RU168094U1 - Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера - Google Patents
Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера Download PDFInfo
- Publication number
- RU168094U1 RU168094U1 RU2016117634U RU2016117634U RU168094U1 RU 168094 U1 RU168094 U1 RU 168094U1 RU 2016117634 U RU2016117634 U RU 2016117634U RU 2016117634 U RU2016117634 U RU 2016117634U RU 168094 U1 RU168094 U1 RU 168094U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrodes
- plasma
- chemical etching
- substrate holder
- plates
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H10P50/242—
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Использование: для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра в плазме разреженных газов. Сущность полезной модели заключается в том, что устройство для плазмохимического травления пластин большого размера, включает корпус камеры, две группы электродов, выполненные в виде концентрических колец, изолированный подложкодержатель с расположенной на нем обрабатываемой пластиной и систему газонапуска, электроды выполнены в виде полых водоохлаждаемых колец, зазор между которыми составляет от 5 до 8 мм, к одной группе относятся ВЧ-электроды, а ко второй - заземленные электроды, причем центральный электрод находится под ВЧ потенциалом и выполнен в виде стержня, при этом движение газового потока осуществляется вдоль поверхности ВЧ-электродов перпендикулярно поверхности обрабатываемой пластины и дополнительно контролируется отдельным регулируемым натекателем в каждом кольцевом канале, а подложкодержатель находится вне зоны возбуждения плазмы. Технический результат обеспечение возможности увеличения диаметра пластин, подвергаемых плазмохимическому травлению, без потери качества. 1 н.п. и 1 з.п. ф-лы, 1илл.
Description
Полезная модель относится устройствам для плазмохимического травлению материалов и может быть использована для обработки полупроводниковых пластин большого диаметра в плазме разреженных газов, в частности для изотропного удаления двуокиси кремния, очистки пластин от фоторезиста.
Устройство плазмохимического травление, согласно изобретению TW 201507026 (МПК H01J 37/305; H01L 21/3065, опубл. 2015-02-16), содержит камеру обработки, секцию удержания подложки в камере обработки и электродную пластину, обращенную к секции удержания подложки внутри камеры обработки. Устройство плазмохимического травления дополнительно содержит набор секций для подачи технологического газа в пространство между секцией удержания и электродной пластиной, причем каждая из секции подачи расположена в одной из n (где n означает натуральное число 2 или выше) областей, имеющих форму концентрических кругов, расположенных перпендикулярно подложке с секциями подачи технологического газа через равные интервалы в каждой области. Устройство плазмохимического травления также содержит источник питания высокой частоты (ВЧ), который преобразует технологический газ в плазму путем подачи высокочастотной мощности на секцию удержания или на электродную пластину. Устройство плазмохимического травления также контролирует скорость потока газа, подаваемого из отверстий подачи газа в каждой области.
В патенте US 5961772 (МПК H01J 37/32; H01L 21/302; Н05Н 1/24; H05H 1/46; опубл. 1999-10-05) предложено использование двух концентрических электродов для создания плазмы в кольцевом зазоре между ними. Формируемый устройством плазменный разряд создает газовый поток температурой не выше 250°С при мощности 300 В, способный произвести быструю очистку или травление металлов и других материалов, также удалить пленки и покрытия. Возникновение дугового разряда предупреждается использованием гелия, ограничивающего ионизацию, высокой скоростью потока и ВЧ питанием электрода.
Недостатком этих устройств является неспособность обработки пластин большого диаметра. Увеличение диаметра электродов приведет к неоднородности травления, во избежание которой придется отдалить пластину от зоны возбуждения, что резко понизит скорость травления из-за рекомбинации радикалов в пути.
Для обеспечения возможности обработки пластин большого диаметра следует увеличить количество электродов.
Известно устройство, принятое за прототип (заявка на патент 93008861, МПК H01L 21/306, опубл. 20.04.1995), для плазменного травления материалов, которое содержит разрядную камеру с газовакуумной системой, электроды для возбуждения плазмы, выполненные в виде двух групп соединенных между собой поочередно концентрических колец, закрепленных на диэлектрической пластине. Основным преимуществом предлагаемой конструкции является обеспечение высокого процента выхода годных изделий за счет повышения равномерности распределения скорости травления по поверхности подложки любого диаметра, до 200 мм включительно.
Целью настоящей полезной модели является повышение качества обработки пластин большого диаметра, путем уменьшения вредного энергетического воздействия плазмы на их поверхность и повешения равномерности обработки.
Технический результат заключается в значительном увеличении диаметра пластин, подвергаемых плазмохимическому травлению, без потери качества обработки.
Технический результат достигается тем, что в устройстве для плазмохимического травления пластин большого размера, включающем корпус камеры, две группы электродов, выполненные в виде концентрических колец, изолированный подложкодержатель с расположенной на нем обрабатываемой пластиной и систему газонапуска, согласно полезной модели, электроды выполнены в виде полых водоохлаждаемых колец, зазор между которыми составляет от 5 до 8 мм, к одной группе относятся ВЧ-электроды, а ко второй - заземленные электроды, причем центральный электрод находится под ВЧ потенциалом и выполнен в виде стержня, при этом движение газового потока осуществляется вдоль поверхности ВЧ-электродов перпендикулярно поверхности обрабатываемой пластины, а подложкодержатель находится вне зоны возбуждения плазмы.
С целью увеличения равномерности обработки пластин большого диаметра, прохождение газового потока по каждому кольцевому каналу может дополнительно контролироваться отдельным регулируемым натекателем, а мощность, вкладываемая в разряд в каждом кольцевом зазоре между электродами, может дополнительно регулироваться специальными устройствами регулировки мощности.
Так как количество кольцеобразных электродов можно увеличить неограниченно, данная система позволит обрабатывать пластины практически любого диаметра. Такая конструкция позволит управлять газонапуском над поверхностью пластины, регулируя таким образом радиальную неоднородность скорости обработки поверхности, благодаря тому, что каждая пара электродов может иметь свою систему газонапуска.
Зона обработки пространственно отделена от зоны генерации плазмы. Перераспределение мощности, вкладываемой в разряд, производится между каждой парой кольцевых электродов независимо, таким образом меняется концентрация активных радикалов над поверхностью пластины, обеспечивая равномерность ее обработки.
На фиг. 1 приведено схематическое изображение предлагаемого устройства в разрезе.
Устройство содержит заземленный корпус 1 с откачным патрубком 2, расположенный в корпусе 1 подложкодержатель 3 с обрабатываемой пластиной 4. Верхняя крышка камеры состоит из чередующихся потенциальных 5 и заземленных 6 электродов, рабочие поверхности которых, имеют форму соосных цилиндров. Блок газонапуска состоит из натекателей 7, которые регулируют подачу газовой смеси в зазоры между этими электродами. Питание электродов осуществляется от высокочастотного устройства 8. ВЧ-мощность, подаваемая на потенциальные электроды 5 распределяется при помощи устройств 9.
Устройство работает следующим образом.
На подложкодержатель 3 укладывается обрабатываемая пластина 4. Корпус 1 и система элетродов герметизируют реакционный объем. Через патрубок 2 производится откачка камеры до давления 1.3-6 Па. После достижения этого давления осуществляется подача рабочего газа в область возбуждения разряда. При установлении в камере рабочего давления 350-500 Па на электроды 5 от генератора 8 через устройство согласования подается ВЧ напряжение частотой 13,56 МГц. В зазоре между электродами 5 и 6 возбуждается плазма тлеющего разряда. Образующиеся при этом химически активные радикалы переносятся газовым потоком к поверхности пластины и осуществляют процесс травления. При этом, т.к. ВЧ поле в реакторе направлено вдоль поверхности пластины, оно препятствует дрейфу заряженных частиц в потоке газа в направлении к поверхности пластины, таким образом уменьшая вредное энергетическое воздействие разряда на поверхность. Во избежание радиальной неоднородности травления по пластине, мощность, вкладываемая в каждый кольцевой зазор, перераспределяется соответствующим устройством, а расход газовой смеси, подаваемой в каждый кольцевой зазор, регулируется отдельным натекателем.
Claims (2)
1. Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера, включающее корпус камеры, две группы электродов, выполненные в виде концентрических колец, изолированный подложкодержатель с расположенной на нем обрабатываемой пластиной и систему газонапуска, отличающееся тем, что электроды выполнены в виде полых водоохлаждаемых колец, зазор между которыми составляет от 5 до 8 мм, к одной группе относятся ВЧ-электроды, а ко второй - заземленные электроды, причем центральный электрод находится под ВЧ- потенциалом и выполнен в виде стержня, при этом движение газового потока осуществляется вдоль поверхности ВЧ-электродов перпендикулярно поверхности обрабатываемой пластины и дополнительно контролируется отдельным регулируемым натекателем в каждом кольцевом канале, а подложкодержатель находится вне зоны возбуждения плазмы.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что мощность, вкладываемая в разряд в каждом кольцевом зазоре между электродами, может дополнительно регулироваться специальными устройствами регулировки мощности.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016117634U RU168094U1 (ru) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016117634U RU168094U1 (ru) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU168094U1 true RU168094U1 (ru) | 2017-01-18 |
Family
ID=58451359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016117634U RU168094U1 (ru) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU168094U1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198724A (en) * | 1990-10-23 | 1993-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and plasma generating device |
| US5369336A (en) * | 1990-12-31 | 1994-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma generating device |
| RU93008861A (ru) * | 1993-02-18 | 1995-04-20 | В.Г. Ястребов | Устройство для плазменного травления материалов |
| US5961772A (en) * | 1997-01-23 | 1999-10-05 | The Regents Of The University Of California | Atmospheric-pressure plasma jet |
| TW201507026A (zh) * | 2013-05-15 | 2015-02-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 電漿蝕刻裝置及電漿蝕刻方法 |
-
2016
- 2016-05-04 RU RU2016117634U patent/RU168094U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198724A (en) * | 1990-10-23 | 1993-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method and plasma generating device |
| US5369336A (en) * | 1990-12-31 | 1994-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma generating device |
| RU93008861A (ru) * | 1993-02-18 | 1995-04-20 | В.Г. Ястребов | Устройство для плазменного травления материалов |
| US5961772A (en) * | 1997-01-23 | 1999-10-05 | The Regents Of The University Of California | Atmospheric-pressure plasma jet |
| TW201507026A (zh) * | 2013-05-15 | 2015-02-16 | 東京威力科創股份有限公司 | 電漿蝕刻裝置及電漿蝕刻方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103219216B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| JP6831644B2 (ja) | プラズマ点源のアレイによってワークピースを処理するためのプラズマリアクタ | |
| US7713377B2 (en) | Apparatus and method for plasma treating a substrate | |
| CN107636793B (zh) | 离子对离子等离子体原子层蚀刻工艺及反应器 | |
| CN106575615B (zh) | 气体供给系统、等离子体处理装置和等离子体处理装置的应用方法 | |
| CN107408486B (zh) | 用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室 | |
| TWI671841B (zh) | 半導體基板處理設備中之可調式對流擴散氣流所用的具備中央氣體注射器之陶瓷噴淋頭 | |
| KR102319181B1 (ko) | 가스 공급계, 가스 공급 제어 방법 및 가스 치환 방법 | |
| JP2009004755A5 (ru) | ||
| US8097217B2 (en) | Atmospheric pressure plasma generating apparatus by induction electrode | |
| US20190122863A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| CN112334599A (zh) | 活性气体生成装置及成膜处理装置 | |
| KR20140101266A (ko) | 리모트 플라즈마 발생장치 | |
| KR20250130751A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 | |
| KR20190002618A (ko) | Vhf z-코일 플라즈마 소스 | |
| RU168094U1 (ru) | Устройство для плазмохимического травления пластин большого размера | |
| CN103262661A (zh) | 用于输送气体进入等离子体处理腔室的方法和设备 | |
| KR102774860B1 (ko) | 원격 플라즈마 프로세스들을 위한 방전 모드 및 대칭 중공 캐소드 전극을 위한 방법들 및 장치 | |
| WO2020087683A1 (zh) | 等离子体发生器及等离子体清洗装置 | |
| CN112004304A (zh) | 一种电晕复合介质阻挡放电等离子体射流发生装置 | |
| JP2011108615A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US10497543B2 (en) | Device for anisotropically etching a substrate, and method for operating a device for anisotropically etching a substrate | |
| RU2483501C2 (ru) | Плазменный реактор с магнитной системой | |
| RU112678U1 (ru) | Устройство для получения углеродных наноструктур (варианты) | |
| JP2023137352A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20180505 |