[go: up one dir, main page]

RU2007142030A - Держатель для эпитаксиальных реакторов и инструмент для обращения с ним - Google Patents

Держатель для эпитаксиальных реакторов и инструмент для обращения с ним Download PDF

Info

Publication number
RU2007142030A
RU2007142030A RU2007142030/28A RU2007142030A RU2007142030A RU 2007142030 A RU2007142030 A RU 2007142030A RU 2007142030/28 A RU2007142030/28 A RU 2007142030/28A RU 2007142030 A RU2007142030 A RU 2007142030A RU 2007142030 A RU2007142030 A RU 2007142030A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
holder according
holder
protruding part
tool
plate
Prior art date
Application number
RU2007142030/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Ингемар КАРЛСОН (IT)
Ингемар КАРЛСОН
Джанлука ВАЛЕНТЕ (IT)
Джанлука ВАЛЕНТЕ
Данило КРИППА (IT)
Данило КРИППА
Франко ПРЕТИ (IT)
Франко ПРЕТИ
Original Assignee
Лпе Спа (It)
Лпе Спа
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Лпе Спа (It), Лпе Спа filed Critical Лпе Спа (It)
Publication of RU2007142030A publication Critical patent/RU2007142030A/ru

Links

Classifications

    • H10P72/76—
    • H10P72/7621—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/005—Transport systems
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

1. Держатель для эпитаксиальных реакторов, содержащий тело (31), снабженное по меньшей мере одним углублением (311) для помещения подложек, на которых должно выполняться эпитаксиальное выращивание, отличающийся тем, что он содержит выступающую часть (32), пригодную для захвата инструментом (9), чтобы вводить его в реакционную камеру (12) и извлекать из реакционной камеры (12) эпитаксиального реактора. ! 2. Держатель по п.1, в котором выступающая часть (32) представляет собой палец. ! 3. Держатель по п.2, в котором упомянутый палец содержит стойку (321) и головку (322), причем первый конец стойки (321) присоединен к телу (31), а второй конец стойки (321) присоединен к головке (322). ! 4. Держатель по п.3, в котором стойка (321) имеет практически цилиндрическую форму, головка (322) имеет практически цилиндрическую форму, диаметр головки предпочтительно в 2 или 3 раза больше диаметра стойки, а высота стойки в 2 или 3 раза больше высоты головки. ! 5. Держатель по п.1, в котором тело (31) имеет практически дискообразную форму. ! 6. Держатель по п.5, в котором выступающая часть (32) расположена практически в центре дискообразного тела (31). ! 7. Держатель по п.5 или 6, в котором углубление или каждое углубление (311) расположено на одной стороне диска (31), а выступающая часть (32) расположена на упомянутой стороне диска (31). ! 8. Держатель по любому из пп.1-6, в котором выступающая часть (32) образует единое целое с телом (31). ! 9. Держатель по п.1, в котором выступающая часть (32) установлена на теле (31). ! 10. Держатель по п.1, в котором тело (31) сделано из электропроводящего материала, предпочтительно графита. ! 11. Держатель по п.10, в котором тело (31) покрыто слоем инертного и стойкого материала, предпочт

Claims (22)

1. Держатель для эпитаксиальных реакторов, содержащий тело (31), снабженное по меньшей мере одним углублением (311) для помещения подложек, на которых должно выполняться эпитаксиальное выращивание, отличающийся тем, что он содержит выступающую часть (32), пригодную для захвата инструментом (9), чтобы вводить его в реакционную камеру (12) и извлекать из реакционной камеры (12) эпитаксиального реактора.
2. Держатель по п.1, в котором выступающая часть (32) представляет собой палец.
3. Держатель по п.2, в котором упомянутый палец содержит стойку (321) и головку (322), причем первый конец стойки (321) присоединен к телу (31), а второй конец стойки (321) присоединен к головке (322).
4. Держатель по п.3, в котором стойка (321) имеет практически цилиндрическую форму, головка (322) имеет практически цилиндрическую форму, диаметр головки предпочтительно в 2 или 3 раза больше диаметра стойки, а высота стойки в 2 или 3 раза больше высоты головки.
5. Держатель по п.1, в котором тело (31) имеет практически дискообразную форму.
6. Держатель по п.5, в котором выступающая часть (32) расположена практически в центре дискообразного тела (31).
7. Держатель по п.5 или 6, в котором углубление или каждое углубление (311) расположено на одной стороне диска (31), а выступающая часть (32) расположена на упомянутой стороне диска (31).
8. Держатель по любому из пп.1-6, в котором выступающая часть (32) образует единое целое с телом (31).
9. Держатель по п.1, в котором выступающая часть (32) установлена на теле (31).
10. Держатель по п.1, в котором тело (31) сделано из электропроводящего материала, предпочтительно графита.
11. Держатель по п.10, в котором тело (31) покрыто слоем инертного и стойкого материала, предпочтительно SiC или ТаС.
12. Держатель по п.1, в котором выступающая часть (32) сделана из электропроводящего материала, предпочтительно графита.
13. Держатель по п.12, в котором выступающая часть (32) покрыта слоем инертного и стойкого материала, предпочтительно SiC или ТаС.
14. Держатель по пп.11 и 13, в котором слои, покрывающие тело (31) и выступающую часть (32), формируются после установки выступающей части (32) на теле (31).
15. Инструмент, отличающийся тем, что он специально спроектирован для захвата выступающей части (32) держателя (3) по п.1.
16. Инструмент по п.15, отличающийся тем, что он содержит средство для его установки или зацепления на манипуляторе робота.
17. Инструмент по п.15, отличающийся тем, что он содержит пластину (91), которая на одном своем конце имеет прорезь (92).
18. Инструмент по п.17, в котором пластина (91) имеет на упомянутом конце практически прямоугольное поперечное сечение, при этом ширина пластины (91) предпочтительно в 3-9 раз больше толщины пластины (91), а ширина прорези (92) предпочтительно в 1-3 раза больше толщины пластины (91).
19. Инструмент по п.17 или 18, в котором пластина (91) имеет по меньшей мере одно углубление (93) вдоль упомянутой прорези (92).
20. Инструмент по п.17 или 18, в котором пластина (91) сделана из металла, предпочтительно из нержавеющей стали, или неметаллического материала, предпочтительно кварца.
21. Эпитаксиальный реактор, отличающийся тем, что он содержит держатель (3) по п.1 и/или он содержит инструмент (9) по п.15.
22. Эпитаксиальный реактор по п.21, отличающийся тем, что он содержит средство, пригодное для нагревания держателя (3) посредством электромагнитной индукции.
RU2007142030/28A 2005-04-14 2006-04-05 Держатель для эпитаксиальных реакторов и инструмент для обращения с ним RU2007142030A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
ITMI2005A00645 2005-04-14
IT000645A ITMI20050645A1 (it) 2005-04-14 2005-04-14 Suscettori per reattori epitassiali e utensile per maneggiarlo

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2007142030A true RU2007142030A (ru) 2009-05-20

Family

ID=36691728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007142030/28A RU2007142030A (ru) 2005-04-14 2006-04-05 Держатель для эпитаксиальных реакторов и инструмент для обращения с ним

Country Status (8)

Country Link
US (1) US20080190357A1 (ru)
EP (1) EP1877600A1 (ru)
JP (1) JP2008536014A (ru)
KR (1) KR20080004448A (ru)
CN (1) CN101103453A (ru)
IT (1) ITMI20050645A1 (ru)
RU (1) RU2007142030A (ru)
WO (1) WO2006108783A1 (ru)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101988056B1 (ko) * 2013-01-04 2019-06-11 에스케이실트론 주식회사 에피택셜 반응기 및 에피택셜 반응기의 서셉터 지지수단
ITCO20130073A1 (it) * 2013-12-19 2015-06-20 Lpe Spa Camera di reazione di un reattore per crescite epitassiali adatta per l'uso con un dispositivo di carico/scarico e reattore
JP6800022B2 (ja) 2014-07-03 2020-12-16 エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ 基板を操作するためのツール、操作方法およびエピタキシャル反応器
JP6361495B2 (ja) * 2014-12-22 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6539929B2 (ja) * 2015-12-21 2019-07-10 昭和電工株式会社 ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法
ITUB20160556A1 (it) * 2016-02-08 2017-08-08 L P E S P A Suscettore con perno riscaldato e reattore per deposizione epitassiale
US10407769B2 (en) 2016-03-18 2019-09-10 Goodrich Corporation Method and apparatus for decreasing the radial temperature gradient in CVI/CVD furnaces
DE102016115614A1 (de) * 2016-08-23 2018-03-01 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
WO2021064653A1 (en) * 2019-10-03 2021-04-08 Lpe S.P.A. Treating arrangement with storage chamber and epitaxial reactor
DE112022000051T5 (de) 2021-06-01 2023-06-01 Zhejiang Qiushi Semiconductor Equipment Co., Ltd Epitaxiewachstumsvorrichtung
CN114250451B (zh) * 2021-06-01 2023-03-07 浙江求是半导体设备有限公司 外延生长装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0147967B1 (en) * 1983-12-09 1992-08-26 Applied Materials, Inc. Induction heated reactor system for chemical vapor deposition
JP4521545B2 (ja) * 2001-08-23 2010-08-11 信越半導体株式会社 気相成長装置およびウェーハの着脱方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101103453A (zh) 2008-01-09
WO2006108783A1 (en) 2006-10-19
ITMI20050645A1 (it) 2006-10-15
EP1877600A1 (en) 2008-01-16
KR20080004448A (ko) 2008-01-09
JP2008536014A (ja) 2008-09-04
US20080190357A1 (en) 2008-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007142030A (ru) Держатель для эпитаксиальных реакторов и инструмент для обращения с ним
US20120263569A1 (en) Substrate holders and methods of substrate mounting
US8276959B2 (en) Magnetic pad for end-effectors
CN1737191B (zh) 用于汽相淀积系统的衬底托架
TW448529B (en) Wafer coating apparatus clamp ring warp preventing method and apparatus
US8534659B2 (en) Substrate carrier and applications thereof
KR101829081B1 (ko) 기판 보유 지지 링 파지 기구
TW201624596A (zh) 晶圓托盤
EP2971225A1 (en) Carrier for a substrate and method for carrying a substrate
JP4003527B2 (ja) サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法
US7954219B2 (en) Substrate holder assembly device
CN109913947A (zh) 具有涂覆层的金刚石合成用衬底及金刚石合成系统
KR20150132507A (ko) 입계 확산 처리용 치구 및 상기 입계 확산 처리용 치구의 수용구
WO2019231596A1 (en) System for using o-rings to apply holding forces
CN202384308U (zh) 用于半导体晶片处置的载体适配器
JP2017076652A (ja) 基板載置台及び気相成長装置
CN107873062B (zh) 用于固持基板的方法和支撑件
CN205821452U (zh) 一种分区段晶圆片载体
CN102569153A (zh) 工件夹具
JP4665935B2 (ja) 半導体ウェーハの製造方法
JP2018093127A (ja) 固定装置およびイオン照射方法
EP1903603A2 (en) Substrate holder assembly device
CN205600548U (zh) 压板及夹具
CN105452524A (zh) 用于基板的支承布置
CN213680870U (zh) 一种磁控溅射设备用样品固定辅助工装

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20090406