[go: up one dir, main page]

LU85699A1 - Verfahren zur herstellung einer schablonenplatte - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer schablonenplatte Download PDF

Info

Publication number
LU85699A1
LU85699A1 LU85699A LU85699A LU85699A1 LU 85699 A1 LU85699 A1 LU 85699A1 LU 85699 A LU85699 A LU 85699A LU 85699 A LU85699 A LU 85699A LU 85699 A1 LU85699 A1 LU 85699A1
Authority
LU
Luxembourg
Prior art keywords
resist
openings
substrate
areas
deposited material
Prior art date
Application number
LU85699A
Other languages
English (en)
Inventor
Charles Richard Culp
Stephen Glenn Mearig
Original Assignee
Armstrong World Ind Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Armstrong World Ind Inc filed Critical Armstrong World Ind Inc
Publication of LU85699A1 publication Critical patent/LU85699A1/de

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/08Perforated or foraminous objects, e.g. sieves

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

* »
K
Verfahren zur Herstellung einer Schablonenplatte
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer flachen Schablonenplatte und insbesondere zur Herstellung einer Schablonenplatte durch galvanische 5 Materialabscheidung bzw. Elektroplattierung.
Aus der US-PS 3 192 136 ist es bereits bekannt, ein Fotoresistbild auf einem Substrat abzulegen, das Fotoresistbild in einem gewünschten Muster zu entwickeln, das nicht belichtete Fotoresistmaterial wegzu-10 waschen, um die so ausgebildete Resistschicht herum.ein Metall galvanisch abzuscheiden und dann das restliche Resistmaterial zu entfernen. Weiterhin wird eine zweite Fotoresistschicht ausgebildet und in Form eines Musters entwickelt. Das nicht entwickelte Fotoresist wird ent-15 fernt. .Es wird wiederum eine.Metallschicht äusgebildet, die die Bereiche mit dem entfernten,nicht entwickelten Fotoresist ausfüllt. Mit. einem solchen zweistufigen F.otoresist-Gälvanisier-Verfahren erhält man eine Maske mit Öffnungen darin.
20 Aus der US-PS 4.080 267 ist außerdem ein Verfahren zur Ausbildung von dicken,, sich selbst tragenden Masken bekannt, wobei die gewünschte Stärke durch eine mehrfache Beschichtung einer Basis mit Resist, Belichtung des Resists, Entwicklung eines Bildes und anschließende 25 Plattierung bzw. Galvanisierung erreicht wird.
Aus der US-PS 3 586 609 ist das Grundprinzip der Ausbildung einer Metallschablone bekannt, wobei sowohl die - 2 - verwendet wird. Im einzelnen ist dieser Druckschrift die Ausbildung eines Musters aus"elektrisch isolierenden Flecken auf einem Zylinder aus einem elektrisch leitenden Material bekannt.
5 Die US-PS 3 836 367 beschreibt eine Schablonenausbildungsvorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer fotomechanischen Zusammensetzung von Designmustern t . auf Schablonen.
Die US-PSn 3 372 639, 3 610 143, 4 033 831, 4 039 397 10 und 4 211 618 zeigen unterschiedliche Herstellungen von Sieben, Masken, Druckplatten oder ähnlichen Elementen unter Verwendung der Fotoresistmethode und der galvanischen Metallabscheidung, also verschiedene galvanoplastische Verfahren.
f 15 Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer ebenen Schablonenplatte wird nun in einem ersten Schritt eine ersten Fotore.sistbeschichtung bzw. ein erster Fotoresistüberzug auf der Oberfläche einer Matrix bzw. eines Substrats ..aufgebracht. Auf der Oberfläche des 20 Resistüberzugs wird eine Filmgrafik aufgebracht und der Film belichtet, 'wodurch der Resistüberzug in ausgewählten Bereichen unter der Filmgrafik aktiviert bzw. sensibilisiert wird. Der belichtete Resistüberzug wird entwickelt. Dadurch ergibt sich ein Resistmaterialmuster 25 mit großen offenen resistmaterialfreien Bereichen auf dem Substrat und kleinen Inseln aus Resistmaterial ebenfalls auf dem Substrat. Die Oberfläche des Substrats wird dann plattiert bzw. galvanisch beschichtet, wodurch ein Material in den großen offenen Bereichen und um 30 das Resistmaterial herum abgeschieden wird. Dadurch ergibt sich dann ein plattenförmiger Aufbau mit Öffnungen aus dem abgeschiedenen Material, das dann von dem Sub-!I strat entfernt wird und die Schablonenplatte bildet.
- 3 - ♦ . Es ist auch möglich, daß einige Inseln aus Resistmaterial in ihrer Mitte offene Bereiche haben, wobei Kanäle in dem Resistmaterial diese offenen Bereiche in der Mitte dër Insel mit den großen offenen Bereichen auf 5 dem Substrat verbinden. Bei der Durchführung der galvanischen Abscheidung ergibt sich somit eine Ablagerung aus Plattierungsmaterial in den offenen Bereichen in der Mitte der Resistinseln sowie in den die beiden Arten von offenen Bereichen verbindenden Kanälen.
* m TO Erfindungsgemäß ist es weiterhin möglich, einen zweiten
Resistüberzug auf der Oberfläche des zuerst abgeschiedenen *
Materials aufzubringen, wodurch ein Überzug mit ebener Oberfläche gebildet wird, der dann von einer Filmgrafik bedeckt und belichtet wird, wodurch der zweite Resist-15 Überzug in ausgewählten Bereichen unter der Filmgrafik aktiviert bzw. sensibilisiert wird. Durch Entwickeln des belichteten Resistmaterials ergibt sich ein Resistmaterialmuster, welches im Grunde aus einer Vielzahl von KanalStrukturen besteht,, die angrenzend an die Öffnungen 20 positioniert sind, die in der zuerst galvanisch hergestellten Oberfläche ausgebildet sind. In den offenen Kanalbereichen dieser zweiten Schicht aus Resistmaterial wird dann ein zweites Material galvanisch abgeschieden, was zur Bildung von Wänden aus abgeschiedenem Material 25 um den Außenumfang der Öffnungen der ersten Schicht aus abgeschiedenem Material herum führt. Das Resistmaterial und das Substrat bzw. die .Matrix werden dann von den beiden Schichten aus abgeschiedenem Material entfernt.
Das Produkt ist eine konventionelle Schablonenplatte.
30 Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung weiter näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 perspektivisch und geschnitten eine in her-/ kömmlicher Weise mechanisch gefertigte e .JL’ Schablonenplatte, - 4 -
Fig. 2 perspektivisch im Querschnitt eine erfindungsgemäß gefertigte Schablonenplatte,
Fig. 3 im Schnitt die Ausbildung des Resistmusters auf dem Substrat, 5 Fig. 4 perspektivisch und geschnitten das Resistmuster auf dem Substrat vor der galvanischen Material-abscheidung,
Fig. 5 im Schnitt das zuerst abgeschiedene Material mit einem Überzug aus einer zweiten Resistschicht, « f 10 Fig. 6 im Schnitt das Muster der zweiten Resistschicht und
Fig. 7 perspektivisch geschnitten die erfindungsgemäß hergestellte Schablonenplatte mit Farbdämmen.
Die in Fig. 1 gezeigte Schablonenplatte wird nach dem 15 Stand der Technik durch StahlVerarbeitung hergestellt.
Dabei wird eine Metallplatte 2 verwendet, in die Öffnungen 4 geschnitten sind. Manchmal ist es. erforderlich, das Elemente.6 in dem Mittelbereich der Öffnungen 4 angeordnet werden. Wenn die Elemente 6 in ihre Lage ge-20 bracht sind, müssen sie.relativ zur Platte 2 durch Verwendung von Drähten 8 gehalten werden, die mit den beiden Elementen 4 und 6 verlötet werden. Im Einsatz wirken die mit Öffnungen versehenen-.Bereiche der Schablonenplatte als Kanäle, durch welche Material hindurchgehen 25 kann, das unterhalb von der Platte in einem Schablonenmuster abgelegt werden soll.
Bei der anhand von Fig. 2 beschriebenen erfindungsge-mäßen Herstellung einer Schablonenplatte wird als Basisplattenaufbau ein durch galvanisches Abscheiden von 30 Metall gebildetes Element 2' verwendet. Das Metall ist - 5 - so abgeschieden, daß Öffnungen 4' gebildet werden. Gleichzeitig mit der Bildung des Elements 2' wird im Bereich der Öffnungen ein Element 6' ausgebildet. Das Element 6' wird bezüglich des Elements 2' durch Kanäle 8' aus 5 abgeschiedenem Metall gehalten, die die Wirkung der Stützdrähte 8 vonFig. 1 haben, um das Element 6' bezüglich des Elements 2' zu halten.
Fig. 3 zeigt den Beginn der Herstellung einer flachen Schablonenplatte. Dabei wird zunächst ein erster Résistif) Überzug 12 auf der Oberfläche der Matrix bzw. des Substrats aufgebracht. Das Substrat ist in der Regel eine Platte aus Kupfer, Aluminium oder rostfreiem Stahl, die als Basis verwendet wird und auf der Material durch galvanische Abscheidung abgeschieden wird. Das Substrat be-15 steht aus einem leitenden Material. Das Fotoresistmaterial (AZ119, Shipley Co.) ist ein Positivresist und wird in einer Stärke von etwa 0,025 mm bis 0,05 mm auf der Oberfläche des Substrats 10 abgeschieden. Auf dem Resistüberzug 12 wird ein Film 14 angeordnet. Der Film hat ein 20 Grafikmuster ähnlich dem, das in dem Resist ausgebildet werden soll. Das Muster in dem Film entspricht der Öffnungsform und den Öffnungsanordnungen, die die fertige Schäblonenplatte haben soll. Als nächster Schritt werden die Filmgrafik und das Resist belichtet, wodurch der 25 Resistüberzug in ausgewählten Bereichen unter der Film-gräfik aktiviert bzw. sensibilisiert wird. Darauf folgt das Entwickeln des belichteten Resistüberzugs, um so das gewünschte Muster aus Resistmaterial auf dem Substrat zu erhalten. Anschließend können Lagen von Resist fluchtend 30 zu der ersten Resistschicht aufgebracht werden, um eine gewünschte dickere Resistschicht vor der Plattierung bzw. dem galvanischen Abscheiden zu haben.
Fig. 4 zeigt das Muster aus Resistmaterial 12', das sich auf dem Substrat 10 befindet. Der Film wird in üblicher 35 fl Weise unter Verwendung von Ultraviolettlicht belichtet, ·' i - 6 - das aus parallel gerichteten Lichtstrahlen besteht. Die Belichtung dauert sechs bis zwölf Minuten pro Resistschicht, was von dem verwendeten speziellen Resist-material abhängt. Das Resistmaterial wird dann ent-5 wickelt und die Substratoberfläche gewaschen, wodurch sie auf der Substratoberfläche eine Abscheidung von gehärtetem Resistmaterial in einem Muster ergibt, das durch das Bild auf der Filmgrafik festgelegt ist. Dieses Muster ist in Fig. 4 gezeigt. Das leitende Substrat mit 10 dem Resist 12' wird dann in einem herkömmlichen Galvanisiertank angeordnet, um Metall galvanisch abzuscheiden, vorzugsweise, Nickel, und zwar auf der Oberfläche des Substrats 10. Die Abscheidung erfolgt auf dieser Oberfläche in herkömmlicher Weise in einer Dicke des 15 Metalls von 0,25 bis 1 mm. Das abgeschiedene Material ist als Element 15 in Fig. 5 gezeigt, wobei unter dem Element 15 zur Vereinfachung das Substrat 10 nicht mehr !f dargestellt ist. Man sieht, daß das Element 15 mit einer i Vielzahl von Öffnungen versehen ist, die sich aufgrund 20 der Anwesenheit des Resistmaterials ergeben. In Fig. 5 f sind die Öffnungen 16' mit Resistmaterial gefüllt ge zeigt, das an einem darauffolgenden Galvanisierungsvorgangs teilnimmt.
Es genügt, eine Schablonenplatte einfach in der vorbe-25 schriebenen Weise fertigzustellen.
Das Muster des Resistmaterials 12' kann als massiver Block des Resistmaterials erscheinen, der einfach dazu verwendet wird, eine Öffnung in dem galvanisch abgeschiedenen Material zu bilden, das die Schablonenplatte 30 darstellt. Manchmal ist es jedoch zweckmäßig, daß das Element 6' in der Mitte der Öffnung gehalten ist, so daß anstelle der Ausbildung eines massiven Blocks des Schablonenmaterials ein Block aus Schablonenmaterial ge-/] bildet wird, der einen offenen Bereich in der Mitte hat, Λ1 35 in dem ein weiteres Schablonenmaterial mit einer anderen - 7 - f
Farbe abgeschieden werden kann. Zur Ausbildung des Elements 6' und seines Halteaufbaus 8' in einer Öffnung ist es erforderlich, wie es in Fig. 4 gezeigt ist, den Block aus Resistmaterial 12' mit einer Öffnung 11 und 5 Kanälen 13 zu versehen, die die Öffnung 11' mit den größeren offenen Bereichen verbinden, welche den Block aus Resistmaterial 12* umgeben. Es ist das Resistmuster von Fig. 4, welches den Aufbau von Fig. 2 ergibt.
Normalerweise haben die Kanäle 13 eine Breite von 10 0,6 mm bis 1,0 mm und tragen nicht dazu bei, ein Bild in dem abgeschiedenen Schablonenmaterial zu formen.
Wenn der Gal van i s ier un?j s Vorgang auf dem Substrat 10 im Resistmaterial 12* von Fig. 4 ausgeführt ist, können das Resistmaterial und das Substrat von dem abgeschiedenen 15 Material zur Bildung der Schablonenplatte entfernt werden .
Es kann nun ein weiterer Galvanisierungsvorgang ausgeführt werden. Dafür wird ein zweiter Resistüberzug 16 auf der Oberseite des galvanisch abgeschiedenen Materials 20 aufgebracht, welches die Schablonenplatte in-Fig. 2 bildet.
Der Resistüberzug 16 deckt nicht nur die Oberseite der Schablonenplatte- ab, sondern füllt auch die Öffnungen 16' in der Schablonenplatte. .Auf dem Resistmaterial wird eine weitere Filmgrafik 17 angeordnet.‘.Durch Belichten 25 und Entwickeln wird, wie vorher beschrieben, das Element 16 mit dem in Fig. 6 gezeigten Muster versehen. Das Resistmaterial bedeckt die Masse der Platte 15. In ihm wird eine Vielzahl von Kanälen 18 gebildet. In einem anschließenden Galvanisierungsvorgang werden die Kanäle 30 18 gefüllt. Nach dem darauffolgenden Entfernen des
Resistmaterials von den Öffnungen 16' und von der Oberseite der Schablonenplatte 15 ergibt sich der in Fig. 7 gezeigte Aufbau. Man sieht die galvanisch abgeschiedene Λ Metallplatte 2*, bei welcher das Element 6' von Kanälen AL 35 8' in der Öffnung gehalten wird. Um die Außenseite der - 8 -
T
Öffnungen ist auf einer Seite der Platte 2' ein Wandauf-, j bau 18' abgeschieden, der die Farbdämme für die
Schablonenplatte bildet.
In Betrieb wird die Platte um 180° gewendet oder gedreht, 5 so daß sich die Farbdämme in ihrer Position angrenzend an der Oberfläche befinden, um das Schablonenmaterial aufzunehmen. Das Schablonenmaterial läuft durch die Öffnungen in den von den Elementen 2' und 6' gebildeten Muster nach unten. Die Farbdämme 18' wirken so, daß eine uner-10 wünschte Bewegung der verschiedenen Schablonengemische verhindert wird, die durch die Schablonenöffnung während aufeinanderfolgender Schabioniervorgänge hindurchgehen.·. Normalerweise bestehen diese Dämme aus Streifen aus Metall, das an eine herkömmliche Schablonenplatte ange-15 lötet ist.
, Die erwähnte herkömmliche StahlVerarbeitung zur Her stellung einer Schablonenplatte ist vom Arbeitseinsatz sehr aufwendig, da die Öffnungen in den Stahl geschnitten und dann in entsprechender Weise durch Feilen 20 und Schleifen bearbeitet werden müssen. Es muß ein
Einsatz 6 ausgebildet und an erhabener Stelle angebracht werden, außerdem müssen die Farbdämme geformt und .an Ort und Stelle angelötet werden. Bei einer zum Stand der Technik gehörenden Platte mit einer Größe von 1,6 x 25 2,4 m kann dies die Ausbildung von 180 Öffnungen und mehr bedeuten, die alle mit einem geeigneten Einsatz 6:!. und Farbdäramen 18’ zu versehen sind. Dies bedeutet einen hohen Personaleinsatz, der erfindungsgemäß nicht mehr erforderlich ist, da der gesamte Aufbau durch eine Reihe 30 von Galvanisierschritten hergestellt werden kann, wodurch sich Platten 2' herstellen lassen, die eine \ Stärke von 0,25 bis 1 mm und Farbdämme mit einer Höhe von / etwa 0,75 bis 2 mm haben.

Claims (2)

1. Verfahren zur Herstellung einer ebenen Schablonenplatte, dadurch gekennzeichnet, daß a) ein erster Resistüberzug auf der Oberfläche eines Substrats aufgebracht wird, 5 b) eine Filmgrafik über der gesamten Oberfläche des Resistüberzugs auf der der Kontaktfläche mit dem Substrat gegenüberliegenden Seite aufgebracht wird, c) die Filmgrafik und der Resistüberzug belichtet werden , um den Resistüberzug in ausgewählten Bereichen 10 unterhalb der Filmgrafik zu aktivieren, d) der belichtete Resistüberzug entwickelt wird, um ein Muster des Resistmaterials mit großen offenen resistmaterialfreien Bereichen auf dem Substrat und kleinen Inseln aus Resistmaterial auf dem Substrat 15 zu bilden, wobei einige Inseln des Resistmaterials in ihrer Mitte offene Bereiche und Kanäle aufweisen, die diese offenen Bereiche in den Inseln mit den großen offenen Bereichen auf dem Substrat verbinden, e) dann die Oberfläche des Substrats galvanisch überzogen 20 wird , um Material in den großen offenen Bereichen, den offenen Bereichen in den Inseln des Resist-ft materials und in den Kanälen abzuscheiden, welche J/ die beiden genannten offene Bereiche verbinden, um ~A __auf dem Substrat Material in Form großer Bereiche W v - 10 - 25 mit Öffnungen darin abzuscheiden, wo das Resist material während des Galvanisierens vorhanden ist, und in einigen dieser Öffnungen kleine Abscheidungen des galvanisch aufgebrachten Materials im Mittelbereich der Öffnungen vorhanden sind, wobei die 30 Kanäle aus abgeschiedenem Material die kleinen Abscheidungen aus galvanisch aufgebrachten Material mit- den Rändern der Öffnungen verbinden, und f) das Resistmaterial und das Substrat von dem galvanisch aufgebrachten Material entfernt werden, 35 wodurch das abgeschiedene Material eine flache Schablonenplatte mit durchgehenden Öffnungen und * einigen Öffnungen aufweist, bei denen sich abgeschiedenes Material im Mittelbereich der Öffnungen befindet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e η n - zeichnet, daß anschließend an den Schritt e) I) ein zweiter Resistüberzug auf die Oberfläche des abgeschiedenen Materials aufgebracht wird, um einen 5 ebenen Oberflächenüberzug· auszubilden* der.das abgeschiedene Material und alle Öffnungen darin überdeckt, II) eine Filmgr'afik über der gesamten Oberfläche der zweiten Resistbeschichtung auf der Seite des ^ 10 zweiten Resistüberzugs aufgebracht wird, die der Kontaktseite mit dem abgeschiedenen Material gegenüberliegt, III) die Filmgrafik und der zweite Resistüberzug belichtet werden, um den Resistüberzug in ausgewählten Be-15 reichen unter der Filmgrafik zu aktivieren, IV) der belichtete Resistüberzug belichtet wird, um ein Muster aus Resistmaterial auf dem abgeschiedenen Material mit großen Bereichen aus abgeschiedenem • Material, die von dem Resistmaterial bedeckt sind, 20. und offenen Kanalbereichen in dem Resistmaterial Ab um die Außenseite des Öffnungsumfangs der Öffnungen - 11 - aus abgeschiedenem Material herum auszubilden, V) galvanisch ein Material in den offenen Kanalbereichen in der zweiten Schicht aus Resistmaterial . 25 abzuscheiden, um zusätzlich abgeschiedenes Material zu der ersten Schicht aus abgeschiedenem Material ‘in Form von erhabenen Wänden aus abgeschiedenem Material um den Außenseitenumfang der Öffnungen der ersten Schicht aus abgeschiedenem Material 30 herum auszubilden, so daß nach Durchführung des Schrittes f) alle Öffnungen hochstehende Wände aus abgeschiedenem Material um die Öffnungsaußenseite auf einer Seite der Platte auf weisen. ^
LU85699A 1984-02-24 1984-12-20 Verfahren zur herstellung einer schablonenplatte LU85699A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/583,197 US4490217A (en) 1984-02-24 1984-02-24 Method of making a stencil plate
US58319784 1984-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
LU85699A1 true LU85699A1 (de) 1985-07-24

Family

ID=24332091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
LU85699A LU85699A1 (de) 1984-02-24 1984-12-20 Verfahren zur herstellung einer schablonenplatte

Country Status (13)

Country Link
US (1) US4490217A (de)
JP (1) JPS60184692A (de)
AU (1) AU568881B2 (de)
BE (1) BE901459A (de)
CA (1) CA1217082A (de)
CH (1) CH665037A5 (de)
DE (1) DE3443233A1 (de)
FR (1) FR2560399B1 (de)
GB (1) GB2154509B (de)
IT (1) IT1178777B (de)
LU (1) LU85699A1 (de)
NL (1) NL8500102A (de)
SE (1) SE8406371L (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4581106A (en) * 1985-07-03 1986-04-08 Armstrong World Industries, Inc. Modified method of making a stencil plate
GB2185151B (en) * 1985-12-02 1989-10-11 Plessey Co Plc Method of coating
GB2184045A (en) * 1985-12-16 1987-06-17 Philips Electronic Associated Method of manufacturing a perforated metal foil
US5359928A (en) * 1992-03-12 1994-11-01 Amtx, Inc. Method for preparing and using a screen printing stencil having raised edges
US6036832A (en) * 1996-04-19 2000-03-14 Stork Veco B.V. Electroforming method, electroforming mandrel and electroformed product
US6118080A (en) * 1998-01-13 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Z-axis electrical contact for microelectronic devices
CN108715082A (zh) * 2018-04-28 2018-10-30 昆山乐邦印刷器材设备有限公司 一种提高菲林对位成功率的网版制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1028326A (fr) * 1950-11-23 1953-05-21 Perfectionnements aux écrans pour l'impression dite
US3192136A (en) * 1962-09-14 1965-06-29 Sperry Rand Corp Method of preparing precision screens
US3402110A (en) * 1966-01-17 1968-09-17 Zenith Radio Corp Mask electroforming process
NL6710443A (de) * 1967-07-28 1969-01-30
AT321959B (de) * 1971-04-13 1975-04-25 Buser Ag Maschf Fritz Verfahren zur photomechanischen dessinierung von siebschablonen für film- und siebdruck, insbesondere rotationsfilmdruck
CA947224A (en) * 1971-05-27 1974-05-14 John D. Herrington Method of making a fine conducting mesh
US4080267A (en) * 1975-12-29 1978-03-21 International Business Machines Corporation Method for forming thick self-supporting masks
DE2828625C2 (de) * 1978-06-29 1980-06-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Präzisionsflachteilen
DE2832408A1 (de) * 1978-07-24 1980-02-14 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von praezisionsflachteilen, insbesondere mit mikrooeffnungen

Also Published As

Publication number Publication date
BE901459A (fr) 1985-05-02
SE8406371L (sv) 1985-08-25
GB2154509B (en) 1987-09-30
FR2560399B1 (fr) 1988-04-29
IT1178777B (it) 1987-09-16
AU3412084A (en) 1985-08-29
JPS60184692A (ja) 1985-09-20
CA1217082A (en) 1987-01-27
NL8500102A (nl) 1985-09-16
IT8424185A0 (it) 1984-12-21
SE8406371D0 (sv) 1984-12-14
DE3443233A1 (de) 1985-09-05
CH665037A5 (de) 1988-04-15
AU568881B2 (en) 1988-01-14
FR2560399A1 (fr) 1985-08-30
GB8504484D0 (en) 1985-03-27
GB2154509A (en) 1985-09-11
US4490217A (en) 1984-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2424338C2 (de) Verfahren zum Aufbringen von Mustern dünner Filme auf einem Substrat
DE2460988C2 (de) Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat
DE2628099A1 (de) Verfahren zum herstellen einer maske
DE1804785C3 (de) Verwendung einer Auftragswalze, deren Oberfläche mit elastisch deformierbaren Vertiefungen oder Gewinden der Oberfläche versehen ist, zum Aufbringen einer viskosen Überzugsmasse auf die Oberfläche eines mit durchgehenden Löchern versehenen flachen Substrats
DE3231831C2 (de) Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung eines Rotationsdrucksiebs
DE4103565A1 (de) Verfahren zur bildung eines feinen musters auf einem halbleiter mit einer stufe
DE2215906A1 (de) Verfahren zur Herstellung von leitenden Präzisionsmaschengittern
DE2119527A1 (de) Verfahren zum Atzen eines Films
DE3045964A1 (de) Roentgenlithographische maske und verfahren zu ihrer herstellung
LU85699A1 (de) Verfahren zur herstellung einer schablonenplatte
DE2616480A1 (de) Verfahren zur herstellung von siebmaterial
DE2214728C3 (de) Verfahren zur direkten photomechanischen Herstellung von Siebdruckformen
DE4447264B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske
EP0141335A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Röntgenmaske mit Metallträgerfolie
DE19725830B4 (de) Photomaske mit Halbton-Phasenverschiebungsmaterial und einem Chrommuster auf einem transparenten Substrat
DE2143737A1 (de) Photoaetzverfahren
DE2050285C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Siebdruckschablonen aus Metall
DE4440821C2 (de) Photomaske zur Vermeidung von unregelmäßigen Lichtreflexionen
DE2225826C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von jeweils ein Loch enthaltenden Elektroden für Elektronenstrahlsysteme
DE2528666C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Maske für Röntgenstrahl-Lithographie
DE2005495A1 (de) Photomaske und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19527683A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske für die Fertigung einer Halbleitervorrichtung
DE2015841C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer strukturierten, vorzugsweise metallischen Schicht auf einem Grundkörper
DE3401963C2 (de)
DE2310736A1 (de) Verfahren zum ausbessern defekter metallmuster