RU1441991C - Способ очистки поверхности изделия - Google Patents

Abstract

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при очистке поверхности металлических и полупроводниковых изделий. Цель изобретения - повышение очистки эффективности и обеспечение очистки поверхности полупроводников. Разряд зажигают между жидким катодом - электролитом и твердым анодом - обрабатываемым изделием, при токе разряда 150 ≅ J ≅ 7000 мА, межэлектродном расстоянии I = 1,0 - 1,5 мм и напряжении разряда 5000 ≥ U ≥ 100 B. При этом повышается чистота обработки поверхности. 1 ил.

Description

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при очистке поверхности металлических и полупроводниковых изделий.

Целью изобретения является повышение качества очистки, упрощение способа и обеспечение очистки полупроводниковых изделий.

На чертеже показано устройство для осуществления способа.

Устройство содержит анод - обрабатываемое изделие 1 и электролитическую ячейку 2 (катод). Межэлектродное расстояние между ними l = 1,0-1,5 мм. Электролитическая ячейка 2 (катод) заполнена электролитом 3. На дне ячейки 2 находится металлическая пластина 4. Непосредственно к электродам подключен высоковольтный источник питания.

Способ осуществляют следующим образом.

Зажигают разряд между анодом 1 и катодом 2. Величину тока устанавливают от 150 до 7000 мА. Очистку проводят при атмосферном давлении в течение 60-240 с. Скорость очистки зависит от величины тока разряда и состава электролита. Обязательным условием очистки является поддержание зазора между анодом и катодом l = 1,0-1,5 мм. В случае высоковольтного разряда должен прилипать электролит. В случае низковольтного разряда, разряд горит без прилипания электролита на расстоянии l = =1,0-1,5 мм и происходит очистка поверхности образца.

Из анализа полученных результатов следует, что при этом качество очистки повышается. Поверхность полупроводника очищается без использования сложного и неэффективного оборудования. В случае высоковольтного разряда процесс очистки происходит следующим образом. У анода после прилипания электролита разряд горит нестационарно. Когда образуются пузырьки газа, разряд горит, а когда пузырьки исчезают, разряд гаснет. Под действием этих процессов поверхность изделия очищается до структурного уровня. Все это происходит в сложной парогазообразной среде.

При l≅1 мм процесс очистки образца замедляется и ухудшается, при l≥1,5 мм поверхность анода в случае высоковольтного разряда сгорает.

Claims (1)

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЯ, заключающийся в зажигании разряда между обрабатываемым изделием и жидким электролитом, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки и обеспечения очистки поверхности полупроводников, на обрабатываемое изделие подают положительный потенциал, устанавливают зазор l между электродами 1,0-1,5 мм и поддерживают разрядный ток 0,15 ≅ I ≅ A при разрядном напряжении 500 ≥ U ≥ 1070 B соответственно.

Images