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KR970077303A - 반도체 처리 장치 - Google Patents

반도체 처리 장치 Download PDF

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Publication number
KR970077303A
KR970077303A KR1019970018475A KR19970018475A KR970077303A KR 970077303 A KR970077303 A KR 970077303A KR 1019970018475 A KR1019970018475 A KR 1019970018475A KR 19970018475 A KR19970018475 A KR 19970018475A KR 970077303 A KR970077303 A KR 970077303A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
seal
semiconductor wafer
reaction chamber
holding
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019970018475A
Other languages
English (en)
Inventor
아끼라 시미즈
페이롱 후
Original Assignee
도미노 후꾸미
닛본 에이.에스.엠 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도미노 후꾸미, 닛본 에이.에스.엠 가부시끼가이샤 filed Critical 도미노 후꾸미
Publication of KR970077303A publication Critical patent/KR970077303A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P50/00—
    • H10P72/0424—
    • H10P72/0418—

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

발진이 적은 일체형 반도체 처리 장치를 제공한다.
발진이 적은 일체형 반도체 에칭 처리 장치는, 반응 챔버, 보트 수단, 모터 및 시일 기구로 이루어진다. 이 시일 기구는 웨이퍼의 회전시에는 비접촉 시일로서 또 웨이퍼의 정지시에는 접촉 시일로서 기능하는 가동식 시일 수단을 갖는다. 이 가동식 시일 수단은 신축 자유로운 탄성 부재로 이루어지는 팽창 탄성이 시일이다. 이 팽창 탄성 시일의 내부 기압을 증가시킴으로써 해당 탄성 시일의 표면이 회전축과 접촉하여 완전한 시일이 달성된다. 내부 기압을 조절하는 것으로 시일의 접촉 또는 비접촉을 제어할 수 있다.
본 발명에 의한 장치에 의해 에칭의 전공정에서의 발진이 억제되며, 수율이 향상된다.

Description

반도체 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 바람직한 실시예의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치에 있어서, 반응 챔버와, 상기 반응 챔버 내에서 상기 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 유지 수단과, 상기 유지 수단에 회전력을 부여하기 위한 회전 동력원과, 상기 회전 동력원과 상기 유지 수단 사이에서 상기 반응 챔버 내부를 외부로부터 차단하기 위한 시일 기구로 이루어지고, 상기 시일 기구는, 상기 유지 수단이 회전할 때에는 비접촉 시일이 되고 상기 유지 수단이 정지할 때에는 접촉 시일이 되는 가동식 시일 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 시일 기구의 상기 가동식 시일 수단은 신축 자유로운 탄성 부재로 이루어지고, 내부의 기체 압력을 증가시킴으로써 체적을 팽창시키고, 회전축에 밀착하여 완전한 시일을 달성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 시일 기구는 자기 시일 수단을 더 포함하고, 상기 가동식 시일 수단과 상기 자기시일 수단 사이가 진공 배기되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 유지 수단은, 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 일정 간격으로 종방향 적층하여 유지하는 보트 수단인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 반응 챔버는, 상기 반응 챔버를 진공 배기하기 위한 적어도 하나의 배기구와, 적어도 하나의 배수구와, 적어도 하나의 인젝터 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 반응 챔버로 반입 또는 반출하기 위한 승강 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 승강 수단은, 상기 반응 챔버로부터 기계적으로 차폐된 볼나사와, 상기 볼나사와 맞물려 상기 보트 수단을 상하 이동시키기 위한 가이드 부재와, 상기 볼나사를 회전시키기 위한 회전 구동장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970018475A 1996-05-15 1997-05-13 반도체 처리 장치 Withdrawn KR970077303A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14343296 1996-05-15
JP96-143432 1996-05-15
JP10544697A JP3156920B2 (ja) 1996-05-15 1997-04-09 半導体処理装置
JP97-105446 1997-04-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970077303A true KR970077303A (ko) 1997-12-12

Family

ID=26445743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970018475A Withdrawn KR970077303A (ko) 1996-05-15 1997-05-13 반도체 처리 장치

Country Status (4)

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US (1) US5976312A (ko)
JP (1) JP3156920B2 (ko)
KR (1) KR970077303A (ko)
TW (1) TW343366B (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100238234B1 (ko) * 1997-03-20 2000-01-15 윤종용 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법
JP3672416B2 (ja) * 1997-06-27 2005-07-20 株式会社荏原製作所 スピン処理装置
JP2000068230A (ja) 1998-08-25 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、その製造装置、および、その製造方法
US6689221B2 (en) * 2000-12-04 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Cooling gas delivery system for a rotatable semiconductor substrate support assembly
US6764573B2 (en) * 2001-10-11 2004-07-20 Northrop Grumman Corporation Wafer thinning techniques
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
JP2006179613A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Rigaku Corp 半導体ウエハ縦型熱処理装置用磁性流体シールユニット
KR101288992B1 (ko) * 2011-12-20 2013-08-16 삼성디스플레이 주식회사 어닐링 장치
JP6377479B2 (ja) * 2014-09-29 2018-08-22 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
JP6254981B2 (ja) * 2015-08-12 2017-12-27 ファナック株式会社 レーザ発振器の真空容器
US10351283B2 (en) * 2015-12-17 2019-07-16 Khs Usa, Inc. Magnetically operated sealing bar assembly for packaging machines
US11289311B2 (en) * 2018-10-23 2022-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for reducing vacuum loss in an ion implantation system
CN111326438B (zh) * 2018-12-14 2021-12-17 北京北方华创微电子装备有限公司 调平装置及反应腔室
KR102378581B1 (ko) * 2020-06-19 2022-03-24 씰링크 주식회사 회전축 밀폐장치 및 이를 이용하는 반도체 기판처리장치

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3905553A1 (de) * 1989-02-23 1990-08-30 Metallgesellschaft Ag Wirbelbrennkammer

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Publication number Publication date
JP3156920B2 (ja) 2001-04-16
TW343366B (en) 1998-10-21
JPH1050658A (ja) 1998-02-20
US5976312A (en) 1999-11-02

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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

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R17-X000 Change to representative recorded

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PG1501 Laying open of application

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PN2301 Change of applicant

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PC1203 Withdrawal of no request for examination

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WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid
P22-X000 Classification modified

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P22-X000 Classification modified

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