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KR920009914B1 - 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법 - Google Patents

플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법 Download PDF

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KR920009914B1
KR920009914B1 KR1019890006716A KR890006716A KR920009914B1 KR 920009914 B1 KR920009914 B1 KR 920009914B1 KR 1019890006716 A KR1019890006716 A KR 1019890006716A KR 890006716 A KR890006716 A KR 890006716A KR 920009914 B1 KR920009914 B1 KR 920009914B1
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resin
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미다 가쓰시게
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Abstract

내용 없음.

Description

플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법
제1도는 본 발명의 1실시예에 따라서 반도체의 플라스틱 패키지를 제조하는 장치의 구성을 도시한 블럭도.
제2도는 제1도에 도시한 장치에서의 성형품의 흐름을 도시한 흐름도.
제3a도~제3d도는 각각 제1도에 도시한 트랜스퍼 성형기의 동작을 도시한 도면.
제4a도 및 제4b도는 각각 제1의 실시예에 따른 성형품의 온도변화와 응력변화를 도시한 그래프.
제5도는 수지의 글라스 전이온도와 계면의 잔류응력 사이의 관계를 도시한 그래프.
제6a도 및 제6b도는 각각 종래예의 성형품의 온도변화와 응력변화를 도시한 그래프.
제7a도 및 제7b도는 각각 제1의 실시예와 글라스 전이온도에서의 2차경화가 없는 비교예 사이의 성형품의 온도변화와 응력변화의 차이를 도시한 그래프.
제8a도 및 제8b도는 각각 제2의 실시예의 성형품의 온도변화와 응력변화를 도시한 그래프.
제9도는 종래예, 제1의 실시예 및 제2의 실시예 사이의 글라스 전이온도의 차이를 도시한 그래프.
제10도~제12도는 각각 종래예, 제1의 실시예 및 제2의 실시예 사이의 잔류응력, 처리시간 및 불량발생율 사이의 차이를 도시한 그래프.
본 발명은 수지성형되고 또한 반도체칩을 내장해서 외부환경으로부터 보호되는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법에 관한 것이다.
종래, 이 종류의 플라스틱 패키지는 일괄처리를 통해서 수지의 2차 경화수단에 의해 제조되고 있었다.
종래의 제조방법에 있어서는 반도체칩이 배치되어 있는 성형기의 형내에 용융한 수지를 충전해서 반도체칩을 내장하는 플라스틱 패키지의 성형품을 형성한다. 이렇게 형성된 성형품은 소정수의 성형품이 형성될때까지 실온환경하에 방치된다. 소정수의 성형품이 준비되면, 이들의 성형품은 가열실에서 가열되어 2차 경화된다. 그후, 이들 성형품은 자연 냉각되어 완성품이 얻어진다.
이와 같이 해서 제조된 플라스틱 패키지는 열적 및 기계적 성질이 서로 다른 재료(예를들면, 수지와 리이드 프레임)로 구성된다. 따라서, 열적응력 및 기계적응력등의 외부환경으로부터의 영향에 의해 패키지에 균열이 생기거나 리이드 프레임과 수지 사이의 계면이 박리하기도 하였다.
근래, 반도체칩의 대형화에 따라 패키지내의 반도체칩의 점유율이 증대되고 있으므로, 패키지의 수지층의 두께는 감소해 가고 있다. 이 때문에, 패키지 전체의 강도가 저하하게 된다. 따라서, 미소한 외력이나 열에 의해 균열이 발생하거나 계면박리가 생길 우려가 있다.
본 발명의 목적은 균열이나 계면박리가 발생할 우려가 없는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법을 제공하는 것이다.
균열이나 계면박리의 발생을 방지하기 위해서는 수지와 리이드 프레임 사이의 계면의 잔류응력을 저하시키는 것이 유효하다는 것을 알았다. 따라서, 본 발명자들은 예를들면 JP-A-62-182629에 개시되어 있는 열점착탄성응력해석법(thermovisco elastic stress analysis method)을 사용해서 수지와 리이드 프레임사이의 계면의 잔류응력을 해석하였다. 그 결과, 다음의 것을 발견하였다. 즉, (1) 글라스 전이온도가 높게 되는 것에 따라서 잔류응력은 낮게 되고, (2) 수지의 글라스 전이온도는 수지의 고유온도이지만, 수지를 가열하는 것에 의해 글라스 전이온도가 약간 상승하는 것을 알았다.
따라서, 본 발명에 있어서는 수지의 글라스 전이온도를 적정하게 제어하는 것에 의해 잔류응력을 저하시키고 있다.
이를 위해, 본 발명에 의하면, 성형에 의해 성형품을 성형한 직후에, 성형품을 가열해서 수지의 글라스 전이온도보다 높은 온도에서 소정시간동안 유지하면서 후경화(post cure)시키고, 그후 지체없이 다시 가열에 의해 수지의 글라스 전이온도와 대략 동일한 온도에서 또다른 소정시간동안 유지해서 2차 경화(secondary cure)시키고 있다.
또, 본 발명에 관한 제조장치에 있어서는 성형기, 성형물을 순차적으로 수납하여 2차 경화시키는 가열실, 성형물을 순차적으로 성형기에서 가열실로 보내는 반송장치, 반송장치상으로 반송되는 성형물을 가열하여 후경화시키는 가열수단을 구비하고 있다. 본 발명에 의하면, 성형한 직후에 성형품을 가열해서 후경화시키고, 또 글라스 전이온도와 대략 동일한 온도에서 유지한다. 이것에 의하면, 수지의 글라스 전이온도가 제조공정의 전단계에서 크게 상승하므로, 잔류응력이 저감된다.
본 발명의 작용 및 그 이외의 효과는 다음에 첨부도면을 참조해서 상세하게 기술되는 실시예의 설명에서 한층 명확하게 된다.
반도체의 플라스틱 패키지의 제조장치는 제1도에 도시한 바와 같이 영역 I~영역 IV에 구성되어 있다. 성형품 P, 즉 반도체 플라스틱 패키지는 영역 I에서 영역 IV까지 반송된다.
영역 I에서 트랜스퍼 성형기(10)이 마련되어 있다.
영역 II에서 반송면(21)을 갖는 반송장치(20)과 반송중인 성형품 P를 가열하는 가열장치(30)이 마련되어 있다.
영역 III에서는 반송장치(20)에 의해서 반송된 성형품 P를 다시 가열하는 가열실(40)이 마련되어 있다.
영역 IV에서는 가열실(40)에서의 생성물 P가 자연적으로 냉각되는 냉각스테이지(50)이 마련되어 있다.
영역 I에서는 제2도에 도시한 스텝(100)~(104)까지의 동작이 실행된다. 영역 II에서는 스텝(105)의 동작이 실행된다. 영역 III에서는 스텝(106)의 동작이 실행된다. 영역 IV에서는 스텝(107)의 동작이 실행된다.
다음에, 각 영역에서의 장치의 동작에 대해서 설명한다.
영역 I에 있어서, 먼저 반도체칩이 탑재되는 리이드 프레임(14)가 트랜스퍼 성형기(10)내에 배치된 상부 금형(11)과 하부 금형(12)로 규정된 캐비티(13)내에 사전에 배치된다. 수지타블렛 R, 예를들면 페놀 볼락형 에폭시수지, 더 바람직하게는 용융석영 필러를 50체적%~80체적% 함유하는 페놀 볼락형 에폭시수지의 수지타블렛 R을 준비한다(스텝(100)). 수지의 재료는 이것에 한정되는 것은 아니고, 각종의 수지재료를 적용할 수 있다. 제3a도에 도시한 바와 같이 상하부 금형(11), (12)가 175℃정도로 가열된 후, 상하부 금형(11), (12)에 의해 규정된 포트(15)내에 수지타블렛 R이 투입된다(스텝(101)). 플런저(16)은 수지타블렛 R을 누른다. 그후, 수지 R은 용융되어 런너(17) 및 게이트(18)을 거쳐서 캐비티(13)내로 유입한다(제3b도 참조). 캐비티(13)에는 수지 R이 충전되어 성형이 완료한다(제3c도 참조). 수지 R은 175℃(온도 T1)에서 90초 동안 유지되어 경화된다(스텝(101)). 제3d도에 도시한 바와 같이 상부 금형(11)과 하부 금형(12)를 분리하고, 인출핀(19)에 의해 금형에서 성형품을 인출한다(스텝(103)). 그후, 성형품의 불필요한 런너 및 컬(cull)를 제거한다(스텝(104)).
다음에, 트랜스퍼 성형기(10)에서의 성형품이 영역 II에 공급된다. 영역 II에서 성형품은 순차적으로 반송장치(20)의 반송면(21)상을 따라서 가열실(40)을 향해서 반송된다. 반송중인 성형품은 반송면(21)의 양측에 마련된 가열장치인 원적외선 발생장치(30)에 의해 연속해서 가열되고, 후경화된다. 반송중의 성형품은 금형의 온도보다 조금 높은 온도 T2, 즉 180℃정도로 유지된다(스텝(105)).
영역 III에 있어서, 성형품은 가열실(40)으로 순차적으로 반송된다. 가열실(40)에 있어 원적외선 발생장치에 의해 180℃정도에서 1시간 정도 유지된 후, 다시 수지 R의 글라스 전이온도(135℃~158℃)와 대략 동일한 온도 T3에서 1시간 정도 유지된다. 따라서, 성형품이 완전하게 경화된다(스텝(106)).
그후, 성형품은 영역 IV에 마련된 냉각스테이지(50)에서 자연적으로 냉각된다(스텝(107)).
다음에, 상기의 제1의 실시예에 있어서의 플라스틱 성형품의 온도 TR, 글라스 전이온도 Tg 및 응력 σ의 변화에 대해서 제4a도 및 제4b도를 참조해서 설명한다.
먼저, 성형하는 동안, 즉 시간 tm(=약 90초)동안, 성형품은 금형온도 Tmo로 유지된다(영역 I). 그후, 영역 II에 있어서, 성형품은 가열실(40)을 향한 반송중도 가열장치(30)에 의해 금형온도 Tmo보다 5℃ 정도 높은 온도 Tc로 유지된다. 다음에, 가열실(40)에 있어서, 성형품은 온도 Tc에서 1시간 정도 유지된 후, 변화된 글라스 전이온도 Tg와 대략 동일한 온도에서 원적외선 발생장치에 의해 약 1시간 동안 유지된다(영역 III). 그후, 성형품은 냉각 스테이지(50)에서 자연적으로 냉각된다(영역 IV).
제4a도에 명확한 바와 같이 수지의 가열에 의해 수지에 대한 고유의 글라스 전이온도가 증가하고 있는 것을 알 수 있다. 이 글라스 전이온도의 변화는 시차 주사열량측정법(differential scanning calorimetry method)에 따라서 측정하였다. 한편, 계면의 잔류응력과 글라스 전이온도 사이의 관계를 해석하였다. 그 결과, 제5도에 도시한 관계가 얻어졌다. 제5도에 도시한 결과는 2개의 다른 재료A(수지) 및 B(금속 : 리이드 프레임)(한쪽의 열전달율 h는 h=4.65×104(W/㎡K)를 3층 금형에 함께 접합하고, 180℃에서 20℃까지 냉각한 경우, 각 글라스 전이온도에 있어서의 계면의 잔류응력을 측정해서 얻어진 것이다. 제5도에서 명확한 바와 같이 글라스 전이온도가 높게 되면, 잔류응력이 작아진다.
이상의 것에서 명확한 바와 같이 잔류응력은 제4b도에 도시한 바와 같이 작게 된다.
한편, 종래의 일괄처리에 의한 제조에서는 제6a도에 도시한 바와 같이, 소정수의 성형품이 형성될때 까지 성형품이 실온환경하에 방치되게 되므로, 성형품의 온도 TR은 저하한다(영역 II). 그후, 성형품은 가열실에서 가열되어 2차 경화되고(영역 III), 그후 자연적으로 냉각된다(영역 IV). 이 경우, 글라스 전이온도의 증가는 제조공정의 전단에서 얻어지지 않으므로, 성형품은 낮은 글라스 전이온도에서 냉각된다. 또, 제조공정의 전단계에서 발생된 높은 응력이 남게 되므로, 잔류응력을 저감시키는 것이 불가능하게 된다(제6b도).
또, 제1의 실시예 및 글라스 전이온도와 대략 동일한 온도에서 성형품을 유지하는 공정이 없는 비교예 사이의 잔류응력에서의 차이가 제7a도 및 제7b도를 참조해서 다음에서 비교된다. 또한, 도면에서, 굵은선은 제1의 실시예, 가는 선은 비교예를 각각 나타낸다. 도면에서 명확한 바와 같이 글라스 전이온도에서의 성형품을 유지하는 공정이 잔류응력의 저하에 기여하는 것을 알 수 있다. 그러나, 상술한 비교예에 의해 제조된 성형품의 잔류응력은 종래기술의 방법(제6a도 및 제6b도)에 의해 제조된 성형품의 잔류응력보다 실질적으로 작다.
또한, 다른 실시예에 대해서 제8a도 및 제8b도를 참조해서 설명한다.
제2의 실시예에서는 제1의 실시예와 비교해서 영역 II에서 수지를 유지하는 온도가 다르다. 제2의 실시예에서는 영역 II에서 수지를 유지하는 온도가 영역 I에서 금형온도 Tmo와 대략 동일하게 되어있다. 이 경우도 잔류응력을 작게 할 수 있다.
제9도는 수지를 가열하는데 원적외선 가열처리를 사용하는 제1 및 제2의 실시예에 따른 수지의 글라스 전이온도 변화를 도시한 것이다. 제9도에서, 검은 점(●)과 흰색 점(○)은 제1의 실시예와 2의 실시예를 각각 나타낸다. 제9도에서 명확한 바와 같이, 원적외선 가열처리를 사용하지 않는 종래기술의 가열처리(×로 표시)와 비교해서, 원적외선을 사용하는 본 발명에서는 글라스 전이온도를 즉각적이고 신속하게 증가된다. 이 경우에, 가열처리에 사용된 원적외선의 파장길이는 0.5㎛와 50㎛ 사이이다. 1㎛와 20㎛ 사이의 파장길이를 갖는 원적외선은 특히 유효하다.
종래예, 제1의 실시예 및 제2의 실시예 사이에서 잔류응력, 제조처리시간 및 불량품 발생율의 상이점을 제10도~제12도를 참조해서 설명한다. 상술한 설명에서 명확한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의해 잔류응력은 대폭적으로 저감한다(제10도). 또, 본 발명에 의하면, 종래예에 비해서 실온환경하에서 성형품의 불필요한 방치시간(영역 II)이 없고, 원적외선 가열처리에 의해 경화가 신속하게 진행되므로, 단시간에서 제조 공정이 완료된다(제11도). 또, 제12도에 도시한 바와 같이, 불량품(균열 또는 계면박리등)의 발생율도 저하한다.

Claims (6)

  1. 금형의 캐비티내에 반도체칩을 배치하는 스텝, 상기 금형에 수지를 충전하고, 상기 수지의 온도를 상기 금형내의 상기 수지의 성형에 필요한 온도 T1까지 높여서 상기 수지를 성형하여 상기 반도체칩을 내장하는 성형품을 형성하는 스텝, 상기 성형하는 스텝 직후에 상기 성형품을 후경화시키기 위해서, 상기 수지의 증가된 글라스 전이온도 Tg보다 높은 온도 T2까지 가열하는 스텝, 상기 성형품을 2차 경화시키기 위해서, 상기 수지의 상기 증가된 글라스 전이온도 Tg와 동일하며 또한 T2이하인 온도 T3까지 유지하는 스텝과 상기 금형에서 상기 성형품을 인출하여 상기 성형품을 자연냉각하는 스텝을 포함하는 특징으로 하는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 온도 T1은 상기 글라스 전이온도 Tg이상인 것을 특징으로 하는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 온도 T2는 상기 온도 T1과 동일하던가 또는 상기 온도 T1보다 높은 것을 특징으로 하는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 가열하는 스텝은 적외선 가열처리에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 적외선 가열처리는 원적외선 가열처리인 것을 특징으로 하는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 원적외선 가열처리에 사용된 원적외선의 파장길이는 0.5㎛와 50㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2504607B2 (ja) * 1990-06-14 1996-06-05 株式会社東芝 半導体製造装置及び製造方法
DE4314284A1 (de) * 1993-04-30 1994-11-03 Telefunken Microelectron Verfahren zum Bestimmen von mechanischen Grenzflächeneigenschaften bei integrierten Schaltkreisen
US6007316A (en) * 1993-07-22 1999-12-28 Towa Corporation Apparatus for molding resin to seal electronic parts
TW257745B (ko) * 1993-07-22 1995-09-21 Towa Kk
US5622731A (en) * 1993-09-10 1997-04-22 Fierkens; Richard H. J. Automatic post mold curing apparatus for use in providing encapsulated semiconductor chips and method therefor
US5478517A (en) * 1994-02-28 1995-12-26 Gennum Corporation Method for molding IC chips
KR100377981B1 (ko) * 1994-06-07 2003-05-27 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 성형화합물큐어링방법
ATE208706T1 (de) * 1997-03-14 2001-11-15 Dow Chemical Co Nachhärtungsverfahren für reaktionseinspritzgeformte polyurethane
US6306331B1 (en) 1999-03-24 2001-10-23 International Business Machines Corporation Ultra mold for encapsulating very thin packages
DE10359303A1 (de) * 2003-12-17 2005-07-21 Roche Diagnostics Gmbh Kunststoff-Spritzgussteil mit eingebettetem Bauteil
JPWO2006016576A1 (ja) * 2004-08-11 2008-05-01 不二製油株式会社 食品内水分移行抑制用油脂組成物及びこれを使用した食品
JP4687273B2 (ja) * 2005-06-23 2011-05-25 住友電気工業株式会社 電子部品の実装方法
NL2000356C2 (nl) * 2006-12-05 2008-06-06 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het omhullen van elektronische componenten waarbij het omhulmateriaal wordt gekoeld.
JP2010179401A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5652027B2 (ja) 2010-07-15 2015-01-14 株式会社リコー プラスチック成形品、プラスチック成形品の成形方法、および該プラスチック成形品を有する光走査装置
JP5693160B2 (ja) * 2010-11-09 2015-04-01 キヤノン株式会社 複合光学素子の製造方法、製造装置、及び応力除去方法
US9662812B2 (en) * 2012-02-14 2017-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for molding integrated circuits

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4017495A (en) * 1975-10-23 1977-04-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Encapsulation of integrated circuits
JPS571234A (en) * 1980-06-04 1982-01-06 Hitachi Ltd Method for resin molding
DE3163054D1 (en) * 1980-06-05 1984-05-17 Toshiba Kk Resin encapsulation type semiconductor device
JPS5717153A (en) * 1980-07-04 1982-01-28 Asahi Glass Co Ltd Sealing method of electronic parts
JPS5886714A (ja) * 1981-11-19 1983-05-24 松下電器産業株式会社 薄膜コンデンサの製造方法
JPS6153321A (ja) * 1984-08-23 1986-03-17 Toshiba Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置
JPH0643924B2 (ja) * 1986-02-07 1994-06-08 株式会社日立製作所 複合材料の熱応力の測定方法
US4842800A (en) * 1987-10-01 1989-06-27 General Electric Company Method of encapsulating electronic devices

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