладающего высокой точкой плавления и высокой теплопроводностью, чтобы минимизировать температурные градиенты в направлении от края до края поверхности роста алмаза;
ii) управление температурой поверхности роста алмаза так, чтобы температура растущих кристаллов алмаза находилась в диапазоне примерно 1050-1200°C; и
iii) выращивание монокристалла алмаза с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы на поверхности роста алмаза в камере осаждения, в которой атмосфера характеризуется соотношением азота к метану примерно 4% N2/CH4,
iv) проведение отжига монокристалла алмаза таким образом, что отожженный монокристалл алмаза имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м1/2.
6. Способ по п.5, в котором стадия iv) включает отжиг монокристалла алмаза при давлениях свыше от примерно 5 до примерно 7 ГПа и температурах от примерно 2000°C до примерно 2700°C так, что твердость составляет от примерно 100 до примерно 160 ГПа.
7. Способ по п.5, в котором монокристалл алмаза до отжига по существу бесцветен.
8. Способ получения монокристалла CVD-алмаза, растущего в трех направлениях, на монокристаллической алмазной подложке, включающий в себя
i) выращивание монокристалла на первой <100> грани монокристаллической алмазной подложки;
ii) изменение положения монокристаллической алмазной подложки с выросшим на ней монокристаллом алмаза и
iii) выращивание монокристалла на второй <100> грани монокристаллической алмазной подложки.
9. Способ по п.8, в котором температура осаждения составляет от примерно 1150 до примерно 1250°C.
10. Способ по п.8, в котором полученный трехмерный алмаз обладает размером, большим, чем примерно один кубический дюйм.
11. Сопло, содержащее монокристалл алмаза по п.1.
12. Сопло по п.11, в котором сопло используется в устройстве для водоструйной резки под высоким давлением.
13. Сопло, содержащее монокристалл CVD-алмаза, полученный способом по п.8.
14. Режущее лезвие для хирургического инструмента, включающее режущую кромку, в котором режущая кромка состоит из монокристалла алмаза по п.1.
15. Режущее лезвие для хирургического инструмента, включающее режущую кромку, в котором режущая кромка состоит из монокристалла CVD-алмаза, полученного способом по п.8.
16. Бритва, включающая режущую кромку, в которой режущая кромка состоит из монокристалла алмаза по п.1.
17. Бритва, включающая режущую кромку, в которой режущая кромка состоит из монокристалла CVD-алмаза, полученного способом по п.8.
18. Волока для проволоки, содержащая монокристалл алмаза по п.1.
19. Волока для проволоки, содержащая монокристалл CVD-алмаза, полученный способом по п.8.
20. Опора, содержащая монокристалл алмаза по п.1.
21. Опора, содержащая монокристалл CVD-алмаза, полученный способом по п.8.
22. Алмазная наковальня, содержащая монокристалл алмаза по п.1.
23. Алмазная наковальня, содержащая монокристалл CVD-алмаза, полученный способом по п.8.
24. Драгоценный камень, содержащий монокристалл алмаза по п.1.
25. Драгоценный камень, содержащий монокристалл CVD-алмаза, полученный способом по п.8.
26. Оптический узел, содержащий монокристалл алмаза по п.1.
27. Оптический узел, содержащий монокристалл CVD-алмаза, полученный способом по п.8.
RU2007113175/15A 2004-09-10 2005-09-09 Сверхпрочные монокристаллы cvd-алмаза и их трехмерный рост RU2389833C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US60851604P 2004-09-10 2004-09-10
US60/608,516 2004-09-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007113175A true RU2007113175A (ru) 2008-10-27
RU2389833C2 RU2389833C2 (ru) 2010-05-20

Family

ID=37727751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007113175/15A RU2389833C2 (ru) 2004-09-10 2005-09-09 Сверхпрочные монокристаллы cvd-алмаза и их трехмерный рост

Country Status (13)

Country Link
US (1) US7594968B2 (ru)
EP (1) EP1807346A4 (ru)
JP (1) JP4972554B2 (ru)
KR (1) KR101277232B1 (ru)
CN (1) CN101023028A (ru)
AU (1) AU2005335208B2 (ru)
BR (1) BRPI0515347A (ru)
CA (1) CA2589299C (ru)
IL (1) IL181789A0 (ru)
RU (1) RU2389833C2 (ru)
TW (1) TWI411710B (ru)
WO (1) WO2007018555A2 (ru)
ZA (1) ZA200702010B (ru)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2495840C (en) 2002-09-06 2011-02-08 Element Six Limited Coloured diamond
TWI410538B (zh) * 2005-11-15 2013-10-01 Carnegie Inst Of Washington 建基於以快速生長速率製造之單晶ｃｖｄ鑽石的新穎鑽石的用途／應用
DE102008064930B3 (de) 2007-09-18 2022-09-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Halbleitervorrichtung mit reduzierter Dicke
CN101827959A (zh) * 2007-10-02 2010-09-08 华盛顿卡耐基研究所 对钻石退火的低压方法
WO2009137020A1 (en) * 2008-05-05 2009-11-12 Carnegie Institution Of Washington Ultratough single crystal boron-doped diamond
US20100055022A1 (en) * 2008-05-09 2010-03-04 Apollo Diamond Gemstone Corporation Diamond identifier
US20100104494A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Meng Yu-Fei Enhanced Optical Properties of Chemical Vapor Deposited Single Crystal Diamond by Low-Pressure/High-Temperature Annealing
JP2012509831A (ja) * 2008-11-25 2012-04-26 カーネギー インスチチューション オブ ワシントン 急速成長速度における単結晶ｃｖｄダイヤモンドの製造
GB2476478A (en) * 2009-12-22 2011-06-29 Element Six Ltd Chemical vapour deposition diamond synthesis
US20110226016A1 (en) * 2010-03-16 2011-09-22 Terrence Dashon Howard Diamond earring with washer
WO2011146460A1 (en) 2010-05-17 2011-11-24 Carnegie Institution Of Washington Production of large, high purity single crystal cvd diamond
JP6007429B2 (ja) 2010-06-03 2016-10-12 エレメント シックス リミテッド ダイヤモンド工具
WO2014003110A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶及びその製造方法並びに単結晶ダイヤモンド工具
SG11201504017WA (en) 2012-11-21 2015-06-29 Nat Oilwell Dht Lp Fixed cutter drill bit cutter elements including hard cutting tables made from cvd synthetic diamonds
EP3327179B1 (en) * 2015-07-22 2023-08-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single crystal diamond material, single crystal diamond tip, and drilling tool
CN104988578B (zh) * 2015-07-24 2017-08-25 哈尔滨工业大学 一种利用等离子体挡板优化单晶金刚石同质外延生长的方法
US9966161B2 (en) * 2015-09-21 2018-05-08 Uchicago Argonne, Llc Mechanical design of thin-film diamond crystal mounting apparatus with optimized thermal contact and crystal strain for coherence preservation x-ray optics
EP3373052A1 (de) * 2017-03-06 2018-09-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Halbzeug, verfahren zu dessen herstellung und damit hergestellte komponente
CN110387533B (zh) * 2019-07-24 2021-04-06 珠海中纳金刚石有限公司 一种热丝cvd纳米金刚石涂层的自动控制方法
US11753740B2 (en) * 2019-11-18 2023-09-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Diamond substrate and method for manufacturing the same
CN113005517B (zh) * 2021-02-25 2022-07-12 廊坊西波尔钻石技术有限公司 一种减小单晶金刚石内应力的处理方法
CN113026001B8 (zh) * 2021-05-26 2021-09-14 上海征世科技股份有限公司 一种介稳态控制制备金刚石的方法
KR102775490B1 (ko) 2022-01-11 2025-03-04 서울시립대학교 산학협력단 인공지능 기반의 다이아몬드 제조 방법 및 다이아몬드 제조 장비
CN114941173B (zh) * 2022-05-26 2023-10-10 曲阜师范大学 一种高相干金刚石氮空穴及金刚石压砧的制备与应用

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661758A (en) * 1970-06-26 1972-05-09 Hewlett Packard Co Rf sputtering system with the anode enclosing the target
JPH0798521B2 (ja) * 1986-08-20 1995-10-25 澁谷工業株式会社 回転式重量充填装置
US4985226A (en) 1988-06-20 1991-01-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Hole-burning material and production thereof
US5099788A (en) 1989-07-05 1992-03-31 Nippon Soken, Inc. Method and apparatus for forming a diamond film
US5209182A (en) 1989-12-01 1993-05-11 Kawasaki Steel Corporation Chemical vapor deposition apparatus for forming thin film
US5704976A (en) 1990-07-06 1998-01-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High temperature, high rate, epitaxial synthesis of diamond in a laminar plasma
DE69215021T2 (de) * 1991-02-15 1997-04-03 Sumitomo Electric Industries Diamantsyntheseverfahren
US5397428A (en) 1991-12-20 1995-03-14 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond
JPH07331441A (ja) * 1994-03-11 1995-12-19 General Electric Co <Ge> 強化された化学蒸着ダイヤモンド
US5451430A (en) * 1994-05-05 1995-09-19 General Electric Company Method for enhancing the toughness of CVD diamond
JPH08337498A (ja) 1995-04-13 1996-12-24 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンド粒子、ダイヤモンド合成用粒子及び圧密体並びにそれらの製造方法
JP3675577B2 (ja) 1995-07-05 2005-07-27 日本特殊陶業株式会社 ダイヤモンド被覆物品の製造方法
US5653800A (en) 1995-08-03 1997-08-05 Eneco, Inc. Method for producing N-type semiconducting diamond
JPH0948694A (ja) 1995-08-04 1997-02-18 Kobe Steel Ltd 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
US6858080B2 (en) * 1998-05-15 2005-02-22 Apollo Diamond, Inc. Tunable CVD diamond structures
US6582513B1 (en) * 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
US6221221B1 (en) * 1998-11-16 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing RF return current path control in a semiconductor wafer processing system
AU1348901A (en) 1999-10-28 2001-05-08 P1 Diamond, Inc. Improved diamond thermal management components
JP4695821B2 (ja) 2000-06-15 2011-06-08 エレメント シックス （プロプライエタリイ）リミテッド Ｃｖｄにより造られた単結晶ダイヤモンド
JP3378575B2 (ja) * 2000-10-27 2003-02-17 住友電気工業株式会社 フライスカッタ
UA81614C2 (ru) 2001-11-07 2008-01-25 Карнеги Инститьюшн Ов Вашингтон Устройство для изготовления алмазов, узел удержания образца (варианты) и способ изготовления алмазов (варианты)
US6811610B2 (en) 2002-06-03 2004-11-02 Diamond Innovations, Inc. Method of making enhanced CVD diamond
US7115241B2 (en) * 2003-07-14 2006-10-03 Carnegie Institution Of Washington Ultrahard diamonds and method of making thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP4972554B2 (ja) 2012-07-11
WO2007018555A2 (en) 2007-02-15
US20060065187A1 (en) 2006-03-30
CA2589299C (en) 2014-04-01
AU2005335208B2 (en) 2010-06-24
TWI411710B (zh) 2013-10-11
TW200628642A (en) 2006-08-16
IL181789A0 (en) 2007-07-04
EP1807346A2 (en) 2007-07-18
WO2007018555B1 (en) 2007-05-24
CN101023028A (zh) 2007-08-22
BRPI0515347A (pt) 2008-07-22
EP1807346A4 (en) 2010-04-28
ZA200702010B (en) 2010-06-30
JP2008512342A (ja) 2008-04-24
WO2007018555A3 (en) 2007-04-05
RU2389833C2 (ru) 2010-05-20
WO2007018555A8 (en) 2007-08-23
AU2005335208A1 (en) 2007-02-15
CA2589299A1 (en) 2007-02-15
KR101277232B1 (ko) 2013-06-26
US7594968B2 (en) 2009-09-29
KR20070094725A (ko) 2007-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007113175A (ru) Сверхпрочные монокристаллы cvc-алмаза и их трехмерный рост
JP2008512342A5 (ru)
EP0612868B1 (en) Single crystal diamond and process for producing the same
US7820131B2 (en) Diamond uses/applications based on single-crystal CVD diamond produced at rapid growth rate
US8980445B2 (en) One hundred millimeter SiC crystal grown on off-axis seed
JP5296533B2 (ja) 高成長速度での無色単結晶ｃｖｄダイヤモンド
Sumathi Status and challenges in hetero-epitaxial growth approach for large diameter AlN single crystalline substrates
JP2021501734A (ja) 多結晶ダイヤモンド構造に埋め込まれた単結晶ダイヤモンド及びそれを成長させる方法
JP7587591B2 (ja) 炭化ケイ素結晶材料の転位分布
JP2009519193A5 (ru)
JP2006327862A (ja) 単結晶の製造方法
JP7765095B2 (ja) 多結晶ダイヤモンド成長によって支援される、単結晶ダイヤモンドを成長させる方法
JPH06107494A (ja) ダイヤモンドの気相成長法
US7399358B2 (en) Synthesis of large homoepitaxial monocrystalline diamond
JP2006052097A (ja) 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
JP2009292723A (ja) 種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ
CN115605637B (zh) 生长较大金刚石的方法
JPH06227895A (ja) ダイヤモンドの合成法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140910