KR900002507B1 - Composite film formation method on the surface of aluminum material - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
[발명의 명칭][Name of invention]
알미늄 소재 표면의 복합막 형성방법Composite film formation method on the surface of aluminum material
[도면의 간단한 설명][Brief Description of Drawings]
제 1a 내지 1d 도는 본 발명에 의한 방법을 설명하기 위한 것으로 그 방법의 공정순서를 나타낸 도면.1A to 1D are views for explaining the method according to the present invention and showing the process sequence of the method.
제 2a 내지 2c 도는 제 1a 내지 1d 도의 공정들의 진행에 따라 알미늄소재의 표면상에 형성되는 산화알미늄막의 변화를 설명하기위한 도면들.2A to 2C are views for explaining the change of the aluminum oxide film formed on the surface of the aluminum material as the processes of FIGS. 1A to 1D proceed.
제 3 도는 본 발명에 의한 방법에서 니켈도금처리의 또다른 예를 설명하기위한 도면.3 is a view for explaining another example of nickel plating treatment in the method according to the present invention.
제 4a 내지 4c 도는 본 발명에 의한 방법의 산화알미늄막 형성공정시에 전압에 대한 시간경과에 따라 막두께의 변화를 나타내는 그래프.4A to 4C are graphs showing changes in film thickness with time over voltage in the process of forming the aluminum oxide film of the method according to the present invention.
제 5a 내지 5d 도는 본 발명에 의한 제 2 실시예의 방법을 설명하기위한 도면으로서 그 방법의 공정순서를 나타내는 도면.5A to 5D are views for explaining the method of the second embodiment according to the present invention and showing the process sequence of the method.
제 6a 내지 6e 도는 제 5a 내지 5d 도의 공정들의 진행에 따라 알미늄소재의 표면상에 형성된 산화알미늄막의 변화를 설명하기 위한 도면.6A to 6E are views for explaining the change of the aluminum oxide film formed on the surface of the aluminum material as the processes of FIGS. 5A to 5D are performed.
제 7a 내지 7e 도는 본 발명에 의한 제 3 실시예의 방법을 설명하기위한 도면으로서, 그 방법의 공정순서를 나타내는 도면.7A to 7E are views for explaining the method of the third embodiment according to the present invention, showing the process sequence of the method.
제 8a 내지 8f 도는 제 7a 내지 7e 도의 공정들의 진행에 따라 알미늄소재의 표면상에 형성되는 산화알미늄막의 변화를 나타내는 도면.8A to 8F show changes in the aluminum oxide film formed on the surface of the aluminum material as the processes of FIGS. 7A to 7E proceed.
[발명의 상세한 설명]Detailed description of the invention
[기술분야][Technical Field]
본 발명은 알루미늄소재 표면상에 고경도를 갖는 고내식성 및 도전성막을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a high corrosion resistance and conductive film having a high hardness on the surface of the aluminum material.
[발명의 배경][Background of invention]
종래의 전자계산기 및 통신장비용 케이스들은 철재로 제조되고 또한 그 케이스의 표면은 전자차폐 및 정전차폐를 위해 전기도금, 니켈도금 또는 도전페이트코팅과 같은 표면처리를 했다.Conventional cases for electronic calculators and telecommunication equipment are made of steel and the surface of the case has been subjected to surface treatment such as electroplating, nickel plating or conductive paint coating for electronic shielding and electrostatic shielding.
다른 한편, 알미늄소재의 표면에 고내식성 산화알미늄막 피막을 형성시킨 경량부재가 상품명 "알루마이트(ALUMITE)"가 공지되어 있다. 산화알미늄막을 도전성으로 만들어주기위해 알미늄소재의 표면상에 산화 알미늄막 형성후 니켈도금하는 기술은 공표되어 있다(1982년 5월 후쿠다 및 후쿠시마, 긴조꾸 자이료기쥬쯔겐뀨-쇼, 긴조꾸 효멘기쥬쯔의 "양극산화알미늄막내의 초소형 세공상에 니켈과 아연의 전착"). 이 발표된 논문에 의하면, 30℃의 98g/1의 황산용액에 침지된 알미늄소재에 30분동안 20V의 전압을 걸어주고, 그 후 4분내에 20V로부터 0.08V로 감소시키고 그다음 0.08V의 전압을 13분 동안 유지시키고 카본전극과 갈바닉 전지구성후 10 내지 20분후에 0.5A/d㎡의 전류밀도로 니켈 전기도금한다.On the other hand, the light-weight member in which the highly corrosion-resistant aluminum oxide film was formed on the surface of the aluminum material is known under the trade name "ALUMITE". In order to make the aluminum oxide film conductive, nickel plating after the formation of the aluminum oxide film on the surface of the aluminum material has been announced (Fukuda and Fukushima, Ginjoku Zyogigi Jutsugen 뀨 -Sho, Ginjoku Hyomen Gijutsu in May 1982). "Deposition of Nickel and Zinc on Micropores in Anodized Aluminum Films"). According to the published paper, a voltage of 20 V was applied to an aluminum material immersed in 98 g / 1 sulfuric acid solution at 30 ° C. for 30 minutes, and then decreased from 20 V to 0.08 V in 4 minutes, and then to 0.08 V. It is maintained for 13 minutes and nickel electroplated at a current density of 0.5 A /
종래의 도금기술에 의해 전자계산기등의 케이스들을 도금함에 있어서는 4각파이프들과 같은 4각구조의 내측코너들에 도금불량이 생길 우려가 있다. 전기 도금된 케이스들은 시간경과와 더불어 모상결정(hairly crystal)인 위스커(whisker)가 성장하여 위스커들이 케이스내에 내장된 전자부품들을 단락시키는 문제점을 갖고 있다. 도전성 페인트의 코팅에 의한 표면처리는 고내식성 능력을 얻을 수 없고, 또한 코팅된 케이스들의 표면상에 대기중의 먼지나 섬유조각이 달라붙거나 녹이나게 되어 코팅된 케이스내에 내장된 전자부품들상에 떨어지는 도전성 섬유조각들에 의해 일어날 수 있는 문제가 있었다.When plating cases such as an electronic calculator by the conventional plating technology, there is a fear that plating failure occurs in the inner corners of the square structure such as the square pipes. The electroplated cases have a problem in that a whisker, a hairy crystal, grows with time, and the whiskers short-circuit electronic components embedded in the case. Surface treatment by coating of conductive paint cannot achieve high corrosion resistance, and also on the electronic parts embedded in the coated case because the dust or fiber fragments in the air stick or melt on the surface of the coated cases. There was a problem that could be caused by falling conductive fiber pieces.
상기 공기의 산화알미늄막에 도금하는 니켈전기 도금방법은 장시간의 도금시간이 필요하며 또한 도금처리 중 산화알미늄막의 세공내에서 수소가스가 폭발하는 스포링(sporing)현상이 발생되기 쉬워 실용적으로 만족스러운 내식성과 도전성을 갖는 막을 형성할 수 없었다.The nickel electroplating method for plating the aluminum oxide film of air requires a long plating time, and a sporing phenomenon in which hydrogen gas is exploded in pores of the aluminum oxide film during plating treatment is likely to occur, which is practically satisfactory. A film having corrosion resistance and conductivity could not be formed.
본 발명의 근본 목적은 상술한 문제점들을 제거하기 위한 것으로 실용적으로 응용할 수 있는 내식성, 도전성 경량부재를 제조하여 이 부재를 전가계산기용 케이스를 구성하기 위해 응용할 수 있도록 알미늄 소재의 표면상에 산화알미늄 막을 형성하고, 또한 스포링을 수반함이 없이 짧은 도금시간내에 산화 알미늄막에 니켈도금하는 방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention is to eliminate the above problems and to produce a corrosion-resistant, conductive lightweight member that can be practically applied to the aluminum oxide film on the surface of the aluminum material so that the member can be applied to configure the case for full calculator It also provides a method of forming and nickel-plating an aluminum oxide film in a short plating time without involving sparing.
전자부품들의 접점들이나 단자들은 알미늄과 같은 금속들로 제조한다음 저항을 최소한 적은 값으로 감소시키도록 금으로 도금한다. 종래의 금도금 처리시에 알미늄 소재의 표면을 통상의 방법에 의해 니켈도금한 다음 니켈도금된 표면을 금으로 도금한다. 금도금처리시에 음극으로서 알미늄소재 그리고 양극으로서 용해 가능 금을 시안화금욕조내에 침지시킨다음 알미늄소재와 용해 가능금을 금도금용 DC전원에 연결한다.The contacts or terminals of electronic components are made of metals such as aluminum and plated with gold to reduce the resistance to at least a small value. In the conventional gold plating treatment, the surface of the aluminum material is nickel plated by a conventional method, and then the nickel plated surface is plated with gold. During gold plating, aluminum material as cathode and soluble gold as anode are immersed in the gold cyanide bath, and the aluminum material and soluble gold are connected to the DC power source for gold plating.
알미늄소재의 표면을 금도금하는 종래의 방법에서는 알미늄소재의 표면내의 핀흘이나 기타 결함에 의해 도금이 부풀어오르는 등의 도금불량이 발생되기 쉽다. 또한 만족스러운 도전율을 갖는 표면을 제공하기 위해 알미늄소재의 표면상에 대량의 금을 전착시켜야하므로 알미늄소재를 도금하는 비용이 증가한다.In the conventional method of gold-plating the surface of an aluminum material, plating defects, such as a swelling of a plating, are likely to occur due to pinched or other defects in the surface of the aluminum material. In addition, the cost of plating the aluminum material increases because a large amount of gold must be deposited on the surface of the aluminum material to provide a surface with satisfactory conductivity.
또한, 니켈로 산화알미늄막을 전기도금하는 상술한 공지의 방법은 도금시간이 장시간 소요되며 또한, 산화알미늄 산화막내의 세공들내에서 수소가스가 폭발하는 스포링현상이 야기되는 성향으로 인해 실용화하기 어렵다.In addition, the above-mentioned known method of electroplating an aluminum oxide film with nickel is difficult to put to practical use due to the tendency of the plating time to be taken for a long time and also to cause the sporing phenomenon of hydrogen gas exploding in pores in the aluminum oxide oxide film.
본 발명의 또다른 목적은 상술한 문제점을 해결하는데 있는 것으로 산화알미늄과 니켈의 내식성 및 도전성 복합막을 스포링을 야기함이 없이 짧은 도금시간내에 알미늄소재의 표면상에 형서한다음, 복합막을 금으로 도금한 다음, 산화양미늄막내의 세공들을 밀봉시키도록 소량의 금을 사용하여 결함이 없는 금도금막을 형성 할 수 있는 알미늄 소재의 금도금방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to solve the above-mentioned problems. The corrosion resistant and conductive composite films of aluminum oxide and nickel are formed on the surface of the aluminum material within a short plating time without causing sporing, and then the composite film is made of gold. After plating, a small amount of gold is used to seal the pores in the aluminum oxide film to provide a gold plating method of aluminum material which can form a gold plating film without defects.
경량구조로 전자장비용 케이스들을 구성하고 또한 그러한 케이스의 표면을 경질화시키기 위해 크로뮴 경질 양극산화피막 또는 크로뮴의 경화양극산화피막으로 코팅된 알미늄소재를 케이스 구성재로 사용한다.The aluminum material coated with chromium hard anodized film or chromium hardened anodized film is used as a case component in order to construct the case for electronic equipment with a light weight structure and to harden the surface of such a case.
경질양극 산화피막으로 코팅된 종래의 알미늄 부재는 경질페인트피막으로 코팅될 수 없다. 따라서, 도금 표면은 도금된 크로뮴 또는 로듐의 자체색 즉, 크롬의 흑색 또는 크로뮴색 또는 로듐색으로만 나타난다. 그 때문에 경질부재의 표면을 소망하는 색으로 마감할 수 없다.Conventional aluminum members coated with a hard anodized film cannot be coated with a hard paint film. Thus, the plating surface appears only in its own color of plated chromium or rhodium, ie black or chromium or rhodium color of chromium. Therefore, the surface of the hard member cannot be finished with a desired color.
또한, 산화알미늄피막을 전기니켈도금하는 상술한 공지의 방법은 아주 긴 도금시간을 요할뿐만아니라 도금처리중 산화알미늄막내의 세공들내에서 수소가스가 폭발하는 스포링현상이 야기될 수 있으므로 이 공지된 방법을 실용화하기 어려웠다.In addition, the above known method of electronickel plating an aluminum oxide film not only requires a very long plating time but also may cause a spatter phenomenon in which hydrogen gas explodes in pores in the aluminum oxide film during plating treatment. It was difficult to put the old method into practical use.
본 발명의 또다른 목적은 상술한 문제점들을 해결하는데 있는 것으로 스포링을 야기함이 없이 짧은 도금시간내에 산화알미늄과 니켈로 이루어지는 내식도전성인 복합막을 형성하고 이 복합막을 형성하는 알미늄소재상에 경질양극산화피막을 형성한다음 염료용액에 침지시켜서 알미늄소재의 도금된 표면을 소망하는 색으로 염색할 수 있는 경질양극 산화피막 염색방법을 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to solve the above problems and to form a corrosion resistant conductive film composed of aluminum oxide and nickel in a short plating time without causing sporing, and to form a hard anode on the aluminum material forming the composite film. The present invention provides a hard anodized dyeing method for forming an oxide film and then immersing it in a dye solution to dye the plated surface of an aluminum material in a desired color.
[발명의 개시][Initiation of invention]
본 발명의 목적을 달성하기위해, 본 발명은 황산용액내의 알미늄소재에 20V의 전압을 걸어줌으로서 알미늄소재의 표면상에 세공들을 갖는 산화알미늄막을 형성하는 단계와, 세공들 저부를 형성하는 산화알미늄막을 용해시키도록 알미늄소재에 그 전압을 거의 0V까지 급강하시킨후, 약 0.1V 이하의 전압을 걸어주는 단계와, 전기도금에 의해 알마늄 소재의 표면을 니켈도금하는 단계와 니켈도금된 알미늄 소재를 금도 금하는 단계와, 그리고 산화알미늄막의 세공들내에 니켈을 석출시키도록 산화알미늄막으로 코팅된 알미늄소재를 니켈도금하는 단계를 포함하는 알미늄소재의 표면상에 산화알미늄막을 형성하고 또한 알미늄소재와 전기적으로 연결되는 금속석출믈을 형서하기위해 알미늄소재들의 표면상에 복합막을 형성하는 방법을 제공한다.In order to achieve the object of the present invention, the present invention is to form an aluminum oxide film having pores on the surface of the aluminum material by applying a voltage of 20V to the aluminum material in the sulfuric acid solution, and the aluminum oxide forming the bottom of the pores After the voltage is dropped to almost 0V to dissolve the film, apply a voltage of about 0.1V or less, nickel-plating the surface of the aluminum material by electroplating and nickel-plated aluminum material. Forming an aluminum oxide film on the surface of the aluminum material, including the step of inhibiting gold and nickel-plating the aluminum material coated with the aluminum oxide film to precipitate nickel in the pores of the aluminum oxide film. The present invention provides a method of forming a composite film on the surface of aluminum materials to form an electrically connected metal precipitate.
니켈도금처리시에 스포링의 원인이 되지않는 양호한 형상을 갖는 산화알미늄막을 알미늄소재의 표면상에 형성하면 산화알미늄막의 세공기부내의 장벽층을 균일하고도 확실하게 용해할 수 있고, 또한 상술한 처리조건하에서 소정조건의 황산용액내의 알미늄소재에 전압을 걸어주면 세공들내에 석출된 니켈들은 알미늄소재와 전기적으로 연결된다.When the nickel oxide film having a good shape that does not cause spattering during nickel plating is formed on the surface of the aluminum material, the barrier layer in the pore portion of the aluminum oxide film can be dissolved uniformly and reliably, and the above-described treatment When the voltage is applied to the aluminum material in the sulfuric acid solution under the condition, the nickel deposited in the pores is electrically connected to the aluminum material.
본 발명의 제 1 및 제 2 목적을 달성하기 위해 본 발명은 알미늄소재의 표면상에 산화알미늄막을 그리고 산화알미늄막에 금도금을 형성하는 방법을 제공하는 것으로 양호한 실시예에 의하면, 이 방법은 황산용액내의 알미늄소재에 전압을 걸어주는 단계와, 그 전압을 거의 0전압으로 급강하시킨후 알미늄 소재에 약 0.1V이 하의 전압을 걸어주는 단계와, 그리고 니켈초산염 용액으로 산화알미늄막내의 세공들을 밀봉시키는 단계를 포함한다.In order to achieve the first and second objects of the present invention, the present invention provides a method for forming an aluminum oxide film on the surface of an aluminum material and a gold plating on the aluminum oxide film. Applying a voltage to the aluminum material in the interior, dropping the voltage to almost zero voltage, applying a voltage of less than about 0.1 V to the aluminum material, and sealing pores in the aluminum oxide film with a nickel acetate solution. It includes.
니켈도금처리시에 스포링의 원인이 되지않는 최적형태를 갖는 산화알미늄막이 소정된 조건의 황산용액내에서 상술한 조건들하에서 알미늄소재에 전압을 걸어줌으로서 알미늄소재의 표면상에 형성된 다음 니켈이 적당한 표면침전율로 세공들내에 전기도금으로 석출되면 석출된 니켈들은 알미늄소재와 연결된다. 금막을 알미늄소재의 표면상에 형성된 산화알미늄막의 세공들내에 형성된 니켈석출물들상에 금도금에 의해 형성된다.In the nickel plating treatment, an aluminum oxide film having an optimum shape which does not cause sporing is formed on the surface of the aluminum material by applying a voltage to the aluminum material under the above-mentioned conditions in a sulfuric acid solution under a predetermined condition. When deposited by electroplating in the pores at a suitable surface settling rate, the precipitated nickel is connected to the aluminum material. A gold film is formed by gold plating on nickel precipitates formed in pores of the aluminum oxide film formed on the surface of the aluminum material.
본 발명의 제 1 및 제 3 목적들을 달성하기위해 본 발명은 알미늄의 표면상에 형성된 경질양극산화피막으로 코팅된 알미늄소재를 염색하는 방법을 제공하기위한 것으로, 본 발명의 양호한 실시예에 의한 방법은 황산용액내의 알미늄소재에 전압을 걸어주는 단계와, 그 전압을 거의 0볼트로 급강하시킨후 알미늄소재에 약 0.1V이하의 전압을 걸어주는 단계와, 알미늄소재를 코팅하는 막내의 세공들을 포화시키도록 염료용액내에 알미늄소재를 침지하는 단계와, 그리고 니켈초산염 용액으로 알미늄소재를 염색 및 코팅처리함으로서 세공들을 밀봉시키는 단계를 포함한다.In order to achieve the first and third objects of the present invention, the present invention is to provide a method for dyeing an aluminum material coated with a hard anodized film formed on the surface of the aluminum, the method according to a preferred embodiment of the present invention Applying a voltage to the aluminum material in the sulfuric acid solution, dropping the voltage to almost 0 volts, then applying a voltage of about 0.1V or less to the aluminum material, and saturating the pores in the film coating the aluminum material. Immersing the aluminum material in the dye solution, and sealing the pores by dyeing and coating the aluminum material with a nickel acetate solution.
니켈도금처리시에 스포링의 원인이 없는 적당한 형상을 갖는 산화알미늄막을 알미늄소재의 표면상에 형성한다음 소정조건의 황산용액내의 상술한 조건들하에서 상기 알미늄소재에 전압을 걸어 산화알미늄막내의 세공들의 바닥들을 형성하는 장벽층을 균일하고도 확실하게 용해한 다음 경질양극산화를 통하여 산화알미늄막의 표면상에 노출된 니켈석출물들 위에 경질양극산화막을 형성한다. 경질양극산화처리후, 코팅된 알미늄소재는 염료용액으로 산화알미늄막의 세공들을 포화시키도록 소망한는 색의 염료용액내에 침지시켜주므로서 결국 알미늄소재의 코팅된 표면은 경질양극산화피막을 피복하지 않고서도 소망하는 색을 띈다.In the nickel plating process, an aluminum oxide film having a suitable shape without causing sporing is formed on the surface of the aluminum material, and then a voltage is applied to the aluminum material under the above-mentioned conditions in a sulfuric acid solution of a predetermined condition to form pores in the aluminum oxide film. The barrier layer forming the bottoms of the pores is uniformly and reliably dissolved, and then a hard anodization film is formed on the nickel precipitates exposed on the surface of the aluminum oxide film through hard anodization. After hard anodization, the coated aluminum material is immersed in a dye solution of the desired color to saturate the pores of the aluminum oxide film with a dye solution so that the coated surface of the aluminum material is not covered with the hard anodization film. Find the color you want.
[발명의 실시예][Examples of the Invention]
제 1a 내지 1d 도는 본 발명에 의한 방법을 설명하기위한 도면으로서 그 방법의 공정순서를 나타내는 도면이다. 제 1a 도에 나타낸 바와같이 알미늄소재 2와 탄소전극 3을 50 내지 80g/1의 범위내의 농도를 갖는 황산용액내에 침지시킨다음 알미늄소재 2를 양극으로하고 탄소전극 3을 음극으로하여 20v의 전압을 양단에 걸어준다.1A to 1D are views for explaining a method according to the present invention and showing the process sequence of the method. As shown in FIG. 1A, the
황산용액의 온도는 30±2℃에 유지시킨다.The temperature of sulfuric acid solution is maintained at 30 ± 2 ℃.
10분내에 산화알미늄()막 8이 제 2a 도에 나타낸 바와같이 알미늄소재 2의 표면위에 형성된다. 상부로부터 관측할 때 산화알미늄막 8은 세공 9을 각각 갖는 도시안된 벌집배열식으로 배영되는 다수의 6각형 셀(cell)8b들로 구성된다. 각 셀8b의 바닥을 형성하는 장벽층 8a는 알미늄소재 2의 표면을 완전히 덮는다. 각 셀8b는 외경이 약 1,600Å, 내경이 500Å, 그리고 높이가 약 10㎛이다.Within 10 minutes A
산화알미늄막 8의 두께 즉, 셀8b의 높이는 전압을 걸어주는 기간에 좌우된다. 제 4a,4b 및 4c도는 20V, 17.5V 및 15V의 전압에 대한 시간경과에 따른 각각 산화알미늄막 8의 두께의 변동을 나타낸다. 본 실시예에서 산화알미늄막의 두께는 약 10㎛로 형성된다. 10㎛ 또는 그 이상의 두께로 하면 니켈도금처리시에 셀들내로 도금용액이 만족스럽게 침투하는 것이 어려워지게되어 불량도금의 원인이 된다. 지나치게 작은 두께 예를들면, 5㎛ 또는 그이하를 갖는 산화알미늄막은 충분한 강도를 갖지못하며 또한 그러한 얇은 산화 알미늄막을 실용적인면에서 바람직하지 못하다.The thickness of the
목적에 따라 적당한 두께를 결정해야 한다. 전압과 점압을 걸어주는 기간은 소망하는 두께를 갖는 산화알미늄막을 얻을 수 있도록 적당히 선택된다. 본 발명에의하면, 두께는 산화알미늄막에 충분한 강도를 주는한편 자기도금처리시에 만족스러운 도금을 성취할수있도록 약 10㎛로 한다. 전압은 15 내지 20 볼트로 선택될 수 있으며 또한 기간은 10 내지 30분(바람직하게 10 내지 20분)의 범위내에서 선택한다. 지나치게 낮은 전압 예를들면, 13볼트 또는 그 이하는 산화알미늄막을 전혀 형성할 수 없고 20V 또는 그 이상의 전압은 만족스러운 산화알미늄막을 형성할 수 없다. 본 실시예에서는 20V의 전압을 10분동안 걸어서 약 10㎛(제 4 a 도에 점선으로 보임)두께의 셀을 형성한다.The appropriate thickness should be determined according to the purpose. The period for applying voltage and pressure is appropriately selected to obtain an aluminum oxide film having a desired thickness. According to the present invention, the thickness is about 10 占 퐉 so as to give sufficient strength to the aluminum oxide film while achieving satisfactory plating during the self plating process. The voltage can be selected from 15 to 20 volts and the period is selected within the range of 10 to 30 minutes (preferably 10 to 20 minutes). Too low a voltage, for example, 13 volts or less cannot form an aluminum oxide film at all, and a voltage of 20 V or more cannot form a satisfactory aluminum oxide film. In this embodiment, a voltage of about 10 mu m (shown in dotted lines in FIG. 4a) is formed by applying a voltage of 20 V for 10 minutes.
결국, 산화알미늄막 8을 형성한후, 전압을 20볼트로부터 0 또는 거의 0으로 급강하시킨다음 0.1V 또는 그 이하의 저전압을 10 내지 15분동안 걸어준다. 이렇게하면 산화알미늄막 8의 셀들 8B의 장벽층 8A는 용해되어 세공 9가 알미늄소재 2와 연통된다. 사실상 저전압에 의하여 아주 얇은 두께는 갖는 장벽층이 형성되나 아주 얇은 장벽층은 차기 니켈도금처리시에 전기분해되어 완전히 제거된다. 따라서, 저전압이 낮을수록 결과는 좋다.As a result, after the
전압을 거의 0으로 급강하시키는 것을 전압의 점진적인 강하에 비해 셀들의 장벽층을 균일하게 용해시켜 제거할 수 있다.Stepping down the voltage to nearly zero can be eliminated by uniformly dissolving the barrier layer of the cells as compared to the gradual drop in voltage.
장벽층을 용해함에 의해 형성되는 바닥없는 세공들 9를 갖는 산화알미늄막 8로서 코팅된 알미늄소재 2는 음극으로서 그리고 양극으로서 니켈전극 5를 사용하여 니켈도금을 위해 제 1b도에 나타낸 바와같이 니켈도금용액 4내에 침지된다.
니켈도금처리중 니켈도금 10은 산화알미늄 피막 8의 셀들의 세공들 9내에 형성된다(제 2c 도).Nickel plating 10 is formed in the
도금전압은 0.4 내지 1V의 범위내이고 한편, 전류밀도는 0.15 내지 0.3A/d㎡의 범위내이다. 니켈도금처리중 스포링은 전혀 발생하지 않는다. 니켈도금처리의 후반에서 알미늄소재 2와 연결되는 니켈도금 10은 니켈도금된 알미늄소재 2b의 산화알미늄막 8내의 셀들 8b의 약 50%의 표면상에 형성된다. 나머지 50%의 셀들 8b에는 니켈이 전혀석출되지 않거나 또는 셀들의 높이이하의 두께로 석출된다. 니켈도금 10이 약 50%의 셀들의 표면들로부터 돌출하도록 니켈의 석출물은 절연 산화알미늄 막 8로서 코팅된 내부알미늄소재를 만족스러운 상태로 외부와 전기적으로 연결시키는 것이 가능하다.The plating voltage is in the range of 0.4 to 1 V, while the current density is in the range of 0.15 to 0.3 A /
니켈도금처리후에 니켈도금된 알미늄소재 2b를 소망하는 색깔로 착색시키도록 제 1 c도에 보인 바와같은 염료용액 6내에 침지한다. 니켈도금된 알미늄소재 2b를 염료용액 6내에 침지할 때 염료용액 6은 산화알미늄 8내의 세공들 9에 침투하여 산화알미늄막 8의 표면은 소망하는 색깔(제 2d 도)로 착색된다. 이 염색공정은 생략될 수도 있다.After the nickel plating treatment, the nickel plated
그다음, 제 1 d도에 나타낸 바와같이 염색된 알미늄소재 2c를 밀봉용액 7내에 침지하여 밀봉된 알미늄소재 2d 즉, 밀봉용액에 의해 밀봉된 세공들을 갖는 니켈도금산화알미늄막으로 코팅된 알미늄재질을 얻는다. 밀봉용액 7은 5g/1붕산의 혼합액이다. 밀봉공정은 약 20분간 60 내지 80℃의 범위의 온도에서 수행된다.Then, as shown in FIG. 1d, the dyed
밀봉공정중 초산니켈의 가수분해에 의해 발생된 수산화니켈(Ni)는 산화알미늄막 8의 셀들8b에 침투되며, 그에 의해 알미늄소재의 표면부식이 알미늄과 니켈의 이온화경향간에 큰차가 있음에도 불구하고 방지 된다. 제 2e 도에 나타낸 바와같이, 염료와 니켈하이드록사이드를 내장하는 셀들 8b의 표면부분들은 팽창하게 되어 니켈 10이 석출된 세공들을 밀봉하고 또한 니켈 10이 석출되지 않는 세공들의 입구를 좁힌다.Nickel hydroxide produced by the hydrolysis of nickel acetate during the sealing process (Ni ) Is penetrated into the
초산니켈을 사용하는 밀봉공정후 98℃의 끓는 물을 사용하여 밀봉공정을 행하여 밀봉을 완료하는 것이 바람직하다.After the sealing step using nickel acetate, the sealing step is preferably performed using boiling water at 98 ° C. to complete the sealing.
전산기케이스의 문짝은 그의 외측표면에 착색처리를 필요로 하는 반면 그의 내부표면에 전자차폐 및 접지를 위해 도전성으로 해줄 필요가 있다. 그러한 문짝과 같은 판재를 얻기위해 상기 산화알미늄막내의 세공들의 바닥장벽층을 용해시킨후의 알미늄소재 2b를 니켈도금할 경우 제 3 도에 나타낸 바와같은 도금처리해야할 판재(알미늄 소재)2b의 한쪽면만을 Ni전극 5에 대면시켜 전기도금을 행한다. 이 전기도금 처리시에 니켈은 판재 2b의 한표면에 코팅된 산화알미늄막내의 세공들내에서만 석출된다. 결국 니켈도금된 판재가 염료용액에 침지될 때 니켈석출물을 갖는 산화알미늄막은 소정색깔의 염료용액으로 효율적으로 착색된다. 다른한편, 니켈석출물은 니켈도금된 산화알미늄막의 표면상에 노출되기 때문에 니켈도금된 산화알미늄막으로 코팅된 판재의 표면은 착색된후에도 도전성이므로 접지시키기 위해 표면을 도전성으로 만들기 위한 별도의 처리가 필요없다.The door of the computer case needs to be colored on its outer surface, while its inner surface needs to be electrically conductive for electronic shielding and grounding. When nickel plated
전술한 실시예에서, 황산은 사화알미늄막을 형성하기위한 산황제로서 사용된다. 왜냐하면, 황산은 안정하고 값싸기 때문이다. 황산의 농도는 50∼80g/1의 범위내이다. 왜냐하면, 황산농도가 50g/1이하일 때 선택적인 양극산화가 발생되며 특히 재질이 합금일 때 반점이나 얼룩이 재질의 표면상에 형성되기 때문이다. 다른한편, 황산농도가 80g/1이상일 때 CR비(생성된 피막의 무게/용해된 알미늄의 무게)는 전류밀도가 1 내지 4A/d㎡의 범위내에 있을때조차 가변되지 않으며, 전해용액의 도전율은 농도가 증가함에 따라 감소한다. 산화알미늄막을 형성하기 위한 황산용액의 바람직한 온도는 냉각없이 통상의 온도에서 경질의 피막을 형성하도록 30±2℃의 범위내이다.In the above-mentioned embodiment, sulfuric acid is used as an sulphating agent for forming an aluminum tetrachloride film. Because sulfuric acid is stable and cheap. The concentration of sulfuric acid is in the range of 50 to 80 g / 1. This is because selective anodization occurs when the sulfuric acid concentration is less than 50 g / 1, especially when spots or stains are formed on the surface of the material when the material is an alloy. On the other hand, when the sulfuric acid concentration is more than 80g / 1, the CR ratio (weight of produced film / weight of dissolved aluminum) does not vary even when the current density is in the range of 1 to 4A /
왜냐하면, 그 범위이상의 온도는 피막을 지나치게 연약화하기 때문이다. 산화알미늄막을 형성하기위한 전해전압 및 시간은 피막(셀들의 높이)의 두께를 최대 10㎛정도로 제한하도록 20볼트와 10분이다. 산화알미늄막내의 세공들의 바닥을 형성하는 장벽들을 제거할시에 전압은 20볼트로부터 0으로 급강하된 다음 0.1V의 전압이 다음 이유로 10 내지 15분 동안 알미늄소재에 걸린다. 장벽층의 두께는 양극산화전해전압에 의해 결정되고 그것은 전해욕조전압 1V당 14Å정도이다. 본 발명에서는 20볼트로 전해를 하기 때문에 280Å정도의 두께를 갖는 장벽층이 형성된다. 280Å까지 성장된 장벽층의 성장을 급정지시키기위해 전압을 거의 0V로 떨어뜨린다음 아주 낮은 전압에서 충분한 시간동안 전해함으로써 두께를 3Å 또는 그 이하로 하기 위해서이다. 순간에 전압이 0으로 떨어질 때 장벽층은 여전히 제거되지 않는다. 니켈도금을 위한 0.4 내지 1V의 범위내의 전압은 장벽층이 제거된 세공들을 갖는 산화알미늄막으로 코팅된 알미늄소재를 니켈도금하기 위한 최저 전압조건이다. 전압이 0.4볼트이하일 때 니켈은 석출되지 않으며, 전압이 약 1볼트일 때 스포링이 발생한다.This is because a temperature above the range softens the coating too much. The electrolytic voltage and time for forming the aluminum oxide film are 20 volts and 10 minutes to limit the thickness of the film (height of the cells) to a maximum of about 10 mu m. Upon removing the barriers that form the bottom of the pores in the aluminum oxide film, the voltage drops from 20 volts to zero and then a voltage of 0.1 V is applied to the aluminum material for 10 to 15 minutes for the following reason. The thickness of the barrier layer is determined by the anodic oxidation voltage, which is about 14 kV per 1 V of the electrolytic bath voltage. In the present invention, since the electrolysis is performed at 20 volts, a barrier layer having a thickness of about 280 kPa is formed. In order to stop the growth of the barrier layer grown to 280 kHz, the voltage is dropped to almost 0 V and then electrolyzed for a sufficient time at a very low voltage to reach 3 kHz or less. The barrier layer is still not removed when the voltage drops to zero at the moment. The voltage in the range of 0.4 to 1 V for nickel plating is the lowest voltage condition for nickel plating an aluminum material coated with an aluminum oxide film having pores from which the barrier layer is removed. Nickel does not precipitate when the voltage is below 0.4 volts, and sparing occurs when the voltage is about 1 volt.
전술한 설명으로부터 명백한 바와같이, 본 발명에 의한 알미늄소재의 표면상에 복합막을 형성하는 이방법은 스포링의 원인없이 단시간에 알미늄소재의 표면상에 고도의 내식성 및 도전성 복합막을 형성할 수 있으며, 그러한 복합막으로 코팅된 알미늄 소재는 고내식성, 도전성 및 경량재로 이용할 수 있으므로 전기도금, 니켈도금 또는 도전코팅과 같은 종래의 표면처리를 행하는 어려움없이 전자장비와 전산기등을 위한 도전성 표면을 갖는 고내식성 및 경량케이스를 형성하기위해 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면 니켈도금처리시에 석출된 니켈의 양은 종래의 니켈도금 공정에 필요한 니켈의 양의 약 1/15이므로 본 발명은 니켈도금의 비용을 감소시킨다.As apparent from the foregoing description, this method of forming a composite film on the surface of the aluminum material according to the present invention can form a highly corrosion resistant and conductive composite film on the surface of the aluminum material in a short time without causing sporing, The aluminum material coated with such a composite film can be used as a high corrosion resistance, conductive and lightweight material, and has a high conductive surface for electronic equipment and computers without difficulty of performing conventional surface treatment such as electroplating, nickel plating or conductive coating. It can be used to form a corrosion resistant and lightweight case. In addition, according to the present invention, since the amount of nickel deposited during the nickel plating process is about 1/15 of the amount of nickel required for the conventional nickel plating process, the present invention reduces the cost of nickel plating.
제 5a 내지 5d 도는 본 발명에 의한 제 2 실시예의 방법을 설명하기위한 도면으로서 방법의 공정순서를 나타낸다. 제 5a 도에 나타낸 바와같이 알미늄소재 102와 탄소전극 103을 50 내지 80g/1의 범위내 농도의 황산용액내에 침지시킨다음 알미늄소재 102를 양극으로 그리고 탄소전극 103을 음극으로하여 양단에 20볼트의 전압을 걸어준다. 황산용액의 온도는 30±2℃에 유지시킨다. 수 10분 내에 산화알미늄막 110이 제 6 a도에 보인바와같이 알미늄소재 102의 표면상에 형성된다. 상부에서 보면 산화알미늄막 110은 벌집모양으로 배열된 세공들 111로 되어 있다. 각 세공 110b의 바닥을 형성하는 장벽층 110a는 알미늄소재 102의 표면을 완전히 덮는다. 각 셀 110b는 외경이 약 1600Å, 내경이 500Å 그리고 높이가 약 10㎛이다.5A to 5D are views for explaining the method of the second embodiment according to the present invention, and show the process sequence of the method. As shown in FIG. 5A, the
산화알미늄막 110을 형성한 후 전압을 20V로부터 0V로 급강하시킨다. 그다음 0.1V의 전압을 10 내지 15분 동안 걸어준다. 이렇게하면 셀들 110b의 바닥을 형성하는 장벽층 110a는 세공들 111이 제 6b도에 나타낸 바와같이 알미늄 소재 102와 연결되도록 용해된다.After the
바닥없은 세공들 111을 갖는 산화알미늄막 110으로 코팅된 알미늄소재 102를 제 5b 도에 나타낸 바와같이 알미늄 102를 음극으로 그리고 니켈전극들 105를 양극으로 사용하여 니켈도금을 위해 니케도금용액 104내에 침지한다. 니켈도금처리 중 니켈석출물들 112는 산화알미늄막 110(제 6 c도)내의 세공들내에 형성된다. 도금 전압은 0.4 내지 1V의 범위내이고, 전류밀도는 0.15 내지 0.8A/d㎡의 범위내이다. 니켈도금처리중 스포링은 전혀 발생되지 않는다. 니켈도금처리를 한후의 알미늄소재 102는 산화알미늄막 110내의 셀들 110b의 약 50%의 표면위에 내부의 알미늄소재와 전기적으로 연결하는 니켈도금 12가 석출된다. 나머지 50%의 셀들 110b에는 니켈이 전혀 석출되지 않거나 셀들의 높이 이하의 두께로 석출된다. 이와같이 니켈석출물들 112가 셀들 110b의 약 50%의 표면으로부터 돌출하도록 석출됨으로써 절연산화알미늄막 110으로 코팅된 내부 알미늄소재 102가 만족스러운 상태로 외부와 전기적으로 연결된다.An
니켈도금처리후에 니켈도금된 알미늄소재 102b와 아노드들 106(금, 백금 또는 경질탄소)은 금도금된 알미늄소재 102c를 얻도록 니켈도금된 알미늄소재 102b를 금도금하기 위해 제 5 c도에 보인 바와같은 금도금용액 107내에 침지한다. 금도금용액 107은 기초용질로서 KAu를 함유한다. 금도금용액 107은 염화금에 암모니아를 첨가하여 생긴 침전물을 시안화카륨으로 용해시켜 제조한다. 금도금 처리시에 금석출물들 113은 제 6d 도에 보인 바와같은 산화알미늄막 110의 표면상에 노출된 니켈석출물들 112의 상부표면위에 형성된다.After nickel plating, the nickel plated
그다음, 제 5d 도에 나타낸 바와같이 금도금 알미늄소재 102c는 밀봉된 알미늄소재 102d를 얻기 위해 밀봉 처리용 밀봉용액 109에 침지한다. 즉 밀봉용액으로 니켈도금과 금도금된 밀봉된 세공을 갖는 산화알미늄막으로 코팅된 알미늄소재를 얻는다. 밀봉용액은 5g/1초산니켈과 5g/1붕산을 함유하는 혼합물이다. 밀봉처리는 약 20분간 60 내지 80℃의 범위내의 온도에서 수행된다. 밀봉처리하는 동안 초산니켈의 가수분해에 의해 발생된 수산화 니켈(Ni)이 산화알미늄막 110의 셀들 110b를 침투하며, 그에의해 알미늄과 니켈의 이온화경향들가의 큰차로 인해 전지를 형성하기 쉬움에도 불구하고 알미늄소재의 표면부식이 방지된다. 제 6 e도에 나타낸 바와같이 밀봉처리후의 각 셀 110b는 세공내의 수산화니켈을 수용한 상태로 표면부분들이 팽창하여 니켈석출물들 112가 석출된 세공들을 밀봉시키고 또한 니켈석출물 112가 석출되지 않는 세공들의 입구를 좁혀주게 된다.Then, as shown in FIG. 5D, the gold-plated
초산니켈은 사용하는 밀봉처리후 98℃의 물을 사용하여 밀봉처리함으로서 밀봉을 완료하는 것이 좋다.Nickel acetate is preferably sealed by using 98 ° C water after sealing.
전술한 설명으로부터 명백한 바와같이, 본 발명에 의한 제 2 실시예에서 알미늄소재의 표면위에 복합막을 형성하는 이 방법은 스포링의 원인이 없이 단시간애에 알미늄소재위에 산화알미늄과 니켈로 구성되는 고내식성, 도전성 복합막을 형성한다음, 금도금을 행하고, 초산니켈용액내에 코팅된 알미늄소재를 침지시킴으로서 산화알미늄막내의 세공들을 밀봉시켜준다. 따라서, 복합막으로 코팅된 알미늄소재에 소정의 도전율과 내부식성을 부여하는데 필요한 금의 양은 동일목적에 소요되는 금의 양의 약 1/15이 되어 비용면에서 유리하다. 또한 본 발명의 방법은 불량도금이 없이 품질면에서 우수한 안정된 금도금을 얻을 수 있다.As is apparent from the foregoing description, this method of forming a composite film on the surface of the aluminum material in the second embodiment of the present invention has a high corrosion resistance composed of aluminum oxide and nickel on the aluminum material in a short time without causing sporing. After forming a conductive composite film, gold plating is performed, and the pores in the aluminum oxide film are sealed by immersing the aluminum material coated in the nickel acetate solution. Therefore, the amount of gold required to impart a predetermined conductivity and corrosion resistance to the aluminum material coated with the composite film is about 1/15 of the amount of gold required for the same purpose, which is advantageous in terms of cost. In addition, the method of the present invention can obtain a stable gold plating excellent in quality without poor plating.
제 7a 내지 7e 도는 본 발명에 의한 제 3 실시예에서 알미늄소재들의 표면상에 복합막을 형성하는 방법의 공정들을 나타낸다. 제 7 a도에 나타낸 바와같이 알미늄소재 202와 탄소전극들 203을 50 내지 80g/1의 범위의 황산농도를 갖는 황산용액 201내에 침지한 다음 알미늄소재 202를 양극으로 탄소전극들 203을 음극으로 하여 20V의 전압을 양단에 걸어준다. 황산용액 201의 온도는 30±2℃로 유지한다. 이와같이 10분간 계속하면 산화알미늄막 210이 제 8a 도에 나타낸 바와 같이 알미늄 소재 202의 표면상에 형성된다.7A to 7E show processes of a method of forming a composite film on the surface of aluminum materials in a third embodiment according to the present invention. As shown in FIG. 7a, the
산화알미늄막 210은 세공 211을 갖는 위에서 보면 도시안된 벌집모양으로 배열된 다수의 6각형 셀들 210b로 형성되어 있다. 각 셀 210b의 바닥을 형성하는 장벽층 210a는 알미늄소재 202의 표면을 완전히 덮고 있다. 각 셀 210b는 외경이 약 160Å 내경이 약 500Å, 그리고 높이가 약 10㎛이다.The
산화알미늄막 210을 형성한 후, 전압을 21V로부터 0으로 급강하 시킨다음 0.1V의 전압을 10 내지 15분 동안 걸어준다. 그러면, 산화알미늄막 210의 셀들 210b의 바닥을 형성하는 장벽층 210a는 제 8 b도에 나타낸 바와같이 용해되어 세공들 211이 알미늄소재 202와 연통된다.After the
저부가 용해된 세공들 211을 갖는 산화알미늄막 210으로 코팅된 알미늄소재 202는 제 7b 도에 나타낸 바와같이 니케도금액 204중에 침지시키고 양글으로서 니켈전극들 205을 음극으로서 알미늄소재 202를 사용하여 니켈도금한다. 니켈도금 처리하는 동안 니켈 도금 212는 산화알미늄막 210내의 세공들 211내에 형성된다(제 8 c도).The
도금전압은 0.15 내지 0.8A/d㎡의 범위내이다. 니켈도금 처리하는 동안 스포링은 전혀 발생되지 않는다. 이와같이 니켈도금 처리후의 알미늄소재 202는 산화알미늄막 210중 약 50%의 셀 210b의 표면에 내부 알미늄소재 202와 도통하는 니켈도금 12가 형성된다. 나머지 50% 셀 210b에는 니켈이 전혀 석출되지 않거나 또는 셀들의 높이이하의 두께로 석출된다. 니켈이 셀들 210b의 약 50%의 표면에 석출되면 니케석출은 절연산화알미늄막 210으로 코팅된 내부알미늄소재가 만족스러운 조건으로 외부와 전기적으로 연결되도록 하는 것이 가능하다.The plating voltage is in the range of 0.15 to 0.8 A /
니켈도금 공정다음에, 니켈도금 알미늄소재 202b에 크로뮴 또는 로듐의 경질 도금한다. (제 7c)도, 제 7c 도에서 206으로 나타낸 것은 납 전극들과 같은 양극이며, 또한 207은 경질양극 산화용액이다. 예를들어 경질 크로뮴 도금이 사용될 때 경질양극산화 용액 207은 크로움산과 소량의 황산의 혼합물이다. 경질양극으 알미늄소재 202c는 경질양극 산화용액 207 내의 음극에서 생성된다. 경질양극 산화공정에서 경질 도금 213은 제 8 d도에 나타낸 바와같은 산화알미늄막 210의 표면상에서 노출되는 니켈석출물들 212의 상부 표면위에 형성된다.After the nickel plating process, hard plating of chromium or rhodium is performed on the nickel plated
그다음, 제 7d 도에 나타낸 바와같이, 경질양극화 알미늄소재 202c는 소망하는 색으로 착색된 칼라 알미늄소재 202d를 제조하도록 염료용액 208 내에 침지된다. 염료용액 208은 소망하는 색으로 산화알미늄막의 표면을 착색시키도록 산화알미늄막 210의 세공들내로 침투된다.Then, as shown in FIG. 7D, the hard anodized
그다음 제 7e 도에 나타낸 바와같이, 칼라 알미늄소재 202d는 밀봉된 알미늄소재 202e를 얻도록 밀봉용액 209내에 침지된다. 밀봉용액은 5g/1의 초산니켈과 5g/1의 붕산을 함유하는 혼합물이다. 밀봉처리는 약 20분간 60 내지 80℃의 범위내의 온도로 수행된다. 밀봉처리하는 동안 수산화니켈(Ni)는 산화알미늄막 210의 셀들 210b에 침투되며 그에 의해 산화알미늄과 니켈의 이온화 경향간의 큰 차로 인해 전지를 형성함에도 불구하고 알미늄소재의 표면 부식은 방지된다. 제 8 f도에 나타낸 바와같이, 밀봉처리는 수산화니켈을 함유하는 셀들 210b의 표면부분들을 팽창시키는 원인이 되므로, 니켈석출물들 212가 석출되는 세공들이 밀봉되고, 니켈석출물이 석출되지 않는 세공들의 입구가 좁아진다.Then, as shown in FIG. 7E, the
초산니켈을 사용하는 밀봉처리후 98℃의 물을 사용하는 또다른 밀봉처리에 의해 밀봉을 완료하는 것이 좋다.The sealing is preferably completed by another sealing treatment using water at 98 ° C. after the sealing treatment using nickel acetate.
전술한 설명으로부터 명백한 바와같이, 본 발명에 의한 경질양극화 공정과 착색공정을 포함하는 이 방법은 스포링의 원인없이 단시간 내에 알미늄소재위에 산화알미늄과 니켈로 조성된 고도의 내식성, 도전성 복합막을 형성한다. 복합막을 경질양극산화 코팅으로 코팅된 알미늄소재를 침지시킴으로서 경질양극산화 코팅을 함이 없이 소망하는 색으로 착색될 수 있다.As is apparent from the foregoing description, this method including the hard anodization process and the coloring process according to the present invention forms a highly corrosion-resistant, conductive composite film composed of aluminum oxide and nickel on an aluminum material in a short time without causing sporing. . By immersing the aluminum material coated with the hard anodization coating, the composite film can be colored in a desired color without the hard anodization coating.
Claims (9)
Applications Claiming Priority (5)
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|---|---|---|---|
| JP1983285 | 1985-02-06 | ||
| JP60-19832~3 | 1985-02-06 | ||
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1986
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