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KR900003534B1 - 실온에서 경화가능한 오르가노폴리실록산 조성물 - Google Patents

실온에서 경화가능한 오르가노폴리실록산 조성물 Download PDF

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KR900003534B1
KR900003534B1 KR1019850005298A KR850005298A KR900003534B1 KR 900003534 B1 KR900003534 B1 KR 900003534B1 KR 1019850005298 A KR1019850005298 A KR 1019850005298A KR 850005298 A KR850005298 A KR 850005298A KR 900003534 B1 KR900003534 B1 KR 900003534B1
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마사또시 아라이
다께오 이노우에
고지 요꾸
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신-에쓰가가꾸 고오교 가부시끼가이샤
고사까 유우따로오
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Abstract

내용 없음.

Description

실온에서 경화가능한 오르가노폴리실록산 조성물
본 발명은 탈알코올 축합 반응에 의해 경화되어, 플라스틱 같은 물질 표면에 대해 좋은 접착력을 갖는 경화된 고무 탄성중합체로 전환되는 실온에서 경화 가능한 오르가노폴리실록산 조성물에 관한 것이다.
최근에, 몇가지 이유 때문에 전기 및 전자 산업에서 이용되는 장치 및 기기를 더욱더 소형화하는 것이 요구되고 있다. 덧붙여 이러한 장치 및 기기의 하우징(housing)이 폴리카르보네이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 아크릴, 나일론, ABS, 폴리비닐 클로라이드 등의 플라스틱 수지 및 열가소성 수지로 형성되는 경향이 있다. 건축 시공 및 수송 차량 산업도 많은 부분에서 플라스틱의 이용 증가라는 추세를 따르고 있으며 이 분야에서 이용되는 플라스틱으로는 아크릴 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리비닐 클로라이드 수지 등이 포함된다.
플라스틱 제조 부분을 서로 연결시키기 위해서 접착 결합용 실리콘 밀봉체 또는 실온에서 경화가능한 오르가노폴리실록산 조성물을 이용하는 것이 통상적이며, 플라스틱으로 제조된 부분에 실리콘 밀봉체를 잘 접착시키기 위한 밀봉은 반드시 시발체를 이용하여 행해져야만 한다. 이러한 이용을 위한 대부분의 시발체가 유기 용매에 용해시킨 용액의 형태로 공급되기 때문에, 결국은 접착 결합된 또는 밀봉된 부분에 금을 가게하는 유기 용매를 흡수하는 플라스틱-제조 부위의 표면에 시발체를 이용하는 것은 매우 심각한 문제점을유발한다. 따라서 물질 표면에 접촉하여 경화될때 시발체를 이용하지 않고도 플라스틱-제조체의 표면에 대해 좋은 접착력을 나타낼 수 있는 실온-경화 가능한 오르가노폴리실록산 조성물을 개발하는 것이 절실히 요구되어 왔다.
따라서 본 발명의 목적은, 종래 기술의 RTV조성물의 상술한 문제점을 갖지 않고, 시발체를 사용하지 않고도 플라스틱-제조 물질의 표면에 대해 좋은 접착력을 나타낼 수 있는 실온-경화 가능한 오르가노폴리실록산 조성물(이후에는 RTV조성물로 표기한다.)을 제공하는 것이다.
본 발명의 실온-경화 가능한 조성물은 하기 (a)∼(d)의 조성을 함유한다 : (a) 25℃에서 100∼1,000,000센티스토크의 점성을 갖고, 분자사슬의 각각의 양말단이 실라놀릭 히드록시기로 종결된 디오르가노폴리실록산 100중량부 : (b) 분자내의 실리콘 원자(들)에 직접 결합된 최소한 세개의 알콕시기를 갖고, 실리콘 원자(들)에 결합된 다른 유기성 기(들)가 단일 원자가 탄화수소기인 알콕시실란 또눈 알콕시-함유 오르가노폴리실록산1∼20중량부 : (c) 분자내에 하기 일반식(I)로 나타내어지는 최소한 하나의 오르가노실리콘-함유기를 갖는 오르가노실리콘 화합물 0.05∼10중량부; 및
Figure kpo00001
상기 식중 Me는 메틸기이고, R1은 메틸 또는 에틸기이고 n은 0 또는 1이다.
(d) 하기 일반식(II)로 나타내어지는 티타늄 킬레이트 화합물 0.1∼10중량부
Figure kpo00002
상기 식중 Q는 이원자가 오르가노실리콘-함유기이고, R2는 1∼3탄소원자를 갖는 알킬기이고, R3은 R2또는 R2O와 동일하다.
본 발명의 RTV조성물 내의 조성 (a)인 디오르가노폴리실록산은 통상적으로 RTV조성물의 주성분으로 이용되는 기본 성분이다. 디오르가노실록산은 일반식-SiR2-O-의 디오르가노실록산 단위의 반복으로 이루어져 있으며 분자사슬 양쪽 말단은 각각 실라놀릭 히드록시기로 차단되어 있다. 즉, 히드록시기가 실리콘원자에 직접 결합되어 있다. 상기에서 단위 일반식으로 주어진 유기성 기 R은 알킬기(예. 메틸,에틸,프로필 및 부틸기), 시클로알킬기(시클로펜틸 및 시클로헥실기), 알케닐기(예. 비닐 및 알릴기), 아릴기(예. 페닐,톨릴 및 나프틸기) 및 아르알킬기(예. 벤질 및 2-페닐에틸기) 뿐만 아니라 상술한 탄화수소기의 일부 또는 모든 수소원자를 할로겐 원자, 시아노기 및 아미노기 등의 치환원자로 치환시켜 수득한 이들의 치환기로 구성된 군으로부터 선택된 단일 원자가 탄화수소 기어야만 한다.
조성물 (a)인 디오르가노폴리실록산은 25℃에서의 그 점성이 100∼1,000,000센티스트크, 바람직하게는 1,000∼50,000센티스토크인 정도의 중합화를 가져야 한다. 이러한 점성 제한의 이유는 지나치게 높은 점성의 디오르가 노폴리실록산으로 제조한 RTV조성물이 지나치게 높은 경점성을 갖게 되어 그 작업성 또는 작업 능률의 저하를 피할 수 없는 한편, 너무 낮은 점성을 갖는 디오르가노폴리실록산으로 제조한 RTV조성물로는 충분한 기계적 힘을 갖는 경화 탄성중합체를 수득할 수 없기 때문이다.
알콕시-함유 오르가노실란 또는 오르가노폴리실록산 화합물인 조성 (b)는 분자내의 실리콘 원자(들)에 직접 결합된 최소한 세개의 알콕시기를 가지며, 또한 교차 결합제로서 RTV조성물에서 통상적으로 이용된다. 알콕시기로는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시 및 이소프로폭시 뿐만 아니라 일반식 MeO-CH2O-,MeO-CH2CH2O-, EtO-CH2O-및 EtO--CH2CH2O-(식중 Me 및 Et는 각각 메틸 및 에틸기를 의미한다.)의 알콕시-치환 알콕시를 예시할 수 있다. 알콕시기 이외의 화합물의 유기성 기(만약 있다면)는 조성(a)의 R기를 설명한 상술에서 예시한 단일원자가 탄화수소기어야만 한다.
본 발명의 RTV조성물 내의 조성 (b)의 양은 조성(a)의 100중량부당 1∼20중량부이어야 하고, 또는 바람직하게는 2∼10중량부이다. 성분 (b)의 양이 너무 적으면 경화도가 낮아 완전히 경화된 탄성 중합체를 수득할 수 없고, 지나치게 많은 양의 조성 (b)로 제조한 RTV조성물을 경화하여 수득한 경화체는 원하는 고무 탄성 및 물리적 특성 없어 딱딱하고 부서지기 쉽다.
조성 (c)는 본 발명의 RTV조성물의 특징직인 성분으로서, 그 위에서 RTV조성물을 경화시킨 물질 표면에 경화된 조성물의 접착성을 부여한다. 본 조성의 화합물은 상술한 일반식(I)(식중, 모든 기호의 정의는 상술한 바와 동일하다.)의 오르가노실리콘-함유 기의 최소한 하나를 필수적으로 함유한다.
성분 (c)로서 적절한 화합물로는 하기 일반식으로 나타내지는 화합물들이 포함된다 : A1Ph ; A1-(C6H4)-CH2-(C6H4)-A1;
A2-(C6H4)-(CH2-C6H3A2)n-CH2-C6H4)-A2; A3-C6H3Me-A3(식중 C6H3Me는 2, 4-또는 2, 6-톨릴렌기이다) : 일반식 (-CO-NA1-)3의 고리 화합물 : EtC(-CH2O-CO-NH-C6H3Me-A1)3; 및 EtC[-CH2O-CO -NH-(CH2)6-A1]3(식중 Me, Et, Ph 및 (C6H4)는 각각 메틸, 에틸, 페닐 및 페닐렌기를 의미하고 : Al, A2및 A3는 각각 하기 일반식의 특별한 오르가노실리콘-함유기를 의미한다.
A1: (MeO)3Si-C3H6-S-CO-NH-
A2: (MeO)2SiMe-C3H6-S-CO-NH-
A3: (EtO)3Si-C3H6-S-CO-NH-
오르가노실리콘 화합물은 하기 반응식에 따라 촉매 존재하에 3-메르캅토프로필-함유 알콕시실란과 일반식 OCN-R'(식중 R'는 단일 원자가 유기성 기이다)의 여러 종류의 이소시아네이트 화합물을 반응시킴으로써 제조할 수 있다 : (R10)3-n(Me)nSi-C3H6-SH+OCN-R'→(R10)3-n(Me)nSi-C3H6-S-CO-NH-R', 촉매는 바람직 하게는 납 2-에틸헥소에이트, 디부틸틴디아세테이트, 코발트 나프테네이트, 아연 스테아레이트 등의 금속 카르복실레이트이고, 반응은 필요하다면 벤젠, 톨루엔, 크실렌등의 유기 용매내에서 수행할수 있다.
본 발명의 RTV조성물의 조성 (C)의 양은 조성 (a)의 100중량부에 대하여 0.05∼10중량부이어야 하고,또는 바람직하게는 0.5∼3중량부이다. 이것은 지나진 과량으로 제조한 RTV조성물이 고무 탄성 중합체로서지나치게 높은 경도를 갖는 경화체를 생산하는 것처럼 지나치게 적은 양의 조성(c)로는 접착 결합에서 원하는 개선점을 얻을 수 없기 때문이다.
조성 (d)는 본 발명의 RTV조성룰을 안정화시키는 효과를 나타내며 상기에서 나타낸 일반식(II)로 나타낸 티타늄의 킬레이트 화합물이다. 일반식(II)에서, Q는 하기에서 설명하게될 이원자가 오르가노실리콘-함유기이고, R2는 1∼3의 탄소원자를 갖는 알킬기, 즉 메틸, 에틸 또는 프로필기이고, R3는 상술한 바와같은 1∼3탄소원자를 갖는 알킬기 또는 1∼3탄소원자를 갖는 알콕시기, 즉 메톡시, 에톡시 및 프로폭시기이다. Q로 나타낸 이원자가 오르가노실리콘-함유기의 예는 하기와 같으며, 메틸, 프로필 및 페닐기는 각각Me, Pr 및 Ph로 나타낸다.
Q1: -O-SiMe2-O-SiMe2-O-:
Q2: -O-SiMePh-O- ; Q3-O-SiPh2-O-: Q4: -O-(-SiMe2-O-)4: 및
Figure kpo00003
따라서, 조성 (d)로서의 티타늄 킬레이트화합물의 예로는 하기 일반식의 화합물들이 포함된다 : Q는 Q1, R2는 메틸기이고 R3은 에톡시기이고 : Q는 Q2, R2는 메틸기이고 R3은 메톡시기이고 : Q는 Q3, R2는 메틸기이고 R3은 메틸기이고 : Q는 Q4, R2는 메틸기이고 R3은 에톡시이고 : 및 Q는 Q5, R2는 메틸기이고 R3은 에틸기이다.
이들 티타늄 킬레이트 화합물은 오르토티타네이트 에스테르와 β-디케톤 또는 β-게토에스테르를 반응시킨 후 일반식 H-Q-H(식중 Q는 상기에서 정의한 바와 동일하다)의 디실라놀릭 오로가노실리콘 화합물로 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 반응은 통상적으로 40∼70℃에서 수행된다. 대부분의 경우 용메없이 발응을 진행하지만 톨루엔 같은 유기용매내에서 임의로 수행할 수 있다. 오르토티타네이트 에스테르를 β-케토에스테르와 반응시키면, 부산물로서 알코올이 생성되지만 디실라놀릭 오르가노실리콘 화합물과 반응시키기 이전에 꼭 제거할 필요는 없다.
본 발명의 RTV조성물의 조성 (d)의 양은 조성 (a)의 100중량부당 0.1∼10중량부이어야 하고, 또는 바람직하게는 0.5∼3중량부이다. 이것은 과량의 조성이 조성물의 경화 작용을 지나치게 억제하는 것과 마찬가지로 지나치게 적은 양의 조성 (d) 로는 조성물의 안정화 효과를 얻을 수 없기 때문이다.
본 발명의 RTV조성물은 특별한 기계 형태의 제한없이 적절한 혼합기 내에서 상술한 조성 (a)∼(d)를 균질하게 혼합함으로써 수득할 수 있다. 임의로 RTV조성물을 증기를 쐰 첨가제 등의 강화된 또는 비강화된 첨가제와 혼합할 수 있다. 필요하다면 이들 첨가제를 헥사메틸디실라잔, 올리고메릭 시클릭 디메틸폴리실록산 등, 침전 실리카, 석영 분말, 규조토, 이산화티타늄, 산화알루미늄, 산화납, 산화철, 카아본 블랙,벤토나이트, 흑연 분발, 탄산칼슘, 운모 박편, 진흙, 유리 구슬, 유리 마이크로발룬, 유리섬유, 합성섬유(예. 폴리비닐 클로라이드,폴리스티렌 및 아크릴수지)의 구슬등으로 표면 처리할 수 있다.
나아가 본 발명의 RTV조성물은 가소제, 염색제(예, 색소), 방염제, 요변성 개선제, 살균 및 살진균제,아미노, 에폭시, 메르캅토 및 다른 반응기를 갖는 소위 탄소-기능 실란 같은 접착 개선제 등의 RTV조성물에 통상적으로 이용되는 여러 종류의 공지의 첨가제와 임의로 혼합할 수 있으며, 이들 첨가제의 양은 RTV조성물의 특성에 지나치게 영향을 주지 않는 범위내로 제한하여야 한다.
하기에, 조성 (d)로 이용되는 티타늄 킬레이트 화합물 및 조성 (c)로 이용되는 오르가노실리콘 화합물의 제조를 설명하는 실시예에 의하여 본 발명에 따른 RTV조성물이 보다 자세히 설명되어 있다. 하기 설명에서, "부"는 항상 "중량부"를 의미하며, 점성값은 25℃에서 측정하여 얻은 것이다.
[제조예 1]
교반기, 온도계 및 환류 응축기를 장치한 1ℓ용 플라스크에 넣은 284.3g의 테트라(이소프로필) 티타네이트에 약 1시간에 걸쳐 교반하에 질소 기체류 내에서 260.2g의 에틸 아세토아세테이트를 적가한다. 이 기간동인 반응 혼합물의 온도를 56℃까지 서서히 높인다. 아세토아세테이트를 모두 적가한후, 이 반응 혼합물을 60℃에서 2시간동안 더 교반하에 가열한후 30분간 결쳐 14.7g의 1,7-디히드록시 옥타메틸 테트라실록산을 가하고 60℃에서 2시간동안 혼합물을 가하여 반응을 완결시킨다. 반응의 완결후 반응 혼합물을 감압하에 스트리핑(stripping)시켜 저비등 분획을 제거하고 230 센티스토크의 점성을 갖는 황갈색 액체 생성물 611g을 수득한다. 적외선 흡수 스펙트럼 및 NMR분석을 이용하여 이 화합물이 일반식(I)(식중, Q4, R2는 메틸이고 R3은 에톡시이다)의 티타늄 킬레이트 화합물과 동일하다는 것을 확인할 수 있다. 이후에는 이 화합물을 티타늄 킬레이트 I로 표기한다.
[제조예 2∼4]
소정량의 생성물을 얻기 위하아 1,7-디히드록시 옥타메틸테트라실록산 대신에 후술한 디실라놀릭 오로가노실리콘 화합물을 사용하는 것을 제외하고 제조예 1과 실질적으로 동일한 방법을 실시하여 이후에 각각 티타늄 킬레이트 II, Ⅲ 및 lV로 표기될 황갈색, 맑은 액체 형태의 티타늄 킬레이트 화합물류를 수득한다.
티타늄 킬레이트 II : 2l6.3g의 디페닐실란 디올, 수율 : 생성물 502g
티타늄 킬레이트 Ill : 356.6g의 1,3,5-트리메틸-1,3-디프로필-7-히드록시 시클로트리실록산, 수율 : 생성물 643g
티타늄 킬레이트IV : 166.3g의 1, 1, 3, 3-테트라메틸-1,3-디히드록시 디실록산, 수율 : 생성물452g
이들 티타늄 킬레이트 화합물류는 각각 일반식(II)(식중 티타늄 킬레이트 II에서 Q는 Q3, R2는 메틸이고 R3은 에톡시이며 : 티타늄 킬레이트 III에서 Q는 Q5, R2는 메틸이고 R3은 에톡시이며 : 티타늄 킬레이트IV에서 Q는 Q1, R2는 메틸이고 R3은 에톡시이다.)의 화합물과 동일하다.
[제조예 5]
교반기, 온도기 및 환류 응축기를 장치시킨 100ml용 플라스크에 25g의 톨루엔 및 0.1g의 디부틸틴디라우레이트를 넣어 혼합물을 만들고, 여기에 17.4g의 롤릴렌 디이소시아네이트 및 39.3g의 3-메르캅토프로필트리메톡시실란의 혼합물을 약 2시간동안 교반하며 적가한다. 이 기간동인 반응 혼합물의 온도를 서서히70℃까지 높인다. 혼합물을 완전히 적가한후, 반응 혼합물을 70℃에서 4시간동인 더 교반하여 반응을 완결시킨다. 그 후에 감압하에 반응 혼합물을 스트리핑하여 용매를 제거함으로써 54.3g의 점성의, 선명한 무색액체 생성물을 수득한다. 이 화합물은 분석에 의하면 일반식 A1-C6H3Me-A1의 오로가노실리콘 화합물과 동일하다. 이후에는 이 생성물을 간단히 화합물 I로 표기한다.
[제조예 6∼9]
톨릴렌 이소시아네이트 대신에 후술한 양의 다른 이소시아네이트 화합물을 이용하는 것을 제외하고 상술한 제조예 5와 실질적으로 동일한 방법을 실시하여 이후에 각각 화합물 II,III,IV 및 V로 표기될 조성(c)의 오르가노실리콘 화합물류를 제조한다. 각 생성 화합물의 수율 및 외관도 후술하였다.
화합물 II : 25.0g의 시클로헥실 이소시아네이트, 수율 : 무색, 맑은 액체 생성물 62.5g
화합물 III : 23.8g의 폐닐 이소시아네이트, 수율 : 무색, 맑은 액체 생성물 60.6g
화합물 IV : 25.0g의 비스(4-이소시아나토페닐)메탄, 수율 : 황갈색, 맑은 액체 생성물 61.6g
화합물 Ⅴ : 33.7g의 일반식
Figure kpo00004
의 고리화합물, 수율:무색의 액체 생성물 70.3g
이들 화합물은 각각 일반식 C6H11-A1(화합물 II). C6H5-A1(일반식 III), CH2(-C6H4-A1)2(일반식 Ⅳ), 또는 고리 일반식
Figure kpo00005
(화합물 Ⅴ)의 화합물과 동일하다.
[제조예 10]
3-메르캅토프로필 트리메톡시실란 대신에 36.1g의 3-메르캅토프로필메틸 디메톡시실란을 이용하는 것을 제외하고 상술한 제조예 5와 실질적으로 동일한 합성 방법을 실시하여 일반식 A2-C6H3Me-A2의 화합물과 동일한 맑은, 무색의 액체 생성물 51.5g을 수득한다. 이 생성물은 이후에 화합물 VI으로 표기한다.
[실시예1]
20,000센티스토크의 점성을 갖는 동질량의 디메틸폴리실록산을 균질하게 혼합하여 기본 화합물을 제조하고 분자사슬 양 말단이 각각 실라놀릭 히드록시기 및 탄산 칼슘 첨가제가 되도록 종결한다.
제조예에서 제조한, 후술한 표 1에 지지한 양의 티타늄 킬레이트 I, II, Ⅲ 및 IV중의 하나 및 제조예에서 제조한 화합물 I, II, III, V, V 및 VI중 하나와 역시 표 1에 지시한 양의 알콕시실란, 즉 메틸 트리메톡시실란(알콕시실란 I), 메틸 트리에톡시실란(알콕시실란 II) 또는 메틸 트리스(메톡시-치환메톡시)실란(알콕시실란 III)을 상기에서 제조한 무수 상태의 100부의 기본 화합물 하에 균질하게 혼합시킴으로써 각각 RTV조성물 번호 1∼번호 9를 제조한다.
비교하기 위하여, 화합물 I∼VI을 빼고 티타늄 킬레이트 화합물 대선 일반식(II)(식중 R2는 메될이고 R3은 에톡시이지만 Q로 나타낸 기는 이원자가 오르가노실리콘 대신 두개의 이소프로필기로 바꾸어짐)의 유사한 티타늄 킬레이트를 사용하여 비슷한 방법으로 RTV조성물 번호 10을 제조한다.
[표 1]
Figure kpo00006
*본문 참고
각각 50mm×50mm×5mm의 크기를 갖는 아크릴 수지 또는 폴리카르보네이트 수지로 된 한쌍의 시험용 판넬을 이용하여 이들 RTV조성물에 접착 결합력 시험을 실시하여 JIS A 5758에 따른 시험용 표본을 제조한다. RTV조성물을 경화시키기 위하여 이들 시험용 표본을 치음에는 20℃에서 55%상대 습도의 대기에서 14일간, 다음에는 30℃에서 14일간 보관한다. 경화된 RTV조성물을 갖는 시험용 표본을 50℃에서 7일간 물에 담가둔다.경화시키고 물에 담가 두었던 시험용 표본을 이용하여 실시한 접착 결합 시험의 50% 모듈러스, 장력강도, 극한신장 및 응집 실패율의 결과를 표 2(아크릴 수지 판넬) 및 표 3(폴리카로보네이트 수지시험용 판넬)에 나타내었다. 각각의 표에서 괄호안의 데이타는 물에 담근 후 측정하여 얻은 값이다.
[표 2]
Figure kpo00007
[표 3]
Figure kpo00008
Figure kpo00009
[실시예 2]
실시예 1에서 제조한 RTV조성물 번호 2 및 번호 10을 20℃, 55%의 상대 습도의 대기에서 7일간 방치하여 경화시킨 2mm두께의 시이트에 로울링법으로 뿌린다. 비교를 위하여, RTV조성물을 70℃의 건조 오븐에서 5일간 가열한 후 상기와 동일한 조건에서 7일간 방치한 2mm두께의 시이트에 뿌린다. 이렇게 하여 수득한, 70℃에서 열노화시킨 또는 시키지 않은 RTV조성물의 고무성 시이트에 대해서 JIS K 6301에 명시된 방법에 따라 기계적 특성을 측정하고, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.
[표 4]
Figure kpo00010

Claims (4)

  1. 하기 (a)∼(d)의 조성을 함유하는 실온에서 경화 가능한 오르가노폴리실록산 조성물. (a) 25℃에서100∼1,000,000센티스토크의 점성을 갖고, 분자 사슬의 양말단이 실라놀릭 히드록시기로 종결된 디오로가노폴리실록산 100중량부 ; (b) 분자내의 실리콘 원자(들)에 직접 결합된 최소한 세개의 알콕시기를 갖고, 실리콘 원자(들)에 결합된 유기성기(들)가 단일원자가 탄화수소기인 알콕시실란 또는 알콕시-함유 오르가노폴리실록산 1∼20중량부; (c) 분자내에 하기 일반식으로 나타내지는 최소한 하나의 오르가노실리콘-함유기를 갖는 오르가노실리콘 화합물 0.05∼10중량부; 및 (R10)3-n(Me)nSi-C3H6-S-CO-NH-
    상기 식중, Me는 메틸기, R1은 메틸 또는 에틸기이고 n는 0 또는 1이다.
    (d) 하기 일반식으로 나타내지는 티타늄 킬레이트 화합물 0.1∼10중량부.
    Figure kpo00011
    상기 식중 Q는 이원자가 오르가노실리콘-함유기, R2는 1∼3탄소원자를 갖는 알킬기이고 R3은 R2또는R2O와 동일하다.
  2. 제 1 항에 있어서, 조성 (a)인 디오르가노폴리실록산이 25℃에서 100∼1,000,000의 점성을 갖는 실온에서 경화 가능한 오르가노폴리실록산 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, 조성 (d)에서 Q로 나타내진 이원자가 오르가노실리콘-함유기가 하기 일반식들로 나타내진 기로 구성된 군으로부터 선택된 실온에서 경화가능한 오르가노폴리실록산 조성물
    -O-SiMe2-O-SiMe2-O-;-O-SiMePh-O-:-O-SiPh2-O-:-O-(-SiMe2-O-) ; 및
    Figure kpo00012
  4. 제 1 항에 있어서, 조성 (c)인 오르가노실리콘 화합물이 하기 일반식들로 나타내진 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 실온에서 경화가능한 오로가노폴리실록산 조성물.
    A1-Ph ; A1-(C6H4)-CH2-(C6H4)-A1: A2-(C6H4)-(-CH2-C6H3A2-)n-CH2-(C6H4)-A2; A3-C6H3Me-A3, 고리 일반식 (-CO-NA1-)/ EtC(-CH2O-CO-NH-C6H3Me-A1) ; 및 EtC[-CH2O-CO-NH-(CH2)6-A13, 상기 식중, Me, Et, Ph 및 (C6H4)는 각각 메틸, 에틸, 페닐 및 페닐렌기를 나타내고, C6H3Me는 2,4-또는 2,6-톨릴렌기이고 : A1, A2및 A3는 각각 일반식 (MeO)3Si-C3H6-S-CO-NH : (MeO)2SiMe-C3H6-S-CO-NH- ; 또는 (EtO)3Si-C3H6-S-CO-NH-의 오로가노실리콘-함유기를 나타낸다.
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