KR910006241B1 - 복수 테스트모드 선택회로 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

복수 테스트모드 선택회로

제1도는 본 발명에 따른 복수 테스트모드 선택회로의 블록도.

제2도는 복수모드 선택회로의 실시예.

본 발명은 반도체 장치의 복수 테스트모드 선택회로에 관한 것으로, 특히 일반적인 어드레스/제어패스를 사용하여 옵션모드의 수를 확장할 수 있는 복수테스트모드선택회로에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제품의 고집적화와 고신뢰성화에 따라 칩의 평가를 용이하게 하기 위하여 특별한 모드의 동작을 할 수 있도록 제조되고 있다. 즉, 반도체 장치의 전기적 리던던시 트리밍(Redundancy Trimming), 다이정보(Die Information)부가 가능, 전기적 특성 평가 기능등의 옵션모드(Option Mode)를 어느하나 선택하여 동작할 수 있게 형성되어 있다.

종래의 반도체 소자의 리드/라이트의 일반적인 동작 모드 이외에 칩의 특성을 평가하기 위한 상기 옵션모드를 선택하기 위해서 는 예비패드를 사용하거나, 어드레스/제어패드에 고전압 감지회로를 부각하여 사용했었다. 상기에서 예비패드를 이용하는 방법은 일반적으로 사용하지 않는 예비 패드를 만들어 웨이퍼 상태에서 상기 예비 패드에 전원을 걸어 특정한 모드를 선택할 수 있다. 그런데 상기 예비패드 하나당 특정모드 하나씩만을 선택하기 때문에 옵션모드의 수만큼 예비패드가 필요하였다. 또한 고전압 감지회로를 이용하는 방법은 고전압 감지회로와 어드레스/제어패드를 연결하여 특정 모드를 선택하도록 되어 있다. 이는 상기 고전 압감지회로가 연결되어 있는 패드에 고전압(12－14V)를 인가하면 고전압 감지회로를 동작하여 특정모드를 선택하였다. 따라서 하나의 모드 선택은 하나의 패드와 하나의 고전압 감지회로에 의해 단 하나의 특정모드만을 선택할 수 있도록 되어 있었다.

따라서 상기 예비패드를 이용하는 방법은 옵션모드의 수만큼 예비패드가 필요하므로 칩의 크기가 커지고, 패키지를 하게되면 예비패드들은 본딩(Bonding)이 되지 않기 때문에 특정모드를 선택할 수 없는 문제점이 있었다.

또한, 어드레스/제어패드에 고전압 감지회로를 부가하여 이용하는 방법은 하나의 패드와 하나의 고전압감지회로에 의해 하나의 특정모드만을 선택하므로 옵션모드의 수를 확장시키기 어려운 문제점이 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 일반적인 리드/라이트 동작에서 사용되는 어드레스/제어패드중 일부에 고전압 감지회로를 부가하여 고전압원을 인가하고, 고전압 감지회로가 부가되지 않은 어드레스/제어패드에는 CMOS/TTL레벨의 제어신호 및 어드레스신호를 인가하여 옵션모드를 선택할 수 있는 복수 테스트모드 선택회로를 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 하나의 고전압원과 다른 입력신호와의 조합에 의해 옵션모드의 수를 확장할 수 있는 복수 테스트모드 선택회로를 제공함에 있다. 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 복수의 테스트모드를 가진 집적회로에 있어서, 상기 집적회로의 리드/라이트 동작시 외부에서 인가되는 전압을 입력하는 제1,2,3,4, 및 5 어드레스/제어패드(5)(6)(7)(8)(9)와, 상기 각 어드레스 제어패드(5)(6)(7)(8)(9)통하여 입력된 신호를 버퍼링하여 칩의 내부 회로에 연결하는 제1,2,3,4, 및 5버퍼(10)(11)(12)(13)(14)와, 상기 제2 및 3버퍼(11)(12)에서 발생된 버퍼출력신호(B2)(B3)

(B3)를 입력시켜 서브모드를 선택하는 슬레이브 디코더(20)와, 상기 제4 및 5버퍼(13)(14)에서 발생된 버퍼출력신호(B4)(B5)

를 입력시켜 메인모드를 선택하는 마스터디코더(25)와, 상기 메인모드선택신호와 서브모드선택신호를 입력하여 특정모드를 선택하게 할 수 있는 모드셀렉터(30)와, 소정전압이 인가되어 상기 모드셀렉터(30)의 동작을 제어할 수 있는 고전압감지회로(15)로 구성된다.

이하 본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명을 따른 일실시예의 블록도이다.

제1도를 참조하면 외부인가 전압을 입력하는 제1,2,3,4, 및 5 어드레스/제어패드(5)(6)(7)(8)(9)와, 상기 각 패드(5)(6)(7)(8)(9)에 접속되어 상기 각패드(5)(6)(7)(8)(9)의 어드레스/제어신호를 입력하여 버퍼링하는 제1,2,3,4, 및 5버퍼회로(10)(11)(12)(13)(14)와, 상기 제2 및 3버퍼회로(11)(12)에 접속하여 서브모드신호를 발생하는 슬레이브 디코더(20)와 제4 및 제5버퍼회로(13)(14)에 접속하여 메인 모드신호를 발생하는 마스터디코더(25)와, 상기 슬레이브 디코더(20)와 마스터디코더(25)에 접속하여 특정 모드를 선택하는 모드셀렉터(30)와, 상기 제1패드(5)에 일단이 접속되고 모드셀렉터(30)에 타단이 접속되어 외부에서 인가되는 전압이 특정전압일때만상기 모드셀렉터(30)를 동작시키는 고전압감지회로(15)로 구성된다.

본 실시예에서 통상적인 리드/라이트 동작할 때 신호가 입력되는 제1패드(5)와 옵션모드 동작시 신호가 입력되는 제2, 제3, 제4 및 제5패드(6)(7)(8)(9)로 이루어진 것을 보였으나, 상기 패드의 숫자를 다르게 하여 실시할 수 있음을 잘알 수 있을 것이다. 상기 도면에서 제1버퍼회로(10)는 제1패드(5)를 통하여 TTL/CMOS레벨의 제어신호 및 어드레스 신호를 받아 버퍼출력신호(B1)

를 출력시켜 일반적인 리드/라이트동작을 하게 한다. 또한 제2,3,4,5 버퍼회로(11)(12)(13)(14)는 제2,3,4,5 패드(6)(7)(8)(9)를 통해 TTL/CMOS레벨의 제어 및 어드레스 신호를 받아 버퍼출력신호(B2)(B3)(B4)(B5)

를 발생시켜 칩의 어레이를 선택하거나 칩의 동작을 선택한다. 또한, 고전압감지회로(15)는 특허출원번호 제87－13611호에 기재된 것으로 상기 제1패드(5)를 통한 제어신호 및 어드레스 신호가 TTL/CMOS 레벨일때는 고전압 감지 출력신호(S)가 ＂로우＂ 상태이지만, 제어신호 및 어드레스 신호가 2Vcc이상이면 고전압 감지출력신호(S)는 ＂하이＂로 상태로 변하여 모드셀렉터(30)을 인에이블시킨다.

이하 제1도의 동작을 상세히 설명한다.

상기 각 패드(5)(6)(7)(8)(9)에 TTL/CMOS레벨의 제어신호 및 어드레스 신호를 인가하면 제1버퍼회로(10)가 동작을 하여 버퍼출력신호(B1)

를 출력하여 칩의 일반적인 리드/라이트 동작을 수행하고 또한, 제2,3,4, 및 5패드(6)(7)(8)(9)를 통하여 입력된 상기 TTL/CMOS레벨의 제어 및 어드레스 신호는 제2,3,4, 및 5버퍼회로(11)(12)(13)(14)에서 버퍼링하여 버퍼출력신호(B2)(B3)(B4)(B5)

를 발생한다. 상기 발생된 버퍼출력신호(B2)(B3)(B4)(B5)

중 슬레이브 디코더(20)에는 제2 및 제3버퍼회로(11)(12)에서 출력된 버퍼출력신호(B2)(B3)

가, 마스터디코더(25)에는 제4 및 5버퍼회로(13)(14)에서 출력된 버퍼출력신호(B4)(B5)

가 각각 입력된다. 그때 상기 마스터디코더(25)에서 메인모드를 감지하는 4개의 신호가, 슬레이브 디코더(20)에서는 메인모드의 서브모드를 선택하는 4개의 신호가 각각 발생되어 모든 셀렉터(30)에 입력된다. 그러나 상기 고전압 감지회로(15)의 고전압 감지 출력신호(S)가 ＂로우＂ 상태이므로 모드셀렉터(30)는 디스에이블 상태가 되어 모드 선택 동작을 할 수 없게 된다. 그러나 특정모드 선택을 하기 위하여 다른 전압원의 전압 Vcc를 제1패드(5)에 인가하며 상기 제1패드에 인가되는 전압은 2Vcc이상의 고전압이 인가되어 상기 고전압 감지회로(15)의 출력신호(S)는 ＂하이＂ 상태가 되게 하여 모드셀렉터(30)을 인에이블시킨다. 또한 제2,3,4 및 5패드(6)(7)(8)(9)를 통한 TTL/CMOS 레벨의 제어신호 및 어드레스 신호를 제2,3,4 및 5버퍼회로(11)(12)(13)(14)에서 버퍼링하여 버퍼 출력신호(B2)(B3)(B4)(B5)

를 출력한다. 그때 상기 제2 및 3버퍼회로(7)(8)의 버퍼출력신호(B2)(B3)

는 슬레이브 디코더(20)에 입력하여 메인모드의 서브모드를 선택하는 4개의 신호를 발생하고 제4 및 5버퍼회로(9)(10)의 버퍼출력신호(B4)(B5)

는 마스터디코더(25)에 입력하여 메인모드를 선택하는 4개의 신호를 발생한다.

상기 고전압감지회로(15)의＂하이＂상태인 고전압 감지출력신호(S)를 입력받아 인에이블상태인 모드 셀렉터(30)에 상기 마스터디코더(25)와 슬레이브 디코더(20)에서 출력하는 신호를 입력하여 메인모드와 상기 메인모드의 서브모드로 결정되는 특정모드를 선택할 수 있다. 제2도는 상기 제1도의 마스터디코더(25) 및 슬레이브 디코더(20)와 모드셀렉터(30)의 구체회로도의 일실시예이다. 제2도에서 슬레이브 디코더(20)는 4개의 노아게이트(21)(22)(23)(24)와, 마스터디코더(25)는 4개 노아게이트(26)(27)(28)(29)로 구성되어 있으며, 모드셀렉터(30)은 상기 노아게이트(21)(22)(23)(24)(26)(27)(28)(29) 출력을 조합하여 입력되는 16개의 낸드게이트(31)－(46)로 이루어진다.

이때 마스터디코더(25)의 제5,6,7, 및 8노아게이트(26)(27)(28)(29)의 각각에 입력되는 버퍼출력신호(B4)(B5)

는 메인모드를 선택하고, 슬페이브 디코더(20)의 제1,2,3, 및 4노아게이트(21)(22)(23)(24)에 입력되는 버퍼출력신호(B2)(B3)

는 서브모드를 선택한다.

아래의 표를 참조하여 옵션모드 선택의 일례를 설명한다.

표 선택모드 선택의 일례

제2도의 마스터디코더(25)에 버퍼출력신호(B4)(B5)가 각각 ＂로우＂로 입력하면 제5노아게이트(26)의 출력은 ＂하이＂ 상태가 된다. 이때 나머지 노아게이트(27)(28)(29)의 출력은 ＂로우＂ 상태가 되므로 제5노아게이트(26)가 선택되어 제1메인모드(MODE I)가 선택된다. 상기 제5노아게이트(26)에서 출력되는 ＂하이＂ 신호는 제1,2,3, 및 4 낸드게이트(31)(32)(33)(34)에 입력된다. 또한, 슬레이브 디코더(20)에 버퍼출력신호

가 각각 ＂로우＂로 입력되면 제1노아게이트(21)에서＂하이＂신호가 출력된다. 이때 나머지 노아게이트(22)(23)(24)의 출력은 ＂로우＂ 상태가 되므로 상기 제1노아게이트(21) 선택되어 제1서브모드(TRIM1)가 선택된다. 상기 제1노아게이트(21)에서 출력되는 ＂하이＂ 신호는 제1,5,9 및 13낸드게이트(31)(35)(39)(43)에 입력된다. 따라서 제1메인모드(MODE I)와 제1서브모드(TRIM1)에 의해 ＂하이＂상태로 선택되고, ＂하이＂ 상태의 고전압감지회로(15)의 고전압감지출력신호(S)에 의해 상기 제1낸드게이트(31)의 출력은 ＂로우＂ 상태가 되고 나머지 낸드게이트(32)－(46)의 출력은 ＂하이＂ 상태가 되어 제1특정모드(MODE)의 제1서브모드(TRIM1)인 제1옵션모드(M1)을 선택한다. 상기와 같이 개의 입력신호와 1개의 고전압 감지회로로 구성된 복수모드 선택회로는 마스터디코더와 슬레이브 디코더의 조합에 의해 최대 16가지의 옵션모드를 선택할 수 있다.

따라서 상술한 바와 같이 본 발명은 일반적인 리드/라이트 동작에서 사용되는 어드레스/제어패드중 일부에 고전압 감지회로를 부가하므로써 옵션모드의 수를 대폭 증가시킬 수 있는 잇점이 있다. 또한, 일반적인 리드/라이트 동작에서 사용되는 어드레스/제어패드를 이용하기 때문에 칩을 패키지 후에도 태스트할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (3)

1. 복수의 테스트모드를 가진 반도체 집적회로에서, 각 테스트모드를 선택하는 수단으로, 임의의 입력패드에 고전압 감지회로를 배치시키고, 칩 내의 다른 패드에 TTL/CMOS 레벨의 신호를 입력하는 버퍼회로를 배치시켜 고전압 감지회로의 출력과 버퍼회로의 출력을 조합하여 복수의 테스트모드 선택이 가능함을 특징으로 하는 복수 테스트모드 선택회로.
2. 제1항에 있어서, 고전압감지회로에 입력하는 소정의 고전압이 2Vcc이하일 때 접지선전위를, 입력하는 소정의 전압이 2Vcc이상일 때 전원선 전위를 출력으로 가짐을 특징으로 하는 고전압 감지회로를 사용하는 복수 테스트모드 선택회로.
3. 제1항에 있어서, 조합수단이 NOR나 NAND 게이트로 구성되어짐을 특징으로 하는 복수테스트모드 선택회로.

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