KR930008776B1

KR930008776B1 - 자기헤드 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR930008776B1
Application number: KR1019850008030A
Authority: KR
Inventors: 오리노부 요시사또; 가와 히데끼 요시; 가즈히꼬 다께다; 이사오 야쓰다; 겐지 구보다; 가즈히꼬 다까하시
Original assignee: 상요 덴기 가부시기가이샤; 이 우에 가오루
Priority date: 1984-10-31
Filing date: 1985-10-30
Publication date: 1993-09-15
Anticipated expiration: 2005-10-30
Also published as: US4719527A; CA1249658A; EP0180218A3; KR860003581A; CN85108011A; CN85108011B; EP0180218A2; EP0180218B1; US4774755A; DE3581694D1

Abstract

내용 없음.

Description

자기헤드 및 그 제조 방법

제 1 도는 자기헤드 사시도.

제 2 도는 제 1 도의 단면도.

제 3a-f 도는 제 1 도의 자기헤드의 제조공정을 도시한 사시도.

제 4 도는 시이트상 코일을 구비한 자기헤드의 요부를 도시한 사시도.

제 5 도는 시이트상 코일의 확대 평면도.

제 6 도는 제 5 도의 VI-VI선에 따른 단면도.

제 7 도 및 제 8 도는 2층 구조의 시이트상 코일을 구성하는 한쌍의 코일반체의 평면도.

제 9 도는 상기 2층 구조의 시이트상 코일의 단면도.

제 10 도는 2층 구조의 시이트상 코일의 다른 실시예를 도시한 단면도.

제 11 도는 2층 구조의 시이트상 코일의 또 다른 실시예를 도시한 사시도.

제 12 도는 제 11 도의 XII-XII선에 따른 단면도.

제 13 도는 뒷쪽에 시이트 판을 갖는 자기헤드의 사시도.

제 14a-b 도는 제 13 도의 자기헤드의 제조공정을 도시한 사시도.

제 15 도는 기판이 자성금속 재료로 형성되고 양측부에 자성체 블럭을 구비한 자기헤드의 사시도.

제 16 도 및 제 17 도는 제 15 도의 자기헤드의 제조공정을 도시한 사시도.

제 18 도 및 제 19 도는 제 15 도의 자기헤드의 자력선의 흐름을 설명한 평면도.

제 20 도는 기판이 비자성금속 재료로 형성된 자기헤드의 사시도.

제 21a-b 도는 제 20 도의 자기헤드의 제조공정을 도시한 사시도.

제 22 도는 제 20 도의 자기헤드의 자계를 설명하는 평면도.

제 23a-b 도는 제 20 도의 자기헤드에 의해서 해소되는 제조공정중의 문제를 설명하는 측면도.

제 24 도는 종래의 자기헤드의 분해사시도.

제 25 도는 종래의 자기헤드의 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1,10 : 기판 1,20,21,22 : 판상자성 코어

3 : 축부 4 : 코일

5 : 베이스필름 6 : 시일드 판

7 : 자성체블럭 8,81 : 자성체 블럭

9 : 누설자속 11 : 절입부

12 : 자기 시일드재 14,16 : 비 자성판

15 : 비자성 스페이서 17 : 요부

18 : 철부 23,27 : 자성판

24,60 : 홈 25,26 : 헤드칩

30 : 단차부 31 : 두부

32 : 돌조부 33 : 돌출부

40 : 코일단자 43 : 단자부

44 : 도체 45,46 : 코일 반체

47,48,49 : 접속부 50 : 절연막

51 : 투공 80 : 전자 시일드 층

90 : 자속 91 : 와전류

원반상의 자기기록체에 정지화상을 기록하는 전자 스틸 카메라(still camera)에 있어서는, 회전하는 자기기록체의 신호면에 미끄럼 접합하여 신호를 주고 받는 한쌍의 자기헤드가 장착되어, 자기기록체의 2개의 트랙에 대하여 동시에 또는 교대로 신호를 주고 받도록 하고 있다.

본 발명자는 이 종류의 자기헤드로서 제 24 도 및 제 25 도에 도시한 복합형의 자기헤드를 이미 제안하였다. 이 자기헤드는 일본국 공개특허 소60-147912호에 상세히 개시되어 있다.

이 자기헤드는 한쌍의 헤드칩(25)(26)을 시일드 재(12)를 끼워서 서로 접합고정하고, 또 양 헤드칩(25)(26)의 양측에 기판(1)(10)을 고정하여, 전체 강도를 높이고 있다. 각각의 헤드칩(25)(26)은 각각 자성 벌크재를 가공하여 트랙폭과 동일한 두께로 형성한 판상 자성코어(2)(20 및 (21)(22)를 서로 대조하여 구성되고, 그 대조부의 전방에 갭부 G₁,G₂를 형성하여, 헤드칩(25)(26) 및 기판(1)(10)에는 각각 코일창(41)를 개설하고 코일(4)를 권장하고 있다. 자기기록체 T는 양 갭부 G₁,G₂를 포함하는 평면에 직교하는 방향으로 이동한다.

현재의 규격에서는, 트랙폭 즉, 각각의 자성 코어(2)(20)(21)(22)의 두께 A는 약 60㎛, 한쌍의 헤드칩(25)(26)의 간격 H는 40㎛로 규정되어 있다.

한쌍의 헤드칩(25)(26)은, 신호의 기록, 재생시에, 2개의 갭부가 극히 근접하고 있으므로, 전자계의 간섭에 의한 신호의 누설(crosstalk)이 생기기 때문에, 양 헤드칩(25)(26)간에 끼운 시일드 재(12)에 의해서 그것을 방지하고 있다.

또, 이 기종과의 호환성을 보증하기 위해서, 2개의 헤드칩(25)(26)은 각각의 갭부 G₁,G₂를 평면 상에 갖추어서 배설되어야 한다.

그런데, 상기 자기헤드에 있어서는, 권선 작업의 형편상, 2개의 헤드칩(25)(26)를 따로따로 제작하고, 각각의 헤드칩(25)(26)의 권선을 한 후, 이들의 헤드칩(25)(26)을 소정의 트랙 핏치에 나란히 조립하는 공정을 채용해야 하기 때문에, 2개의 갭부를 동일 평면상에 갖춘 조정작업이 필요하고, 이 조정작업이 자기헤드의 양산성을 저해하고 있었다. 또, 이 조정에 의해서도, 2개의 갭부에, 어느정도의 조정 오차가 남는 것은 피할 수 없고, 이 조정 오차의 변동이 자기헤드의 품질 저하, 혹은 기록재생성능의 저하를 초래하고 있었다.

본 발명은, 한쌍의 갭부를 정확히 동일 평면상에 배설할 수 있는 자기헤드의 구조 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은, 각각의 헤드칩을 구성하는 한쌍의 자성코어가 양 갭부를 포함한 평면에 대하여 평행한 면 내에서 서로 겹쳐서 고정되고, 각각의 자성코어의 두부가 트랙폭에 따른 폭을 갖고, 서로 접합하는 한쌍의 자성코어의 두부 사이에 갭부가 형성됨과 동시에 한쌍의 자성코어의 접합부에 양 자성코어의 접합면에 직교하여 축부가 형성되고, 그 축부에 코일이 권장되어 있는 자기헤드를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 절연성 자재로 이루어지는 베이스 필름과, 이 베이스 필름상에 와권상으로 형성된 띠형 도체와, 이 도체를 피복하는 절연막으로 이루어진 시이트상의 코일을 형성하고, 이것을 자성코어의 축부에 끼워서 생산성등을 개선하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 시일드부를 끼워서 동일 평면상에 나란한 한쌍의 자성코어를 1장의 자성판으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 양 헤드칩의 갭부를 포함한 면 양측에, 그 면과 평행으로 각각 기판을 고정하고, 이 기판을 자성금속 재료 혹은 비자성 금속재료로 형성하고, 자기헤드의 양 헤드칩 간의 자기 차단성등을 개선하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 양 헤드칩의 갭부 배열 방향의 양측에 자성체 블럭을 고정하여, 자기 차단성을 더 개선하는 것이다.

제 1 도는 본 발명의 자기헤드의 외관을 도시하고, 제 2 도는 이 자기헤드를 양 갭부 G₁,G₂를 포함한 면으로 절단하여 내부를 노출한 도면이다.

자기헤드는, 센더스트(sendust)혹은 Co-Fe계 아몰파스(amorphous)리본 등의 고무자율 자재로 이루어진 한쌍의 판상 자성코어(2)(20) 및 (21)(22)가, 각각의 판면을 서로 겹쳐서 고정되고, 이에 의해서 죄우 대칭의 한쌍의 헤드칩(25)(26)을 형성하고, 양 헤드칩(25)(26)의 양측에 비자성의 기판(1)(10)을 고정하여 전체 강도를 올리고 있다. 기판(1)(10)은 센더스트재와 열팽창 계수가 근사한 α석영이나 α크리스트바라이트 등의 결정상을 갖는 결정화유리, 혹은 MnO₂-NiO계 비자성 세라믹을 사용하여 형성되어 있다.

각각의 자성코어(2)(20)(21)(22)는 두부(31)이 트랙폭과 동일한 폭으로 데이퍼식으로 성형되어 있고, 서로 접합하는 자성코어(2)(20) 및 (21)(22)의 각각의 두부간에 SiO₂등의 비자성 스페이서(15)를 끼움으로써, 갭부 G₁,G₂가 형성되어 있다.

또 양 갭부 G₁,G₂간에 자기 시일드재(12)를 끼워서 누설을 방지하고 있다. 이 시일드재(12)는, 예를 들어 Cu 또는 Ag로 이루어진 도전판을 퍼멀로이(Permalloy)로 이루어진 자성판의 양측면에 고정하여 형성할 수 있다.

제 1 도, 제 2 도에 있어서, 밑쪽의 자성코어(20)(22)의 뒤쪽 부분에는 , 직방체상의 축부(3)(3)이 두부(31)과 동일한 두께로 또한 두부(31)과는 얇은 단차부(30)을 통하여 연결해서 형성되어 있다. 이 축부(3)의 단차부(30)에 대한 돌출 높이는 약 50㎛~100㎛ 혹은 그 이상으로 형성된다. 한편, 도면 중의 위쪽의 자성코어(2)(21)은 균일한 두께의 평판상이고, 아래쪽의 자성코어(20)(22)와 각각 동일한 외형을 보이고 있다.

자성코어(20)(22)의 양 축부(3)에는 각각 코일(4)가 권장되고, 코일선의 양단은 기판(10)의 후방단부에 장착한 코일 단자(40)(40)에 각각 접속되어 있다.

시일드재(12)는 양 기판(1)(10)에 절친 높이를 갖는 동시에 자성코어(20)(22)의 두부(31) 및 단차부(30)을 관통하는 거리를 갖고 있다.

자기헤드는 종래의 자기헤드와 비해서 구조에 다음의 차이가 있다. 즉, 제 24 도에 도시한 종래의 자기헤드에 있어서는 자성코어(2)(20)(21)(22)가 양 갭부 G₁,G₂를 포함한 평면에 직교하는 면 내에 각각의 판면을 배설하고, 단면에서 서로 맞대어져 고정되어 있는 것에 대하여, 제 1 도의 자기헤드에 있어서는, 자성코어(2)(20)(21)(22)가 양 갭부 G₁,G₂를 포함하는 면 내에 각각의 판면을 배설하고, 서로 판면을 겹쳐서 접합되어 있는데, 이 구조는 본원의 자기헤드의 특징으로 되어 있다. 또 이 구조의 차이에 의해, 후술과 같은 제조방법에도 큰 특징이 있고, 이에 의해서 여러가지 장점이 생긴다.

상기 자기헤드의 제조방법을 제 3a-f 도에 의해서 설명하겠다.

센더스트 등의 고투자율 벌크재를 기계가공하여 제 3a 도에 도시한 것과 같은 빗살형의 자성판(23)을 제작한다. 이 자성판(23)의 표면은 높은 평면도로 형성되어 있다.

이 자성판(23)은 제 3b 도에 도시한 바와 같이 비자성판(14) 상에 접합한다. 또, 이 비자성판(14)의 후부에는 미리 복수의 단자(40)이 배설되어 있다. 자성판(23)과 비자성판(14)의 접합은 프릿트(frit)유리, 혹은 에폭시 또는 폴리아미드계의 유기수지 접착재를 사용하여 행할 수 있다.

제 3b 도의 자성판(23)에 대하여, 가상선 B-B의 폭으로 줄이고, 제 3 도 (c)및(d)에 도시한 바와 같이, 자성판(23)에 대하여 폭방향으로 넓어지는 홈(24)를 개설하고, 얇은 단차부(30)으로 이어진 1개의 긴 돌조부(32)와 복수의 돌출부(33)을 형성한다. 또, 돌출부(32)의 표면에 SiO₂의 스페이서(15)를 증착법에 의해서 두께 0.2-0.3㎛로 형성한다.

각가의 돌출부(33)에 코일(4)를 권장하여, 코일선의 양단을 단자(40)에 각각 접속한다.(제 3d 도 참조).

다음에, 제 3e 도에 도시한 바와 같이, 제 3a 도에 도시한 자성판(23)과 동일한 형상의 자성판(27)을 비자성판(16)에 고정하여서 되는 블럭을 제 3d 도의 블럭에 겹쳐서, 이들을 프릿트 유리 혹은 유기수지 접착제에 의해서 고정하고, 도시한 바와 같이 합체물을 형성한다.

상기과 합체물의 전면에 대하여 제 3f 도에 도시한 바와 같이 돌출부(33)의 배열핏치의 2개의 핏치로 요부(17)을 형성한다. 이에 의해서 각각의 요부(17)의 사이에 철부(18)이 형성된다. 또, 철부(18)의 중심위치는 제 2 도와 같이 인접한 한쌍의 돌출부(33)(33)의 간격의 중앙에 위치하도록 설정된다.

각각의 철부(18)에 대하여, 홈(24)를 넘어서 후방으로 뻗은 깊은 절입부(11)을 요설하고, 이 절입부(11)에서 시일드재(12)를 충전한다. 또 요부(17)의 형성과 절입부(11)의 형성은 순서가 교체되어도 좋다. 이 절입부(11)의 폭은 40㎛, 홈을 넘어서 후방으로 뻗은 길이는 대략 400㎛이다. 이에 의해서, 자성판(23)은 돌출부(33)을 2개씩 구비한 복수개의 자성편으로 나누는 것이 가능하게 된다.(제 2 도 참조) 또 시일드재(12)는, 절입부(11)의 형상에 따라서 미리 판상으로 형성하고, 이것을 절입부에 삽입하여도 되고, 혹은 수지에 Al, Ag등의 분말을 혼입하여, 이것을 절입부(11)에 주입하고, 고화시켜서 형성하여도 된다.

상기 합체물을 제 3f 도의 파선 A를 따라서 절단함으로써, 제 1 도에 도시한 자기헤드 단체(單體)를 복수개 동시에 완성한다. 이때. 비자성판(14)(16)이 기판(1)(10)으로 되고, 자성판(23)(27)이 자성코어(2)(20)(21)(22)로 된다. 또 자성판(23)의 돌조부(32), 돌출부(33)이 각각 자성코어(20)(22)의 두부(31)(31), 축부(3)(3)으로 된다.

최후로, 각각의 자기헤드에 대해서 마무리 연마를 하고 기록체와의 미끄럼 접합면을 소정의 철부 곡면으로 마무리한다.

자기헤드에 있어서는, 각각의 헤드칩의 코일을 여자함으로써 양 자성코어(20)(22) 혹은 (21)(22)에 축부(3)을 포함한 폐자로가 형성되고, 갭부 G₁,G₂가 작동상태로 된다.

상기 제조방법에 의하면, 양 헤드칩(25)(26)의 갭부 G₁,G₂로 되는 비자성 스페이서(15)가 제 3a-d 도에 도시한 1장의 자성판(23)의 위에 형성되고, 서로의 상대위치를 고정한 채로 제 3f 도에 도시한 공정으로 각각의 자기헤드마다 분단되므로, 2개의 갭부 G₁,G₂는 정확하게 한 평면 상에 배설되어, 종래와 같은 조립 오차로 기인한 위치 오차가 생기지 않는다.

또, 자기헤드는 그 제조시에 갭부 G₁,G₂,의 위치를 조정하는 공정이 불필요하므로, 제조공정이 간략화되고, 양산성이 비약적으로 향상한다.

또, 각각의 자성코어(2)(20)(21)(22)의 두께를 50㎛이상으로 형성함으로써, 헤드 길이를 최적치로 설정할 수 있게 되고, 이에 의해서 자기헤드의 수명은 늘릴 수 있다.

제 4 도 내지 제 12 도는 제 3d 도에 도시한 공정으로 돌출부(33)엔 권장할 코일(4)로 대체해서, 도선을 미리 가요성 베이스 필름의 평면 내에 와권상으로 형성하여 고정한 시이트상 코일(4)를 사용한 다른 실시예를 도시한 것이다.

제 4 도는 시이트상 코일(4)를 돌출부(33)에 끼운 상태를 도시한 것인데, 이 코일(4)는 두께가 돌출부(33)의 높인(예를 들어 200㎛)보다도 얇게 형성됨과 동시에, 중앙에 이 돌출부가 끼워진 투공(51)이 개설되고, 이 투공(51)의 후방에는 단자부(43)(43)가 일체로 형성되어 있다.

시이트상 코일(4)는, 제 5 도 및 제 6 도에 도시한 바와 같이 절연성 자재를 두께를 대략 30㎛로 성형해서 되는 가요성 베이스 필름(5)와 이 베이스 필름(5) 상에 투공(51)을 둘러싸고 와권상으로 형성한 두께가 10㎛ 이하인 도체(44)와, 이 도체(44)를 피복하는 두께가 대략 10㎛이하인 절연막(50)으로 구성된다. 도체(44)의 내측의 일단은 연결편(52)를 통하여 한쪽의 단지부(43)에 전기적으로 접속되고, 타단은 다른쪽의 단자부(43)에 전기적으로 접속되어 있다. 베이스 필름(5)의 자재로서는 폴리에스테르, 폴리아미드 등이 사용될 수 있다. 도체(44)는 Cu 또는 Ag를 패터닝(patterning)에 의해서 띠형으로 형성한 것이다. 도체(44)의 폭 및 도체 간의 거리는 10㎛ 이하로 형성된다. 코일 권수는 임의이지만 도시한 실시예에서는 4회로 되어 있다. 이 시이트상 코일(4)는 양산이 가능하고, 값싼 단가로 제조할 수 있다. 또, 시이트상 코일(4) 전체의 두께는 높인 70㎛이고, 돌출부(33)의 높이(예를 들어 100㎛)보다도 상당히 얇으므로, 제 3e 도에 도시한 공정에 있어서의 자성판(23)(27)의 접합에 지장이 생기지 않는다.

또, 시이트상 코일(4)를 후방으로 길게 늘리고 단자부(43)(43)을 기판(10)의 외측에 돌출해서 형성하면, 제 2 도의 코일단자(40)이 생략될 수 있다.

제 7 도 내지 제 12 도는 도체(44)를 2층으로 한 경우를 도시한 것이다.

제 7 도 및 제 8 도에 도시한 바와 같이, 좌우대칭으로 코일이 두루감긴 한쌍의 코일반체(45)(46)을 형성하고, 제 9 도에 도시한 바와 같이 서로 겹쳐서 접합한다. 양 코일반체(45)(46)에는 각각 도체(44)의 내측의 일단이 하면 혹은 상면으로 노출한 접속부(47)(48)이 형성되어 있고, 제 9 도에 도시한 바와 같이 양 코일반체가 겹쳐진 상태로 서로 전기적으로 접속된다. 이에 의해서, 양 코일반체(45)(46)은 시이트상 코일(4)를 형성하게 된다.

한편, 제 10 도의 시이트상 코일(4)는, 제 7 도에 도시한 코일반체(45)를 2장 작성하여, 한쪽의 코일반체(45)를 반전하여 다른쪽의 코일반체(45)에 겹친 것이다.

또, 제 11 도 및 제 12 도에 도시한 시이트상 코일(4)는, 1장의 베이스 필름(5)의 양면에 도체(44)(44)를 형성하고, 절연막(50)(50)으로 덮은 것이다. 양 도체는 서로 접속부(49)에서 연결되어 있다.

시이트상 코일(4)는, 자성코어(20)(22)의 축부(3)에 간단히 끼워 넣은 것 만으로 조립이 되므로, 축부(3)에 권선을 행할 수고가 생략되고, 양산성이 비약적으로 향상한다. 또, 도체(44)는 베이스 필름(5) 및 절연막(50)에 의해서 두껍게 보호되어 있으므로, 제조공정 중에 도체의 절연이 파괴되어서 쇼트가 발생할 수 없다.

시이트상 코일(4)는 상술한 단층 혹은 2층에 한정되지 않고, 3층 이상의 다층 구조로 형성하는 것도 가능하며, 이로 인해서 코일 권수를 많게 할 수 있다.

제 13 도에 도시한 자기헤드는 한쌍의 갭부 G₁,G₂의 사이의 자기 차단성을 보다 완전하게 하는 개량을 행하는 것이다.

제 1 도 내지 제 3 도의 자기헤드에 있어서는, 절입부(11)이 기계가공에 의해서 형성되지만, 이 절입부(11)의 폭은 트랙 핏치에 관한 규격에 관계로 40㎛ 정도로 설정해야 하는데, 이 경우, 절입부(11)의 깊이는 400㎛가 한도이다. 따라서, 코일을 포함한 자기헤드 후부의 자기 차단이 불충분하게 되고, 자기헤드 후부에서 채널간의 누설이 생길 가능성이 있다.

그리하여, 제 13 도에 도시한 바와 같이 양 기판(1)(10)의 사이에 삽입되어 2개의 축부(3)(3)을 공간적으로 분리하는 시일드판(6)을 시일드재(12)에 대향하여 배설한다.

이 자기헤드의 제조공정은, 제 3 도(b) 및 (f)에 대응하여, 제 14 도(a) 및 (b)에 도시한 공정을 행한다. 즉, 제 14a 도에 도시한 바와 같이, 비자성판(14)의 상면에 후방단부로부터 자성판(23)으로 향해서 뻗은 복수의 홈(60)을 시일드재(12)에 대향하는 위치에 개설하고, 또 제 3e 도에 도시한 비자성판(16)의 내면에도 이 홈(60)에 대향하는 홈(도시생략)을 개설한다. 제 14b 도에 도시한 합체물을 형성한 후, 미리 제작한 시일드판(6)을 홈(60)을 따라서 삽입하고, 양 비자성판(14)(16)에 고정한다. 그후, 이 합체물을 파선 A를 따라서 절단함으로써 제 13 도의 자기헤드를 완성한다.

또한, 후방의 시일드판(6)을 삽입하는 대신에, 전방의 시일드재(12)와 마찬가지로, Ag등을 함유한 수지를 흠 및 그 근방에 충전하여, 시일드판(6)과 동일한 작용효과를 생기게 할 수도 있다.

자기헤드에 있어서는, 한쌍의 헤드칩(25)(26)이 두부(31)로부터 축부(3)에 걸쳐 시일드재(12) 및 시일드판(6)에 의해서 충분하게 자기 차단되므로, 누설의 방지가 보다 완전하게 된다.

제 15 도 내지 제 17 도에 도시한 자기헤드는, 양 기판(1) 및 (10)을 자성코어와 동일한 기계적 성질을 갖는 자성 금속 재료, 예를 들어 센더스트 등으로 형성하고, 양 헤드칩(25)(26)의 자기 차단성을 더 개선함과 동시에, 자기헤드의 기계적인 강도, 신뢰성을 향상시킨 것이다.

제 15 도에 도시한 바와 같이, 한쌍의 센더스트제의 기판(1)(10)의 내측 표면에는 Ag(비저항 1.6×10^-8Ωm)의 막으로 이루어진 전자 시일드층(80)(80), 또 그 표면에는 SiO₂(비저항〉10^-5Ωm)의 막으로 이루어진 절연층(8)(8)이 각각 형성되고, 이 절연층(8)(8)의 상면에 자성코어(2)(20)(21)(22)가 고정되어 있다. 또한, 전자 시일드층(80)(80)은 Ag의 대신으로 Cu(비저항 1.7×10^-8Ωm)를 사용하여 형성하여도 좋다. 어떠하든지 고도전 재료가 유효하다.

또, 서로 일제화된 기판(1)(10)의 양측에는 각각 자성체 블록(7)(7)이 고정된다. 이 블록(7)(7)은 센더스트, 퍼멀로이 등의 고투자율 재료에 의해서 형성된다.

자기헤드는, 제 3a-b 도에 도시한 공정에 있어서, 제 16 도에 도시한 바와 같이 비자성판(14)의 상면에 전자 시일드층(80)(80)을 도금 등에 의해서 형성하고, 또 이 전자 시일드층(80)(80)의 상면에 절연층(8)을 예를 들어 증착에 의해서 형성한다. 그 후, 코일단자(40)을 설치한다. 또, 제 3e 도에 도시한 비자성판(16)에도 이와 마찬가지로 전자 시일드층(80)및 절연층(8)을 형성한다. 그후의 공정은 제 3e-f 도와 같다. 이에 의해서, 제 15 도에 도시한 자기헤드가 완성된다. 또한, 비자성판(14)와 자성판(23)은 함께 금속제이므로, 이들의 접합에는 프릿트 유리나 유기수지 접착제뿐만 아니라, 은납 등의 금속 땜납 등도 사용할 수 있게 된다.

자성체 블록(7)(7)을 장착하지 않고 기판(1)(10)을 비자성 재료에 의해서 형성한 자기헤드에 있어서는 제 19 도에 도시한 바와 같이 시일드재(12)를 끼워서 대향하는 한쌍의 자성코어(2)(20) 및 (21)(22)의 사이에 약간이지만 누설 자속(90)이 발생하여, 양 헤드칩(25)(26) 사이에 누설이 생길 우려가 있다. 이에 대하여, 기판(1)(10)이 금속자성 재료에 의해서 형성되고 또한 자성체 블록(7)(7)을 구비한 제 15 도에 도시한 자기헤드에 있어서는, 자성코어(2)(20)(21)(22)로부터 발생한 누설 자속(9)가, 자기저항의 것보다 작은, 기판(1)(10) 및 블록(7)(7)을 통하는 자로를 형성해서 각각의 헤드칩(25)(26)내에서 페 루우프를 묘사하므로, 누설 자속에 의한 누설이 생기지 않는다. 또, 이 기판(1)(10)은 외부로부터 혼입하는 노이즈에 대해서도 시일드 효과를 발휘한다.

또한, 기판(1)(10)이 비자성 금속재료에 의해서 형성되어 있으면, 블록(7)(7)이 장착되어 있지 않아도, 자성코어(2)(20)(21)(22)로부터 발생하는 누설 자속은 제 18 도와 대략 같은 루우프를 묘사하고, 누설의 방지가 도모된다.

기판(1)(10)이 예를들어 세라믹 등의 비자성 비금속재료에 의해서 형성되어 있는 경우는, 기판(1)(10)의 재료와 자성코어(2)(20)(21)(22)의 재료의 가공성이 다르므로, 양자를 단일 연마석에 의해서 동시 가공하기가 곤란하게 된다.

또 기판(1)(10)의 재질과 기판(1)(10)의 재질의 사이에는, 열팽창 계수에 차가 있다.(예를들어 센더스트 리트재는 15~20×10^-6/℃인 것에 대하여 세라믹재는 8~20×10^-6/℃), 그런데, 제 3b 도의 공정에 있어서, 비자성판(14)와 자성판(23)과의 접합을 프릿트 유리에 의하여 행할 경우, 양자를 가열할 필요가 있다. 이때, 비자성판(14)와 자성판(23)과의 열팽창계수의 차에 기인하여, 비자성판(14) 혹은 자성판(23)에 제 23a 도에 도시한 바와 같은 변형이나 제 23b 도에 도시한 바와 같은 갈라짐이 생길 우려가 있다.

이에 대하여, 제 15 도에 도시한 자기헤드에 있어서는, 제 3f 도의 기계 가공을 행할 공정에 있어서, 비자성판(14) 및 자성판(23)이 함께 금속재료이므로, 예를 들어 불소질화물제의 얇은 연마석에 의해서 용이하게 동시가공할 수 있다. 이와 같이, 비자성판(14)와 자성판(23)의 사이에는 열팽창계수의 차가 거의 없으므로, 제조시에 상술한 바와 같이 갈라짐이나 변형이 생기지 않는다. 또, 접합시의 가열온도를 높게 설정할 수 있게 되므로, 결합강도가 높은 유리재나 은납과 같은 접착제를 사용할 수 있고, 제조공정의 신뢰성도 향상한다.

제 20 도에 도시한 자기헤드는, 기판(1)(10)을 비자성 금속 재료로 형성함으로써, 양 헤드칩(25)(26)의 자기 차단성을 더 개선함과 동시에, 자기헤드의 기계적인 강도, 신뢰성을 향상시킨 것이다.

비자성 금속재에 의해서 형성한 한쌍의 기판(1)(10)의 내면, 즉, 코일단자(40)이 고정되는 기판(10)의 내면에는 제 20 도에 도시한 바와 같이 기판 (10) 내면의 후반부에 절연층(81)이 형성되어 있다. 기판(1)(10)으로 되는 비자성 금속재료로서는, 경도가 센더스트의 경도(빅커스 경도 Hv=400~500)에 근사하고 또한 자기차단효과를 갖는 재료, 예를 들어 비저항 11∼25×10^-8Ωm, 경도 Hv 270~450, 열팽창계수18.6×10^-6/℃의 티타늄동, 비저항 6.8~8.6×10^-8Ωm, 경도 Hv 300~450, 열팽창계수 17.2×10^-6/℃의 베릴륨동, 혹은 센더스트와 가공성이 근사한 소결금속재, 예를 들어 도전성이 높은 ASTM(Cu: 77~80중량%, Pb:1~2중량%)등이 바람직하다.

이 자기헤드의 제조공정에서는 제 3b 도에 있어서 제 21a-b 도에 도시한 공정을 행한다. 우선, 제 21a 도에 도시한 바와 같이, 비자성 금속 재료로부터 형성한 비자성판(14)의 적어도 코일단자(40)을 설치한 후방 표면에, Sio₂등으로 이루어진 절연층(81)을 예를 들어 증착에 의해서 형성하고, 이 비자성판(14)의 후방단부에 코일단자(40)을 설치한다.

다음에 제 21b 도에 도시한 바와 같이, 비자성판(14)상에 자성판(23)을 고정한다. 그후의 공정은 제 3c-f 도와 같다. 이에 의해서, 제 20 도에 도시한 자기헤드가 완성된다.

기판(1)(10)이 비금속으로 형성된 자기헤드에 있어서는, 제 19 도에 도시한 바와 같이, 누설자속(90)이 약간이나마 발생하고, 이에 기인하여 누설이 생기는 반면에, 기판(1)(10)이 비자성금속으로 형성된 상기 자기헤드에 있어서는 자성코어(2)(20)(21)(22)로부터 발생하는 누설 자속이 제 22 도에 도시한 바와 같이 기판(1)내에 생길 와전류(91)로 되어서 시일드되고, 이 결과, 누설이 경감된다.

또, 제 20 도의 자기헤드는, 제 15 도에 도시한 자기헤드와 마찬가지로 기판(1)(10)이 금속재료에 의해서 형성되어 있으므로, 제조공정에서 자성판(23) 혹은 비자성판(14)에 변형이나 갈라짐이 발생할 수 없고, 기계가공도 용이한 것 등, 제 15 도에 자기헤드와 같은 효과를 발휘한다.

또한, 본 발명의 각각의 부분구성을 상기 실시예에 한정되지 않고, 특허 청구의 범위에 기재된 기술범위내에서 여러가지로 변형될 수 있다.

Claims

한쌍의 판상 자성코어를 접합하고 이 접합부에 갭부를 형성한 한쌍의 헤드칩을, 각각의 갭부를 동일평면 상에 배설함과 동시에 양 헤드칩 간에 시일드부를 끼워서 일체로 고정한 자기헤드에 있어서, 각각의 헤드칩을 구성하는 한쌍의 자성코어가 양 갭부를 포함한 평면에 대하여 팽행한 면 내에서 서로 겹쳐서 고정되고, 각각의 자성코어가 두부가 트랙폭에 따라 가는 폭으로 형성됨과 동시에 상기 두부와는 반대측의 자성코어 단부가 넓은 폭으로 형성되고 이 넓은 폭 부분에 있어서 한쌍의 자성코어의 한쪽이상에는 상대 자성코어로 향해서 축부가 돌출 형성되며, 이 축부에 코일이 권장되어 있고, 상기 갭부를 포함한 평면의 양측에 이 평면과 평행해서 한쌍의 헤드칩 상으로 각각의 기판이 설치되어 있고, 상기 한쌍의 기판 두부가 상기 자성코어의 두부와 동일한 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제 1 항에 있어서, 상기 코일이 절연성자재로 이루어진 베이스 필름, 이 베이스 필름상에 와권상으로 형성된 띠형 도체, 및 이 도체를 피복하는 절연막으로 이루어진 시이트상의 성형품이고, 중앙부에는 자성코어의 축부가 꼭끼일 구멍이 개설되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제 1 항에 있어서, 상기 코일이 절연성자재로 이루어진 베이스 필름, 이 베이스 필름상에 와권상으로 형성된 띠형 도체, 및 이 도체를 피복하는 절연막으로 이루어진 시이트상 코일편을 여러장 겹치고, 띠형 도체의 단부를 서로 전기적으로 접속한 다층 구조를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제1항에 있어서, 상기 시일드부가 양 헤드칩을 구성하는 한쌍의 자성코어의 두부간에 전면에서 절입부를 요설하고, 이 절입부에 시일드재를 충전함으로써 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제 1 항에 있어서, 상기 시일드부가 한쌍의 축부 간을 공간적으로 차단하는 시일드판이 자성코어의 후부에 장전되어서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 자성금속 재료에 의해서 형성되고, 양 기판과 자성코어와의 접합면에 각각 전기 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제 1 항에 있어서, 상기 기판이 자성금속재료에 의해서 형성되고, 양 기판과 자성코어와의 접합면에 각각 전자 시일드층 및 전기 절연층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
제 6 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 헤드칩의 갭부 배열방향의 양측에 각각 자성체 블럭이 고정되고, 각각의 헤드칩마다. 헤드칩, 자성체 블럭, 양 기판을 통하는 자로가 형성되는 것을 특징으로 하는 자기헤드.
고도의 평면도를 갖는 표면을 구비하여 일단의 빗살형의 복수의 절입부를 갖는 한쌍의 자성판을 각각 기판 상에 접합하는 공정, 한쪽의 자성판 표면에, 빗살형 절입부와는 반대측의 단부를 따라서 빗살형 절입부의 홈저부를 포함한 폭으로 흡 가공을 행하고, 자성판의 단면을 따라서 뻗은 1개의 돌조부와, 이 돌조부를 따라 서로 이간하여 나란히 복수의 돌출부를 형성하는 공정, 상기 돌조부의 표면에 비자성 스페이서를 형성하는 공정, 상기 돌출부에 코일을 권장하는 공정, 상기 양 자성판을 비자성 스페이서를 끼우고 서로 겹쳐서 접합해서 합체물을 형성하는 공정, 및 상기 합체물의 돌조부측의 단면에, 돌출부의 배열 핏치의 2개의 핏치로 한쌍의 돌출부의 사이에 침입하여 합체물의 두께 방향으로 뻗어나는 흠 가공을 행하여 절입부를 형성함과 동시에 각각의 절입부의 사이를 도려내어 요부를 설치함으로써 절입부를 각각 구비한 복수의 철부를 형성하는 공정, 상기 절입부에 대하여 자기 시일드재를 충전하는 공정 및 상기 합체물을 각각의 철부마다 분단하여 복수의 자기헤드 단체를 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기헤드의 제조방법.