RU2003118499A

RU2003118499A - Светоизлучающий диод в корпусе для поверхностного монтажа

Info

Publication number: RU2003118499A
Application number: RU2003118499/28A
Authority: RU
Inventors: Галина Владимировна Федорова (RU); Галина Владимировна Федорова; Сергей Петрович Черных (RU); Сергей Петрович Черных
Original assignee: Галина Владимировна Федорова (RU); Галина Владимировна Федорова; Сергей Петрович Черных (RU); Сергей Петрович Черных
Priority date: 2003-06-23
Filing date: 2003-06-23
Publication date: 2005-02-27
Also published as: RU2267188C2

Claims

1. Светодиодное полупроводниковое устройство, включающее источник излучения, держатель источника, выполненный из кремния с присоединительными выводами, отражающий конус, на нижней поверхности которого сформирован электрод, на который устанавливается кристалл излучателя, электрод сформированный на верхней плоскости кремниевого держателя, на который разваривается второй электрод источника излучения, нижняя поверхность держателя источника излучения содержит два контакта, позволяющая поверхностный монтаж.

2. Светодиодное полупроводниковое устройство, в соответствии с п. 1, где отражающая лунка имеет форму усеченной конической поверхности или тетраэдра, получаемых при травлении кремния, при этом травление кремния может производится как на всю глубину исходной пластины кремния, так и не на всю глубину.

3. Светодиодное полупроводниковое устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что глубина плоского посадочного места кристаллов излучателей света не менее чем в полтора раза превышает их толщину, а величина диаметра посадочного места для каждого отдельного кристалла излучателя света превышает размер диагонали нижней грани соответствующего кристалла, но не более чем в полтора раза величины указанной диагонали.

4. Светодиодное полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что объем лунки заполнен герметизирующим компаундом с добавлением диспергатора, люминофора или без них.

5. Светодиодное полупроводниковое устройство по п.1, где кремниевое основание, сформировано с нанесенными изолирующими слоями.

6. Светодиодное полупроводниковое устройство по п.1, где кремниевое основание, сформировано с нанесенными изолирующими слоями и металлическим слоем, где один металлический слой сформирован на слое изоляции, а другой слой сформирован на самом кремнии.

7. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.6, где обозначенный металлический слой сделан из материалов, выбранных из группы, состоящей из Ti, Pt, Ni, Au, Sn, Cu.

8. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с пп.5 и 6, где обозначенный слой изолятора сделан из материала, выбранного из группы, состоящей из SiO₂, Si₃N₄, Al₂О₃.

9. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где материал кристалла излучателя выбран из группы состоящей из Al₂О₃, GaN, Si, GaAs, BN, InP, SiC, ZnO и алмаза.

10. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где оба электрода сформированы на нижней поверхности отражающего конуса для посадки кристаллов методом флип-чип технологии.

11. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где обозначенный полупроводниковый слой первого типа- полупроводниковый слой N-типа, а обозначенный полупроводниковый слой второго типа - полупроводниковый слой Р-типа.

12. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, где обозначенный полупроводниковый слой первого типа -полупроводниковый слой Р-типа, а обозначенный полупроводниковый слой второго типа -полупроводниковый слой N-типа.

13. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, отличающееся тем, что в основании кремниевого держателя сформирован один из электронных

компонентов выпрямляющий диод, стабилитрон, электрически связанный с излучательным диодом.

14. Светодиодное полупроводниковое устройство в соответствии с п.1, отличающееся тем, что в основании кремниевого держателя сформирована функциональная интегральная схема, электрически связанная с излучательным диодом.