Claims (2)
1. Полупроводниковое ключевое устройство, включающее тиристор с электростатической индукцией (ТЭУ), управляющий n-канальный МОП - транзистор и дополнительный МОП - транзистор, служащий в качестве регулирующего напряжение элемента, содержащие каждый исток, сток и затвор, соединенные между собой таким образом, что сток ТЭУ подключен к первому силовому выводу, исток ТЭУ присоединен к стоку управляющего МОП - транзистора, а затвор ТЭУ присоединен к стоку дополнительного МОП - транзистора, исток которого связан с истоком управляющего МОП - транзистора, который в свою очередь, подключен ко второму силовому выводу, служащему общей шиной, при этом затвор управляющего МОП - транзистора подключен к третьему управляющему выводу, отличающееся тем, что дополнительный МОП транзистор является n-канальным транзистором, затвор которого соединен со стоком управляющего МОП - транзистора.1. A semiconductor key device, including a thyristor with electrostatic induction (TEU), a control n-channel MOS transistor and an additional MOS transistor serving as a voltage-regulating element, containing each source, drain and gate, interconnected in such a way that the drain of the TEU is connected to the first power output, the source of the TEU is connected to the drain of the control MOS transistor, and the gate of the TEU is connected to the drain of an additional MOS transistor, the source of which is connected to the source of the control MOS transistor a stator, which in turn is connected to a second power terminal serving as a common bus, while the gate of the control MOS transistor is connected to the third control terminal, characterized in that the additional MOS transistor is an n-channel transistor, the gate of which is connected to the drain of the control MOS - transistor.
2. Полупроводниковое ключевое устройство по п.1, отличающееся тем, что в устройство введена форсирующая цепочка, состоящая из последовательного соединения конденсатора и диода, причем общая точка подключения одной обкладки конденсатора и катода диода присоединена к затвору управляющего МОП - транзистора, к истоку которого подключен анод указанного диода, при этом другая обкладка конденсатора присоединена к затвору ТЭУ.2. The semiconductor key device according to claim 1, characterized in that a boost chain is introduced into the device, consisting of a series connection of the capacitor and the diode, the common connection point of one capacitor plate and the diode cathode being connected to the gate of the control MOS transistor to the source of which is connected the anode of the indicated diode, while another capacitor plate is connected to the gate of the TEU.