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KR970011376B1 - 씨씨디(ccd)형 고체촬상소자 - Google Patents

씨씨디(ccd)형 고체촬상소자 Download PDF

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KR970011376B1
KR970011376B1 KR1019930027491A KR930027491A KR970011376B1 KR 970011376 B1 KR970011376 B1 KR 970011376B1 KR 1019930027491 A KR1019930027491 A KR 1019930027491A KR 930027491 A KR930027491 A KR 930027491A KR 970011376 B1 KR970011376 B1 KR 970011376B1
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KR
South Korea
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well
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photodiode
photodiode region
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이서규
Original Assignee
금성일렉트론 주식회사
문정환
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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

없음.

Description

씨씨디(CCD)형 고체촬상소자
제1도는 종래의 CCD형 고체촬상소자의 단면도.
제2도는 제1도의 A-A´선에 따른 전위분포도(신호 전하축적시).
제3도는 제1도의 A-A´선에 따른 전위분포도(신호 전하독출시).
제4도는 제1도의 B-B´선에 따른 전위분포도(신호 전하독출시).
제5도는 개선된 종래의 CCD형 고체촬상소자의 단면도.
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 CCD형 고체촬상소자의 단면도.
제7도는 제6도의 C-C´간의 전위분포도(신호 전하 축적시).
제8도는 제6도의 C-C´간의 전위분포도(신호 전하 독출시).
제9도는 본 발명의 고체 촬상소자에 있어서, 전송게이트의 턴오프시 포토 다이오드와 VCCD 채널 영역간의 전위분포에 대한 시뮬레이션 결과치를 도시한 도면.
제10도는 본 발명의 고체촬상소자에 있어서, 전송게이트의 턴온시 포토 다이오드와 VCCD 채널 영역간의 전위분포에 대한 시뮬레이션 결과치를 도시한 도면.
제11도 (A)-(Ⅰ)는 제6도의 CCD형 고체촬상소자의 제조 공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 실리콘기판32 : 제 1 웰
33 : 절연막34,36,37,38,40,42 : 포토레지스트막
35 : 포토다이오드영역39 : 제 2 웰
41 : 채널스톱영역43 : VCCD채널영역
44 : 전송게이트45 : P 층
46 : 충간절연막47 : 광차폐막
본 발명은 씨씨디(CCD)형 고체촬송자에 관한 것으로서, 특히 매몰형 전송게이트 채널영역과 단계적 농도분포를 갖는 리벳(River)형 포토다이오드 영역을 갖는 고체 촬상소자에 관한 것이다.
제1도는 종래의 인터레이스(Interlace)방식의 CDD 고체 촬상소자의 단면도를 도시한 것이다.
종래의 CCD 고체촬상소자는 n형 기판(11)과, n형 기판(11)상에 형성된P형 웰(12)과, n형 불순물의 이온 주입에 의해 0.5~0.7㎛의 깊이로 P형 웰(12)상에 형성된 복수개의 n형 포토다잉오영역(13)과, n형 포토다이오드(13)의 표면 노이즈를 줄이기 위하여 0.1~0.2㎛의 깊이로 n형 포토다이오드(13)위 형성된 고농도의 P 층(14)과, 이 n형 포토다이오드영역(13)과 일정 간격을 두고 0.3~0.7㎛의 깊이로 P형 웰(13)내에 형성되고 신호전송을 위한 수직전송채널로서의 역할을 하는 복수개의 n형 VCCD(Ver-tical Charge Coupled Device)채널영역(15)과, P형 웰(12)내의 n형 VCCD 채널(15)과 n형 포토다이오드(13)사이에 형성된 p형 웰(12)내의 n형 VCCD 채널(15)과 n형 포토다이오드(13)사이에 형성된 p형 전송게이트 채널영역(16)과, n형 포토다이오드영역(13)과 이전단의 n형 VCCD채널영역(15)을 절연시켜 주기위하여 그들 사이에 형성된 p형 채널스톱영역(17)과, 기판 전표면에 걸쳐 형성된 박막의 절연막(18)과, p형 채널스톱영역(17), p형 전송게이트채널영역(16) 및 n형 VCCD채널영역(15)상에 형성되고 n형 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막으로된 전송게이트(Transfer Gate, TG)(19)와, n형 포토다이오드영역(13)에만 개구부(22)를 통해 빛이 입사되도록 n형 포토타이오드영역(13)에서만 선택적으로 제거된 금속차광막(21)과, 금속차광막(21)과 전송게이트(19)를 절연시켜주기 위한 층간절연막(20)으로 이루어졌다. 상기한 구조를 갖는 종래의 IT방식의 CCD형 고체촬상소자으 동작은 개구부(22)를 통해 입사된 빛에 의해 n형 포토타이오드영역(13)에서 발생되는 신호전하를 축적시키는 축적모드(Intergration mode)와, n형 포토타이오드영역(13)에 축전된 신호전하를 n형 VCCD 채널영역(15)으로 전송시키는 독출모드(Read out mode)로 나눌수 있다.
축적모드는 IT방식에서 일정 시간동안 신호전하를 모으는 동작으로서, 고체촬상소자의 각부분의 전위가 제2도와 같이 분포하게 된다.
그러므로 p형 전송게이트 채널영역(16)과 p형웰(12)에 의해 형성된 전위장벽으로 인하여 입사된 빛에 의해 발생된 신호전하가 n형 포토타이오드영역(13)내에서 일정시간동(1/60~1/30초)축적되게 된다.
축적모드시에 전송게이트(19)에는 O볼트(zero volt)의 전압을 인가하여 줌으로써 제2도에 도시된 바와 같이 p형 전송게이트 채널영역(16) n형 포토타이오드영역(13)에 축적되는 전하가 이동되지 못하도록 확실한 전위장벽을 형성한다.
한편, 독출모드는 n형 포토타이오드영역(13)에 축적된 신호전하를 n형 VCCD채널영역(15)으로 전송시켜주는 동작으로서, 고체촬상소자의 각 부분의 전위가 제1도의 A-A'선에 따른 단면에서는 제3도와 같이 분포하고, 제1도의 B-B' 선에 따른 단면에서는 제4도와 같이 분포하게 된다.
축적모드시에는 전송게이트(19)에 15볼트 정도의 전압을 인가하고, 이로써 n형 VCCD채널영역(15)의 전위가 매우 낮아지게 되고, p형 전송게이트 채널영역(16)의 전위도 함께 낮아져 제3도 및 제4도에 도시된 바와같이 된다. 따라서, 포토다이오드영역(13)에 축적되어 있던 신호전하는 p형 전송게이트 채널영역(16)을 통해 n형 VCCD채널영역(15)으로 이동하여 신호전하가 독출된다.
종래의 고체활상소자는 n형 포토타이오드영역(13)에 축적된 신호전하가 전송게이트 채널영역(16)을 통하여 VCCD 채널영역(15)으로 이동되기 때문에 전송게이트의 표면적이 넓어야 되는 단점이 있고, 또한 VCCD 채널영역(15)으로 전송된 신호전하중 노이즈 전하가 포함될 확률이 커지는 문제점이 있다.
또한, 포토다이오드영역(13)의 접합 깊이가 얕기때문에 감도 특성이 좋지 않으며, 이로 인해 스미어특성이 좋지 않게 된다.
그리고, 포토타이오드영역(13)의 폭이 넓어지게 되면 전송게이트(19)가 턴온되더라도 주변 전계(Fringing field)가 크게 작용하지 못하기 때문에 영상지연(image lag)특성도 좋지 않게된다.
게다가, 강한 빛이 개구부(22)를 통해 포토타이오드영역(13)에 입사되었을 경우에는 기판(11)으로 잉여 전하를 유도하기 위한 전하통로(path)가 좁아지게 되어 블루밍(blooming) 특성이 좋지 않게되는 문제점이 발생된다.
제5도는 블루밍 특성을 향상시킨 종래의 고체촬상소자의 단면도로서, p형 불순물을 고에너지 이온 주입법으로 이온 주입하여 제2 p형웰(23)을 n형 VCCD 채널영역(15)및에 형성한 것이다.
이는 ITEJ Technical Report Vol 16, No.18,pp 7-12, IPU 92.8-92.9(Feb,1992)에 잘 설명되어져 있다.
그러나, 2중 웰구조를 갖는 고체촬상소자는 제1도에서의 블루밍 특성을 향상시킬수는 있지만, 제1도에서와 마찬가지로 잡합깊이가 얕은 포토타이오드영역과 전송게이트 채널영역을 통한 신호전하이동에 의해 발생되는 문제점을 해결할 수 없었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 감도, 신호지연, 스미어 및 노이즈 특성과 제조공정시 발생되는 결점 특성등을 향상시킨 CCD 고체활상장치를 제공하는 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 제1도전형의 실리콘기판과, 실리콘 기판상에 형성된 제2도전형의 제1웰과, 제1웰내의 서로 일정 간격을 두고 넓고 깊게 형성된 복수개의 제1도전형의 포토타이오드영역과, 해당 포토타이오드영역 및 상기 포토타이오드영역과 인접하는 이전단의 포토타이오드영역과 오버랩되어 제1웰내에 형성된 제2도전형의 제2웰과 상기 제2웰내에 형성된 복수개의 제1도 전형의 VCCD 채널영역과 포토타이오드영역과 VCCD 채널영역사이의 제2웰내에 형성된 제2도전형의 전송게이트 채녈영역과, 해당 VCCD 채널영역과 상기 이전단의 포토다이오드 여역간의 격리시켜 주기위한 제2웰내에 형성된 제2도전형의 채널스톱영역과, 각 포토타이오드영역의 표면아래에 형성된 제2도전형의 불순물영역과 기판의 전면상에 형성된 박막의 절연막과, 제2웰상부의 절연막상에 형성된 전송게이트전극과, 상기 전송 게이트 전극을 감싸도록 절연막상에 형성된 충간절연막과, 각 포토타이오드영역을 제외한 기판 전면에 형성된 광차폐막을 포함하는 CCD형 고체촬상소자를 제공한다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다. 제6도는 본 발명의 실시예에 따른 CCD형 고체촬상소자의 단면구조를 도시한 것이다.
본 발명의 CCD형 고체촬상소자는 제6도를 참조하면, p형 웰(32)이 n형 기판(31)상에 형성되고, p형 웰(32)에는 n형 포토타이오드영역이 형성되었다. n형 포토타이오드영역(35)은 상대적으로 고농도의 포토다이오드포토타이오드영역(35-3), 중간농도의 포토타이오드영역(35-2) 및 상대적으로 저농도의 포토다이오드포토타이오드영역(35-1)로 이루어졌으며, 전영역에 걸쳐 불순물의 농도분포가 일정한 것이 아니라 VCCD 채널영역(43)으로 부터 멀어질수록 불순물 농도가 단계적으로 낮아지는 농도 분포를 갖는다.
그리고, n형 포토타이오드영역(35)위에는 표면 노이즈를 감소시켜 주기 위한 고농도 p 층 (45)이 형성되어 있다.
또한, 이웃하는 n형 포토타이오드 영역들(35)사이 즉, n형 포토타이오드영역(35)중 고농도와 포토타이오드(35-3)와 전단의 n형 포토타이오드(35')중 저농도의 포토타이오드(35'-1)사이에 이들과 오버렙된 제2p웰(39)이 형성되고, 제2p웰(39)내에상기 n형 VCCD 채널영역(43), p형 전송게이트 채널영역(39') 및 p형 채녈스톱영역(41)이 형성되었다.
이 p형 채널스톱영역(41)은 전단의 n형 포토타이오드영역(35')중 저농도의 포토타이오드(35-1)와 n형 VCCD 채널영역(43)을 분리시켜 주는 역할을 한다.
p형 전송게이트 채널영역(39')은 n형 포토타이오드영역(35)의 고농도 포토타이오드(35-3)와 n형 VCCD 채널영역(43)사이에 형성되어 있다.
기판(31)의 전표면상에는 산화막과 같은 박막의 절연막(33)이 형성되고, 절연막(33)상에는 p형 채널스톱영역(41), n형 VCCD 채널영역(43) 및 p형 전송게이트 채널영역(39')에 걸쳐 전송게이트(44)가 형성되며, 포토타이오드영역(35)의 상측을 제외한 기판 전면에 금속으로된 광차폐층(47)이 형성되고, 광차폐층(47)과 전송게이트(44)간을 절연시켜주기 위한 층간절연막(46)이 그들사이에 형성되었다.
상기 고체촬상소자에 있어서, 제2p형웰(39) p 형층(45)은 포토타이오드영역(35)보다는 불순물 농도가 높이며, p형 전송게이트 채널영역(39')은 채널스톱영역(41)보다는 불순물 농도가 낮으며, 포토타이오드영역(35)은 제1p형웰(32)보다는 불순물 농도가 높다. 상기 구조를 갖는 고체촬상소자의 동작을 제7도 및 제8도 참조하여 설명한다.
먼저, 제6도의 B-B'간의 전위분포가 도시된 제7도를 참조하여 축적 모드시의 동작을 설명한다. 제7도를 참조하면, 축적 모드시에서는 포토타이오드영역(35)이 각 위치마다 농도분포가 다르므로 핀치오프(pihch off)전위가 다르게 형성되고, 이에 따라 전송게이트 채널영역(39')에서 전위의 최고치(peak)도 벌크쪽으로 깊게 형성(약 1.2㎛~1.7㎛)되게 된다.
그러므로, 적색파장대의 강도 특성이 매우 좋게된다.
또한, 포토타이오드영역(35)내에서 전위가 계단형태로 분포하므로 소량의 전하가 먼저 포토타이오드영역(35)중 농도가 가장 높은 부분(35-3)으로 이동되어 축적되어간다.
그러므로, 트랜스퍼게이트(44)의 턴온시 VCCD 채널영역(43)으로 쉽게 독출할 수 있게 된다. 다음, 독출 모드시의 동작을 설명한다.
전송게이트(44)에 15V 정도의 전압이 인가되어 턴온되면 전위가 제8도와 같이 분포하게 되고, n형 포토타이오드영역(35)에 축적되어 있던 전하가 벌크쪽의 전송게이트 채널영역(39')을 통해 n형 VCCD채널영역(43)으로 이동되어 독출된다.
이때, 축적된 신호전하가 고농도의 제2p형웰(39)의 존재로 전송게이트 채널영역(39')의 표면이 아니라 벌크쪽으로 이동됨으로써 노이즈에 영향을 받지 않는 완전한 신호전하를 독출할 수 있다. 그러므로 신호지연 특성이 좋아지게 된다.
포토타이오드영역(35)이 넓고 깊게 형성되어 있으므로 잉여 전하가 포토타이오드영역(35)에 존재할때 n형 기판(31)으로 잉영 전하를 플혀보재기 위한 전하통로가 기존의 구조보다 훨씬 넓게 존재하여 측벽확산(side diffusion)에 의한 효과가 적어진다.
따라서, 안티-블루밍(anti-blooming)특성이 좋아진다.
제9도와 제10도는 본 발명의 고체촬상장치에 있어서, 포토타이오드영역(35)과 VCCD 채널영역(43)의 전위분포의 시뮬레이션 결과치를 도시한 것으로서, 제9도는 전송게이트(44)에 0V가 인가되어 턴오프된 경우의 전위분포도, 제10도는 전송게이트(44)에 15V가 인가되어 턴온된 경우의 전위분포도를 각각 나타낸다.
제11도 (A)-(Ⅰ)는 본 발명의 실시예에 따른 고체촬상소자의 제조공정도를 도시한 것이다.
제11도 (A)를 참조하면, n형 실리콘기판(31)상에 p형 에피택셜층을 형성시키거나, p형 불순물을 이온 주입하고 열확산시켜 제1p형웰(32)을 3내지 6㎛의 두께로 형성한다. n형 실리콘기판(31)은 10~200Ω·㎝의 저항치를 갖는다. 제1p형웰(32)상에 절연막으로 박막의 산화막(33)을 형성한다. 절연막으로 산화막 대신에 질화막을 사용할 수도 있다.
제11도(B) 내지 (D)는 n형 포토타이오드를 형성하기 위한 공정도이다.
먼저, 제11도 (B)와 같이 산화막(33)상에 포토레지스트막(34)을 도포하고, 패터닝하여 포토타이오드가 형성될 부분의 산화막(33)을 노출시킨다. 노출된 산화막(33)을 통해 제1p형웰(32)로 n형 불순물을 이온 주입하여 상대적으로저농도의 n형 포토타이오드(35-1)를 형성한다.
이어서, 제11도 (c)와 같이 상기 포토레지스트막(34)을 제거하고, 다시 포토레지스트막(36)을 도포하고, 패터닝하여 저농도의 n형 포토타이오드(35-1)상의 산화막(33)일부를 노출시킨다.
노출된 산화막(33)을 통해 저농도의 n형 포토타이오드(35-1)로 n형 불순물을 이온 주입하여 저농도의 n형 포토타이오드(35-1)보다는 농도가 상대적으로 높은 중간 농도의 n형 포토타이오드(35-2)를 형성한다.
제11도 (D)와 같이 상기 포토레지스트막(36)을 제거하고, 새로운 포토타이오드막(37)을 도포하고, 패터닝하여 중간농도의 n형 포토타이오드(35-2)상의 산화막(33) 일부를 노출시킨다.
노출된 산화막(33)을 통해 중간농도의 n형 포토타이오드(35-2)로 n형 불순물을 이온주입하여 중간농도의 n형 포토타이오드(35-2)보다는 상대적으로 농도가 높은 고농도의 n형 포토타이오드(35-3)를 형성한다.
상기 설명한 바와같이, 선택적인 사진 식각공정을 수행하여 n형 불순물을 위치에 따라 그 농도를 달리하여 이온 주입하고 열확산시켜 줌으로써 위치에 따라 계단형태의 농도분포를 갖는 n형 포토타이오드영역(35)를 형성한다.
포토타이오드영역(35)은 1.5~3.5㎛ 정도의 접합 깊이를 갖으며, 제1p형웰(32)보다는 불순물 농도가 높다.
제11도 (E)를 참조하면, 상기 포토레지스트막(37)을 제거하고, 새로운 포토레지스트막(38)을 도포하고, 패터닝하여 포토다이오드영역(35)사이의 산화막(33) 및 포토다이오드영역(35)상의 일부 산화막(33)을 노출시킨다. 노출된 산화막(33)을 통해 고농도의 p형 불순물을 이온 주입하고 열환삭시켜 제2p형웰(39)을 형성한다. 제2p형웰(39)은 고농도의 n형 포토타이오드(35-3) 및 이 고농도의 n형 포토타이오드(35-3)와 인접하는 포토타이오드중 저농도의 n형 포토타이오드(35'-1)사이에 이들 영역과 오버랩되도록 형성된다. 제2p형웰(39)은 n형 포토타이오드영역(35)보다 높은 불순물 농도를 갖으며, 1.0~1.5㎛ 정도의 접합 깊이를 갖는다.
제11도 (G)를 참조하면, 상기 포토레지스트막(38)을 제거하고, 다시 포토레지스트막(40)을 도포하고 패터닝하여 저농도의 포토타이오드(35-1)와 오버랩된 제2 p형웰(39)상의 산화막(33)을 일부 노출시킨다. 노출된 산화막(33)을 통해 p형 불순물을 제2p형웰(39)로 이온 주입하여 고농도의 상의 p형 채널스톱영역(41)을 제2p형웰(39)내에 형성한다.
제11도 (G)를 참조하면, 상기 포토레지스트막(40)을 제거한후 다시 포토레지스트막(42)을 도포하고 패터닝하여 상기 채널스톱영역(41)에 인접한 제2p형웰(39)상의 산화막(33)을 일부 노출시킨다. 노출된 산화막(33)을 통해 n형 불순물을 제2p형웰(39)로 이온 주입하여 상기 채널스톱영역(41)과 인접하여 제2p형웰(39)내에 VCCD 채널영역(43)이 형성된다.
이전단의 포토타이오드영역(35')중 저농도 포토타이오드(35'-1)와 VCCD 채널영역(41)은 고농도의 p형 채널스톱영역(41)에 의해 격리되어진다. VCCD 채널영역(43)은 제2p형웰(39)보다는 불순물 농도가 높으며, 0.2~1.2㎛의 접합깊이를 갖는다.
제11도 (11)를 참조하면, 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막을 산화막(33)사에 형성하고, 사진 식각하여 상기 제2p웰(39)의 상부에만 전송게이트전극(44)을 형성한다.
불순물이 도우핑된 폴리실리콘막으로 된 전송게이트전극(44)을 마스크로 셀프-얼라인시켜 p형 불순물을 포토다이오드영역(35)으로 이온 주입하여 고농도의 p 층(45)을 형성한다.
이 p 층(45)은 포토다이오드영역(35)의 표면 아래에 0.1~0.2㎛정도의 접합 깊이로 형성되고, 포토다이오드영역(35)보다 불순물 농도가 10~100배정도 높다.
따라서, p향 매몰형 전송게이트 채널영역(39')이 VCCD 채널영역(43)과 포토다이오드영역(35)사이; 에 형성되는데, 제2p웰(39)위에 VCCD채널영역(43)이 카운트 도핑되고 포토다이오드영역(35)의 저농도 포토다이오드영역(35-1)의 측면확산에 의한 카운트 도핑으로 인해 제2p웰(39)보다는 불순물 농도가 낮다.
제11도(Ⅰ)를 참조하면, 기판 전면애 층간절연막(46)으로 산화막을 도포하고, 상기 전송게이트 전극(44)만을 감싸도록 패터닝한다.
이어서, 기판 전면에 알루미늄과 같은 금속을 전면 증착하고, 패터닝하여 광차폐막(47)을 형성하고, 포토다이오드영역(35)상의 산화막(33)을 노출시킨다. 산화막으로 된 층간절연막(46)을 전송게이트전극(44)과 광차폐막(47)간을 절연시켜 주기 위한 것이며, 광차폐막(47)은 포토다이오드영역(35)이외의 부분으로는 광이 입시되는 것을 차단하기 위한 것이다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
포토다이오드영역이 종래의 고체촬상소자의 구조에서 보다 깊고 넓게 형성되어 적색 파장대의 빛에 대한 감도 특성이 향상되고, 측면 확산에 의한 3차원 효과도 적어져서 안티-블루밍 특성이 향상된다.
또한, 수직전송채널인 VCCD채널영역이 컵모양의 제2p웰(39)내에 존재하므로 확산 스미어 특성이 향상되고, 전송게이트의 턴온시 벌크쪽으로 신호 전하가 이동되므로 잡음 특성이 향상된다.
게다가, 포토다이오드영역이 위치에 따라 농도가 단계적으로 분포하며, 축적모드시 대부분의 신호전하가 VCCD 채널영역에 가장 가까운 고농도의 포토다이오드에 축적되므로 독출시 생기는 영상-지연특성이 기존의 고체촬상보다 뛰어난 이점이 있다.

Claims (11)

  1. 제1도전형의 실리콘기판(31)과, 실리콘기판(31)상에 형성된 제2도전형의 제1웰(32)과, 제1웰(32)내에 서로 일정 간격을 두고 넓고 깊게 형성된 복수개의 제1도전형의 포토다이오드영역(35)과, 해당 포토다이오드영역(35) 및 상기 포토다이오드영역(35)과 인접하는 이전단의 포토다이오드영역(35')과 오버랩되어 제1 웰(32)내에 형성된 제2도전형의 제2웰(39)과, 상기 제2웰(39)내에 형성된 복수개의 제1도전형의 VCCD 채널영역(43)과, 포토다이오드영역(35)과 VCCD 채널영역(43)사이의 제2p웰(39)내에 형성된 제2도전형의 전송게이트 채널영역(39')과, 해당 VCCD채널영역(43)과 상기 이전단의 포토다이오드영역(35')간을 격리시켜 주기 위한 제2p웰(39)내에 형성된 제2도전형의 채널스톱영역(41)과, 각 포토다이오드영역(35)의 표면 아래에 형성된 제2전형의 불순물영역(45)과, 기판전면에 형성된 박막의 절연막(33)과, 제2웰(39)상부의 절연막(33)상에 형성된 전송게이트전극(44), 상기 전송게이트전극(44)을 감사도록 절연막(44)상에 형성된 층간절연막(46)과 각 포토다이오드영역(35) 상부를 제외한 기판 전면에 형성된 광차폐막(47)을 포함하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 각 포토다이오드영역(35)은 상대적으로 고농도의 포토다이오드영역(35-3), 중간 농도의 포토다이오드영역(35-2) 및 상대적으로 저농도의 포토다이오드영역(35-1)로 이루어지며, VCCD채널영역(43)쪽으로 갈수록 농도가 높아지는 단계적 농도 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  3. 제2항에 있어서, 각 포토다이오드영역(35)은 1.5~3.5㎛ 정도의 접합깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 제2웰(39)은 n형 포토다이오드영역(35)보다 고농도의 불순물영역인것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  5. 제4항에 있어서, 제2웰(39)은 1.0~1.5㎛정도의 접팝깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD 고체촬상소자.
  6. 제1항에 있어서, 제1도전형의 실리콘기판(31)은 10~100Ω·㎝정도의 저항치를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  7. 제1항에 있어서, 제1웰(32)은 3~6㎛정도의 접합 깊이를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  8. 제1항에 있어서, 전송게이트 채널영역(39')은 제2웰(39)보다 낮은 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  9. 제1항에 있어서, 절연막(33)으로 산화막 또는 질화막중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  10. 제1항에 있어서, 제2도전형의 불순물영역(45)은 0.1~0.2㎛ 정도의 접합 깊이를 갖으며, 포토다이오드영역(35)보다 10~100배 높은 물순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
  11. 제1항에 있어서, 전송게이트전극(44)은 불순물이 도우핑된 폴리실리콘막으로 된 것을 특징으로 하는 CCD형 고체촬상소자.
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