[go: up one dir, main page]

RS904A - Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnosti prema supstratu - Google Patents

Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnosti prema supstratu

Info

Publication number
RS904A
RS904A YUP-9/04A YUP904A RS904A RS 904 A RS904 A RS 904A YU P904 A YUP904 A YU P904A RS 904 A RS904 A RS 904A
Authority
RS
Serbia
Prior art keywords
group
pyrrolidinone
dimethyl
cleaning preparation
piperidone
Prior art date
Application number
YUP-9/04A
Other languages
English (en)
Inventor
Sherman Hsu Chien-Pin
Original Assignee
Mallinckrodt Baker Inc.,
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mallinckrodt Baker Inc., filed Critical Mallinckrodt Baker Inc.,
Publication of RS904A publication Critical patent/RS904A/sr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/28—Heterocyclic compounds containing nitrogen in the ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/0005—Other compounding ingredients characterised by their effect
    • C11D3/0073—Anticorrosion compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/16—Organic compounds
    • C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D3/33—Amino carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
    • C11D3/43—Solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3263—Amides or imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
    • C11D7/3281—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/50—Solvents
    • C11D7/5004—Organic solvents
    • C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/34—Organic compounds containing sulfur

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)

Abstract

Preparati za čišćenje bez amonijaka, za čišćenje mikroelektronskih substrata, a naročito oni preparati za čišćenje koji su korisni zato što imaju bolju kompatibilnost prema mikroelektronskim substratima, koji karakterišu osetljivi porozni dielektrici sa niskom-k i visokom-k, i metalizacija sa bakrom. Preparati za čišćenje za skidanje fotozaštitnih slojeva, čišćenje ostataka organskih, organometalnih i neorganskih jedinjenja generisanih plazmom i za čišćenje ostataka od postupaka planarizacije. Preparat za čišćenje sadrži jednu ili više jakih baza koje ne proizvode amonijak, koje imaju ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone i jedan ili više sterno ometenih amidnih rastvarača.

Description

ALKALNI PREPARATI BEZ AMONIJAKA ZA ČIŠĆENJE
MlKROELEKTRONIKE, SA BOLJOM KOMPATIBILNOSTI
PREMA SUBSTRATU
Ovaj pronalazak se odnosi na preparate za čišćenje bez amonijaka, za čišćenje mikroelektronskih substrata, a naročito na one preparate za čišćenje koji su korisni zato što imaju poboljšanu kompatibilnost prema mikroelektronskim substratima, koje karakterišu osetljivi, porozni dielektrici niskeki visokeki metalizacija sa bakrom. Ovaj pronalazak se takođe odnosi na upotrebu ovih preparata za čišćenje pri skidanju fotozaštitnog sloja, čišćenju ostataka organskih, organometalnih i neorganskih jedinjenja generisanih plazmom i čišćenju ostataka od procesa planarizacije, kao što je hemijsko mehaničko poliranje (CMP), i od aditiva u ostacima guste suspenzije za planarizaciju.
Predložena su mnoga sredstva za čišćenje i skidanje ostataka fotozaštitnog sloja za upotrebu na polju mikroelektronike, kao izlazna ili završna faza proizvodne linije čišćenja. U proizvodnom procesu, taloži se tanak film fotozaštitnog materijala na pločicu kao substrat, a zatim se na ovaj tanki film prenosi lik sheme elektronskog kola. Nakon pečenja, nepolimerizovani zaštitni sloj se uklanja sa razvijačem za materijal fotozaštitnog sloja. Slika koja iz toga proizilazi prenosi se na materijal podloge, koji je obično dielektrik ili metal, preko gasova za nagrizanje iz reaktivne plazme ili rastvora za hemijsko nagrizanje. Gasovi za nagrizanje ili rastvori za hemijsko nagrizanje selektivno napadaju nezaštićenu površinu fotozaštitnog sloja na substratu. Kao rezultat procesa nagrizanja plazmom, talože se kao ostaci sporedni proizvodi fotozaštitnog sloja, gasa za nagrizanje i nagriženog materijala, u okolini ili na bočnim zidovima nagriženih otvora na substratu.
Pored toga, po završetku koraka nagrizanja, maska od zaštitnog sloja se mora ukloniti sa zaštićene površine pločice, tako da se može obaviti završna operacija poliranja. Ovo se može učiniti u koraku spaljivanja u plazmi, korišćenjem pogodnih gasova za spaljivanje u plazmi, ili pomoću vlažnih hemijskih sredstava za skidanje. Nalaženje pogodnog preparata za čišćenje za uklanjanje ovog materijala maske zaštitnog sloja, bez štetnih uticaja na metalnu shemu kola, npr. korodiranjem, rastvaranjem ili zaobljavanjem, pokazalo se takođe problematičnim.
Pošto je nivo integracije u proizvodnji mikroelektronike porastao, a dimenzije šablonizovanih mikroelektronskih uređaja se smanjile, u stanju tehnike je porasla potreba za metalizacijama sa bakrom i poroznim dielektricima niske-Ki visoke-K. Ovi materijali predstavljaju dodatne izazove u nalaženju prihvatljivih preparata za čišćenje. Mnogi preparati u procesnoj tehnologiji koji su prethodno razvijeni za "tradicionalne" ili "konvencionalne" uređaje, koji sadrže Al/Si02ili AI(Cu)/Si02strukture, ne mogu da se koriste za strukture dielektrika sa niskim-Kili visokim-Kmetalizovane bakrom. Na primer, sredstva za skidanje ili sredstva za uklanjanje ostataka, koja se sa uspehom koriste za čišćenje uređaja sa Al metalizacijama, praktično su neupotrebljiva u onima sa bakarnim metalizacijama. Slično, mnoga sredstva za skidanje sa podloge metalizovane bakrom/niske-Knisu pogodna za Al metalizovane uređaje, ukoliko se ne učine značajna podešavanja u sastavima. Uklanjanje ovih ostataka nagrizanja i/ili spaljivanja, zaostalih posle nagrizanja i/ili procesa spaljivanja, pokazalo se problematičnim. Neuspeh u potpunom uklanjanju ili neutralizaciji ovih ostataka može da dovede do absorpcije vlage i stvaranja neželjenih materijala, koji mogu da izazovu koroziju na metalnim strukturama. Materijali za elektronska kola korodiraju sa nepoželjnim materijalima i stvaraju diskontinuitete u kolima, povećavajući neželjeno električnu otpornost.
Današnja završna sredstva za čišćenje pokazuju širok opseg kompatibilnosti sa nekim osetljivim dielektricima i metalizacijama, koji se kreće od potpune neprihvatljivosti do marginalno zadovoljavajuće prihvatljivosti. Mnoga od današnjih sredstava za skidanje ili sredstava za čišćenje ostataka nisu prihvatljiva za savremene materijale za premošćavanje, kao što su dielektrici niske-Ki metalizacije sa bakrom. Pored toga, tipični alkalni rastvori za čišćenje koji su u upotrebi, preterano su agresivni prema dielektricima niske-K i visoke-K i/ili bakarnim metalizacijama. Pored toga, mnogi od ovih alkalnih prpearata za čišćenje sadrže organske rastvarače koji pokazuju nisku stabilnost proizvoda, naročito u opsezima viših pH i na višim procesnim temperaturama.
Prema tome, postoji potreba za preparatima za čišćenje mikroelektronike pogodnih za završne operacije čišćenja, za preparatima koji efikasno čiste, a primenljivi su za skidanje fotozaštitnih slojeva, čišćenje ostataka od procesa u plazmi koji genereišu organske, organometalne i neorganske materijale, i čišćenje ostataka iz koraka procesa planarizacije, kao što je hemijsko mehaničko poliranje i slično. Ovaj pronalazak se odnosi na preparate koji su efikasni za skidanje fotozaštitnog sloja, pripremu/čišćenje poluprovodničkih površina i struktura, sa dobrom kompatibilnošću prema savremenim materijalima za premošćavanje, kao što su dielektrici niske-K i visoke-K, i metalizacije sa bakrom.
Pronađeno je da su amonijak (NH3) i baze izvedene iz amonijaka, kao što su amonijum-hidroksid i druge soli (NH4X, X = OH, karbonat itd.) u stanju da rastvaraju/korodiraju metale, kao što je bakar, preko stvaranja kompleksa. Dakle, oni su slab izbor za upotrebu u formulacijama za čišćenje poluprovodnika, kada se zahteva kompatibilnost sa poroznim dielektricima niske-Ki visoke-Ki metalizacijama sa bakrom. Ova jedinjenja mogu da generišu amonijak preko procesa ravnoteže. Amonijak može da formira kompleks sa metalima, kao što je bakar, koji dovodi do korozije/rastvaranja metala, kao što je pokazano jednadnama koje slede.
Dakle, amonijum-hidroksid i amonijumove soli mogu obezbediti nukleofilni i za helatiranje metala neophodni amonijak (NH3) preko procesa ravnoteže opisanog u Jednačini 1, naročito kada se dodaju druge baze, kao što su amini i alkanolamini. U prisistvu kiseonika metali, kao što je bakar, mogu da se rastvaraju/korodiraju preko stvaranja kompleksa sa amonijakom, kao što opisuje Jednačina 2. Ovo stvaranje kompleksa može da još pomeri ravnotežu (Jednačina 1) u smeru na desno, dajući još amonijaka, što vodi još većem rastvaranju/koroziji metala.
Obično se, osetljivi dielektrici niske-Kznačajno degradiraju pod jako alkalnim uslovima. Amonijak i baze izvedene iz amonijaka takođe pokazuju slabu kompatibilnost sa osetljivim dielektricima, kao što je vodonik silseskvioksan (HSQ) i metil silseskvioksan (MSQ). Ponovo, oni mogu stvoriti amonijak i/ili druge nukleofile i tako dovesti do reakcije/degradacije osetljivih dielektrika.
Pronađeno je da formulacije za čišćenje sa jakim alkalnim bazama, koje ne stvaraju amonijak i sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone (kao što je tetraalkilamonijum) u amidnim rastvaračima sa stemom smetnjom, pokazuju znatno poboljšanu kompatibilnost sa osetljivim, poroznim dielektricima niske-K i visoke-K i prema metalizaciji sa bakrom. Poželjne matrice rastvarača su otporne prema jako alkalim uslovima, usled efekta sternih smetnji i/ili niske ili nikakve reaktivnosti prema nukleofilnim reakcijama (u odnosu na nukleofile kao što je hidroksilni jon). Bolja kompatibilnost prema dielektricima se delimično postiže usled odsustva u preparatima nepoželjnih nukleofila. Dobra kompatibilnost prema metalizaciji sa bakrom se postiže selektivnom upotrebom nekih sa bakrom kompatibilnih, sterno ometenih amidnih rastvarača. Ove komponente se mogu formulisati u polu-vodene do praktično ne-vodene (zasnovane na organskom rastvaraču) rastvore za čišćenje, ili guste suspenzije.
Novi preparat za završno čišćenje iz ovog pronalaska sadrži jednu ili više pogodnih jakih baza koje ne stvaraju amonijak, sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone i jedan ili više pogodnih stemo ometenih amidnih rastvarača, stabilnih u jako alkalnim uslovima. Između pogodnih jakih baza koje ne stvaraju amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone, za upotrebu u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska, mogu se pomenuti tetraalkilamonijumhidroksidi formule:
gde je svaki R nezavisno, supstituisani ili nesupstituisani alkil, poželjno alkil ili hidroksialkil sa 1 do 22, poželjnije 1 do 6 atoma ugljenika (R*H); a X = OH ili pogodni anjon soli, kao što je karbonat i slično; a p i q su jednaki, celi brojevi od 1 do 3. Pogodne jake baze takođe su KOH i NaOH. Preparati za čišćenje koji sadrže jake baze koje ne stvaraju amonijak, a sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone, pokazuju znatno bolju kompatibilnost prema dielektricima niske-Ki metalizaciji sa bakrom. Tetraalkiamonijum hidroksidi bez amonijaka (TAAH) su vrlo jake baze, a ipak je pronađeno sa iznenađenjem da pružaju poboljšanu kompatibilnost prema niskom-K, u poređenju sa preparatima za čišćenje sa amonijum-hidroksidom. Naročito su poželjni tetrametilamonijum-hidroksid, tetrabutilamonijum-hidroksid, holin-hidroksid i tetrametilamonijum-karbonat. lako su prethodni pokušaji za kontrolu ili inhibiranje korozije metala obuhvatali pažljivo kontrolisanje pH i/ili korišćenje jedinjenja za inhibiciju korozije, kao što je benzotriazol (BT), pri relativno niskim koncentracijama <2 mas%, pronađeno je da se neočekivano, značajno poboljšanje u kontrolisanju korozije metalnog bakra može obezbediti sa preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska, kada se koristi jedan ili više stemo ometenih amidnih rastvarača. Može se koristiti bilo koji pogodan stemo ometen amidni rastvarač u preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska. Kao takvi sterno ometeni amidni rastvarači poželjni su sterno ometeni aciklični i stemo ometeni ciklični amidi sa formulom:
gde je n ceo broj od 1 do 22, poželjno 1 do 6; a Ri, R2, R3, R4, R5, Re, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju između H, alkil (supstituisan ili nesupstituisan), poželjno alkil sa 1 do 6 atoma ugljenika, i aril (supstituisan ili nesupstituisan), poželjno aril sa od 3 do 14 atoma ugljenika, pod uslovom da je najmanje jedan između R2, R2i R3 i najmanje jedan između R4| R5, R6, R7 i Rsnije vodonik.
Neki pogodni primeri ovih stemo ometenih amidnih acikličnih rastvarača su, na primer, acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), benzamid i slično. Neki pogodni primeri stemo ometenih cikličnih amida su, na primer, N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1 -(2-hidroksietil) 2-pirolidinon, 1,5-dimetil 2-piperidon i slično.
Preparati za čišćenje iz ovog pronalaska koji sadrže jake baze koje ne proizvode amonijak, mogu se formulisati u vodene, polu-vodene preparate i preparate na bazi organskog rastvarača. Jake baze, koje ne proizvode amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone, mogu se korisititi sa stemo ometenim amidnim rastvaračima, samim ili u kombinaciji sa drugim stabilnim rastvaračima, poželjno sa jednim ili više polarnih organskih rastvarača rezistentnih prema jakim bazama, a koji ne sadrže nukleofile koji nisu ometeni, kao što su dimetilsulfoksid (DMSO), sulfolan (SFL), dimetilpiperidon, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol, 3-(dimetilamino)-1,2-propandiol i slično. Preparat za čišćenje može takođe opciono da sadrži organske ili neorganske kiseline, poželjno slabe organske ili neorganske kiseline, ometene amine, ometene alkanolamine i ometene hidroksilamine i druge inhibitore korozije, kao što su benzotriazol, katehol, glicerin, etilenglikol i slično. Preparati za čišćenje mogu takođe da sadrže bilo koji pogodan surfaktant, kao što je na primer dimetilheksinol (Surfynol-61), etoksilovani tetrametildecindiol (Syrfinol-465), politetrafluoroetilen cetoksipropilbetain (Zonyl FSK), (Zonyl FSH) i slično. Dakle, može se koristiti široki opseg radnih/operabilnih pH i temperatura za efikasno uklanjanje i čišćenje fotozaštitinih slojeva, ostataka nagrizanja/spaljivanja posle tretmana plazmom, pomoćnih lako absorbujućih materijala i anti-refleksnih prevlaka (ARC). Nađeno je takođe, da su neke od ovih vrsta formulacija naročito efikasne za čišćenje veoma zahtevnih uzoraka, koji sadrže u njihovoj strukturi tantal, kao što su barijerni slojevi od tantala (Ta) ili tantal-nitrida, i oksidi tantala.
U preparatima iz ovog pronalaska može se koristiti bilo koji silikat bez jona metala. Ovi poželjni silikati su kvatememi amonijum-silikati, kao što je tetraalkilamonijum-silikat (uključujući alkil koji sadrži hidroksi i alkoksi grupe, obično sa od 1 do 4 atoma ugljenika u alkil ili alkoksi grupi). Najpoželjnija silikatna komponenta bez jona metala je tetrametilamonijum-silikat. Drugi izvori silikata bez jona metala pogodni za ovaj pronalazak se mogu generisatiin situ,rastvaranjem bilo koga ili više sledećih materijala u jako alkalnom sredstvu za čišćenje. Pogodni materijali bez jona metala, korisni za generisanje silikata u sredstvu za čišćenje su čvrste pločice silicijuma, silicijumova kiselina, koloidni silicijum-dioksid, dimljeni silicijum-dioksid ili bilo koji drugi pogodan oblik silicijuma ili silicijum-dioksida. Mogu se koristiti metalni silikati, kao što je natrijum-metasilikat, ali se ne preporučuju zbog štetnih efekata i kontaminacije integralnih kola metalima. Ovakvi silikati mogu biti prisutni u ovom preparatu u sadržaju od oko 0 do 10 mas%, poželjno u sadržaju od oko 0,1 do oko 5 mas%.
Preparati iz ovog pronalaska se mogu takođe formulisati sa pogodnim agensima za helatiranje metala, da se poveća kapacitet formulacije za zadržavanje metala u rastvoru i da se poboljša rastvaranje ostataka metala na pločici substrata. Agens za helatiranje je obično prisutan u ovim preparatima u sadržaju od oko 0 do 5 mas%, poželjno u sadržaju od oko 0,1 do 2 mas%. Tipični primeri agenasa za helatiranje korisnih za ovu svrhu, su sledeće organske kiseline, njihovi izomeri i soli: (etilendinitrilo)tetrasirćetna kiselina (EDTA), butilendiamintetrasirćetna kiselina, (1,2-cikloheksilendinitrilo)tetrasirćetna kiselina (CyDTA), dietilentriaminpentasirćetna kiselina (DETPA), etilendiamintetrapropionska kiselina, (hidroksietil)etilendiamintetrasirćetna kiselina (HEDTA), N,N,N',N'-etilendiamintetra(metilenfosfonska) kiselina (EDTMP), trietilentetraminheksa-sirćetna kiselina (TTHA), 1,3-diamino-2-hidroksiproan-N,N,N',N'-tetrasirćetna kiselina (DHPTA), metiliminodisirćetna kiselina, propilendiamintetrasirćetna kiselina, nitrolotirsirćetna kiselina (NTA), limunska kiselina, vinska kiselina, glukonska kiselina, saharinska kiselina, glicerinska kiselina, oksalna kiselina, ftalna kiselina, maleinska kiselina, bademova kiselina, maloska kiselina, mlečna kiselina, salicilna kiselina, katehol, galinska kiselina, propilgalat, pirogalol, 8-hidroksihinolin i cistein. Poželjni agensi za helatiranje su aminokarboksilne kiseline, kao što su EDTA, CyDTA i EDTMP.
Preparati za čišćenje mogu takođe opciono da sadrže fluoridna jedinjenja u preparatu za čišćenje, kao što su na primer, tetrametilamonijum-fluorid, tetrabutilamonijum-fluorid i amonijum-fluorid. Drugi podesni fluoridi su, na primer, fluoroborati, tetrabutilamonijum-fluoroborati, aluminijum-heksafluoridi, antimon-fluorid i slično. Fluoridne komponenete su prisutne u sadržaju od 0 do 10 mas%, poželjno od oko 0,1 do 5 mas%.
Preparati za čišćenje iz ovog pronalaska obično sadrže od oko 0,05 do oko 30 mas% jake baze koja ne proizvodi amonijak; od oko 5 do oko 99,95 mas% komponente sterno ometenog amidnog rastvarača; od oko 0 do oko 95 mas% vode ili drugog organskog ko-rastvarača; od oko 0 do 40 mas% stemo ometenih amina ili alkanolamina; oko 0 do 40 mas% organskih ili neorganskih kiselina; oko 0 do 40 mas% jedinjenja koja su inhibitor korozije, kao što su benzotriazol, katehol, glicerin, etilenglikol i slično; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikata bez jona metala; od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala; i od oko 0 do 10 mas% fluoridnog jedinjenja.
Primeri ovih vrsta formulacija su dati u Tabeli 1 koja sledi.
Brzine nagrizanja bakra za Preparate D, E, F, G i H iz Tabele 1, prikazane su kroz podatke za brzinu nagrizanja u Tabelama 2 i 3 koje slede. Brzina nagrizanja je određena korišćenjem sledeće procedure testiranja.
Koriste se komadi bakarne folije, dimenzija približno 13x50 mm. Meri se debljina komada folije. Posle čišćenja komada folije sa 2-propanolom, destilovanom vodom i acetonom, komadi folije se suše u sušnici. Očišćeni, osušeni komadi folije se zatim stave u pokrivene tegle sa prethodno zagrejanim preparatima za čišćenje iz ovog pronalaska, pa se stave u vakuum sušnicu, na naznačenu temperaturu, u vremenu od 2 do 4 h. Posle tretmana, uklanjanja iz sušnice i iz tegli, očišćene folije se operu obilato destilovanom vodom i suše u sušnici oko 1 h, zatim se ostave da se ohlade na sobnu temperaturu, pa se određuje brzina nagrizanja na bazi gubitka mase ili promene mase.
Rezultati su dati u Tabelama 2 i 3.
Kapacitet čišćenja preparata iz ovog pronalaska je ilustrovan sledećim testovima u kojima se mikroelektronska struktura [koju čini poločica sa sledećom strukturom: PR/ARC/CDO/SiN/Cu Dual Damascene (jamica posle nagrizanja), gde je PR fotozaštitna, a ARC = anti-refleksivna prevlaka] uroni u rastvore za čišćenje naznačenih temperature i vremena, zatim se opere vodom, osuši, pa se efekat čišćenja određuje ispitivanjem pomoću SEM. Ovi rezultati su dati u Tabeli 4.
Pomoću prethodnog opisa ovog pronalaska, oni koji su verzirani u stanje tehnike podrazumevaju da se mogu načiniti modifikacije ovog pronalaska bez odstupanja od njegovog duha i obima. Stoga, namera je da obim ovog pronalaska ne bude ograničen na specifične realizacije koje su ilustrovane i prikazane.

Claims (46)

1. Preparat za čišćenje, za čišćenje ostataka sa mikroelektronskih substrata, naznačen time, što pomenuti preparat za čišćenje sadrži: od oko 0,05 do 30 mas% jedne ili više jakih baza koje ne proizvode amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone; od oko 5 do oko 99,5 mas% jednog ili više stemo ometenih amidnih rastvarača; od oko 0 do oko 95 mas% vode ili drugog organskog ko-rastvarača; od oko 0 do oko 40 mas% stemo ometenog amina ili alkanolamina; od oko 0 do 40 mas% organske ili neorganske kiseline; od oko 0 do 40 mas% drugih jedinjenja koja su inhibitor korozije metala; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikatnog jedinjenja bez jona metala; od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala; i od oko 0 do 10 mas% fluoridnog jedinjenja.
2. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što jaku bazu koja ne proizvodi amonijak predstavlja tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so.
3. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što je tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so jedinjenje formule: gde je svaki R supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa, a X je OH ili anjon soli; p i q su jednaki, a predstavljaju ceo broj od 1 do 3.
4. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što je R alkil grupa koja sadrži od 1 do 22 atoma ugljenika, a X je OH ili karbonat.
5. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što je R alkil grupa sa od 1 do 6 atoma ugljenika.
6. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a Ri, R2, R3, R<t, R5, Re, R7i Ra, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R1, R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, Re, R7 i Renije vodonik.
7. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R1fR2, R3, R4, R5, Re, R7 i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R-i, R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, Re, R7i Rsnije vodonik.
8. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R1, R2, R3, R4, R5, Re, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R^ R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, R6, R7i Rsnije vodonik.
9. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R1(R2, R3, R4, R5)Re, R7 i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R^ R2 i R3i najmanje jedan od R4, R5, Re, R7 i Rsnije vodonik.
10. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 5, naznačen time, što je sterno ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R-i, R2, R3, R4, R5, R6, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R-i, R2 i R3i najmanje jedan od R4, R5, Re, R7i Rsnije vodonik.
11. Postupak prema Zahtevu 10, naznačen time, što u definiciji grupa R1do Raalkil grupa ima 1 do 6 atoma ugljenika, a aril grupa ima 3 do 14 atoma ugljenika.
12. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što se sterno ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N.N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1 -(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
13. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 2, naznačen time, što se sterno ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N.N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
14. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 3, naznačen time, što se sterno ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
15. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 4, naznačen time, što se stemo ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N.N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
16. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 5, naznačen time, što se stemo ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
17. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
18. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 6, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
19. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 11, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
20. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 16, naznačen time, što sadrži vodu ili najmanje jedan drugi organski ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
21. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilpiperidon, trietanolamin, trans-1,2-cikloheksandiamintetrasićetnu kiselinu i vodu.
22. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilpiperidon i vodu.
23. Preparat za čišćenje prema Zahtevu 1, naznačen time, što sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilpiperidon, trietanolamin, etilendiamin tetra(metilenfosfonsku kiselinu) i vodu.
24. Postupak za čišćenje mikroelektronskog substrata koji ima najmanje jedan porozni dielektrik, dielektrik niskek, dielektrik visoke-Ki metalizaciju sa bakrom, naznačen time, što se taj postupak sastoji u dovođenju u kontakt ovog substrata sa preparatom za čišćenje dovoljno dugo vremena da se substrat očisti, pri čemu taj rastvor za čišćenje sadrži: od oko 0,05 do 30 mas% jedne ili više jakih baza koje ne proizvode amonijak, a koje sadrže ne-nukleofilne, pozitivno naelektrisane kontra-jone; od oko 5 do oko 99,5 mas% jednog ili više stemo ometeneog amidnog rastvarača; od oko 0 do oko 95 mas% vode ili drugog organskog ko-rastvarača; od oko 0 do oko 40 mas% stemo ometenog amina ili alkanolamina; od oko 0 do 40 mas% organske ili neorganske kiseline; od oko 0 do 40 mas% drugih jedinjenja koja su inhibitor korozije; od oko 0 do 5 mas% surfaktanta; od oko 0 do 10 mas% silikatnog jedinjenja bez jona metala; od oko 0 do 5 mas% agensa za helatiranje metala; i od oko 0 do 10 mas% fluoridnog jedinjenja.
25. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što jaku bazu koja ne proizvodi amonijak predstavlja tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so.
26. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što je tetraalkilamonijum-hidroksid ili njegova so jedinjenje formule:[(R)4N+]p[Xr gde je svaki R supstituisana ili nesupstituisana alkil grupa, a X je OH ili anjon soli; p i q su jednaki i predstavljaju ceo broj od 1 do 3.
27. Postupak prema Zahtevu 26, naznačen time, što je R alkil grupa koja sadrži od 1 do 22 atoma ugljenika, a X je OH ili karbonat.
28. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što je R alkil grupa sa od 1 do 6 atoma ugljenika.
29. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što je sterno ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R^ R2, R3, R4, R5, Re, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R1, R2i R3 i najmanje jedan od R4, R5, Re, R7i Rsnije vodonik.
30. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a Ri, R2, R3, R-t, R5, R& R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R1, R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, R6, R7 i Rsnije vodonik.
31. Postupak prema Zahtevu 26, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R1, R2, R3, R4, R5, Re, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R1, R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, R6, R7i R8nije vodonik.
32. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što je stemo ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a Ri, R2, R3, R4, R5, Re, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R1, R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, Re, R7i Rsnije vodonik.
33. Postupak prema Zahtevu 28, naznačen time, što je sterno ometeni amidni rastvarač jedinjenje koje se bira između onih koja imaju formulu: gde je n brojka od 1 do 22, a R1, R2, R3, R4, R5, Re, R7i Rs, svaki nezavisno, se biraju iz grupe koju čine H, alkil i aril, pod uslovom da najmanje jedan od R1, R2i R3i najmanje jedan od R4, R5, R6, R7i Rsnije vodonik.
34. Postupak prema Zahtevu 33, naznačen time, što u definiciji grupaRido Rsalkil grupa ima 1 do 6 atoma ugljenika, a aril grupa ima 3 do 14 atoma ugljenika.
35. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što se sterno ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
36. Postupak prema Zahtevu 25, naznačen time, što se sterno ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
37. Postupak prema Zahtevu 26, naznačen time, što se stemo ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
38. Postupak prema Zahtevu 27, naznačen time, što se stemo ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
39. Postupak prema Zahtevu 28, naznačen time, što se stemo ometeni amidni rastvarač bira iz grupe koju čine acetamid, dimetilformamid (DMF), N,N'-dimetilacetamid (DMAc), N-metil-2-pirolidinon (NMP), 1,5-dimetil-2-pirolidinon, 1,3-dimetil-2-piperidon, 1-(2-hidroksietil) 2-pirolidinon i 1,5-dimetil 2-piperidon.
40. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
41. Postupak prema Zahtevu 28, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
42. Postupak prema Zahtevu 34, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
43. Postupak prema Zahtevu 39, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži vodu ili najmanje jedan drugi ko-rastvarač koji se bira iz grupe koju čine dimetilsulfoksid, sulfolan, dietanolamin, trietanolamin, 2-(metilamino)etanol i 3-(dietilaimino)-l ,2-propandiol.
44. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilpiperidon, trietanolamin, trans-1,2-cikloheksandiamintetrasirćetnu kiselinu i vodu.
45. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilpiperidon i vodu.
46. Postupak prema Zahtevu 24, naznačen time, što preparat za čišćenje sadrži tetrametilamonijum-hidroksid, dimetilpiperidon, trietanolamin, etilendiamin tetra(metilenfosfonsku kiselinu) i vodu.
YUP-9/04A 2001-07-09 2002-07-08 Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnosti prema supstratu RS904A (sr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30431201P 2001-07-09 2001-07-09
PCT/US2002/021374 WO2003006597A1 (en) 2001-07-09 2002-07-08 Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RS904A true RS904A (sr) 2007-02-05

Family

ID=23175967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
YUP-9/04A RS904A (sr) 2001-07-09 2002-07-08 Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnosti prema supstratu

Country Status (17)

Country Link
EP (1) EP1404796B1 (sr)
JP (1) JP4177758B2 (sr)
KR (2) KR100944444B1 (sr)
CN (2) CN102399651A (sr)
AT (1) ATE545695T1 (sr)
AU (1) AU2002320305A1 (sr)
BR (1) BR0211054A (sr)
CA (1) CA2452884C (sr)
IL (2) IL159761A0 (sr)
IN (1) IN2004CH00042A (sr)
MY (1) MY139607A (sr)
NO (1) NO20040067L (sr)
PL (1) PL199501B1 (sr)
RS (1) RS904A (sr)
TW (1) TWI292437B (sr)
WO (1) WO2003006597A1 (sr)
ZA (1) ZA200400064B (sr)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040192938A1 (en) * 2003-03-24 2004-09-30 Manzer Leo Ernest Production of 5-mehyl-N-aryl-2-pyrrolidone and 5-methyl-N-alkyl-2-pyrrolidone by reductive of levulinic acid esters with aryl and alkyl amines
JP4522408B2 (ja) 2003-08-19 2010-08-11 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス用のストリッピングおよび洗浄組成物
TWI393178B (zh) * 2005-01-27 2013-04-11 尖端科技材料公司 半導體基板處理用之組成物
US9329486B2 (en) 2005-10-28 2016-05-03 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US7632796B2 (en) 2005-10-28 2009-12-15 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and method for its use
US8263539B2 (en) 2005-10-28 2012-09-11 Dynaloy, Llc Dynamic multi-purpose composition for the removal of photoresists and methods for its use
CA2677964A1 (en) * 2007-02-14 2008-08-21 Mallinckrodt Baker, Inc. Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue
WO2010042457A1 (en) * 2008-10-09 2010-04-15 Mallinckrodt Baker, Inc. Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition
US8298751B2 (en) 2009-11-02 2012-10-30 International Business Machines Corporation Alkaline rinse agents for use in lithographic patterning
WO2012161790A1 (en) * 2011-02-24 2012-11-29 John Moore Concentrated chemical composition and method for removing photoresist during microelectric fabrication
US9158202B2 (en) * 2012-11-21 2015-10-13 Dynaloy, Llc Process and composition for removing substances from substrates
US10072237B2 (en) * 2015-08-05 2018-09-11 Versum Materials Us, Llc Photoresist cleaning composition used in photolithography and a method for treating substrate therewith
KR102859312B1 (ko) * 2019-02-15 2025-09-12 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 세정제 조성물 및 세정 방법
US20220135913A1 (en) * 2019-02-15 2022-05-05 Nissan Chemical Corporation Cleaning agent composition and cleaning method
US20220326620A1 (en) * 2019-08-30 2022-10-13 Dow Global Technologies Llc Photoresist stripping composition
CN111519190B (zh) * 2020-05-27 2022-03-18 湖北兴福电子材料有限公司 一种铜制程面板中稳定蚀刻锥角的蚀刻液及稳定方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4744834A (en) * 1986-04-30 1988-05-17 Noor Haq Photoresist stripper comprising a pyrrolidinone, a diethylene glycol ether, a polyglycol and a quaternary ammonium hydroxide
JPH01502059A (ja) * 1987-02-05 1989-07-13 マクダーミツド　インコーポレーテツド フォトレジストストリッパー組成物
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
JP3048207B2 (ja) * 1992-07-09 2000-06-05 イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレイテッド 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法
JPH0959689A (ja) * 1995-08-29 1997-03-04 Mitsubishi Chem Corp 研削剤除去用洗浄剤
JP4565741B2 (ja) * 1998-05-18 2010-10-20 マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス基板洗浄用珪酸塩含有アルカリ組成物
ES2328309T3 (es) * 1998-05-18 2009-11-11 Mallinckrodt Baker, Inc. Composiciones alcalinas que contienen silicato para limpiar sustratos microelectronicos.
US6558879B1 (en) * 2000-09-25 2003-05-06 Ashland Inc. Photoresist stripper/cleaner compositions containing aromatic acid inhibitors

Also Published As

Publication number Publication date
JP4177758B2 (ja) 2008-11-05
EP1404796B1 (en) 2012-02-15
NO20040067L (no) 2004-03-05
PL367838A1 (en) 2005-03-07
TWI292437B (en) 2008-01-11
WO2003006597A1 (en) 2003-01-23
IL159761A0 (en) 2004-06-20
PL199501B1 (pl) 2008-09-30
MY139607A (en) 2009-10-30
IL159761A (en) 2006-12-10
ZA200400064B (en) 2004-10-27
KR20090076934A (ko) 2009-07-13
BR0211054A (pt) 2004-07-20
KR100944444B1 (ko) 2010-02-26
KR20040018437A (ko) 2004-03-03
ATE545695T1 (de) 2012-03-15
AU2002320305A1 (en) 2003-01-29
CN102399651A (zh) 2012-04-04
JP2004536181A (ja) 2004-12-02
CA2452884A1 (en) 2003-01-23
IN2004CH00042A (sr) 2005-12-02
EP1404796A1 (en) 2004-04-07
CA2452884C (en) 2010-12-07
CN1526007A (zh) 2004-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RS51832B (sr) Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnošću prema supstratu
US7393819B2 (en) Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
JP4188232B2 (ja) 選択的フォトレジストストリッピングおよびプラズマ灰化残渣洗浄のための、アンモニア不含フッ化物塩含有マイクロエレクトロニクス洗浄組成物
IL183648A (en) Non-aqueous, non-corrosive microelectronic cleaning compositions
RS904A (sr) Alkalni preparati bez amonijaka za čišćenje mikroelektronike sa boljom kompatibilnosti prema supstratu
KR100642185B1 (ko) 프럭토스를 함유하는 비-수성 마이크로전자 세정 조성물