[go: up one dir, main page]

KR970007978B1 - Anamorphic lens of c.c.d. camera - Google Patents

Anamorphic lens of c.c.d. camera Download PDF

Info

Publication number
KR970007978B1
KR970007978B1 KR1019930024660A KR930024660A KR970007978B1 KR 970007978 B1 KR970007978 B1 KR 970007978B1 KR 1019930024660 A KR1019930024660 A KR 1019930024660A KR 930024660 A KR930024660 A KR 930024660A KR 970007978 B1 KR970007978 B1 KR 970007978B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lens
lens system
magnification
anamorphic
image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019930024660A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR950015691A (en
Inventor
정진호
이종웅
Original Assignee
현대전자산업 주식회사
김주용
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 현대전자산업 주식회사, 김주용 filed Critical 현대전자산업 주식회사
Priority to KR1019930024660A priority Critical patent/KR970007978B1/en
Priority to JP6321802A priority patent/JPH0850239A/en
Publication of KR950015691A publication Critical patent/KR950015691A/en
Priority to US08/610,653 priority patent/US5671093A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR970007978B1 publication Critical patent/KR970007978B1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P74/00

Landscapes

  • Lenses (AREA)

Abstract

요약없음No summary

Description

씨.씨.디 카메라용 아나모픽렌즈Anamorphic Lens for C.C.D Camera

제1도는 측정하고자 하는 칩의 크기를 보인 상태도.1 is a state diagram showing the size of the chip to be measured.

제2도는 본 발명을 적용한 아나모픽 결상 광학계의 구조도로2 is a structural diagram of an anamorphic imaging optical system to which the present invention is applied.

(가)는 초점거리 200mm인 5매 렌즈를 상호 대칭적으로 배치하여 1:1의 배율을 만든 상태의 개략 단면도.(A) is a schematic cross-sectional view of a lens having a focal length of 200 mm and having a 1: 1 magnification by symmetrically arranging five lenses.

(나)는 광학계 중간에 아포칼 실린더 광학계를 삽입하여 가로방향의 결상 배율만 0.25배 축소시키는 상태의 개략 단면도.(B) is a schematic sectional view in which the apocal cylinder optical system is inserted in the middle of an optical system, and only the imaging magnification of the horizontal direction is reduced by 0.25 times.

(다)는 25mm의 크기가 6.26mm로 0.25배 축소되는 것을 보인 가로방향 결상 상태에 대한 광로도.(C) is the optical path diagram for the horizontal imaging state that the size of 25mm is reduced 0.25 times to 6.26mm.

(라)는 제2도(다)에 대한 축상 물점에 대한 결상 상태도.(D) is a state diagram of the phase of image formation on the axis of Fig. 2 (C).

(마)(바)는 세로방향의 결상 상태를 중간에 배치한 실린더 광학계에 의한 배율 변경없이 1:1 결상되는 상태의 광로도.(E) (b) is an optical path diagram in which a 1: 1 imaging is performed without changing the magnification by a cylinder optical system in which the vertical imaging state is arranged in the middle.

제3도는 종래의 씨.씨.디를 이용한 결상 구조도인 것으로3 is an image forming structure using conventional C.C.D.

(가)는 일반 렌즈를 사용한 상태에서 씨.씨.디에 결상된 상태도.(A) In the state that it was formed into C.C.D in the state that used a general lens.

(나)는 일반 렌즈와 4개의 거울을 사용하여 결상시키는 광학계의 구조도.(B) is a structural diagram of an optical system formed by using an ordinary lens and four mirrors.

(다)는 제4도(나)의 씨.씨.디에 결상된 상태도.(C) is the state that was formed in Mr. C.D of Figure 4 (b).

제4도는 본 발명의 아나모픽 광학계의 광산 수차도로,4 is a mine aberration road of the anamorphic optical system of the present invention,

(가)는 세로방향에 대한 광선 수차도.(A) is the ray aberration diagram in the longitudinal direction.

(나)는 가로방향에 대한 광선 수차도.(B) is the ray aberration diagram in the transverse direction.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

100 : 구면 렌즈계101 : 제1렌즈100 spherical lens system 101 first lens

102 : 제2렌즈103 : 간격102: second lens 103: interval

200 : 어포칼 실린더 렌즈계300 : 아나모픽 렌즈계200: apocal cylinder lens system 300: anamorphic lens system

400 : 씨.씨.디400: C.C.D

본 발명은 반도체 검사장비의 씨.씨.디 카메라(C.C.D CAMERA)용 아나모픽렌즈(ANAMORPHICLENS)에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 검사대상물의 종횡비율이 씨.씨.디의 종횡비율과 일치하지 않을 경우 결상 비율을 가로방향 0.25배, 세로방향으로는 1개의 결상 배율을 갖는 씨.씨.디 카메라용 렌즈에 관한 것이다.The present invention relates to an anamorphic lens (ANAMORPHICLENS) for the CCD CAMERA of the semiconductor inspection equipment, more specifically, when the aspect ratio of the inspection object does not match the aspect ratio of the C.C.D. It relates to a C.C.D camera lens having an imaging ratio of 0.25 times in the horizontal direction and one imaging magnification in the vertical direction.

본 발명에 대한 산업상 이용분야는 반도체 친의 다리높이가 균등하게 제작되어 있는지를 0.01mm 정도의 한계를 가지고 측정하여 양품 및 불량을 구별해내는 장비에 사용되는 광학계이다.The industrial field of use of the present invention is an optical system used for equipment that distinguishes good and bad by measuring with a limit of about 0.01 mm whether the height of the legs of a semiconductor parent is evenly manufactured.

이 광학계에서 좀더 상세하게는 5×25mm의 반도체 친을 6.6×8.8mm의 씨.씨.디(CCD)에서 관측가능하도록 가로, 세로의 결상 배율이 다르게 결상시키는 렌즈계에 적용된다.More specifically, the optical system is applied to a lens system in which 5 × 25mm semiconductor parent is imaged differently in the horizontal and vertical imaging magnifications so that it can be observed in 6.6 × 8.8mm C.C.D.

소정의 제작방법으로 반도체 칩이 제작되면 검수과정에서 양품과 불량을 가리기 위하여 제품을 검사하게 되는데, 반도체 칩의 다리높이가 균등하게 제작되었는지의 검사도 검사종목에 포함된다.When the semiconductor chip is manufactured by a predetermined manufacturing method, the product is inspected to cover good and bad products during the inspection process. An inspection of whether the height of the legs of the semiconductor chip is made evenly is included in the inspection item.

상기의 반도체 친의 다리높이 검사를 함에 있어서 종래에는 일반 렌즈계를 사용하므로써 5×25mm 규격의 반도체 칩을 6.6×8.8mm 규격의 씨.씨.디에서 완전하게 결상되려면 결상 크기를 렌즈의 특성으로 0.3배 축소시켜야 씨.씨.디의 규격에 결상시킴이 가능하므로 이경우 축소에 의해 정해지는 결상의 크기는 1.5×7.5mm 정도의 크기가 될 수밖에 없다.In the above inspection of the height of the legs of the semiconductor parent, in order to completely form a 5 × 25mm semiconductor chip in the 6.6 × 8.8mm standard C.C.D by using a general lens system, the imaging size is 0.3 as the characteristic of the lens. It is necessary to reduce the size so that it can be imaged to the standard of C.C.D. In this case, the size of the image determined by the reduction is about 1.5 × 7.5mm.

상기와 같은 검사과정에서 일반 씨.씨.디를 사용한다면, 씨.씨.디의 가로방향 6.6mm에 대한 480 화소(pixel)중 1.5mm에 해당하는 109 화소밖에 사용하지 못함으로 사용되는 화소에 따른 결상 크기가 작아 측정자의 측정오차가 커지는 수밖에 없다.If C.C.D is used in the inspection process as described above, only 109 pixels corresponding to 1.5mm out of 480 pixels of 6.6mm in the horizontal direction of C.C.D. Due to the small image size, the measurement error of the measurer is inevitably increased.

이러한 측정오차를 해소하기 위해서는 가격이 비싼 고분에 씨.씨.디를 사용하여 결상 성능은 2배 정도 상승하는 효과를 가져 측정오차를 감소시킬 수는 있으나 일반 씨.씨.디보다 가로방향의 픽셀(Pixel)수가 2배 정도 많아 구매가격은 일반 씨.씨.디에 비하여 10배 가량 비싸지게 된다.In order to eliminate the measurement error, the use of C.C.D in expensive tombs can double the imaging performance, which reduces the measurement error. Since the number of Pixels is about twice, the purchase price is about 10 times higher than that of general C.C.D.

따라서 가격이 비싼 고분해 씨.씨.디를 사용하는 것은 측정기기상 비효율적이므로 경제적으로 이 점을 얻기 위하여 제4도의 (나)와 같이 일반 렌즈계(R)와 4개의 거울(M1,M2,M3,M4) 일반 씨.씨.디를 사용하여 반도체 칩을 검수하는 측정장치를 제공하였다.Therefore, the use of high resolution C.C.D., which is expensive, is inefficient in measuring equipment, so to obtain this point economically, as shown in (b) of FIG. 4, the general lens system R and four mirrors (M1, M2, M3, M4) Provided a measuring device for inspecting semiconductor chips using general C.C.D.

이때에는 반사기능을 보유한 M2,M3 거울을 45°경사지게 하여, 수직, 수평으로 약간 기울어지게 한 후 일반 렌즈(R)를 통과한 피사체가 씨.씨.디상에 결상시키는 구성을 이용하였다.At this time, the M2 and M3 mirrors with reflection function were inclined at 45 °, tilted slightly vertically and horizontally, and the subjects passing through the ordinary lens R formed an image of C.C.D.

그러나, 반사체를 이용한 종래의 측정수단은 광학계의 내부 구성이 복잡해지는 것이어서 제작이 힘들고, 또한 작은 충격에도 쉽게 광학계의 정렬이 틀어져 초점을 재조정하여야 번거러움이 있었던 것이다.However, the conventional measuring means using the reflector has a complicated internal structure of the optical system, which makes it difficult to manufacture, and it is troublesome to adjust the focus by realigning the optical system easily even with a small impact.

이러한 문제점을 해결하기 위하여는 1:1 배율에서 수차가 보정되도록 하는 5매의 렌즈계와, 수직,수평방향으로의 배율이 다르게 형성되는 무한초점 실린더 광학계의 구성이 요구되며 이들은 0.01mm의 정밀 측정력을 얻기 위한 특정적인 배열구성이 요구된다.To solve this problem, the configuration of five lens systems for correcting aberration at 1: 1 magnification and infinite focal cylinder optical system with different magnifications in the vertical and horizontal directions are required. Specific arrangements are required to obtain.

본 발명의 목적은 초점거리를 가지는 구면 렌즈계를 대향하게 설치하고, 이들의 구면 렌즈계 사이에 초점 거리가 무한한 실린더 렌즈계가 설치되는 구성을 제공하여 결상되는 상태의 배율이 수직과 수평방향이 서로 다르게 함을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a configuration in which a spherical lens system having a focal length is opposed to each other, and a cylinder lens system having an infinite focal distance is installed between these spherical lens systems so that magnification of an image forming state is different from each other in the vertical and horizontal directions. For the purpose.

본 발명의 다른 목적은 수직방향의 배율은 1:1로 되고, 수평방향의 배율만 0.25배 축소되도록 함을 목적으로 한다.Another object of the present invention is that the magnification in the vertical direction is 1: 1, and only the magnification in the horizontal direction is reduced by 0.25 times.

이어서 본 발명에 대한 실시예를 상세하게 설명한다.Next, the Example about this invention is described in detail.

본 발명은 제1도 내지 제3도에 도시한 구성으로 상세하게 설명된다.The present invention is explained in detail in the configuration shown in Figs.

제1도는 측정하고자 하는 칩의 크기를 보인 상태도이고, 제2도는 본 발명을 적용한 아나모픽 결상 광학계의 구조도로 (가)는 초점거리 200mm인 5매 렌즈를 상호 대칭적으로 배치하여 1:1의 배율로 만든 상태의 개략 단면도로써, 상기의 제1렌즈(101)와 마주하는 위치에 동일한 렌즈군으로 이루어진 제2렌즈(102)를 동축선상에 유지되게 설치한다.1 is a state diagram showing the size of a chip to be measured, and FIG. 2 is a structural diagram of an anamorphic imaging optical system to which the present invention is applied. As a schematic cross-sectional view of the state made of, the second lens 102 made of the same lens group at the position facing the first lens 101 is provided so as to be maintained on the coaxial line.

이 경우 제1, 제2렌즈(101)(102)의 사이에는 일정한 간격(103)을 보유하도록 설치한다.In this case, the first and second lenses 101 and 102 are installed to maintain a constant gap 103.

이들의 제1, 제2렌즈(101)(102) 사이에 소정의 간격(103)을 형성하고 있음을 알 수 있다.It can be seen that a predetermined interval 103 is formed between these first and second lenses 101 and 102.

제2도(나)는 실린더 렌즈를 사용한 상기의 제1,2렌즈(101)(102)사이에 형성되는 간격(103)의 중앙으로 수직,수평방향으로의 각 배율이 다르게 갖는 구성으로 이루어지는 어포칼(afocal) 실린더 렌즈계(200)(일명 : 무한 초점렌즈계(afocai)를 설치한다.FIG. 2B is a structure in which each magnification in the vertical and horizontal directions is different from the center of the gap 103 formed between the first and second lenses 101 and 102 using the cylinder lens. An afocal cylinder lens system 200 (also called an infinite focal lens system (afocai) is provided.

이처럼 제1,2렌즈(102)(102)에 의한 구면 렌즈계(100)와 어포컬 실린더 렌즈계(200)로 구성되고, 구면 렌즈계(100) 사이의 간격(103)으로 어포컬 실린더 렌즈계(200)를 설치한 구성을 아나모픽 렌즈계(300)라 한다.The spherical lens system 100 by the first and second lenses 102 and 102 and the afocal cylinder lens system 200 are formed as described above, and the afocal cylinder lens system 200 is disposed at an interval 103 between the spherical lens systems 100. The configuration in which is provided is called an anamorphic lens system 300.

상기의 아나모픽 렌즈계(300) 설치구조상 이들의 고유한 위치가 변동되지 않도록 하기 위하여 일반적인 경통(도시하지 않음)을 사용하여 각 구면 렌즈계(100)와 아나모픽 렌즈계(300)가 경통내의 소정의 위치에서 고정된다.The spherical lens system 100 and the anamorphic lens system 300 are fixed at a predetermined position in the barrel using a general barrel (not shown) in order to prevent their unique positions from changing due to the anamorphic lens system 300 installation structure. do.

제2도(다)(라)는 25mm의 크기가 6.25mm로 0.25배 축소되는 상태를 보인 가로방향 결상 상태에 대한 광로도와 축상 물점에 대한 결상 상태도, 아나모픽 렌즈계(300)의 축선을 통과하는 피사체의 폭은 씨.씨.디(400)에 결상될때 광학계의 굴절 특성에 의하여 수평방향이 굴절되어 수평의 크기만 실제의 폭보다 0.25배 축소된 상태로 축소 결상된다.FIG. 2 (C) (D) is an optical path diagram for a horizontal imaging state and an imaging state for an axial object point showing a 25 mm size reduced by 0.25 times to 6.25 mm, which passes through an axis of the anamorphic lens system 300. When the width of the subject is imaged on the C. C. 400, the horizontal direction is refracted by the refractive characteristics of the optical system, and the image is reduced in size with only the horizontal size being 0.25 times smaller than the actual width.

제2도(마)(바)는 세로방향의 결상 상태를 중간에 배치한 어포컬 실린더 렌즈계에 의한 배율 변경없이 1:1 결상되는 상태의 광로도로서, 세로방향에서는 피사체의 폭이 전혀 축소되지 않은 상태로 씨.씨.디(400)에 결상됨을 것임을 알 수 있다.Fig. 2 (e) is an optical path diagram in which a 1: 1 image is formed without changing the magnification by an afocal cylinder lens system in which a vertical image forming state is disposed in the middle, and the width of the subject is not reduced in the vertical direction at all. It can be seen that the image is formed in the C. C. D (400) without.

상기에서 아나모픽 렌즈계(300)는 그 배열이 완료된 상태에서 이 렌즈계에 형성된 곡면(r)은 1에서 22면까지 형성하게 되고 이들은 렌즈의 특성을 얻기 위하여 동일하지 않은 각각의 곡률과 두께로 이루어지나, 유효경은 거의 동일한 치수를 가지도록 형성함이 바람직하다.In the above-described anamorphic lens system 300, the curved surface r formed on the lens system in the state where the arrangement is completed is formed from 1 to 22 surfaces, and they are formed with different curvatures and thicknesses to obtain the characteristics of the lens. The effective diameter is preferably formed to have almost the same dimensions.

(실시예 1)(Example 1)

소정의 간격(103)을 두고 마주하게 설치하는 제1,2렌즈(101)(102)는 초점거리가 각각 200mm인 것을 선택하여 구면 렌즈군을 상호 대칭적으로 배치하여 1:1 배율을 이루게 한다.The first and second lenses 101 and 102, which face each other with a predetermined interval 103, select ones having a focal length of 200 mm, and arrange spherical lens groups symmetrically to achieve 1: 1 magnification. .

상기의 제1,2렌즈(101)(102)사이에 형성된 간격(103)으로 수직방향에는 배율의 변화가 없으며, 수평방향에서만 배율의 변화가 0.25배로 축소 결상을 이루는 3매의 어포컬 실린더 렌즈계(200)를 배치한다.The gap 103 formed between the first and second lenses 101 and 102 has no change in magnification in the vertical direction, and the three afocal cylinder lens systems in which the change in magnification is reduced by 0.25 times in the horizontal direction. Place 200.

상기의 렌즈계(200)를 배치함에 있어서, 이들간의 고정은 통상적인 경통으로 한다.In arranging the lens system 200 described above, fixing between them is a normal barrel.

이러한 구성으로 이루어진 본 발명의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the present invention made of such a configuration as follows.

소정의 간격을 두고 대향하게 설치하는 초점을 갖는 구면 렌즈계(100)는 렌즈의 특성에 의하여 1:1의 배율을 결상하게 된다.The spherical lens system 100 having a focal point facing each other at predetermined intervals forms a 1: 1 magnification according to the characteristics of the lens.

그러나, 물체를 결상하는 과정에서 어포칼 실린더 렌즈계(200)는 광학계의 특성에 의하여 수직방향에서는 배율에 변화를 일으키지 아니하고, 수평방향에서만 일그러지는 변화를 일으키는 작용을 이룬다.However, in the process of forming an image, the apocal cylinder lens system 200 does not cause a change in magnification in the vertical direction due to the characteristics of the optical system, but produces a change that is distorted only in the horizontal direction.

상기의 작용에서 물체는 수평방향으로 0.25배의 축소 결상을 이루게 된다. 이때의 물체의 크기가 5(높이)×25(길이)mm이면 축소 결상의 물체높이는 5×6.25mm로 된다.In the above action, the object forms a reduced image of 0.25 times in the horizontal direction. At this time, if the size of the object is 5 (height) x 25 (length) mm, the object height of the reduced image is 5 x 6.25 mm.

이렇게 하므로서 본 발명은 고분해 씨.씨.디를 사용하지 않고, 일반 씨.씨.디(400)에서 피사체의 높이가 1:1 상태로 결상되는 것을 확인할 수 있어 칩의 다리의 높이를 정밀하게 측정할 수 있다.By doing so, the present invention can confirm that the height of the subject is formed in a state of 1: 1 in the general C.C.D.400 without using a high resolution C.C.D. It can be measured.

이러한 본 발명의 적용상태로는 반도체의 다리검사 외에도 요즘 각종 자동검사공정(예 : 반도체 Marking)용 이메지 프로세싱 광학계로서 검사대상물의 종횡비율이 씨.씨.디의 종횡비와 일치하지 않을때 사용한다.Such an application state of the present invention is an image processing optical system for various automatic inspection processes (for example, semiconductor marking) in addition to the legs inspection of semiconductors, and is used when the aspect ratio of the inspection object does not match the aspect ratio of C.C.D.

이상에서와 같이 본 발명의 렌즈계의 설치구성은 동축선상에 설치되는 것이므로 사용중에 미약한 충격을 받는다해도 렌즈의 설치위치는 변하지 않아 제기능이 지속되는 이점과, 광학계의 설치구성이 간단하여 제작과 조립이 용이하게 이루어지는 이점이 있고, 또한, 간단하고 조립이 용이한 구성에 의하여 정밀측정이 가능하므로 측정성능이 현저하게 향상되는 등의 이점이 있는 것이다.As described above, since the installation configuration of the lens system of the present invention is installed on the coaxial line, even if it is subjected to a slight impact during use, the installation position of the lens does not change, and its function is continued, and the installation configuration of the optical system is simple. There is an advantage that the assembly is easy, and furthermore, since the precision measurement is possible by a simple and easy assembly, there is an advantage that the measurement performance is remarkably improved.

Claims (3)

렌즈계를 통과한 피사체의 상이 씨.씨.디(400)에 결상되는 상태로 제품의 정밀도를 측정하는 것에 있어서, 5매의 구성으로 이루어지는 제1, 제2렌즈계(101)(102)를 소정의 간격(103)을 두고 대향하게 설치하여 1:1의 배율이 이루어지게 하는 구면 렌즈계(100)와, 상기의 간격(103)으로 설치되어 검사대상물체의 종횡 결상 비율을 상호 다르게 굴절하는 아나모픽 렌즈계(300)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 씨.씨.디 카메라용 아나모픽렌즈.In measuring the accuracy of the product in the state where the image of the subject passing through the lens system is formed on the C. C. 400, the first and second lens systems 101 and 102, which consist of five elements, are prescribed. Spherical lens system 100 installed oppositely at intervals 103 to achieve a 1: 1 magnification, and anamorphic lens system installed at intervals 103 to refract the longitudinal and horizontal imaging ratio of the object to be examined differently ( C. C. anamorphic lens for the camera, characterized in that consisting of. 제1항에 있어서, 종횡의 결상 비율을 다르게 하는 광학계는 어포칼 실린더 렌즈계(200)로 이루어짐을 특징으로 하는 씨.씨.디 카메라용 아나모픽렌즈.The anamorphic lens for a C. C. camera according to claim 1, wherein the optical system for varying the vertical and horizontal imaging ratios comprises an apocal cylinder lens system (200). 제1항에 있어서, 종횡의 결상 비율은 수평방향에서만 0.25배 축소 결상되도록 함을 특징으로 하는 씨.씨.디 카메라용 아나모픽렌즈.The anamorphic lens for C.C.D camera according to claim 1, wherein the aspect ratio of the image is reduced by 0.25 times in the horizontal direction.
KR1019930024660A 1993-11-18 1993-11-18 Anamorphic lens of c.c.d. camera Expired - Fee Related KR970007978B1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930024660A KR970007978B1 (en) 1993-11-18 1993-11-18 Anamorphic lens of c.c.d. camera
JP6321802A JPH0850239A (en) 1993-11-18 1994-11-17 Anamorphic lens for CCD camera
US08/610,653 US5671093A (en) 1993-11-18 1996-03-04 Anamorphic lens for a CCD camera apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930024660A KR970007978B1 (en) 1993-11-18 1993-11-18 Anamorphic lens of c.c.d. camera

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950015691A KR950015691A (en) 1995-06-17
KR970007978B1 true KR970007978B1 (en) 1997-05-19

Family

ID=19368447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930024660A Expired - Fee Related KR970007978B1 (en) 1993-11-18 1993-11-18 Anamorphic lens of c.c.d. camera

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0850239A (en)
KR (1) KR970007978B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3654838B2 (en) * 1998-11-09 2005-06-02 富士写真フイルム株式会社 camera

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0850239A (en) 1996-02-20
KR950015691A (en) 1995-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7862207B2 (en) Optimizing use and performance of optical systems implemented with telecentric on-axis dark field illumination
US4872747A (en) Use of prisms to obtain anamorphic magnification
KR101600094B1 (en) Inspection system for glass sheets
US10866092B2 (en) Chromatic confocal area sensor
JPH11501138A (en) Multifocal imaging system
WO1998012502A1 (en) Device for imaging object to be inspected and device for inspecting semiconductor package
US9880108B2 (en) Bore imaging system
CN219016680U (en) Chip appearance imaging detection system
US20180149848A1 (en) Confocal imaging of an object utilising a pinhole array
CN118424156B (en) A self-collimator device based on orthogonal cross multi-slit group
CN107289878B (en) Transparent plate surface inspection device, transparent plate surface inspection method, and glass plate manufacturing method
CA2160955A1 (en) Process and apparatus for the inspection of objects, particularly bottles
KR970007978B1 (en) Anamorphic lens of c.c.d. camera
US5671093A (en) Anamorphic lens for a CCD camera apparatus
CN100372123C (en) CCD image sensor and high-precision linear dimension measuring device and measuring method thereof
CN104880913A (en) Focusing-leveling system for increasing process adaptability
Ishihara et al. High-speed 3D shape measurement using a nonscanning multiple-beam confocal imaging system
US5293428A (en) Optical apparatus for use in image recognition
KR100303181B1 (en) Calibration method of high resolution photographing equipment using multiple imaging device
KR20160090553A (en) a a multi surface inspection apparatus
CN110441311A (en) The multifocal camera lens of multiaxis for the imaging of more object planes
CN222188211U (en) Optical extensometer
KR102451218B1 (en) Scanning alignment device and scanning method thereof
Harding et al. Calibration methods for 3D measurement systems
KR20230027638A (en) Inspection optical system and inspection device of camera module

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020820

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20030905

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20030905

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-5-5-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-5-5-R10-R11-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000