RU2002123315A - Фотовольтаически активный р-или n-допированный полупроводниковый материал, фотовольтаическая ячейка, содержащая его, способ получения указанного материала, способ комбинаторного получения и испытания указанного материала, способ получения фотовольтаических ячеек и матрица различных полупроводниковых материалов на проводящем субстрате - Google Patents

Claims (13)

1. Фотовольтаически активный р- или n-допированный полупроводниковый материал, состоящий из тройного соединения общей формулы (I)

где Me означает Al, Ti, Zr, V, Nb, Та, Cr, Мо, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu или Ag;

S^A, S^B означает В, С, Si, Ge, Sb, Se или Те, где S^A и S^B, соответственно, являются различными группами Периодической таблицы;

х, у, z независимо от друг друга имеют значения от 0,01 до 1, и где доля по массе S^A и S^B вместе составляет не более 30%, будучи выраженной относительно всего полупроводникового материала, или из смешанного оксида общей формулы (II)

где Me является Fe, Cu, V, Mn, Sn, Ti, Мо, W;

n=целое число от 1 до 6;

а=1 или 2;

f=число от 0,2 до 5;

k=число от 0,01 до 2;

u+v+w+x=1,

за исключением тройных соединений, состоящих из AlB₁₂ и SiB₆.

2. Способ получения полупроводникового материала по п.1 спеканием или совместным плавлением с последующим спеканием смесей порошков элементов, либо спеканием смесей порошков оксидов, экструдированием с формированием ленты и, возможно, вытягиванием ленты в течение последующего охлаждения ниже точки плавления материала.

3. Фотовольтаическая ячейка, имеющая фотовольтаически активный полупроводниковый материал, состоящий из множества металлов или оксидов металлов, где фотовольтаически активный материал выбран из р- или n-допированного полупроводникового материала, состоящего из тройного соединения формулы (I)

где Me является Al, Ti, Zr, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Mn, Fe, Co, Ni, Cu или Ag;

S^A, S^B являются В, С, Si, Ge, Sb, Se или Те, где S^A и S^B соответственно, явдяются различными группами Периодической таблицы;

х, у, z независимо от друг друга имеют значения от 0,01 до 1, и где доля по массе S^A и S^B вместе составляет не более 30%, будучи выраженной относительно всего полупроводникового материала, или из смешанного оксида общей формулы (II)

где Me является Fe, Cu, V, Mn, Sn, Ti, Mo, W;

n=целое число от 1 до 6;

а=1 или 2;

f=число от 0,2 до 5;

k=число от 0,01 до 2;

u+v+w+x=1.

4. Фотовольтаическая ячейка по п.1, где в полупроводниковом материале S^A и S^B выбирают из В, С, Ge, Sb, Se или Те.

5. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Al, Ti и Zr.

6. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из V, Mb и Та.

7. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Cr, Мо или W.

8. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Mn, Fe, Со и Ni.

9. Фотовольтаическая ячейка по п.3 или 4, где в полупроводниковом материале Me выбирают из Cu и Ag.

10. Фотовольтаическая ячейка по п.3, где для смешанного оксида f имеет величину в интервале от 0,2 до 0,9 или 1, либо от 1,01 до 2, либо от 2,01 до 5.

11. Способ получения фотовольтаических ячеек по одному из пп.3-10 нанесением слоев полупроводникового материала на проводящие субстраты посредством трафаретной печати.

12. Способ комбинаторного получения и испытания полупроводниковых материалов для фотовольтаических ячеек по п.1, в котором матрицу тонкопленочных точек полупроводниковых материалов с различным составом получают на проводящем двумерном субстрате, субстрат подвергают тепловой обработке с доведением матрицы до желательной температуры измерения, и точки, соответственно, приводят в контакт с измерительной иглой, причем измеряют при освещении напряжение без нагрузки, ток и напряжение с уменьшением нагрузочного сопротивления и/или при коротком замыкании с последующим сохранением и оценкой.

13. Матрица из, по меньшей мере, 10 различных полупроводниковых материалов по п.1 на проводящем субстрате.