KR930011404B1

KR930011404B1 - 고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판의 제조방법

Info

Publication number: KR930011404B1
Application number: KR1019910006373A
Authority: KR
Inventors: 요오조오 스가; 요시유끼 우시가미
Original assignee: 신닛뽄 세이데쓰 가부시끼가이샤; 야마모도 젠사꾸
Priority date: 1990-04-20
Filing date: 1991-04-20
Publication date: 1993-12-06
Anticipated expiration: 2011-04-20
Also published as: EP0453284B1; JPH042723A; JPH0733548B2; DE69130964D1; US5370748A; KR910018561A; EP0453284A2; EP0453284A3

Abstract

내용 없음.

Description

고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판의 제조방법

제 1도와 제 2도는 강의 S함량과 슬랩가열온도등의 변화에 따른 제품의 자속밀도(B₈치)와 강을 나타내는 그래프.

본 발명은 이방향성 전자강판의 제조방법에 관한 것으로서, 강판의 길이방향과 이 길이방향에 수직인 방향에 자화용이축＜001＞이 배향되어 있고 압연면에 {100}면이 나타나있는(이 결정방위는 밀러지수로 {100}＜001＞로 표시될 수 있다) 결정립을포함하고 있는 이방향성(double oriented) 전자강판의 제조방법에 관한 것이다.

이방향성 전자강판은 압연방향과 이 압연방향에서의 자화용이축(＜001＞축)으로 인하여 두 상이한 방향에서 우수한 자성(즉, 압연방향과 이압연방향에 수직인 방향에서의 B₈치 : 1.92 테슬라)을 가지고 있기 때문에, 단지 한 압연에서만 우수한 자성을 표시하는 일방향성 전자강판에 비해서 두 상이한 방향으로 자속이 흐르는 것이 필요한 특정장치 즉 대형 회전기의 자심자료로서 보다 유리하게 사용될 수 있다. 자화용이축이 고도로 집적되지 않은 무방향성 전자강판이 소형정지기 또는 장치에 일반적으로사용되어 왔다. 그러므로, 이방향성 전자강판을 사용함으로써 이러한 장치를 고효율로 소형화하는 것이 가능하다.

상술한 것처럼 우수한 자성을 가지고 있는 이방향성 전자강판의 대량생산이 요망되어 왔지만, 이러한 전자강판의 일반적인 사용은 아직까지 제한되고 있다. 여러가지 방법이 제안되어 왔지만,이들 방법은 모두 실험실 규모이고 방법의 공업적 규모에서는 문제점을 가지고 있다.

종래기술로서는 초기강판을 극성가스 즉, 황화수소를 함유하고 있는 분위기에서 고온에서 소둔하여 표면 에너지의 도움으로 {100}＜001＞ 방위립을 이차 재결정시키는 방법이 일본국 특허공고 제37-7110호에 개시되어 있다. 그러나, 이 방법은 매우 정교하게 표면에너지를 제어하는 것이 필요하므로 대량생산에 적당하지 않다. 다른 방법은 다구치, 사토루등에 의해 일본국 특허공고 제35-2657호에 소개된 것처럼 강판을 한 방향으로 냉간압연하고 이 냉간압연방향에 수직인 방향으로 추가로 냉간압연하는 것 즉, ＂교차냉간압연＂이다. 이 냉간압연법에 따르면, 비교적 높은 자성(B₈치)이 얻어질 수 있지만, 최종 제품은 코스트를 상쇄하는 자성을 갖고 있지 않으므로, 종래 일방향성 전자강판을 대체할 수 없다.

일본국 특허공고 제51-13469호에 개시된 기술이 발명된 이래 일방향성 전자강판의 자성 ＂B₈치＂은 급속히 개선되어 왔다. 1.88 테슬라와 동등 또는 그 이상의 B₈치는 JIS(일본공업규격)에 의해 규격화되어 있고, 약 1.92 테스라와 B₈치를 가지고 있는 제품은 시중에서 구입할 수 있다. 상술한 상황하에서, 이방향성 전자강판의 제품에는 일방향성 전자강판에 상당하는 자성(B₈치)이 구비될 것이 요구된다. 이방향성 전자강판의 자속밀도를 향상시키기 위한 방법으로서, 열연소재를 소둔한 후 상호 직각방향으로 냉간압연하는 방법이 일본국 특허공고 제38-8213호에, 소재를 일차 재결정후부터 이차 재결정의 개시시까지의 과정중에 질화처리하는 방법이 일본국 특허공고 제1-43818호에, 교차냉간압연후에 소재를 최초 냉간압연방향으로 5 내지 33%의 압하율로 다시 냉간압연하는 방법이 일본국 특허공개공보 제1-272718호에 각각 개시되어 있다.

본 발명을 요약하면 다음과 같다.

본 발명의 목적은 고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판을 안정하게 제조할 수 있는 방법을 확립하는 것이다.

즉, 본 발명의 목적은 Si :1.8 내지 4.8중량%, 산가용성 Al :0.008 내지 0.048중량%, 전체 N ; 0.0028 내지 0.0100중량%, S : 0.016중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 규소강 슬랩을 열연강판으로 열간압연하고, 열연강판을 40 내지 80%의 압하율로 냉간압연하고, 이어서 냉간압연강판을 상기 냉간압연방향에 수직으로 교차하는 방향으로 30 내지 70%의 압하율로 다시 냉간압연하고, 이 강판을 습수소분위기에서 750 내지 950℃에서 탈탄소둔하고, 920 내지 1100℃의 온도에서 이차 재결정을 종료하는 공정과 이어서 순화하는 공정으로 이루어진 최종 마무리소둔을 실행하는 것을 특징으로 하는 고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판의 제조방법을 제공하는 것이다.

또한 본 발명의 목적은 Si :1.8 내지 4.8중량%, 산가용성 Al : 0.008 내지 0.048중량%, S : 0.016중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 규소강슬랩을 열연강판으로 열간압연하고, 열연강판을 40 내지 80%의 압하율로 냉간압연하고, 이어서 냉간압연강판은 상기 냉간압연방향에 수직으로 교차하는 방향으로 30 내지 70%의 압하율로 다시 냉간압연하고, 이 강판을 습수소 분위기에서 750 내지 950℃에서 탈탄소둔하고, 소재중의 N함량이 전체적으로 0.002 내지 0.060중량%가 되도록 탈탄소둔공정중에, 이 탈탄소둔공정후의 추가소둔공정중에 최종 마무리 소둔공정에 있어서의 이차 재결정 개시시까지의 가열공정중에 강판을 질화처리하고, 920 내지 1100℃의 온도에서 이차 재결정을 종료하는 공정과 이어서 순화하는 공정으로 이루어진 최종마무리소둔을 실행하는 것을 특징으로 하는 고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판의 제조방법을 제공하는 것이다.

이방향성 전자강판의 제조에 적용된 기본 금속학적 원리는 이차 재결정현상이다. 다음 인자가 이차 재결정을 조정하기 위하여 주지되어 왔다.

(1) 목적결정방위를 가지고 있는 결정립이 성장하기 쉬운 일차 지결정 집합조직 ; (2) 목적방위로부터 벗어난 방위를 가지고 있는 결정립의 성장을 억제하는 효과 즉, 인히비터의 효과를 가지고 있는 미세한 석출물 또는 치환원소 ; (3) 가급적 균일하고 적절한 평균입도의 일차재결정립이 입도분포; (4) 강판에 (1),(2) 및 (3)의 요건을 구비시키면서 목적 결정립을 선택적으로 성장시키는 이차 재결정 소둔 사이클.

이들 모든 인자는 일방향성 전자강판의 생산에서 주지되어 있지만, 아직 이방향성 전자강판의 생산에서는 주지되어 있지 않다. 본 발명자의 조사에 의하면, 전술한(1)인자를 다룬 기술로서는 일본국 특허공고 제35-2657, 일본국 특허공개공보 제1-272718호에 소개된 것이 있고, (2) 인자를 다룬 기술로서는 일본국 특허공고 제1-43818호에 개시된 기술이 있다.

본 발명자들은 인자(4)에 관한 새로운 지견을 얻어서 이것을 일본국 특허출원 제63-293645호(일본국 특허공개공보 제2-141531)로서 출원했다. 보다 구체적으로는, {110}＜UVW＞ 방위는 교차냉간압연법에 의해 얻어진 이차 재결정립에 바람직한＂{100}＜001＞＂ 방위와 함께 존재한다. {110}＜UVW＞ 방위가 증대되면 될수록 B₈치는 더욱 열화된다. 더욱이, {110}＜UVW＞ 방위립의 이차 재결정온도는 {100}＜001＞ 방위립보다 더 높다는 것을 알아 내었다. 920 내지 1100℃의 비교적 낮은 온도범위에서 이차 재결정을 종료시킴으로써 {100}＜001＞ 방위립의 비율이 {110}＜UVW＞ 방위립의 성장전에 높아진다. 이러한 사실을 이용하여 B₈치를 개선시키는 것이 가능하다. 본 발명은 이러한 기술사상을 완전하게 실현시킬 수 있어서 고자속밀도를 안정하게 얻게할 수 있는 조건을 제공한다. 또한 이차 재결정 소둔주기를 단축시킬 수 있는 본 발명은 제조코스트를 저하시키는 유리한 효과를 가지고 있다.

본 발명의 내용을 이하 상세히 설명한다.

이방향성 전자강판을 제조하는 것을 목적으로 하는 이차 재결정에서 S계(MnS) 인히비터는 가용하다면 이제까지 사용되어 왔다. 그러나, 본 발명자들은 MnS 인히비터는 이차 재결정으로 이방향성 전자강판을 제조하는데 오히려 해롭다는 사실을 발견했다. 이 인히비터가 존재함으로 인하여 자속밀도가 열화된다.

본 발명자들은 S형 인히비터에 관한 하기 실험을 행하였다 :

C : 0.049중량%, Si : 3.25중량%, Mn : 0.14중량%, 산가용성 Al : 0.27중량%, 전체 N : 0.0073중량%를 함유하고 있는 용강을 다섯부분으로 분할하고, S함량(중량%)을 각각 0.0010%, 0.0070%, 0.016%, 0.023% 및 0.035%로 조정한 슬랩을 주조하였다. 이 슬랩을 조압연한 후 다섯 부분으로 분할하였다. 이 조압연재를 각각 1100℃, 1150℃, 1270℃, 1320℃ 및 1380℃로 가열하여 열간압연하여서 두께가 1.5mm인 열연강판을 제조하였다. 이 강판을 1000℃에서 2분동안 소둔한후 열간압연방향과 동일한 방향으로 냉간압연하여(일차 냉간압연) 판두께를 0.55mm로 하였다. 이어서, 이 강판을 첫번째 냉간압연방향에 대해 수직방향으로 냉간압연(이차 냉간압연) 하여 판두께를 0.23mm로 하였다(교차 냉간압연). 이 냉연강판을 820℃의 습수소 분위기에서 120초동안 탈탄소둔하고 난후, 3% 페로망간을 함유한 MgO를 이 냉연강판에 도포하였다. 이 강판을 75% H₂+25% N₂의 분위기에서 30℃/hr의 가열속도로 1200℃까지 가열하고 100% H₂분위기에서 20 시간동안 1200℃에서 소둔하였다. 이렇게 해서 얻은 제품의 자속밀도를 제 1도에 표시하였다. 강의 S함량과 슬랩가열온도가 낮을수록 B₈치는 높아진다는 것을 제 1도로부터 알 수 있다. 이 제품의 결정립의 방위를 측정한 결과로부터 보다 높은 S함량을 갖고 있는 제품일수록, 또한 높은 슬랩가열온도에서 얻은 제품일수록 보다 많은 {110}＜UVW＞ 방위립을 함유한다는 것이 판명되었다. 이차 재결정소둔에서의 가열도중에 강판을 반복해서 관찰한 결과로부터 강의 S함량과 슬랩가열 온도가 높을수록 이차 재결정의 과정을 지연시키는 경향이 커진다는 것을 알 수 있다. 강의 S함량이 높고 슬립가열온도가 높으면, MnS가 다량 용해되어 MnS 석출물이 보다 많아지고 미세해진다고 추측된다. 그러므로, 인히비터로서 입자의 성장을 억제하는 효과는 향상되고, 이로써 이차 재결정의 과정이 지연된다. 이와같이 이차 재결정의 과정이 지연되므로 ＂낮은 온도에서는 {100}＜001＞ 방위가 나타나고, 높은 온도에서는{110}＜UVW＞방위가 나타나는 현상이 일어나고＂, 이를 보다 의미있게 표현하면 B₈치가 열화되는 현상이 일어난다고 할 수 있다.

상술한 것처럼, 일방향성 전자강판의 제조에 대해서 이차 재결정에서 MnS의 유용성에 관한 상식에도 불구하고, 과도한 MnS는 이방향성 전자강판에 존재하는 {100}＜001＞ 방위의 이차 재결정에 관한 역효과를 갖는다는 것이 밝혀졌다. 이와같은 새로운 지견에 근거하여 본 발명을 다음과 같이 구성하였다 :

강의 성분으로서 Si 함량은 한정된다. Si 함량이 4.8중량%를 초과하면, 냉간압연시 소재에 균열이 생기는 경향이 있으므로 이 냉간압연을 수행하는 것이 곤란하다. 역으로, 자속밀도는 Si 함량이 적어짐에 따라 높아지지만, 결정의 방향성은에서로의 변태가 이차 재결정소둔공정중에 일어나면 파괴된다. 결국, Si함량의 하한은 α에서 γ로의 변태가 일어나지 않도록 1.8중량%로 한정된다.

본 발명에 있어서, 방법의 초기단계부터 인히비터를 형성시킬때, 0.008 내지 0.048중량%의 산가용성 Al과 0.0028 내지 0.0100중량%의 전체 N이 함유되는 것이 필수적이다. 산가용성 Al 이 0.008 중량%보다 적거나 또는 전체 N이 함량이 0.0028중량%보다 적으면, 인히비터량의 부족으로 인하여 이차 재결정이 일어나지 않는다. 반대로, 산가용성 Al의 함량이 0.048중량%를 초과하면, AIN의 분포가 불균일 함으로 인하여 이차 재결정이 일어나지 않는다. 또한 전체 N의 함량이 0.0100중량%를 초과하면, ＂블리스터＂라 호칭되는 표면블리스터 홈이 야기되는데, 이 블리스터는 열간압연공정중에 발생되어 냉간압연공정중에 넓게 퍼진다. 방법의 중간단계에서 인히비터를 형성시키는 경우, 0.008 내지 0.048중량%의 산가용성 Al이 함유되고, 질화처리를 전체 N의 함량이 0.002 내지 0.060중량% 되도록 최종 냉간압연후의 단시간의 탈탄공정중에, 이 탈탄후에 실행되는 추가 소둔공정중에 또는 최종 마무리 소둔공정에서의 이차 재결정의 개시시까지의 가열하는 공정중에 실행되어, 질화물 ＂AIN＂ 또는 ＂(Al,Si)N＂ 이 형성되어 인히비터로서 작용한다. S가 많이 함유되면 B₈치가 열화되므로, S의 함량은 본 발명에서는 0.016중량%을 초과하지 않도록 한정된다.

상술한 성분을 함유하는 규소강판은 열연강판으로 열간압연된다. 본발명의 요지는 결정립성장에 대한 MnS의 억제효과를 저하시키기 위하여 슬랩의 가열에 의한 MnS의 고용을 억제하려는데에 있으므로, 슬랩가열온도는 낮은 것이 바림직하다. 이 슬랩가열온도의 상한은 1270℃이므로, 슬래그가 발생되지 않는다. 이슬랩가열온도의 하한은 열간압연 가능온도 예컨대 1000℃이다. 그 직후에 또는 단기간 소둔하기 위하여 30초 내지 30분동안 750 내지 1200℃의 온도로 가열한 후에, 열간압연강판의 길이방향과 이 길이 방향에 대해 수직으로 교차하는 방향으로 냉간압연한다. 이 소둔을 시행하는 것은 제품의 자속밀도를 향상시킨다는 측면에서는 바람직하지만 제조코스트는 증대된다. 결국 단기간의 소둔을 시행할 것인가의 여부는 제품의 자속밀도의 원하는 수준을 고려하여 결정된다.

첫번째 냉간압연(일차냉간압연)의 방향이 스톡의 열간압연방향과 일치하는 냉간압연에 의하면, 첫번째 냉간압연의 방향이 스톡의 열간압연방향에 대해 수직으로 교차하는 냉간압연에 의해 얻어진 제품보다 더 높은 자속밀도를 가지고 있는 제품을 제조할 수 있다. 그러나 첫번째 냉간압연방향이 스톡의 열간압연방향에 대해 수직으로 교차하는 경우 또는 이 열간압연방향에 일치하는 경우 모두에 있어서, 최종 제품은 항상 {100}＜001＞방위 또는 이와 근접한 방위를 가지고 있는 이방향성 전자강판이다. 일반적으로 강에 함유된 소량의 C를 제거하기 위해서, 냉간압연후에 소재는 습수소 분위기에서 단시간동안 750 내지 950℃에서 탈탄처리된다.

최종 냉간압연후부터 마무리 소둔공정에서의 이차 재결정 개시까지의 과정에서 질화처리에 의해 인히비터를 형성시키기 위한 수단, 즉 본 발명의 일실시예를 이하 설명한다.

질소를 강판으로 침투시키는데 사용될 수 있는 수단은 특별히 한정될 필요는 없지만, 예컨대 냉연강판을 질화능을 가지고 있는 분위기 즉, 암모니아가스 함유 분위기중에서 탈탄소둔중에 질화처리하는 방법, 탈탄된 강판을 추가로 소둔하고 이때 강판을 질화처리하는 방법 또는 탈탄된 강판을 이차 재결정의 개시전에 질화능을 가지고 있는 분위기에서 마무리소둔의 초기단계에 있어서 질화처리하는 방법이 있다.

상술한 마무리소둔의 대상이 스트립코일 특히 대형 스트립코일인 경우, 스트립층간의 공간으로 질소를 침투시키는 것은 곤란하므로, 강판의 질화처리가 불충분하게 그리고 불균일하게 될 염려가 있다. 결국 소정값보다 큰 수준으로 강판간의 갭을 확보하거나 또는 마무리소둔전에 암모노 화합물과 같은 소둔분리제에 마무리소둔중에서 질소를 방출하는 금속질화물을 첨가하는 수단을 취하는 것이 바람직하다.

또한, 탈탄된 강판 또는 질화된 강판은 예컨대 MgO와 같은 소둔분리제를 도포한후에 최종적으로 소둔된다. 마무리소둔 조건으로서, 이차 재결정을 920 내지 1100℃의 온도에서 종료하는 것이 필수적이다. 이차 재결정을 발현시키기 위한 구체적 수단은 이차 재결정이 종료되는 시간인 5시간 이상의 시간동안 920 내지 1100℃의 온도에서 유지하는 것 또는 상술한 온도범위에서 30℃/hr보다 작은 가열속도로 가열하는 것이다. 결정 성장에 관한 MnS의 억제 효과를 가급적 낮추는 것이 본 발명의 필수조건이므로, 이차 재결정은 보다 단시간동안 보다 낮은 온도에서 종료될 수 있고, 따라서 가열속도는 선원(일본 특허공개공보 제2-141531호 공보)과 비교해서 보다 높아질 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면 높은 소둔 효율로 인하여 높은 제조코스트를 낮출 수 있다. 이차 재결정이 종료된 강판은 예컨대 N과 S의 제거와 같은 순화를 목적으로 하여 수소 분위기에서 5내지 20시간동안 1150 내지 1200℃의 온도에서 소둔된다.

실시예를 이하 설명한다.

[실시예 1]

제 1도의 결과를 얻기 위해 사용된 열연강판으로서 판두께가 1.5mm인 열연강판을 2분동안 1000℃에서 소둔한후 열간압연방향과 같은 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.55mm로 하였다. 이어서, 강판을 첫번째 냉간압연방향에 대해 수직인 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.23mm로 하였다(교차 냉간압연). 강판을 습수소 분위기에서 120초동안 820℃에서 탈탄소둔한후 3% 질화페로망간을 함유한 MgO를 강판에 도포하였다. 강판을 75% H₂+ 25% N₂의 분위기 중에서 50℃/hr의 가열속도로 1020℃까지 가열하고 20시간동안 유지시켜서 이차 재결정을 시켰다. 그런후, 강판을 25℃/hr의 가열속도로 1200℃까지 가열하여 100% H₂분위기에서 유지시켜서 순화시켰다. 이렇게 해서 얻은 제품의 자기특성을 제 2도에 표시하였다.

[실시예 2]

0.048중량%의 C, 3.30중량%의 Si, 0.070중량%의 산가용성 Al, 0.0072중량%의 전체 N, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물을 함유하고 0.0060중량% 또는 0.021중량%의 S를 더 함유하는 두종류의 주조스트립을 1150℃ 또는 1320℃로 가열한후, 열간압연하여 판두께가 1.8mm인 열연강판으로 만들었다. 이 열연강판을 1000℃에서 2분동안 소둔한후 상기 열간압연방향과 동일한 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.75mm로 하였다. 이어서, 이 냉연강판을 상기 첫번째 냉간압연방향에 대해 수직인 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.30mm로 하였다. 이 냉연강판을 습수소 분위기에서 150초동안 820℃에서 탈탄소둔한후 3% 질화페로 망간을 함유하는 MgO를 냉연강판에 도포하였다. 이 강판을 75% H₂+ 25% N₂의 분위기에서 1020℃까지 50℃/hr의 가열속도로 가열한후 5시간, 10시간도는 20시간 동안 유지시켜서 이차 재결정시켰다. 어떤 상기 경우에서도 강판을 1200℃까지 25℃/hr 의 가열속도로 가열하고 100% H₂분위기에서 20시간동안 유지시켜서 순화시켰다. 이렇게 해서 얻은 제품의 자기특성을 표 1에 도시하였다.

강에 소량의 S를 가지고 있는 제품은 높은 B₈치를 갖고 있었다. 보다 높은 슬랩가열온도 즉 1320℃가 적용된 경우는 보다 긴 균열시간이 높은 B₈치를 얻기 위해 이차 재결정에 대해 요구되었다. 강에 0.021중량% 정도의 다량의 S를 함유하고 있는 제품은 B₈치가 높지 않다. 특히, 낮은 슬랩가열온도와 이차 재결정을 위한 보다 긴 균열시간이 적용된 경우, 불량한 이차 재결정(이차 재결정이 종료되지 않은 부분)이 관찰되었다.(표에 *로 표시)

[표 1]

[실시예 3]

0.048중량%의 C, 3,27중량%의 Si, 0.13중량%의 Mn, 0.0060중량%의 S, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물을 함유하고, 이러한 조성에 표 2에 표시된 양만큼 산가용성 Al과 전체 N를 더 함유하고 있는 주조스트립을 1230℃까지 가열한후, 열간압연하여 판두께가 1.8mm인 열연강판으로 가공하였다. 이 열연강판을 1000℃에서 2분동안 소둔한후 상기 열간압연방향과 같은 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.75mm로 하였다. 이어서, 이 강판을 일차 냉간압연방향에 대해 수직인 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.30mm로 하였다. 이 강판을 습수소 분위기에서 150초동안 800℃에서 탈탄소둔한후 이 강판에 MgO를 도포하였다. 또한 강판을 75% H₂+ 25% N₂분위기에서 50℃/hr의 가열속도로 1000℃까지 가열하고, 10시간동안 유지시켰다. 후속하여 강판을 25℃/hr 의 가열속도로 1200℃까지 가열하고 100% H₂분위기에서 20시간동안 유지하여 순화시켰다. 이렇게 해서 얻은 제품의 자기특성을 표 2에 표시하였다.

[표 2]

본 발명으로부터 벗어난 시편 즉, 강에 N이 소량 함유되어 있는 시편(시편번호 1),강에 산가용성 Al이 너무 조금 함유되어 있는 시편(시편번호 3), 강에 산가용성 Al이 너무 많이 함유되어 있는 시편(시편번호 5)에 있어서 시편은 대부분이 이차 재결정되지 않아서 B₈치가 낮다.

[실시예 4]

0.048중량%의 C, 3.27중량%의 Si : 0.13중량%의 Mn, 0.0060중량%의 S, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물을 함유하고 있고, 표 3에 표시된 전체 N의 양과 산가용성 Al의 양을 더 함유하고 있는 주조 스트립을 1230℃로 가열한후, 열간압연하여 판두께가 1.8mm인 열연강판으로 가공하였다. 이 열연강판을 1000℃에서 2분동안 소둔하고나서 상기 열간압연방향과 같은 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.75mm로 하였다. 이어서, 이 냉연강판을 일차 냉간압연방향에 대해 수직인 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.30mm로 하였다. 이 강판을 습수소 분위기하에서 150초동안 800℃에서 탈탄소둔하였다. 암모니아 분위기에서 약 0.120%의 N을 첨가한후 강판에 MgO를 도포하였다. 강판을 75% H₂+ 25% N₂분위기에서 50℃/hr의 가열속도로 1000℃까지 가열하고, 10시간동안 유지시켰다. 후속하여 강판을 25℃/hr 의 가열속도로 1200℃까지 가열하고 100% H₂분위기에서 20시간동안 유지하여 순화시켰다. 이렇게 해서 얻은 제품의 자기특성을 표 3에 표시하였다.

본 발명으로부터 벗어난 시편 즉, 산가용성 Al함량이 너무 적은 시편(시편번호 3), 산가용성 Al함량이 너무 많은 시편(시편번호 5)에 있어서, 이들 시편은 대부분이 이차 재결정되지 않아서 낮은 B₈치를 가지고 있다.

[실시예 5]

0.048중량%의 C, 3.27중량%의 Si 0.13중량%의 Mn, 0.0060중량%의 S, 0.028중량%의 산가용성 Al, 0.028%중량의 전체 N, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물을 함유하는 주조 스트립을 1230℃로 가열한후, 열간압연하여 판두께가 1.8mm인 열연강판으로 가공하였다. 이들 강판중 한 강판을 직접 냉간압연하는 한편 다른 한 강판은 1000℃에서 2분동안 소둔한 후에 상기 열간압연방향과 같은 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.75mm로 하였다. 이어서, 이 강판을 일차 냉간압연방향에 대해 수직인 방향으로 냉간압연하여 판두께를 0.30mm로 하였다. 이 강판을 습수소 분위기하에서 150초동안 820℃에서 탈탄소둔하고나서 3% 페로망간을 함유하는 MgO를 강판에 도포하였다. 강판을 75% N₂+ 25% H₂분위기에서 20℃/hr의 가열속도로 1100℃까지 가열하고, 10시간동안 유지시켰다. 후속하여 강판을 50℃/hr 의 가열속도로 1200℃까지 가열하고 100% H₂분위기에서 20시간동안 유지하여 순화시켰다. 이렇게 해서 얻은 제품의 자기특성을 표 4에 표시하였다.

열강판을 소둔함으로써 B₈치가 높은 제품을 얻을 수 있다.

상술한 것처럼, 본 발명에 의하면 일방향성 전자강판의 현재의 가장 높은 수준보다 동등하거나 더 양호한 B₈치를 가지고 있는 이방향성 전자강판을 효율적으로 그리고 안정적으로 제조할 수 있다.

Claims

Si : 1.8 내지 4.8중량%, 산가용성 Al : 0.008 내지 0.048중량%, 전체 N ; 0.0028 내지 0.0100중량%, S : 0.016중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 규소강슬랩을 1000 내지 1270℃의 온도로 가열한후 열연강판으로 열간압연하고, 열연강판을 750 내지 1200℃의 온도에서 30초 내지 30분동안 소둔하고 이 열연강판을 40 내지 80%의 압하율로 냉간압연하고, 이어서 냉간압연강판을 상기 냉간압연방향에 대해 수직으로 교차하는 방향으로 30 내지 70%의 압하율로 다시 냉간압연하고, 이 강판을 습수소 분위기에서 750 내지 950℃에서 탈탄소둔하고 920 내지 1100℃의 온도에서 이차 재결정을 종료하는 공정과 이어서 순화하는 공정으로 이루어진 최종 마무리소둔을 실행하는 것을 특징으로 하는 고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판의 제조방법.
Si : 1.8 내지 4.8중량%, 산가용성 Al : 0.008 내지 0.048중량%, S : 0.016중량% 이하, 잔부 : Fe 및 불가피한 불순물로 이루어진 규소강슬랩을 열연강판으로 열간압연하고, 열연강판을 40 내지 80%의 압하율로 냉간압연하고, 이어서 냉간압연강판을 상기 냉간압연방향에 대한 수직으로 교차하는 방향으로 30 내지 70%의 압하율로 다시 냉간압연하고, 이 강판을 습수소 분위기에서 750 내지 950℃에서 탈탄소둔하고, 소재의 N함량이 전체적으로 0.002 내지 0.060중량%가 되도록 탈탄소둔공정중에, 탈탄소둔공정후의 추가 소둔공정중에 또는 최종 마무리 소둔공정에서의 이차 재결정 개시시까지의 가열공정중에 강판을 질화처리하고, 920 내지 1100℃의 온도에서 이차 재결정을 종료하는 공정과 이어서 순화하는 공정으로 이루어진 최종 마무리소둔을 실행하는 것을 특징으로 하는 고자속밀도를 가지고 있는 이방향성 전자강판의 제조방법.
제 2항에 있어서, 열연강판을 750℃ 내지 1200℃의 온도에서 30초 내지 30분동안 소둔하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 2항에 있어서, 규소강슬랩을 1000℃ 내지 1270℃의 온도로 가열한 후에, 열간압연을 실행하는 것을 특징으로 하는 방법.
제 3항에 있어서, 규소강슬랩을 1000℃ 내지 1270℃의 온도로 가열한 후에, 열간압연을 실행하는 것을 특징으로 하는 방법.